DE2644001A1 - Photoelektrische anordnung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine photoelektrische Anordnung mit einer Photoleitschicht, wie das Target einer Halbleiter-Bildaufnahmeröhre .

Eine Halbleiter-Bildaufnahmeröhre mit einer Photoleitschicht als typisches Beispiel einer photoelektrischen Anordnung weist üblicherweise ein lichtdurchlässiges Substrat, eine darauf angeordnete Signalelektrode und eine Photoleitschicht auf, die durch einen von einer Kathode abgegebenen Elektronenstrahl abgetastet wird. Im Normalbetrieb dieser Art einer Bildaufnahmeröhre ist die Signalelektrode gegenüber der Kathode positiv vorgespannt und wird an die Photoleitschicht ein elektrisches Feld angelegt,das eine solche Polarität besitze, daß die Signalelektrode positiv ist, während der abtastende Elektronenstrahl negativ ist. Auf diese Weise kann e in in das Target fließender Dunkelstrom in zwei Gruppen eingeteilt werden, nämlich eine infolge eines Löcherstroms der von der Signalelektrode zur Photoleitschicht geführt wird,und eine infolge eines Elektronenstroms,der von dem abtastenden Elektronenstrahl zur Photoleitschicht geführt wird.

81-(A 1930-05)-MaF

709818/0772

Bei einem Bildaufnahmeröhren-Target, das einen Photoleiter verwendet, der Übliche P-Leitfähigkeit zeigt,wie ein amorpher Photoleiter auf Seleribasis, ist es ziemlich einfach, die Zufuhr der Elektronen vom abtastenden Elektronenstrahl zu unterdrücken, um den Dunkelstrom zu unterdrücken, weil die Beweglichkeit der Elektronen gering ist, jedoch ist es relativ schwierig, die Zufuhr der Löcher von der Signalelektrode zu unterdrücken. Das ist insbesondere dann schwierig, wenn ein hochempfindlicher Film-Aufbau.verwendet wird, bei dem ein starkes elektrisches Feld nahe einer Grenzfläche zwischen der Signalelektrode und dem Photoleiter aufgebaut wird.

Verschiedene Verfahren wurden angegeben, um den Dunkelstrom des Targets der photoleitenden oder Halbleiter-Bildaufnahmeröhre der beschriebenen Art zu unterdrücken. Unter anderem wurde angegeben, eine Schicht unterschiedlichen Werkstoffs zwischen der Signalelektrode und der amorphen Photoleitschicht anzuordnen. Einige der angegebenen Verfahren können zum Unterdrücken des Dunkelstroms wirksam sein, jedoch haben sie bei praktischer Anwendung zahlreiche Nachteile unter Berücksichtigung des gesamten Betriebs der Bildaufnahmeröhre. Insbesondere hat ein Verfahren, bei dem reines Selen zwischengeschichtet wird (vgl. US-PS 3 405 298)_/ den Nachteil, daß Weiß-Fehlerstellen in einem aufgenommenen Bild erzeugt werden, wegen örtlicher Abnahme des Widerstands infolge Kristallisation des reinen Selens. Ein Verfahren zum Zwischenschichten eines Isolierfilms. (_Vgl. JA-OS 44-24223) hat den Nachteil,daß häufig eine Drift im Signalstrom auftritt, weil der Isolierfilm nicht nur den Durchtritt des Dunkelstroms unterdrückt, sondern auch den Durchtritt des Signalstroms.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine photoelektrische Anordnung anzugeben, die unter Überwindung der genannten Nachteile stabil arbeitet bei wirksamer Unterdrückung des Dunkelstroms.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß eine photoelektrische Anordnung eine Signalelektrode und eine amorphe Photoleitschicht mit mindestens 50 Atom-# Selen enthält sowie darüber hinaus eine N-Halbleitersohicht aufweist, die dazwischen angeordnet ist, mit einer Breite des verbotenen Bandes von mindestens 2,0 eV und einem in einem Energiebereich von 0,2 bis 0,8 eV von der Unterkante eines Leitungsbandes angeordneten Permi-Niveau«.

