DE2453772A1 - Schnellansprechende kamera fuer bildwandlerroehren - Google Patents
Schnellansprechende kamera fuer bildwandlerroehrenInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 44
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 16
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 10
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 7
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 4
- -1 thallium-activated Sodium iodide Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000007771 core particle Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 13
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000009206 nuclear medicine Methods 0.000 description 3
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKLVYJBZJHMRIY-OUBTZVSYSA-N Technetium-99 Chemical compound [99Tc] GKLVYJBZJHMRIY-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000037406 food intake Effects 0.000 description 1
- ZNKMCMOJCDFGFT-UHFFFAOYSA-N gold titanium Chemical group [Ti].[Au] ZNKMCMOJCDFGFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910000595 mu-metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 1
- 229940056501 technetium 99m Drugs 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910001258 titanium gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/49—Pick-up adapted for an input of electromagnetic radiation other than visible light and having an electric output, e.g. for an input of X-rays, for an input of infrared radiation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/161—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting
- G01T1/164—Scintigraphy
- G01T1/1641—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras
- G01T1/1642—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras using a scintillation crystal and position sensing photodetector arrays, e.g. ANGER cameras
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/161—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting
- G01T1/164—Scintigraphy
- G01T1/1641—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras
- G01T1/1645—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras using electron optical imaging means, e.g. image intensifier tubes, coordinate photomultiplier tubes, image converter
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/42—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis
- A61B6/4208—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis characterised by using a particular type of detector
- A61B6/4258—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis characterised by using a particular type of detector for detecting non x-ray radiation, e.g. gamma radiation
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Biomedical Technology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Nuclear Medicine (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
Schnellansprechende Kamera für Bildwandlerröhre η
Die Erfindung betrifft ein stationäres Gerät, das keinen Abtastvorgang
zur Erzeugung einer Abbildung der Verteilung der Quellen für Kernteilchen oder elektromagnetische Strahlung benötigt, und
insbesondere .eine Gamma-Kamera des Typs mit Bildverstärker, wobei
sich der Messfühler, welcher die Energie und die Koordinaten bezüglich zweier Achsen für die auftreffenden Strahlen oder Teilchen
ermittelt, im Innern eines abgedichteten Glaskolbens befindet.
Die Kernmedizin ist zur Zeit eines der am schnellsten wachsenden Gebiete der medizinischen Diagnose- Die allgemeinste Anwendung
der Kernmedizin bei der medizinischen Diagnose beinhaltet die Verabreichung einer kleinen Dosis eines radioaktiven Pharmazeutikums
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an den Patienten durch Injektion, durch Einnehmen oder Einatmen. Das radioaktive Pharmazeutikum, d.h. ein kurzlebiges, Gamma-Strahlen
emittierendes Isotop (beispielsweise Technetium-99 m) wurde dabei zuvor in eine geeignete chemische Verbindung umgewandelt,
so daß das Isotop entweder von einem bestimmten Organ oder Bereich des Körpers des Patienten angezogen wird oder diesen Körperbereich
meidet. Zur Feststellung der Isotopenverteilung mit Hilfe der Gammastrahlen-Emission wird ein nicht in den Körper eindringendes
Gerät verwendet und dieses liefert dem Arzt wertvolle Diagnoseinformationen.
Die Überwachung der Gammastrahlen-Emission wird am häufigsten mit einem Gerät ausgeführt, das auch als Gamma-Kamera bekannt ist,
und insbesondere mit einer Szintillations-Kamera, wie sie in der US-Patentschrift No. 3.011.057 beschrieben ist.
Es wurden auch andere Bauformen einer Szintillationskamera entwickelt.
Keine dieser Bauformen hat sich jedoch so stark durchge-.setzt wie die in der vorgenannten US-Patentschrift beschriebene
Kamera. Der Grund hierfür liegt in einer oder mehreren Beschränkungen, die in der gegenwärtigen Form solcher Einrichtungen inhärent
sind.
Kürzlich wurde in der US-Patentschrift 3.683.185 ein neuer Lösungsweg zur Abbildung von Gammastrahlen in Form einer Szintillations-Kamera
des Bildverstärkertyps angegeben.
Weiterhin wurden Bildverstärker-Gammakameras entwickelt, die eine photographische Wiedergabe benutzen. Sie waren jedoch wegen ihrer
schlechten räumlichen Auflösung kommerziell nicht erfolgreich.
Nachstehend wird die erfindungsgemäße Kamera-Einrichtung mit Bildverstärker
als eine Gamma-Kamera beschrieben. Selbstverständlich ist sie auch geeignet zur Verwendung mit anderen Arten elektromagnetischer
Strahlung, beispielsweise mit Röntgenstrahlen, und
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auch mit Kernteilchen, beispielsweise mit Positronen. D.h., die erfindungsgemäße Kamera mit Bildwandlerröhre kann zur Feststellung
der Verteilung einer beliebigen Strahlung oder beliebiger Teilchen verwendet werden, auf welche der Szintillator anspricht.
Zusammengefaßt wird erfindungsgemäß eine verbesserte Kamera mit
sehr schneller Ansprechzeit und Bildwandlerröhre geschaffen, die ein abgedichtetes Gehäuse mit einer ersten Schicht eines Phosphors
und einem ersten Photo-Kathoden-Film am Eingangsende desselben enthält und weiterhin einen Positionsmessfühler in Halbleiterbauweise
zur Feststellung der Lage bezüglich zweier Achsen besitzt, der im Inneren des Gehäuses am ausgängsseitigen Ende angeordnet ist.
