DE3129449A1 - "verfahren zur regelung des partialdruckes mindestens eines stoffes oder stoffgemisches" - Google Patents
"verfahren zur regelung des partialdruckes mindestens eines stoffes oder stoffgemisches"Info
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Description
Licentia Patent-Verwaltungs-GmbH Ulm, 24.O7.8l
Theodor-Stern-Kai 1 Z13 PTL-UL/Ja/rß
D-6000 Frankfurt (Main) 70 UL
Verfahren zur Regelung des Partialdruckes mindestens eines Stoffes oder Stoffgemisches
Die Erfindung betrifft ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Die Erfindung betrifft insbesondere sogenannte Fliissigphasenepitaxie-Verfahren,
die zur Herstellung von Halbleiter-Dauelementen
dienen.
Ein derartiges Verfahren wird im folgenden beispielhaft anhand einer schematischen Zeichnung näher erläutert. Die
FIGUR zeigt ein sogenanntes Epitaxieboot 1 mit einem Raum 2, z.B. einer Vex-tiefung, der "einen Stoff oder ein Stoffgemisch
in Form eines sogenannten Aufwachssubstrates 3 enthält. Das Aufwachssubstrat 3 wird während einer herstel
lungsbedingten Aufheizphase mittels eines verschiebbaren
- 5 - UL 81/55
Deckels 4 abgedeckt, der in einer Ausnehmung eine sogenannte
Aufwächsschmelze 5 enthält. Nach der Aufheizphase wird
der Deckel Ί derart verschoben·, daß sich die Aufwachsschmelze
5 oberhaLb des Aufwachssubstrntes 3 befindet, so daß
0$ B. eine dotierte Iialbleit erschicht aufwachsen kann.
Dieses Verfahren hat den Nachteil, daß während der Aufheizphase
ein Anteil des Stoffes oder Stoffgemisches derart verdampft, daß das Aufwachssubstrat 3 eine mit Fehlern be-
**, haftete Oberfläche 6 erhält. Derartige thermische Zerstörungen
bewirken z.B. fehlerhafte Halbleiter-Bauelemente.
Zur Vermeidung derartiger thermischer Zerstörungen wurde
vorgeschlagen, in dem Deckel k eine Ausnehmung anzubringen,
die einen Körper 7, z.B. ein sogenanntes Abdecksubstrat, aufnimmt, der eine ähnliche chemische Zusammensetzung besitzt
wie das Aufwachssubstrat. Bei einem derartigen Verfahren treten immer noch·thermische Zerstörungen der Oberfläche
6 auf, die es nicht ermöglichen z.B. zuverlässige Halbleiter-Bauelemente herzustellen.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren zur Re-■"**·
20 gelung des Partialdruckes eines Stoffes oder Stoff gemisches
'anzugeben, das eine einfach zu handhabende, zuverlässige und sehr genaue Regelung ermöglicht derart, daß insbesondere bei einem in fester Phase vorliegenden Stoff oder
Stoffgemisch eine thermische Zerstörung von dessen Oberfläche bei einer herstellungsbedingten thermischen Belastung
vermieden wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die im
kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale,
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Weiterbildungen und Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprüchen entnehmbar.
Ein Vorteil der Erfindung besteht darin, daß insbesondere bei der Herstellung sogenannten III/V-Halbleiter-Bauelemente
eine derart gute Oberflächenqualität einzelner Halbleiterschichten
entsteht, daß nachfolgende Bearbeitungsschritte zum Glätten von Unebenheiten, z.B. Ätzen und/
oder Anlösen der Halbleiterschicht, überflüssig werden.
Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß der Partial1-druck
eines Stoffes oder Stoffgemisches nicht nur von der chemischen Zusammensetzung eines Körpers sowie dessen Umgebung abhängt, sondern auch sehr stark von. dem Gefüge-
und/oder Kristallaufbau des Körpers. Überraschenderweise
wurde festgestellt, daß ein aus einem Stoff oder Stoffgemisch aufgebauter Kristallt bei gleichen physikalischen Bödingungen,
an unterschiedlich orientierten Kristallflächen, z.B. (110)-Fläche bzw. (111)-Fläche, einen unterschiedlichen
Partialdruck des Stoffes oder Stoffgemisches aufweist. Dieser
Effekt wird für das erfindungsgemäße Verfahren ausgenutzt,
das im folg'enden anhand des eingans erwähnten Anwotiilungsbei
spielfis sowie der FIGUR näher erläutert wird.
. Als Stoffgemisch wird beispielsweise ein InP-Kristall als
Aufwachssubstrat 3 verwendet, wobei die Oberfläche 6 z.B.
durch eine (lOO)-Kristallfläche gebildet wird. Als Körper
7i das Abdecksubstrat, wird ebenfalls ein InP-Kristall verwendet, der jedoch derart orientiert wird, daß dessen Fläche
8, die der Oberfläche 6 zugewandt wird, durch eine ( lll)-B-Kristallfläche gebildet wird. Die beiden Kristallflächen
werden durch einen Abstand 9 räumlich voneinander getrennt. Während der eingangs erwähnten AufheLzphase, die
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eine thermische Belastung bewirkt, verdampft z.B. der
flüchtigere P(Phosphor)-Anteil des InP lediglich von der Fläche 8, da diese aufgrund ihrer Kristallorientierung
bei den angewandten Temperaturen einen höheren Phosphor-Partialdruck bewirkt als die zu schützende Oberfläche 6. Unter Berücksichtigung weiterer, leicht einstellbarer Bedingungen, z.B. Größe des Abstandes 9» Material und Form des Epitaxiebootes 1, wird während der Aufheizphase eine derartige Regelung des Phosphor-Partialdruckes erreicht, daß thermische Zerstörungen der Oberflläche 6 vermieden
flüchtigere P(Phosphor)-Anteil des InP lediglich von der Fläche 8, da diese aufgrund ihrer Kristallorientierung
bei den angewandten Temperaturen einen höheren Phosphor-Partialdruck bewirkt als die zu schützende Oberfläche 6. Unter Berücksichtigung weiterer, leicht einstellbarer Bedingungen, z.B. Größe des Abstandes 9» Material und Form des Epitaxiebootes 1, wird während der Aufheizphase eine derartige Regelung des Phosphor-Partialdruckes erreicht, daß thermische Zerstörungen der Oberflläche 6 vermieden
werden.