Die Erfindung wird anhand des in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 in Prinzipdarstellung eine Bildaufnahmeröhre;

Fig. 2 den Aufbau eines Targets der Bildaufnahmeröhre gemäß einer erfindungsgemäßen photoelektrischen Anordnung j

Fig. j5 und 4 schematisch Energieband-Anordnungen zur Erläuterung des erfindungsgemäßen Prinzips;

Fig. 5 die Beziehung zwischen dem Sauerstoffpartialdruck während der Bildung des N-Halbleiters gemäß der Erfindung und der Aktivierungsenergie der Leitfähigkeit;

Fig. β die Beziehung zwischen der Filmdicke des N-Halbleiters gemäß der Erfindung und dem Dunkelstrom.

7098i

In Fig. 1 ist das Prinzip einer photoleitenden oder Halbleiter-Bildaufnahmeröhre dargestellt mit einem lichtdurchlässigen Substrat 1, einer Signalelektrode 2, einer Phctoleitschicht 3, einem abtastenden Elektronenstrahl oder Elektronen-Abtaststrahl 4 und einer Kathode 5.

Fig.2 zeigt den Aufbau eines Targets der Bildaufnahmeröhre gemäß der Erfindung mit dem lichtdurchlässigen Substrat 1, der lichtdurchlässigen Signalelektrode 2, der P-Photoleitschicht 3 und einer N-Halbleiterschieht 6.

Um die Zufuhr von Löchern von der Signalelektrode 2 zur Photöleitschicht 3 zu unterdrücken und gleichzeitig das Fließen von in der Photoleitschicht 3 erzeugten Elektronen in die Signalelektrode 3 ohne Impedanz zu ermöglichen, ist es erwünscht, daß die N^--HaIb le it er schicht 6 zwischen der Signalelektrode 2 und der Photoleitschicht 3 die folgenden Bedingungen erfüllt. Damit die N^--HaIb leiterschicht wirksam die Zufuhr von Löchern von der Signalelektrode 2 zur Photoleitschicht 3 verhindern kann, ist es notwendig, daß eine Energiedifferenz zwischen einem Fermi-Niveau E„ des N-HaIbleiters und der Oberkante dessen Valenzbands größer ist als die des Photoleiters. Es ist erwünscht,daß die erstere so viel größer als die letztere ist als möglich. Wenn die obige Bedingung erfüllt ist, wird verhindert, daß in der Signalelektrode 2 erzeugte Löcher in den Photoleiter zur Erzeugung des Dunkelstroms zugeführt werden.

Die Erfinder haben außerdem festgestellt, daß_/um die Rekombination von in der Photoleitschicht durch ein Licht kurzer Wellenlänge erzeugten Ladungsträgern zu verhindern, um hohe Empfindlichkeit aufrechtzuerhalten, es wirkungsvoll ist, einen Fenstereffekt der N-Halbleiterschicht 6 auszunutzen und daß es zu diesem Zweck erwünscht ist, d_ aß die

709816/0772

-τ-

Breite des verbotenen Bandes des N-HaIbLeiters größer ist als das der Photoleitschicht.

Wenn andererseits die Energiedifferenz zwischen dem Fermi-Niveau des N-Halbleiters und der Uhterkante dessen Leitungsbandes zu groß ist, entsteht eine Barriere oder Sperre zwischen dem Leitungsband der Photoleitschicht 3 und dem Leitungsband der N-HaIblederschicht 6, wie in Fig.5 dargestellt, die den Elektronenfluß unterbricht und um die die Elektronen abgeschieden oder gefangen werden, zur Erzeugung von Raumladungen, die ihrerseits eine Drift in einem stetigen photoelektrisehen Strom hervorrufen. In den Fig.5 und 4 sind dazu Elektronen e und Löcher h dargestellt. Folglich sollte die Energiedifferenz zwischen dem Fermi-Niveau und der Unterkante des Leitungsbandes des N-Halbleiters kleiner als die des Photoleiters sein.