Zwischen dem Photokathodenfilm und dem Halbleiter-Positionsmessfühler
sind geeignete Beschleunigungs- und Fokussierungselektroden zur Beschleunigung der Elektronen angeordnet, die beim
Auftreten von Kernteilchen oder elektromagnetischer Strahlung auf die Schicht des Phosphors und bei Absorption in der_selben von dem
Photokathodenfilm emittiert werden. Die beschleunigten Elektroden werden auf den Halbleiter-Positionsmessfühler fokussiert und bewirken
eine impulsförmige Hochenergie-Elektronenanregung desselben, so daß man einen beträchtlichen Gewinn in der Quantenausbeute
im Vergleich zur konventionellen Anregung eines Messfühlers durch Lichtphotonen mit niedriger Energie erhält. Durch diese verstärkte
Quantenausbeute wird die Notwendigkeit zur Benutzung mehrerer Verstärkungs-
oder Bildverstärkungsstufen beseitigt und man erhält daher eine verbesserte Abbildungsqualität und eine schnellere Ansprechzeit
im Vergleich zur konventionellen Gammakamera mit Bildröhre. Der Halbleiter-Positionsmessfühler erzeugt bei Vorhandensein
seiner impulsförmigen hochenergetischen Elektronenanregung elektrische Signale, aus denen die x- und y-Koordinaten und die Energie
der auftreffenden Strahlen oder Teilchen in einer elektronischen Schaltungsanordnung ermittelt werden, welche ausserhalb des Gehäuses
angeordnet ist. Eine geeignete Ausleseeinrichtung ist mit dem Ausgang der elektronischen Schaltungsanordnung zur Aufzeichnung
der χ- und y-Koordinaten der auftreffenden Strahlen oder Teilchen
und der Energie derselben verbunden. Bei Anwendungsfällen,
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in denen ein höherer Verstärkungsgrad erforderlich ist, wird
noch eine zusätzliche Verstärkungsstufe benutzt.
Ein besseres Verständnis der Erfindung, ihres Aufbaues und ihrer Arbeitsweise ergibt sich zusammen mit weiteren Aufgaben und Vorteilen
derselben aus der nachstehenden Beschreibung bestimmter Ausführungsformen im Zusammenhang mit den Abbildungen, in denen
gleiche Teile in den einzelnen Abbildungen mit der gleichen Bezugsziffer bezeichnet sind.
Die Figur 1 zeigt eine Ansicht einer einstufigen Ausführungsform
der erfindungsgemässen Anordnung, welche teilweise in Form eines Blockschaltbildes dargestellt ist.
Figur 2 zeigt eine vergrösserte perspektivische Ansicht des benutzten
Halblei ter-Positöons-Messfühlers für die Lage bezüglich ■
zweier Achsen.
Die Figur 3 gibt eine Ansicht einer zweistufigen Ausführungsform
der erfindungsgemässen Anordnung.
Die Figur 3a zeigt eine Ausgangsstufe einer erfindungsgemässen Anordnung mit Nahfokussierung.
Die Figur 4 zeigt ein Blockschaltbild der elektronischen Rechnerschal
tung, welche für die erfindungsgemässe Anordnung verwendbar ist.
Es wird nunmehr im besonderen auf die Figur 1 Bezug genommen. Sie zeigt eine erste Ausführungsform der Erfindung, wobei ein abgedichtetes
evakuiertes inneres Gehäuse IO zweckmässigerweise die
Form eines Glaskolbens mit einem Eingangsende 1Oa mit großem Durchmesser und einem Ausgangsende lob mit kleinem Durchmesser
besitzt. Die Seiten und das Ausgangsende,des Gehäuses IO sind
zweckmässigerweise von einer magnetischen Abschirmung lOc umgeben,
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die typischerweise aus Mu-Metall gebildet sein kann. Ein konzentrisches
äußeres Gehäuse iod, das nicht abgedichtet sein muß und aus Aluminium gebildet sein kann, ergibt eine Abstützung der Abschirmung
lOc und des inneren Gehäuses 10 und liegt vorzugsweise auf
Erdpotential. Das Eingarigsende 10a besitzt typischerweise einen Durchmesser von etwa 30 cm (12 Zoll); es kann jedoch entsprechend
bestimmter Anforderungen größer oder etwas kleiner sein. Das Ausgangsende besitzt typischerweise einen Durchmesser von etwa 2,5 cm
(1 Zoll) für einen Positions-Messfühler mit den Abmessungen 2O χ 2O mm. Das Eingangsende des Gehäuses IO wird nachstehend als
Eintrittsfenster 10a aus Glas und das Ausgangsende als Rückplatte 10b bezeichnet, welche entweder aus Glas oder einem anderen elektrisch
nicht leitenden Material bestehen kann; dieses muß nicht lichtdurchlässig sein. Das Eingangsfenster 1Oa ist wie im Falle
einer konventionellen Bildverstärkerröhre gewölbt und über die gesamte Oberfläche des Eingangsfensters 10a, und vorzugsweise entlang
der äußeren (konvexen) Oberfläche desselben wird eine Schicht 11 eines Einkristall-Phosphors aufgebracht. Diese · Phosphorschicht
11 besitzt eine gleichförmige Dicke in der Größenordnung von etwa 1,2 cm (1/2 Zoll) und ist aus einem Material gebildet,
das bei Vorhandensein der bestimmten überwachten Strahlung oder Teilchen eine Szintillation zeigt. Diese eingangsseitige Phosphorschicht
ist allgemein in dem Gebiet der Nuklear-Medizin als ein Szintillationskristall oder Szintillator bekannt und kann typischerweise
ein mit Thallium aktiviertes Natriumjodid, NaI (Tl), CsI (Tl)
oder CsI (Na) zur Messung von Gammastrahlung sein.
Eine geeignete dünne Aluminiumabschirmung 11a (mit einer Dicke in der Größenordnung von etwa O,8 mm) (1/32 Zoll), befindet sich
in einem geringen Abstand vom Szintillator 11 und ist entlang der Aussenkante des Eingangsfensters abgedichtet, um eine Möglichkeit
zur Isolation..·des Szintillators von der Umgebung zu schaffen. Der
abgedichtete Raum zwischen dem Szintillationskristall 11 und der Abschirmung 11a wird typischerweise mit trockenem Stickstoff bei
einer Atmosphäre gefüllt. Alternativ hierzu kann der Szintillator
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auf der inneren (konkaven) Oberfläche des Eingangsfensters 10a
angebracht werden. Diese Anordnung wird jedoch nicht bevorzugt, da dann eine zusätzliche Isolationseinrichtung zwischen dem
Szintillator und einem Photokathodenfilm 12 erforderlich sein kann und dies bei einer Dicke von etwa 1,2 cm (1/2 Zoll) nur schwierig
zu bewerkstelligen ist. Wie in Figur 1 abgebildet, wird der Photokathodenfilm 12 vorzugsweise entlang der inneren Oberfläche des
Eingangsfensters aufgebracht. Der Photokathodenfilm 12 besitzt eine gleichförmige Dicke von etwa 100 Angström und ist aus einem
Material gebildet, das bei der Wellenlänge der Szintillation des Szintillators 11 einen hohen Quantenwirkungsgrad besitzt. Für die
gewöhnlichen Szintillationsmaterialien kann der Photokathodenfilm 12 typischerweise aus einem Gemisch von Kalium, Caesium und
Antimon bestehen. Ein geeigneter Kollimator 13 für Gammastrahlung (typischerweise eine Bleiplatte mit einer Dicke von etwa 2,5 cm
mit einer großen Anzahl von kleinen Durchbohrungen, die gleiche Abmessungen und gleichen Abstand besitzen) wird allgemein verwendet
und zwischen den Szintillator 11 und das bestimmte Organ oder den bestimmten Bereich des Körpers eines Patienten 14 eingefügt,
welcher gerade abgebildet werden soll. Alternativ hierzu kann an Stelle eines Gammastrahlenkollimators das kürzlich entwickelte
System mit kodierter Abbildungsapertur benutzt werden. Für jedes Quant der Gammastrahlung mit einer Energie von 140 keV, das im
Szintillationsteil 11 absorbiert wird, werden in der Photokathode etwa 500 Photoelektronen abgegeben.
