DE2613759B2 - Verfahren zum Herstellen eines mehrschichtigen Metallanschlußkontaktes für ein Halbleiterbauelement - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines mehrschichtigen Metallanschlußkontaktes für ein Halbleiterbauelement

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines mehrschichtigen Metallanschlußkontaktes für ein Halbleiterbauelement, der sich von der öffnung in einer auf einem Halbleiterkörper angeordneten Isolierschicht auf diese Isolierschicht erstreckt und dessen oberste Schicht auf der Isolierschicht an einer für den Anschluß an ein weiteres Kontaktelement vorgesehenen Stelle einen galvanisch abgeschiedenen Metallkontaktberg trägt, bei dem zunächst eine oder mehrere Metallschichten ganzflächig auf die mit der Isolierschicht versehene Oberflächenseite des Halbleiterkörpers aufgedampft oder aufgesputtert werden. Ein derartiges Verfahren ist ausderDE-AS23 15 710bekannt.
Halbleiterbauelemente mit mehrschichtigen Metallanschlußkontakten, die an einer Stelle mit einem über die Halbleiterobei-flächc hochragenden Metallkontaktberg versehen sind, werden beispielsweise für drahtlos zu kontaktierende Halbleiterbauelemente benötigt. Bei der drahtlosen Kontaktierung wird ein Halbleiterkörper mit seiner Rückseite beispielsweise auf einen ersten Trägerkörper aufgesetzt, der im allgemeinen aus einem strukturierten Kontaktierungsstreifen mit zahlreichen Zinken besteht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen eines mehrschichtigen Metallanschlußkontaktes mit einem Metallkontaktberg anzugeben, bei dem der Bedarf an teurem Kontaktmetall, beispielsweise Gold, möglichst gering ist. Außerdem soll sichergestellt sein, daß die Metallkontaktberge, die galvanisch abgeschieden werden, nur an den dafür vorgesehenen Stellen aufwachsen und Leitbahnbrüche an den Rändern des Kontaktierungsfensters vermieden werden.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs beschriebenen Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die aufgedampften oder aufgesputterten Metallschichten mit einer Photolackmaske bedeckt werden, die nur die für die Leitbahnen vorgesehenen Bereiche freiläßt, daß an diesen Bereichen eine Metallschicht galvanisch abgeschieden wird, daß auf die Halbleiteroberfläche danach eine zweie Lackmaske aufgebracht wird, die die ersie Lack,ii:iske und Teile der galvanisch abgeschiedenen Metallschicht bedeckt und in dem für die Abscheidung des Kontaktberges vorgesehenen Oberflächenteil eine Öffnung aufweist, daß in dieser öffnung auf der galvanisch abgeschiedenen Metallschicht ein dicker Metallkontaktberg gleichfalls galva-
nisch abgeschieden wird und daß schließlich die Lackmasken und die nicht zu den Leitbahnen gehörenden Teile der aufgedampften bzw. aufgesputterten Metallschichten wieder entfernt werden, wobei die galvanisch abgeschiedene Schicht als Ätzmaske dient.
Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, daß die oberste Leitbahn, die unmittelbar unter dem Metallkontaktberg angeordnet ist, nur noch in dem für die Leitbahn vorgesehenen Bereich abgeschieden wird. Bei einem älteren Verfahren war es üblich, auch diese Metallschicht ganzflächig auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers aufzudampfen und später an der nicht für die Leitbahn vorgesehenen Stelle wieder abzuätzen. Hierdurch gehen erhebliche Mengen des unnötig aufgedampften Metalls, das meist aus Gold besteht, verloren. Bei dem genannten Verfahren, bei dem die oberste Metallschicht ganzflächig auf die Halbleiteroberfläche aufgedampft wird, ergibt sich beim chemischen Ätzen der Leitbahnstruktur zwangsläufig eine von der Dicke der zu ätzenden Schicht abhängige Leitbahnunterätzung, durch die eine optimale Flächenausnutzung verhindert wird. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren entfällt dieser Ätzprozeß, so daß die Herstellung eng benachbarter, relativ breiter Leitbah-
nen möglich ist, wodurch die zur Verfügung stehende Oberfläche optimal für die herzustellende Leitbahn ausgenutzt werden kann.
Das erfindungsgemäße Verfahren hat darüber hinaus den Vorteil, daß bei der Abscheidung der Metallkontaktberge große Teile der Halbleiteroberfläche von zwei übereinanderliegenden Lackschichten maskiert sind. Sollten in der unteren Lackschicht unerwünschte, aber meist nicht vermeidbare Öffnungen enthalten sein, so werden diese Öffnungen durch die zweite Lackschicht geschlossen. Wäre die zweite Lackschicht nicht vorhanden, so würden in den unerwünschten Öffnungen der ersten Lackschicht gleichfalls unerwünschte Kontaktberge aufwachsen, die möglicherweise zur Unbrauchbarkeit des Bauelementes oder der integrierten Schaltung führen würden. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren können die beiden Lackmasken in einem Arbeitsgang wieder entfernt verden. Auf diese Weise wird ein Reinigungsprozeß eingespart.