Wenn auch die N-Halbleiterschicht als zwischen die Photoleitschicht 3 und die Signalelektrode 2 zwischengeschichtet dargestellt ist, muß die N-HaIbleiterschicht 6 nicht notwendigerweise unmittelbar an die Signalelektrode 2 anschließen, sondern es kann eine weitere Schicht aus unterschiedlichem Werkstoff zwischen der Signalelektrode 2 und der N-HaIbleiterschicht zwischengeschichtet sein. Es ist andererseits erwünscht, daß die Photoleitschicht 3 und die N-HaIbleiterschicht 6 unmittelbar aneinander angrenzen da, wenn Löcher in einer zwischen der Photoleitschicht und dem N-HaIbIeiterschieht zwischengeschichteten Schicht oder nahe einer Grenzfläche zwischen der zwischengeschichteten Schicht und der Photoleitschicht erzeugt sind, .. die N-HaIbleiterschicht 6 die Zufuhr von Löcher in die Photoleitschicht 3 nicht mehr verhindern gönnte.

709816/0772

Beispielsweise besitzt eine amorphe Photoleitschicht auf Selenbasis, wie jene, die 50 ktoxa-% oder mehr Selen enthält, eine Breite des verbotenen Bandes von etwa 2,0 eV und zeigt üblicherweise P-Leitfähigkeit, da die Löcherbeweglichkeit größerjals die Elektronenbeweglichkeit ist. Da jedoch die Aktivierungsenergie der Leitfähigkeit, (thermisch gemessen) etwa gleich der Hälfte der Breite des verbotenen Bandes ist (optisch gemessen),wird angenommen daß das Fermi-Niveau sich etwa in der Mitte des verbotenen Bandes befindet. Polglich beträgt die Energiedifferenz zwischen dem Fermi-Niveau und der Oberkante des Valenzbandes etwa 1 eV_/ und der Energiepegel zwischen dem Fermi-Niveau und der Unterkante des Leitungsbandes beträgt ebenfalls etwa 1 eV.

Folglich sollte der N-Halbleiter zur Verwendung zusammen mit dem amorphen Photoleiter mit mindestens 50 Atom-$ Selen eine Breite des verbotenen Bandes von mindestens 2 eV, eine Energiedifferenz zwischen dem Fermi-Niveau und der Oberkante des Valenzbandes von mindestens 1 eV und eine Energiedifferenz zwischen dem Fermi-Niveau und der Unterkante des Leitungsbandes von höchstens 1 eV besitzen.

Wenn die Energiedifferenz zwischen dem Fermi-Niveau und der Unterkante des Leitungsbandes im N-Halbleiter höchstens 1 eV beträgt, wird das freie Fließen von Elektronen nicht unterdrückt oder behindert. Es wurde experimentell nachgewiesen, daß ein N-Halbleiter mit der genannten Energiedifferenz in einen Bereich von 0,2 bis 0,8 eV ein besonders gutes Ergebnis zeigt.

Die Energiedifferenz zwischen dem Fermi-Niveau und der Unterkante des Leitungsbands wurde auf folgende Weise gemessen.

70 ^fJ «16/0772

Λ _

Ein Metallelektroden-Paar mit 10 · 10 mm Querschnittsfläche und etwa 80 nm Dicke wurde auf einem sauberen SiOp-Glassubstrat geformt. Eine der vier Seiten jeder der Metallelektroden war voneinander um etwa 0,05 mm beabstandet. Eine N-HaIbleiterschicht mit etwa 40 nm Dicke wurde mittels Bedampfen über die Elektroden zur Überdeckung des Spaltes zwischen ihnen niedergeschlagen. Ein elektrischer Widerstand zwischen den Elektroden wurde bei verschiedenen Temperaturen gemessen, um die Aktivierungsenergie des Widerstands R zu bestimmen, d. h. A E in der Gleichung

R = R₀ exp ( -

mit R₀= Konstante,

k = Boltzmann-Konstante,

T = absolute Temperatur. Es wird angenommen, d aß die Aktivierungsenergie annähernd gleich der Energiedifferenz zwischen dem Fermi-Niveau und der Unterkante des Leitungsbandes des N-HaIbIeiters ist.

Der elektrische Widerstand des N-HaIbleiteps,der aus einem Oxid hergestellt ist₅ ist eng abhängig von der Größe der Aktivierungsenergie. Bei dieser Art von N-HaIbleitern erzeugt ein Sauerstoffmangel im Oxid ein Donatoren-Niveau nahe der Unterkante des Leitungsbandes. Bei zunehmender Konzentration dieses Niveaus nimmt der Widerstand und die Energiedifferenz zwischen dem Fermi-Niveau und der Unterkante des Leitungsbandes ab. Andererseits besteht ein bevorzugter Widerstandsbereich des N-HaIbleiterwiederstands. Wenn der Widerstand des N-HaIbIeiters zu hoch ist, gegenüber dem Widerstand des Photoleiters, liegt der größte Teil der angelegten Spannung an der N-HaIbleiterschicht, wodurch der N-Halbleiter durchbricht. Wenn der Widerstand des N-Halbleiters zu klein ist, tritt Elektronenzufuhr vom N-Halbleiter zur Elektrode auf,

709816/0772

264A001

-t -

• I.