Die von dem Photokathodenfilm 12 abgegebenen Photoelektronen werden
durch eine geeignete Elektrode 15 fokussiert, die entlang der inneren Oberfläche des Glaskolbens in unmittelbarer Nähe des Eingangsendes
desselben angeordnet ist. Die Elektrode 15 ist mit dem richtigen Spannungsteilerpunkt einer geeigneten Gleichspannungsquelle verbunden und wird auf einem Potential V, gehalten, das
mehrere lOO Volt positiv bezüglich Erde ist. Die Elektronen jenseits
des Kreuzungspunktes ihrer Laufwege (durch gestrichelte
Linien angedeutet) werden auf einen Halbleiter-Positions-Messfüh-
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ler 16 für die Feststellung der Lage bezüglich zweier Achsen
fokussiert, der entlang oder benachbart zur inneren Oberfläche
der Rückplatte 1Ob angeschlossen ist. Die von dem Photokathodenfilm
12 abgegebenen Elektronen, dieser wird vorzugsweise auf Erdpotential betrieben, werden auf etwa 30 kV (oder in einem Bereich
zwischen 25 bis 40 kV) mittels einer Elektrode 17 beschleunigt, die mit dem richtigen Spannungsteilerpunkt (positives Potential V_)
der Gleichspannungsquelle verbunden ist. Die Beschleunigungselektrode 17 ist im Innern des Gehäuses 10 in unmittelbarer Nähe zu
dem positionsempfindlichen Detektor 16 angeordnet und befindet sich jenseits des Kreuzungspunktes der Elektronenbahnen.
Der Positionsmessfühler 16 ist mit weiteren Einzelheiten in Figur wiedergegeben und besitzt 4 mit seinem Ausgang verbundene elektrische
Leiter, welche durch die Rückplatte 10b herausgeführt sind. Drei dieser Leiter sind mit einer außen angebrachten elektronischen
Berechnungsschaltung 18 verbunden und der vierte Leiter ist mit der Gleichspannungsquelle an dem Punkt mit der höchsten Spannung
(positives Potential V_) verbunden. In dieser Ausführungsform (ohne eine Kanalplatte 16a) ist diese Spannung V3 im allgemeinen
gleich der Spannung V2- Die elektronische Schaltung 18 gemäß der
Darstellung in Figur 4 bestimmt die x- und y-Koordinaten und die
Energie der auf dem Positions-Messfühler 16 auftreffenden Elektronen,
welche ihrerseits den x- und y-Koordinaten und der Energie der auftreffenden Gamma-Strahlen entsprechen. Der Ausgang der
elektronischen Schaltung 18 ist mit einer geeigneten Ausleseeinrichtung
19 verbunden, die beispielsweise eine konventionelle Kathodenstrahlröhre sein kann. Alternativ hierzu kann die Ausleseeinrichtung
19 ein Magnetband oder eine andere geeignete digitale Aufzeichnungseinrichtung sein oder ein Mittel zur Speicherung der
Information bezüglich der x- und y-Koordinaten und der Energie der auftreffenden Gamma-Strahlen für eine spätere Auslesung auf einem
photographischen Film oder auf einer Kathodenstrahlröhre.
Die Arbeitsweise der in Figur 1 abgebildeten einstufigen Gamma-Kamera
ist wie folgt: die von den bestimmten Organen oder dem Be-
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reich des Körpers des untersuchten Patienten abgegebenen Gammastrahlen
treffen auf den Kollimator 13 auf und die kollimierten Gamma-Strahlen werden in dem Szxntxllationsmaterial Il absorbiert.
Jedes absorbierte Gamma-Quant in dem Szintillationsteil 11 verwandelt sich in einen Lichtimpuls, wobei die Anzahl der optischen
Photonen proportional der Energie ,der absorbierten Gamma-Strahlung
ist. Die optischen Photonen werdenYdurch den Photokathodenfilm 12
erfaßt, welcher die Lichtphotonen in Photoelektronen umwandelt. Da die Anzahl der vom Photokathodenfilm 12 abgegebenen und auf den
Positions-Meßfühler 16 auftreffenden Elektronen proportional der
Anzahl der auftreffenden Lichtphotonen ist, ist die Anzahl der Elektronen auf diese Weise auch proportional der Energie der absorbierten
auftreffenden Gamma-Strahlung und die Gamma-Kamera hat die Fähigkeit zur Energieauflösung. Die vom Photokathoderifilm
12 emittierten Elektronen werden dann in ihren Laufbahnen durch den evakuierten Kolben 10 beschleunigt und auf den positionsempfindlichen
Detektor 16 fokussiert. Der Halbleiter-Positionsmeßfühler
16 wird auf dem hohen Potential V~ betrieben und erzeuqt
ein elektrisches Signal (dieses besitzt drei Komponenten Q,, Q2,
Q3), welches in der elektronischen Rechnerschaltung 18 weiter verarbeitet
wird, um Spannungssignale zu erzeugen, welche die x- und y-Koordinaten und die Anzahl der auftreffenden Elektronen als Folge
jedes auftreffenden Gamma-Strahls darstellen.
Der positionsempfindliche Detektor 16 ist ähnlich den in den US.Patentschriften No. 3.354.313 und 3.369.124 beschriebenen Anordnungen.