Das neue Verfahren hat auch den Vorteil, daß Leitbahnbrüche, die vielfach an den Rändern der Kontaktierungsfenster bei aufgedampften Leitbahnschichten entstehen, bei der galvanischen Abscheidung der obersten Leitbahnschicht wieder zuwachsen. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich daher Leitbahnbrüche mit Sicherheit ausschließen. Da die oberste Leitbahn galvanisch abgeschieden wird und nicht mehr durch Ätzen strukturiert werden muß, ist auch die Gefahr der Leitbahnunterätzung beseitigt.
Bei einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird auf eine oder mehrere aufgedampfte oder aufgesputterte Metallschichten vor der galvanischen Abscheidung einer Goldschicht zunächst eine dünne Schicht aus Gold ganzflächig aufgedampft oder aufgespulten. Bei einer Ausführungsform wird beispielsweise zunächst auf den Halbleiterkörper eine Mischschicht aus Titan und Wolfram aufgedampft oder aufgespulten, die eine Dicke von 0,4 μηι aufweist. Auf diese Titan-Wolfram-Schicht wird dann eine ca. 0,1 μιη dünne Goldschicht ganzflächig aufgedampft oder aufgespulten, bevor die Halbleiteroberfläche mit einer die Leitbahnbereiche freilassenden Lackmaske versehen wird. In den Öffnungen dieser Lackmaske werden dann Goldschichten mit einer Dicke von ca. 2 μπι galvanisch abgeschieden. In einem weiteren Abscheidungsprozcß, der nach dem Aufbringen der zweiten Lackmaske durchgeführt wird, wächst schließlich auf der aus Gold bestehenden Gleitbahn ein Metallkontaktberg auf, der vorzugsweise wiederum aus Gold besteht und eine Dicke von ca. 25 μηι aufweist.
Die Erfindung und ihre weitere vorteilhafte Ausgestaltung soli an Hand eines Ausführungsbeispieles noch näher erläutert werden.
In den Fig. 1 bis 8 sind verschiedene Fertigungsstadien dargestellt, wobei im Schnitt jeweils der eine einzige Leitbahn umfassende Teil eines Halbleiterkörpers wiedergegeben wird.
Die Fig. I zeigt einen Teil eines Halbleiterkörpers 1, der beispielsweise aus Silizium besteht, in den die mit einer Leitbahn kontaktierende Zone 2 eingelassen wurde. Die Zone 2 wurde beispielsweise in den Halbleiterkörper unter Verwendung einer Oxidmaske 3 (z. B. aus SiO2) eindiffundiert. Hierzu wurde in die Oxidmaske ein Diffusionsfenster 4 eingebracht, durch das Störstellen in den Halbleiterkörper 1 unter Bildung einer Zone 2 bestimmten Leitungstyps und bestimmter Leitfähigkeit eindiffundiert wurden. Dieses Diffusionsfenster 4 soll in dem zu beschreibenden Ausführungsbeispiel gleichzeitig das Kontaktierungsfenster sein, in dem die der Zone anschließende Leitbahn ihren Ausgang nimmt und sich von dort auf die Isolierschicht 3 erstreckt.
Zunächst wird im allgemeinen im Kontaktierungsfenster eine extrem dünne Platinschicht (z. B. 50 nm dick) niedergeschlagen, die nach einem Temperprozeß mit dem aus Silizium bestehenden Halbleiterkörper Platinsilizid !3 bildet.
Gemäß der F i g. 2 wird dann auf die gesamte, mit der Isolierschiciit 3 bedeckte Oberflächenseite des Halbleiterkörpers eine erste Metallschicht 1. aufgedampft, die beispielsweise aus einer Titan-Wolfrjm-Legierung besteht und ca. 0,4 μπι dick ist. Diese Schicht 5 wird anschließend ganzflächig mit einer dünnen Metallschicht 6 bedeckt, die beispielsweise aus Gold besteht und ca. (.-,] μπι dick ist. Beide Schichten 5 und 6 können aufgedampft oder aufgespulten werden.
Gemäß F i g. 3 wird dann die Halbleiteroberfläche mit e>ner Photolackmaske 7 bedeckt, die nur an der für die Leitbahn vorgesehenen Stelle 8 eine öffnung aufweist.
In einem Galvanisierbad wird dann in dieser Öffnung 8 eine Goldschicht 9 abgeschieden (Fig.4). Diese Goldschicht ist beispielsweise 2 μπι dick und erstreckt sich vom Kontaktierungsfenster bis zu dem Teil der Halbleiteroberfläche, der für den Metallkontaktberg vorgesehen ist. Im Galvanisierbad dienen die Metallschichten 5 und 6, die aufgedampft oder aufgesputlert wurden, als elektrischer Anschluß.