Polglich liegt eine bevorzugte Energiedifferenz zwischen dem Permi-Pegel und der Unterkante des Leitungsbandes im Bereich von etwa 0,2 bis 0,8 eV.

Nicht nur wenn die Photoleitschicht 3 P-Leitfähigkeit zeigt, sondern auch wenn sie N-Leitfähigkeit oder Intrinsic-Leitfähigkeit zeigt, wirkt der Hetero-Übergang mit dem N-HaIbIelter zur Verhinderung der Löcher-Zufuhr uiö zur Erzeugung einer Photo-EMK·

Ein Beispiel von N-Halbleitern mit relativ großer Breite des verbotenen Bandes von mindestens 2 eV und einem Fermi-Niveau,das nahe der Raumtemperatur einfach überwachbar ist,sind Seduktions- oder Sauerstoffverarmungs-Metalloxide. Unter diesen besitzen Seroxid und Bleioxid eine Breite des verbotenen Bandes von mindestens 2 eV, wobei sie in N-HaIbleiter mit einem Fermi-Niveau im Bereich von 0,2 bis 0,8 eV von der Unterkante des Leitungsbandes umgeformt werden können, durch Vakuumniederschlag oder Vakuumbedampfung unter bestimmten Arbeitsbedingungen. Für Geroxid kann der N-HaIbleiter durßh übliche Vakuumbedampfung ohne irgendeine Gas-

und
zufuhr besondere Aufheizung des Substrats gebildet werden.

Aus Fig. 5, die die Beziehung zwischen dem Sauerstoffpartialdruck der Atmosphäre und der Aktivierungsenergie der Leitfähigkeit bei,' dem Vakuumniederschlag zeigt, unter Verwendung des Oxids selbst als Verdampfungsquelle ergibt sich, daß ein geeigneter Sauerstoff-Partialdruck bei der Bildung des Films bei Ceroxid höchstens 1,53* 10"·^ mbar (1 · 10 Torr) und bei Bleioxid höchstens L,55'· 1O" mbar (l^p 1O~ Torr) beträgt. Die Substrattemperatur während der Bildung des Films ist vorzugsweise höchstens 200 ⁰C (in Fig. 5 war die Substrattemperatur auf 100 ⁰C eingestellt). Es wurde

709816/0772

experimentell nachgewiesen, daß die Möglichice it des Auftretens von Weiß-Fehlerstellen bei der Bildaufnahme geringer und daß der Dunkelstrom geringer war, wenn die Substrattemperatur auf höchstens 200 ⁰C eingestellt war. Fig.6 zeigt den Dunkelstrom, wenn eine Filmdicke von 40 nm unter den genannten Bedingungen geformt oder gebildet war. Bei einer Filmbildung durch Verdampfen von Ceroxid bei einer Substrattemperatur von über 200 ⁰C wurden in einem Elektronenbeugungsmuster Flecken deutlich festgestellt, jedoch bei einer Filmbildung durch Verdampfen von Cer-oxid- bei niedrigeren Substrattemperaturen wurden lediglich ringförmige Muster beobachtet und war der Film nahezu amorph. Bei einer auf niedriger als 200 ⁰C eingestellten Substrattemoeratur war die Adhäsion des N-Halbleiters verbessert, wodurch das Auftreten von Fehlern wegen örtlicher Ablösungen der N-HaIbleiterschicht von der Elektrode auf der Substrat-Oberfläche vermieden ist.