Er besteht aus einem Körper 20, aus einem leichtdotierten Halbleitermaterial mit hohem spezifischem Widerstand und einem
ersten Leitfähigkeitstyp ("n"-Silizium mit einem spezifischen Widerstand von 2.0OO Ohm-cm wird als Erläuterungsbeispiel angenommen).
Der Körper 20 kann typischerweise einen Querschnitt (d.h. in der Ebene senkrecht zu den auftreffenden Elektronen) in quadratischer
Form besitzen und Abmessungen von 2O χ 20 mm und eine Dicke von
mehreren 0,025 mm (mehreren Tausendstel Zoll) besitzen. Die gegenüberliegenden Oberflächen des Körpers 20 sind eben und parallel.
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Eine gleichförmige dünne Schicht 20a auf dem oberen Teil des Körpers 2O, d.h. auf der Oberfläche, auf der die auftreffenden
Elektronen ankommen, enthält ein Dotierungsmaterial zur Erzeugung einer stark dotierten gleichförmig dünnen Schicht eines zweiten
Leitfähigkeitstyps, welcher dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzt
ist (d.h. für η-Silizium besitzt die Schicht 2Oa den Leitfähigkeitstyp p). Die Tiefe des schmalen p-n-Übergangsbereiches,
der von der Schicht 20a gebildet wird, wird so gewählt, daß sie kleiner ist als die Reichweite der auftreffenden Elektronen.
Die Schicht 20a bildet eine erste Kontaktschicht, von der angenommen
wird, daß sie für die auftreffenden Elektronen praktisch transparent ist und einen gleichförmigen Flächenwiderstand (sheet
resistance) in der Größenordnung von 3O.OOO Ohm pro Flächeneinheit (per square) besitzt. In gleicher Weise enthält eine gleichförmig
dünne Schicht 2Ob im unteren Teil des Körpers 2O, d.h. an der der Schicht 20a entgegengesetzten Oberfläche ein Dotierungsmaterial
zur Erzeugung einer stark dotierten gleichförmig dünnen
Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps, welche eine zweite Kontaktschicht
bildet, die ebenfalls einen gleichförmig hohen Flächenwiderstand mit der gleichen Größenordnung wie die erste Kontaktschicht
besitzt* Vier Anschluß-Streifen mit niedrigem spezifischen Widerstand sind mit den Kontaktschichten verbunden oder auf
ihnen gebildet gemäß der Darstellung der Abbildung, wobei die ersten beiden Streifen 21, 22 parallel längs der oberen Oberfläche
der Kontaktschicht 2Oa und entlang von zwei gegenüberliegenden
Kanten derselben liegen. In gleicher Weise liegen die beiden anderen Anschluß-Streifen 23, 24 parallel an der unteren Oberfläche
der Kontaktschicht 2Ob und verlaufen entlang der beiden Kanten, welche senkrecht zu den ersten beiden Kanten stehen. Der
Positionsmeßfühler besitzt eine Vorspannung in Sperr-Richtung, um einen Abreicmingsbereich oder Verarmungsbereich zu bilden, der
sich durch den größten Teil (oder sogar durch den gesamten Teil) der η-Zone im Körper 20 erstreckt, wie es durch die Amplitude der
Vorspannung bestimmt ist (dies kann beispielsweise dadurch geschehen, daß der Anschluß-Streifen 24 mit dem Punkt der Gleichspannungsquelle mit der höchsten Spannung V^ verbunden ist und
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der Anschlußstreifen 21 über einen Widerstand mit einem Spannungspunkt V. verbunden ist, der in der Größenordnung von 100 V weniger
positiv ist als V_). Es ist zu beachten, daß sich die Kapazität des Meßfühlers mit Steigerung des Abreicherungsgrades des
Körpers aus Halbleitermaterial verringert und man dadurch einen schneller ansprechenden Meßfühler erhält. Der Abreicherungsgrad
wird dabei durch den Leckstrom bedingt. Es ist weiterhin zu beachten, daß sich die Ansprechzeit mit Erhöhung des Widerstandes
der Kontaktschicht vergrößert. Die Auflösung der Positions- oder Lagewerte verringert sich jedoch mit verringertem Widerstand der
Kontaktschicht. Es ist daher eine Optimierung bezüglich der Wahl des Flächenwiderstandes der Einrichtung gemäß dem gewünschten
endgültigen Verwendungszweck erforderlich.
Es sei angenommen, daß ein Paket von Elektronen auf der oberen
Oberfläche des Halbleiter-Positionsmessfühlers nach der Abbildung in Figur 2 auftrifft. Nach dem Eintritt in das Halbleitermaterial
(durcli die Pfeile gezeigt) verlieren die Elektronen ihre Energie
durch die Erzeugung von Paaren von Löchern und Elektronen in der Abreicherungszone, wobei diese Erzeugung in einem Verhältnis von
etwa 3,6 eV pro Paar erfolgt. Die erzeugten Paare von Löchern und Elektronen bewegen sich entlang dem durch die Vorspannung zur
Sperr-Richtung erzeugten elektrischen Feld zu den Kontaktschichten
und erscheinen an den Kontaktoberflächen etwa an der Schnittstelle der Verlaufbahn der Elektronen (durch gestrichelte Linie dargestellt)
und der Kontaktoberflächen. An jeder Kontaktschicht teilt sich der Impuls mit der Ladung Q gemäß dem Ohm'sehen Gesetz zwischen
den Anschlüssen 1 (Anschluß-Streifen 21) und 2 (Anschluß-Streifen 22) proportional zum effektiven Flächenwiderstand R2 und
R, auf, welche im wesentlichen proportional dem Abstand des Elektronenaufprallpuriktes
P zu den Anschlüssen des Positbns-JMeßfühlers
sind, d.h. Q-,/Q2 = R2/R·,. Diese Aufteilung setzt voraus, daß
ladungsempfindliche Verstärker angeschlossen sind (S, und S2 an
den Anschlüssen 1 und 2), welche bezüglich der Impulse praktisch eine Wechselspannungserdung besitzen. Daher.ist die an den Anschlüssen
1 bzw. 2 erscheinende Ladung Q, bzw. Q2 proportional .