Die Erfindung ist nicht auf das beschriebene Ausführungsbeispiel beschränkt, sondern auf alle kristallisierenden
Stoffe oder Stoffgemische anwendbar, deren unterschiedlich
orientierte Kristallflächen einen jeweils verschiedenen
Partialdruck von mindestens einer chemischen Komponente
des Stoffes oder Stoffgemisches bewirken.
Partialdruck von mindestens einer chemischen Komponente
des Stoffes oder Stoffgemisches bewirken.
Leerseite
Claims (6)
1. Verfahren zur Regelung des Partialdruckes mindestens eines Stoffes oder Stoffgemisches, wobei der Stoff oder das
Stoffgemisch gleichzeitig in einer flüssigen oder festen
Phase vorliegt, dadurch gekennzeichnet, daß in einem den Stoff oder das Stoffgemisch enthaltenden Raum (2) mindestens
ein den Stoff oder das Stoffgemisch enthaltender
Körper (7) angebracht wird, dessen Gefüge- und/oder Kristallaufbau derart gewählt wird, daß in dem Raum (2) der "**> gewünschte Partialdruck entsteht.
Körper (7) angebracht wird, dessen Gefüge- und/oder Kristallaufbau derart gewählt wird, daß in dem Raum (2) der "**> gewünschte Partialdruck entsteht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß mindestens einer Phasengrenze des Stoffes oder Stoffgemisches im wesentlichen eine Fläche (8) des Körpers (7).
zugewandt wird, die im wesentlichen einen einheitlichen
Gefüge- und/oder Kristallaufbau besitzt.
Gefüge- und/oder Kristallaufbau besitzt.
3· Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß durch den Körper (7) und/oder dessen Fläche (8) ein derartiger Partialdruck erzeugt wird, daß ther-
- 2 - UL 81/55
misch bedingte Zerstörungen einer Obörflache (6)y die im
wesentlichen identisch ist mit der Phasengrenze, vermieden werden.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper (7) und der Stoff
oder das Stoffgemisch im wesentlichen eine gleiche chemische Zusammensetzung sowie einen im wesentlichen gleichen
Kristallaufbau besitzen und daß eine einer Oberfläche. (6)
des Stoffes oder Stoffgemisches gegenüberstehende Fläche (8) des Körpers derart gewählt wird, daß sich deren Kristallstruktur
von derjenigen der Oberfläche (6) unterscheidet.
5. Verfahren nach Anspruch k, dadurch gekennzeichnet, daß
die Kristallstrukturen der Fläche (8) sowie der Oberfläche
(6) so gewählt werden, daß der Partialdruck im Bereich der Fläche (8) gleich oder größer wird als der Partialdruck url··
mittelbar an der Oberfläche (6).
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Berührung zwischen einer
Fläche (8) und einer Oberfläche (6) vermieden wird und daß zwischen der Fläche (8) und der Oberfläche (6) ein Abstand
(9) gewählt wird, der kleiner ist'als eine Begrenzungslinie
der Oberfläche (6) bzw. kleiner ist als die Dicke eines Aufwachssubstrates (3).
7· Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Stoffgemisch und als Körper (7) jewe.ils ein in fester Phase befindlicher
III/V-Halbleiter gewählt wird, der eine flüchtige
fünfwertige Komponente besitzt.
- 3 - "L O1/35
8« Verfahren nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet,
daß als ΪΙΙ/V-Halbleiter im wesentliche In P bzw. GaAs
bzw, GaP verwendet wird, daß als Fläche (8) des Körpers (7) im wesentlichen eine kristallographische (lll)-B-Fläche
0> verwendet wird und daß als Oberfläche (6) eine von dieser
Kristallorientierung abweichende Kristallfläche gewählt wird.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19813129449 DE3129449A1 (de) | 1981-07-25 | 1981-07-25 | "verfahren zur regelung des partialdruckes mindestens eines stoffes oder stoffgemisches" |
US06/400,678 US4468258A (en) | 1981-07-25 | 1982-07-22 | Method of controlling the partial pressure of at least one substance mixture or mixture of substances |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19813129449 DE3129449A1 (de) | 1981-07-25 | 1981-07-25 | "verfahren zur regelung des partialdruckes mindestens eines stoffes oder stoffgemisches" |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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DE3129449A1 true DE3129449A1 (de) | 1983-02-10 |
DE3129449C2 DE3129449C2 (de) | 1990-09-20 |
Family
ID=6137769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19813129449 Granted DE3129449A1 (de) | 1981-07-25 | 1981-07-25 | "verfahren zur regelung des partialdruckes mindestens eines stoffes oder stoffgemisches" |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4468258A (de) |
DE (1) | DE3129449A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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FR2557154A1 (fr) * | 1983-12-22 | 1985-06-28 | Rondot Michel | Creuset pour epitaxie en phase liquide, a jeu reglable entre substrat et cloisons interbains |
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- 1981-07-25 DE DE19813129449 patent/DE3129449A1/de active Granted
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1982
- 1982-07-22 US US06/400,678 patent/US4468258A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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US4468258A (en) | 1984-08-28 |
DE3129449C2 (de) | 1990-09-20 |
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