Danach wird gemäß F i g. 5 auf die Halbleiteroberfläche eine zweite Photolackschicht 10 aufgebracht, die nur an der für die Abscheidung des Melallkontaktberges vorgesehenen Stelle eine Öffnung U aufweist. Die Halbleiteranordnung wird dann erneut in ein Galvanisierbad eingebracht, indem der Metalikontak'berg 12 gemäß F i g. 6 an der dafür vorgesehenen Stelle auf der Goldschicht 9 aufwächst. Dieser Metallkonlaktberg, der aus Gold besteht, ist beispielsweise 25 μιτι dick und ist mesaförmig oder pilzförmig ausgebildet.
Schließlich werden in einem Arbeitsgang die beiden übereinander angeordneten Photolackschichten 7 und 10 von der Halbleiteroberfläche auf herkömmliche Weise entfernt. Dieses Herstellungsstadium ist in der Fig. 7dargestellt.
Sch''e3lich werden noch gemäß Fig. 8 die Metallschicliten 5 und 6 an der nicht für die Leitbahn vorgesehenen Stelle von der Halbleitereberfläche wieder entfernt. Hierbei dient die Goldschicht 9 als Ätzmaske, da sie so dick ist, daß ein geringer Dickeabtrag ohne Bedeutung bleibt. Die Metallschichten 5 und 6 können mit herkömmlichen Ätzlösungen oder durch lonenätzen entfernt werden.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen eines mehrschichtigen MetallanschluOkontaktes für ein Halbleiterbauelement, der sich von der öffnung in einer auf einem Halbleiterkörper angeordneten Isolierschicht auf diese Isolierschicht erstreckt und dessen oberste Schicht auf der Isolierschicht an einer für den Anschluß an ein weiteres Kontaktelement vorgesehenen Stelle einen galvanisch abgeschiedenen Metallkontaktberg trägt, bei dem zunächst eine oder mehrere Metallschichten ganzflächig auf die mit der Isolierschicht versehene Oberflächenseite des Halbleiterkörpers aufgedampft oder aufgesputtert werden, dadurch gekennzeichnet, daß die aufgedampften oder aufgesputterten Metallschichten (5, 6) mit einer Photolackmaske (7) bedeckt werden, die nur die für die Leitbahnen vorgesehenen Bereiche (8) freiläßt, daß an diesen Bereichen eine Metallschicht (9) galvanisch abgeschieden wird, daß auf die Halbleiteroberfläche danach eine zweite Lackmaske (10) aufgebracht wird, die die erste Lackmaske (7) und Teile der galvanisch abgeschiedenen Metallschicht (9) bedeckt und in dem für die Abscheidung des Kontaktberges vorgesehenen Oberflächenteil eine öffnung (11) aufweist, daß in dieser öffnung (11) auf der galvanisch abgeschiedenen Metallschicht (9) ein dicker Metallkontaktberg (12) gleichfalls galvanisch abgeschieden wird und dali schließlich die Lackmasken (7,10) und die nicht zu den Lei.Hahnen gehörenden Teile der aufgedampften bzw. aufgesputterten Metallschichten (5, 6) wieder entfernt werden, wobei die galvanisch abgeschiedene Schicht (9) als Ätzmaske dient.
2. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die galvanisch abgeschiedene Metallschicht (9) und der Metallkontaklberg (12) aus Gold besteht.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß auf eine oder mehrere aufgedampfte oder aufgesplitterte Metallschichten (5, 6) vor der galvanischen Abscheidung des Goldes eine dünne Schicht aus Gold ganzflächig aufgedampft oder aufgesputtert wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf die mit der Isolierschicht versehene Oberflächenseite des Halbleiterkörpers zuerst ganzflächig eine Schicht (5) aus einer Titan-Wolfram-Legierung und danach eine dünne Goldschicht aufgedampft oder aufgesputtert werden.
5. Verfahren nach Anspruch 2 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Ti/W-Schicht (5) ca. 0,4 μιτι und die dünne Goldschicht (6) ca. 0,1 μΐπ dick ist, daß auf diese Schichten im Bereich der Leitbahn eine ca. 2 μπι dicke Schicht (9) aus Gold galvanisch abgeschieden wird und daß schließlich auf diese Goldschicht (9) an der für den Anschluß eines weiteren Kontaktelementes vorgesehenen Stelle ein ca. 25 μπΊ dicker Kontaktberg (12) aus Gold galvanisch abgeschieden wird.
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US4300149A (en) * 1979-09-04 1981-11-10 International Business Machines Corporation Gold-tantalum-titanium/tungsten alloy contact for semiconductor devices and having a gold/tantalum intermetallic barrier region intermediate the gold and alloy elements
JPS57198648A (en) * 1981-06-01 1982-12-06 Nec Corp Manufacture of semiconductor device
JPS607758A (ja) * 1983-06-27 1985-01-16 Nec Corp 半導体装置
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JPS61274325A (ja) * 1985-05-29 1986-12-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法

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