Wie erwähnt, ist es erwünscht,daß die Breite des verbotenen Bandes der N-HaIbIelterschicht breiter ist. Wenn sie mindestens 3 eV beträgt, besteht geringe Absorption der sichtbaren Lichtstrahlen. Folglich besteht keine Gefahr der Dämpfung des verzögerten Bildes oder des Nachbildes, was sonst auftreten würde, da nämlich Elektronen oder Löcher, die in der N-HaIbIeiterschicht erzeugt worden sind,durch die Lichtabsorption im N-Halbleiter gesammelt oder gefangen wer'den und dann langsam herausgelöst oder freigegeben werden. Selbstverständlich sollte die N-HaIblederschicht hohe chemische Stabilität zeigen, und sollte Widerstandsfähig gegenüber Reaktion mit der Signalelektrode und der Photoleitschicht sein. Ceroxid erfüllt diese Bedingungen.

709θΐβ/0772

Aus der die Beziehung zwischen der Filmdicke und. dem Dunkelstrom darstellenden Fig. 6 ergibt sich.,daß die Dicke der N-Halbleiterschicht 6 vorzugsweise über 8 nm beträgt, wobei der Dunkelstrom unter 1 nA abnimmt. Wenn die Dicke der N-Halbleiterschicht 6 kleiner als 5 nm liegt, schließt die N-Halbleiterschicht nadeiförmige oder kleine Löcher ein oder geht in diskrete Inseln über oder erleichtert die Löcherzufuhr durch Tunneleffekt als Folge der Verringerung der Dunkelstromunterdrückung und der Zerstörung der thermischen Stabilität der Photoleitschicht 3. Bei Verwendung von Oxid als N-HaIbleiter ist es sehr schwer; bei einem Verfahren zur Oxidierung des Metalls nach dessen Aufdampf ung, den Film der genannten Dicke zu bilden, der den gewünschten Energieband-Aufbau an jedem Abschnitt längs der Dickenabmessung besitzt, wobei die optische oder Lichtdurchlässigkeit leicht abnimmt. Es ist daher zweckmäßig, den Film mit einem Vakuumniederschlags -Verfahren aufzubringen unter Verwendung des Oxids selbst als Verdampfungs- bzw. Verdampfungsgut-Quelle. Wenn andererseits die Filmdicke 500 nm überschreitet, nimmt die optische oder Lichtdurchlässigkeit ab und Risse können erzeugt werden, wegen des Unterschieds der Wärmedehnungszahlen des Films und des Substrats 1, Es ist daher erwünscht, daß die Filmdicke höchstens 500 nm beträgt. Der bevorzugte Bereich der Filmdicke liegt zwischen 12 nm und 150 nm.

Beispiel 1

Eine lichtdurchlässige Zinnoxid-Elektrode wurde auf einem Glassubstrat gebildet_yund während das Substrat auf I50 ⁰C gehalten wurde, wurde ein Bleioxid-Film durch Vakuumniederschlag mit einer Dicke von 20 nm unter Verwendung eines Platin-Schiffchens in Sauerstoffatmosphäre von 6,67 · lo'^ ( 5 0 10°*^ Torr) aufgebracht. Eine amorphe Photoleitschicht

709816/0772

- hi- -

mit 8O Atom-# Selen, 10 ktom-% -Arsen und 10 ktom-% Tellur wurde durch Vakuumniederschlag darauf aufgebracht, in einer Dicke von 4 /um und weiter wurde eine Antimontrisulfid-Schicht durch Vakuumniederschlag darauf angebracht, mit einer Dicke von 100 nm in einem Vakuum von .1,33 · 10 mbar (1 * 10 Torr), um die Em ission von Sekundärelektronen zu verhindern. Auf diese Weise wurde ein Target einer Vidikon-Bildaufnahmeröhre fertiggestellt. Der Dunkelstrom dieser Bildaufnahmeröhre betrug 0,2 nA bei einer Target-Spannung von 50 V.

Beispiel 2

Eine lichtdurchlässige Indiurroxid- -Elektrode wurde auf einem Glassubstrat gebildet_/und bei Halten des Glassubstrats auf 100 ⁰C wurde Ceroxid unter Vakuumbedampfung darauf in einer Dicke von 10 m aufgebracht unter Verwendung eines Molybdän-Schiffchens bei einem Vakuum von 1,33 * IO" mbar (1 < 1O~ Torr). Ein amorpher Photoleiter mit 95 Atom~# Selen, 4 Atorn-^ Arsen und 1 Atom-^ Tellur wurde darauf vakuumniedergeschlagen in einer Dicke von 5 /um in einem Vakuum von 1,33» 10~ mbar (1 * IO" Torr)₇ und eine Antimontrisulfid-Schicht wurde weiter mittels Vakuumniederschlag darauf angebracht, in einer Dicke von 100 nm in einem Vakuum

—ρ ρ

von 6,67 "10 mbar (5 · 10" Torr), um die Emission von Sekundär elektronen zu verhindern. Auf diese Weise wurde ein Target einer Vidikon-Bildaufnahmeröhre fertiggestellt. Der Dunkelstrom dieser Bildaufnahmeröhre betrug 0,3 nA bei einer Karget-Spannung von 60 V.