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einer Koordinate (hier angenoinmenerweise gleich der x-Koordinate)
der auf treffenden Elektronen, bezogen auf die Kanten des Anschluß-Streifens
des Positions-Meßfühlers. Die Gesamtenergie des auftreffenden Gammastrahles ist proportional der Summe der Ausgangssignale
der ladungsempfindlichen Verstärker S. und S_ und daher
Οί ocIgi* Co
ist die x-Koordinate dieses Strahls proportional zu -1 ; ^f-
Ql + Q2
und die y-Koordinate ist proportional zu — , wobei Q3 das
Ausgangssignal des ladungsempfindlichen Verstärkers S3 ist, bei
dem ein Eingang mit dem Anschluß 3 (Anschlußstreifen 23) verbunden ist. Die Koordinaten bezüglich der beiden Achsen werden
dadurch erhalten, daß die Anschluß-Streifen um 90 gegeneinander, zwischen dem Oberteil und dem Unterteil des Positions-Meßfühlers
versetzt sind. Ein anderer Lösungsweg zur Ermittlung der x- und y-Koordinaten der auftreffenden Elektronen von der Mitte des
Positions-Meßfühlers aus beinhaltet eine elektronische Berechnungsschaltung, welche die Verhältnisse und - ermittelt,
wobei Q4 das Ausgangssignal eines ladungsempfindlichen
Verstärkers ist, der an den Anschluß-Streifen 24 angeschlossen ist.
Der Halbleiter-Positions-Meßfühler 16 wurde nach dem folgenden Verfahren hergestellt: ausgegangen wurde von einem Silizium des
Leitfähigkeitstyps η mit einem Flächenwiderstand von 2OOO Ohm-cm
als Halbleitermaterial und es wurden Bor bzw. Phosphor durch die oberen und unteren Oberflächen des Körpers aus Silizium-Material
eingebracht (eingepflanzt) mit einer integrierten Dosis von 1 χ 10 /cm unter Verwendung einer Beschleunigungsspannung von.
50 kV zur Bildung von Kontaktschichten 20a bzw. 20b. Nach dieser Einbringung wird ein Verfahrensschritt der Aufdampfung von Titan-Gold
zur Bildung der Anschluß-Streifen 21,22,23,24 entlang der oberen und unteren Oberflächen verwendet und die fertige Einrichtung
wird anschließend 7 Minuten lang bei 400° C einem Anlaßvorgang unterzogen, wobei durch diese Behandlung ein Oberflächen-Flächenwiderstand
in der Größenordnung von 3.000 0hm pro Flächeneinheit erhalten wurde. Die Sperrvorspannung über dem Halbleiter-
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körper 20 liegt typischerweise in der Größenordnung von -3O bis
-100 Volt und führt dazu, daß das elektrische Feld in der Gestaltung der Einrichtung gemäß der Abbildung in Figur 2 praktisch
vertikal ist«.
Es wurde in dem Positions-Meßfühler für 2 Achsen ein Quantenver-
*."■·, λ ι Au s gangs strom des Positionsmeßfühlers »
starkungsgrad ( Eingangsstrom des Elektronenstrahls } von
mindestens 8.000 erzielt bei einer Anregung von 3OkVe. In der vorbekannten Gamma-Kamera gemäß der vorgenannten US-Patentschrift
No. 3.683.185 beträgt der Quantenverstärkungsgrad nur etwa 150 und aus diesem Grunde erfordert diese Kamera sehr viele Verstärkungsstufen und besitzt eine hieraus folgende schlechtere Bildqualität,
eine verminderte Zählratenkapazität und eine langsamere Anspruchszeit.
In dem Kolben 10 kann eine Zusatzelektrode 15a vorgesehen werden und wird dann zwischen den Elektroden 15 und 17 angeordnet und
mit einem Potential betrieben, das durch die Verbindung dieser Elektrode mit einem Spannungspunkt V, des Spannungsversorgungsteils
verbunden wird, welcher zwischen V, und V_ liegt. Die
Elektrode 15a bewirkt dann die Schaffung einer Abbildung mit variablem Vergrößerungsgrad (d.h. die Bildröhre besitzt einen Zoom-Effekt)
und gestattet hierdurch, daß auf dem Positions«-Meßfühler
16 nur ein ausgewählter Teil des auf dem Szintillationsschirm 11 erscheinenden Bildes abgebildet wird.
Obwohl die vorstehend beschriebene einstufige Ausführungsform
einen ausreichenden Verstärkungsgrad für viele Anwendungszwecke besitzt, gibt es andere Anwendungsfälle, bei denen ein höherer
Verstärkungsgrad erwünscht sein kann, um einen inhärenten Rauschpegel in dem Positions-Messfühler 16 zu überwinden. D.h. das
Gerät muß eine höhere Empfindlichkeit besitzen wegen einer Gamma-Strahlen^emission
von dem untersuchten Patienten mit relativ niedriger Energie, Der höhere Verstärkungsgrad kann dadurch erreicht
werden, daß ein konventioneller Elektronenvervielfacher 16a
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509821/0-959.
mit "Kanalplatte" (channel plate) im Innern des Kolbens IO
zwischen der Photokathode 12 und dem Position s-^VIeßfühler 16 in
engem Abstand von dem letzteren angebracht wird. Die am Positions-Meßfühler 16 angelegte Spannung V3 kann typischerweise 45 kV
betragen und der Positions-Meßfühler wird normalerweise in dem Bereich von 40 bis 5O kV betrieben. Im Falle des Betriebes des
Positions-Meßfühlers 16 bei 45 kV wird die Eingangselektrode der Kanalplatte 16a mit dem Punkt V5 der Gleichspannungsquelle
verbunden, welcher typischerweise auf 3O kV liegt (auf dem gleichen
Wert wie die Spannung V_) und die Ausgangselektrode wird mit dem Punkt V^ verbunden, welcher auf 35 kV liegt, um ein Potential
von etwa 10 kV zwischen der Kanalplatte 16a und dem Meßfühler zu erhalten. Es ist erwünscht, den Positdons-Meßfühler mit Elektronen
mit der größten praktisch möglichen Energie aus zwei Gründen zu betreiben. Erstens ändert sich der Quantenverstärkungsgrad
mit dem Verhältnis Elektrönenenergie/3,6 eV . Zweitens besitzen
praktisch ausführbare Positions-Meßfühler eine dünne Totzone (etwa o,l Mikron bis o,5 Mikron) an ihrer Oberfläche, die für
Elektronen mit einer Energie von weniger als etwa 5 keV undurchdringlich ist·.
Die in Figur 1 abgebildete Gamma-Kamera ist eine Anordnung mit einer einzigen . Bildverstärkungsstufe und besitzt einen relativ
einfachen Aufbau mit einer schnellen Ansprechzeit in der Größenordnung von etwa einer Mikro-Sekunde und eine Bildqualität
in der Größenordnung von etwa 200 χ 2OO Bildelementen für einen
Gamma-Strahl von 140 keV und einen Positions-Meßfühler aus Silizium
mit den Abmessungen 2O χ 2O mm. Der Gammastrahl mit 14Ο keV'
erzeugt etwa 500 Photoelektronen, die bei einer Beschleunigung mit 3O kV eine Energie von 15 MeV für das auf den Positions-Meßfühler
auftreffende Impulspaket ergaben. Der Positions-Meßfühler. aus Silizium zeigte eine Lageauflösung von etwa 1/2% für
die volle Skala, d.h. eine ausreichende Auflösung, um bei Anregung
durch ein · Elektronenimpuls mit 15 MeV eine Figur mit 200 χ 200 Elementen zu erzeugen. Da dieses Ergebnis bei Vorar-
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beiten erhalten wurde, kann nach einer Verfeinerung des Systems ohne weiteres eine Abbildungsqualität von 4OO χ 400 Bildelementen
'erwartet werden. Selbst die Abbildungsqualität von 200 χ 200 ist
jedoch um einen Faktor 3 besser als die Qualität von derzeit handelsmäßig erhältlichen Geräten. Die günstigen Merkmale der
schnellen Ansprechzeit und der guten Bildqualität werden,wie bereits vorstehend ausgeführt, durch die Tatsache erzielt, daß
der Halbleiter-Positions-Meßfühler im Innern der Bildverstärkerröhre
angebracht ist und nicht wie im Stand der Technik an der Außenseite desselben angeordnet ist. Dadurch wird jedoch ein
beträchtlich höherer Verstärkungsgrad infolge der Anregung des Positions-Meßfühlers durch Elektronenimpuls mit hoher Energie
erhalten im Gegensatz zu der Anregung mit niedriger Energie durch Lichtphotonen in den Anordnungen nach dem Stand der Technik.
Ein alternativer Lösungsweg zur Erzielung eines Gerätes mit hohem Verstärkungsgrad besteht in der Verwendung eines zweistufigen
Bildverstärkergerätes gemäß der Abbildung in Figur 3. Die zweite Stufe wird erhalten durch eine Faseroptikkopplung zwischen einer
ausgangsseitigen Phosphorschicht oder Szintillator 32 in der Bildverstärkerröhre 33 der ersten Stufe und dem Photokathodenfilm
3O einer kleinen zweiten Bildverstärkerröhre 31. Der ausgangsseitige
Szintillationskristall 32 der ersten Stufe ist eine gleichförmige Schicht eines schnellansprechenden Phosphors für
die Anwendung in Gamma-Kameras und wird auf der konkaven eingangsseitigen
Oberfläche einer ersten faseroptischen Platte 32a aufgebracht, die eine ebene ausgangsseitige Oberfläche besitzt. Der
Szintillator 32 kann als typisches Beispiel aus Zinkoxyd bestehen.
Der Photokathodenfilm 30 der zweiten Stufe ist ein gleichförmiger
dünner Film, der auf der konkaven ausgangsseitigen Oberfläche einer zweiten Faseroptikplatte 30a aufgebracht ist, die eine ebene
eingangsseitige Oberfläche besitzt. Die optischen Platten 32a und 3Oa sind in geeigneter Weise abgedichtet an den offenen
Enden der Rohre 33 bzw. 31 angebracht. Die Photokathode 3O kann aus dem gleichen Material bestehen wie der Photokathodenfilm 12
der ersten Stufe. Die Dicke der Schicht 32 und des Films 3O kann
— 15 — 509821/0959
in der gleichen Größenordnung liegen wie die Dicke der Schicht.11
bzw. des Films 12. Es kann eine dritte Faseroptikplatte 35 benutzt werden und ergibt dann die optische Kopplung zwischen den
ebenen Oberflächen der faseroptischen Platten 32a und 30a. Wenn eine solche Platte 35 verwendet wird, ergibt sich die Möglichkeit
zum Betrieb des Positions-Meßfühlers 16 auf Erdpotentialτ dieses
Merkmal kann nicht erhalten werden in der einstufigen Ausführungsform, wenn der Photokathodenfilm 12 auf Erdpotential liegt. Dieses
Merkmal wird dadurch erhalten, daß ein dünner (im wesentlichen für Lichtphotonen durchlässiger) Metallüberzug auf der eingangsseitigen
und ausgangsseitigen Oberfläche der faseroptischen Plat-:
te 35 zur Bildung von Elektroden aufgebracht wird. Die eingangssei
tigen und ausgangsseitigen Fensterelektroden der Platte 35 werden mit Spannungspunkten V und V der Gleichspannungsquelle
verbunden und werden elektrisch mit dem ausgangsseitigen Szintillator 32 bzw. der Photokathode 30 verbunden. Die Spannung V_
kann in der Größenordnung von +3O kV sein und die Spannung V0
kann in der Größenordnung von -10 kV liegen, um das richtige Potential zwischen dem Photokathodenfilm 12 und dem Ausgang der
ersten Stufe und zwischen dem Eingang der zweiten Stufe und dem auf Erdpotential liegenden Positions-Meßfühler 16 zu erhalten.
Die Platte 35 muß eine genügende Dicke besitzen;um ohne Auftreten
eines Spannungsdurchbruches dem angelegten Potential von 40 kV zu
widerstehen.