Beispiel 3

Eine GoId-EIektrode wurde auf einem Glassubstrat niedergeschlagen und ein amorpher Photoleiter aus 70 Atom-ji Selen, 15 Atom-# Arsen und I5 Atom-# Tellur wurde darauf vakuumniedergeschlagen in. einer Dicke von 2 yum, darauf wurde

709816/0772

- ISr-

Ceroxid in einerDicke von 20 nm in einem Vakuum von 1,33 · ΙΟ" mbar (1 * 10~ Torr) vakuumniedergeschlagen bei einer Substrattemperatur von 10 ⁰C unter Verwendung eines Molybdän-SchiffChOnS₇ und ein durchscheinender Aluminiumfilm, der als Signalelektrode wirkt,wurde darauf weiter niedergeschlagen. Die Anordnung wurde als photoempfindliche oder lichtempfindliche Pestkörper-Vorrichtung verwendet, in der Licht auf die Aluminium-EIektrod'e einfällt. Der Dunkelstrom dieser photoempfindlichen Anordnung betrug 0,5 nA bei einer angelegten Spannung von 20 V. Eine eindimensionale photoelektrische Bildaufnahme-Vorrichtung kann durch Teilen der Aluminiumelektrode in Streifen gebildet werden.

Aus den vorgenannten Beispielen der Erfindung ergibt sich, daß bei Anwendung auf das Target einer Bildaufnahmeröhre oder auf eine photoempfindliche Festkörper-Vorrichtung der Dunkelstrom ohne nachteilige. Beeinflussung des Signalstroms unterdrückt werden kann, weshalb wirksam die Stabilität des Betriebs der Vorrichtung bzw. der Anordnung erhöht werden kann.

Der Dunkelstrom kann ganz allgemein um eine Größenordnung herabgesetzt werden, obwohl er sich abhängig von derArt des verwendeten Photoleiters ändert. Beispielsweise kann für Se-A s-Te-Phot öle lter der Dunkelstrom, der sonst etwa 2 bis 5 nA betragen würde, auf 0,2 bis 0,5 nA herabgesetzt werden.

709818/0772

Claims (6)

1. Ansprüche

   (l.\ Photoelektrische Anordnung,

   gekennzeichnet durch,
   eine Signalelektrode (2),

   eine N-Halbleiterschicht (6) nahe der Signalelektrode (2) mit einer Breite des verbotenen Bandes von mindestens 2,0 eV und einem Fermi-Niveau in einem Energiebereich von 0,2 bis 0,8 eV von der Unterkante eines Leitungsbandes, und

   eine amorphe Photoleitschicht (3) mit mindestens 50 Atom-# Selen auf der N-Halbleiterschicht (6).
2. 2. Anordnung nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet,daß

   die Dicke der N-Halbleiterschicht (6)5 nm bis 500 nm beträgt.
3. 3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der N-Halbleiterschicht (6) 12 nm bis 150 nm beträgt.
4. 4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,daß die N-Halbleiterschicht (6) aus einem Werkstoff der Gruppe besteht, die Sauerstoffverarmungs-Ceroxid und Sauerstoffverarmungs-Bleioxid enthält.
5. 5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch ein lichtdurchlässiges Substrat (1), auf den? die Signalelektrode (2) angeordnet ist, wobei die der Signalelektrode (2) abgewandte Seite des Substrats (1) eine Lichtempfangsfläche bildet.
6. 6. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5* gekennzeichnet durch eine weitere Elektrode, auf der die amorphe Photoleit-

   schicht (3) angeordnet ist, wobei einfallendes Licht auf die Signalelektrode (2) auffällt.

   OWGINAL INSPECTED

   709816/0772