Die eingangsseitigen und ausgangsseitigen Szintillatoren in der ersten Stufe und auch der einzige Szintillator in der einstufigen
Ausführungsform können ein Szintillator des Typs des Plattenszintillators (integrale Schicht) oder eines Mosaik-artigen Szintillators
sein. Die erste und zweite Stufe werden auch von der Umgebung durch eine magnetische Abschirmung lOc abgeschirmt und
sind im Innern eines konzentrischen äußeren Gehäuses 10 d gehaltert, das ebenfalls nicht abgedichtet werden muß, da jede
Bildverstärkerröhre 31 und 33 getrennt evakuiert und abgedichtet wird. Ein gewöhnliches optisches Kopplungsfett wird allgemein
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zwischen benachbarten optischen Elementen zur Beseitigung von Luftspalten zwischen denselben verwendet. Das Eingangsfenster 30a
der zweiten Stufe ist konkav zur Verbesserung der Konvergenz und zur Reduzierung einer optischen Verzerrung des Signals auf ein
Mindestmaß. Eine zweite Beschleunigungs- und Fokussierungselektrode 36 wird in dem Bildverstärker der zweiten Stufe zur Beschleunigung
der Impulse von Photoelektronen benutzt, die von dem Photokathodenfilm 30 abgegeben werden, wenn auf dem Szintillator
in der ersten Stufe Gamma-Strahlen auftreffen und in dem ersten Photokathodenfilm 12 in Photoelektronen umgewandelt und dann im
zweiten Szintillator 32 erneut in Lichtphotonen umgewandelt werden. Die vom Photokathodenfilm 3O emittierten Elektronen werden
auf ein Potential von etwa +10 kV (oder in einem Bereich von 8 bis 15 kV); bezogen auf die Aus gangs elektrode der faseroptischen
Platte 35, beschleunigt, welche typischerweise dadurch auf -10 kV liegt, daß die Elektrode 36 mit dem Punkt Vg der Gleichspannungsquelle verbunden ist. Die Spannung Vg liegt daher für den zuvor
bezeichneten Bereich für das Potential zwischen dem. Film 30 und der Elektrode 36 im Bereich von -2 kV bis +5 kV. Der Positions-Meßfühler
16 ist im Innern der Bildverstärkerröhre der zweiten Stufe an oder in der Nähe des ausgangsseitigen Endes derselben
angeordnet. Alternativ hierzu kann die zweite Fokussierungs- und Beschleunigungselektrode 36 weggelassen werden und der Positions-Meßfühler
16 wird in unmittelbarer Nähe zu dem zweiten Photokathodenfilm 30 angeordnet, welcher dann auf einem Ausgangsfenster
der faseroptischen Platte 30a mit ebener Oberfläche angebracht wird, so daß die von dort ausgehenden Elektronen in Nah-Abbildung
auf den Positions-Meßfühler gemäß der Darstellung in Figur 3a fokussiert (proximity-focussed) werden. Dieser letztgenannte Lösungsweg
vermeidet daher die Kreuzung der Elektronenbahnen im Bildverstärker der zweiten Röhre; er erhöht jedoch die Schwierigkeit
der Herstellung einer solchen Bildverstärkerröhre.
Der höhere Verstärkungsgrad der erfindungsgemäßen Anordnung mit zweistufigem Bildverstärker führt zu einer geringfügig vermin-
- 17 -
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derten Bildqualität im Vergleich mit der einstufigen Ausführungsform; diese liegt jedoch auch hier in der Größenordnung von
200 χ 200 Bildelementen für die gleichen Verhältnisse, wie sie bei der Beschreibung der einstufigen Ausführungsform aufgeführt
wurden. Obwohl die Bildqualität der zweistufigen Ausführungsform der erfindungsgemäßen Gamma-Kamera etwas geringer ist als die bei
einer einstufigen Ausführungsform erhaltene Bildqualität, kann die
zweistufige Ausführungsform bevorzugt werden, da das Herstellungsverfahren
besser geeignet ist zur Aufbringung eines Photokathodenfilms und zur Verbindung des Positions-Meßfühlers in einem kleinen
Glaskolben im Gegensatz zur Durchführung der gleichen Herstellungsschritte in einem großen (einstufigen) Kolben.
Es wird nachstehend auf die Figur 4 Bezug genommen. Diese zeigt ein Beispiel für die elektronische Berechnungsschaltung 18, die
zur Erzeugung elektrischer Signale verwendet Werden kann, welche die Lage der auf treffenden Elektronen auf dem Posi'tions-Meßfühler
bezüglich der Kanten desselben und auch noch die Gesamtzahl der auftreffenden Elektronen darstellen, die proportional ist zur Energie
eines auftreffenden Gamma-Strahles. Die ladungsempfindlichen
Verstärker S,, S~ und S_ sind mit ihren Eingängen mit den Anschluß-Streifen
21 bzw. 22 bzw. 23 gemäß Figur 2 verbunden. Jeder der
ladungsempfindlichen Verstärker ist in konventioneller Bauart ausgeführt
und enthält eine Vorverstärkungsstufe und eine Verstärkungsstufe mit einem Sofortausgang ρ und einem verzögerten Ausgang
d. Die verzögerten Ausgangssignale der ladungsempfindlichen
Verstärker S,, S« werden den Eingängen einer ersten konventionellen
elektronischen Summierungsschaltung 41 zugeführt, so daß deren Ausgangssignal die Summe Q,+Q« ist, welche direkt proportional
der Anzahl der auftreffenden Elektronen ist, die wiederum proportional
ist zu der Energie des auftreffenden Gamma-Strahles. Die Sofortausgangssignale der ladungsempfindlichen Verstärker S- und S„
werden den Eingängen einer zweiten konventionellen elektronischen Summierungsschaltung 42 zugeführt und das Ausgangssignal derselben
' - 18 -
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r-18 -
ist ebenfalls direkt proportional der Anzahl der auftreffenden
Elektronen. Das verzögerte Ausgangssignal des ladungsempfind-'lichen
Verstärkers S2 ist die Größe Q- und wird ebenfalls über
einen Inverter 43 einem ersten Eingang einer konventionellen ersten Dehnungs- oder Spitzenwertdetektorschaltung 44 mit Torsteuerung
(gated pulse stretcher) zugeführt. Das verzögerte Ausgangssignal Q. des ladungsempfindlichen Verstärkers S_ wird
einem ersten Eingang einer zweiten Impuls-Dehnungs- oder Spitzenwertdetektorschaltung
45 mit Torsteuerung zugeführt. Das Ausgangssignal der Summierungsschaltung 41 wird einem ersten Eingang
einer dritten Impuls-Dehnungs- oder Spitzenwertdetektorschaltung mit Torsteuerung zugeführt. Das Ausgangssignal der Summierungsschaltung
42 wird dem Eingang eines konventionellen Einkanal-Analysators zugeführt, d.h. der Energie-Diskriminatorschaltung 47,
die so geeicht ist, daß sie nur auf ein bestimmtes, enges Energieband anspricht (einen Berach der Anzahl der auftreffenden Elektronen)
, welcher den interessierenden Gamma-Strahlen entspricht (d.h. der Analysator 47 enthält zwei Diskriminatoren, und zwar
einen Diskriminator für den oberen Pegelwert und einen Diskriminator für den unteren Pegelwert). Das Ausgangssignal des Einkanal-Diskriminators
47 ist daher ein logisches Signal "Ein/Aus" dessen Schaltzustand "Ein" anzeigt, daß die Zahl der auftreffenden Elektronen
innerhalb des vorbeschriebenen Bereiches entsprechend der zu überwachenden Energie der Gamma-Strahlen liegt und der Schaltzustand
"Aus" zeigt an, daß die Anzahl der Elektronen außerhalb des Bereiches liegt, d.h. größer oder kleiner ist als der durch
den Analysator 47 festgelegte Zahlenbereich. Das Ausgangssignal
der Schaltung 47 wird den zweiten (d.h. den Gatter-Eingängen)
Eingängen der gattergesteuerten Impulsdehnungsschaltung 44, 45, 46 und dem Eingang einer konventionellen Gattergeneratorschaltung
48 zugeführt und schaltet über Gattersteuerung die Schaltungen 44, 45, 46, 48 nur während derjenigen Intervalle ein, in
denen die Gamma-Strahlen, die von dem Szintillator 11 erfaßt werden, gerade in dem interessierenden Energiebereich liegen.
Jede der Schaltungen 44,45,46 und 48 besitzt interne Zeitschal-
- 19 509821/0953
tungen oder Taktschaltungen. Der Gattergenerator 48 erzeugt Impulse
mit einer gesteuerten Verzögerung, und zwar in solcher Weise, daß diese nur während der Spitzen der Signale für die x- und
y-Koordinate auftreten. Der gattergesteuerte Ausgang des Gattergenerators 48 wird dem Intensitätseingang (Z) einer geeigneten
Ausleseeinrichtung zugeführt, die hier in Form einer konventionellen
Kathodenstrahlröhre 19 angedeutet ist. Die gattergesteuerten Impulsdehner und Spitzendetektorschaltungen 44, 45, 46 bilden
im wesentlichen rechteckförmige Impulse bei Vorhandensein nadeiförmiger Eingangsimpulse, die sich aus dem Elektronenaufprall auf
dem Positions-Meßfühler ergeben. Das Ausgangesignal des gattergesteuerten
Impulsdehners 44 stellt die x-Koordinate der auftreffenden Elektronen multipliziert mit ihrer Energie dar (X.E). In ähnlicher
Weise ist das Ausgangssignal der gattergesteuerten Impuls-Dehnungschaltung
45 die y-Koordinate multipliziert mit der Energie (Y.E ). Das Ausgangssignal X.E der gattergesteuerten Impuls-Dehnungsschaltung
44 Wird als Zählereingang N einer analogen Impulsteilerschaltung 51 zugeführt. In ähnlicher Weise wird der
Ausgang Y.E der gattergesteuerten Impulsdehnungsschaltung 45 dem Eingang N des Teilers 52 zugeführt. Um die Signale für die x-Koordinate
und die y-Koordinate zu erhalten, müssen die Ausgangssignale X.E und Y.E. der gattergesteuerten Impuls-Dehnungsschaltung
44 und 45 durch ein Signal geteilt werden, welches die Energie
E der Gamma-Strahlen darstellt (d.h. die Anzahl der auftreffenden
Elektronen).
Da häufig angegeben wird, daß eine analoge Impulsteilersehaltung eine begrenzte Ansprechzeit und Genauigkeit besitzt, wird nachstehend
eine Kurzbeschreibung der besonderen hier verwendeten Impulsteilerschaltungen beschrieben. Die hier verwendeten Impulsteilerschaltungen
sind handelsmässig erhältlich und arbeiten mit Nennwerten für die Eingangsgröße von 10 Volt für die gesamte Skala
und erzeugen ein Ausgangssignal der Form ION/D Volt, wobei N bzw D
die Eingangsspannungen für Zähler bzw. Nenner sind. Um einen Betriebszustand entsprechend einer Teilung durch Null in den analogen
Impulsteilern zu vermeiden, der sonst in dem Falle eintreten
- 20 809821/0959
würde, bei dem das Ausgangssignal der gattergesteuerten Impulsdehnungsschaltung
46 durch Gattersteuerung weggenommen wird und trotzdem das Ausgangssignal unmittelbar dem Impulsteiler zugeführt
wird, wird das Ausgangssignal der Impulsdehnungsschaltung 46 durch einen Verstärker 49 weiterverarbeitet, der eine "Vorspannung" für
Verstärkungsgrad 1 (unity gain bias) besitzt und dessen Ausgangssignal seinerseits in einer Summierungsschaltung 50 einem konstanten
Gleichspannungssignal V,Q zugefügt wird, welches gleich
der Vorspannung (bias offset) des Verstärkers 49 ist. Wird daher die Impulsdehnungsschaltung 46 gesperrt und ist ihre Ausgangsspannung
Null, dann ist das Eingangssignal D für den Nenner an den Impulsteilerschaltungen ein konstantes Gleichspannungssignal gleich
V.Q# welches am Ausgang der Summierungsschaltung 50 erhalten wird.
Bei diesem Betriebszustand werden dann die Impulsteilerschaltungen
in einem Betriebszustand ohne Überlastung gehalten.
Zu einem Zeitpunkt, in dem die Impulsdehnungsschaltung 46 durch den Energieanalysator 47 eingeschaltet wird, ist das Ausgangssignal
des Bauteils 46 ein rechteckförmiger Impuls, dessen Amplitude proportional der Energie E der Gamma-Strahlung ist. Wenn
sich das System in diesem eingeschalteten Zustand befindet, dann heben sich die Vorspannungen der Komponenten 49 und 5O genau auf
und während der Dauer des Signals von der Impulsdehnungsschaltung 46 ist die Amplitude des Nenner-Eingangssignals zu den analogen
Impulsteilerschaltungen gleich der Amplitude des Ausgangssignals der Einheit 46 (d.h. proportional zur Gamma-Strahlen-Energie).
Daher gilt für den eingeschalteten Zustand D=E. Die in einer ursprünglichen Ausführungsform der Erfindung benutzten aha-
ein
logen Impulsleiter verwendeten»Teilermodul hoher Genauigkeit mit hoher Geschwindigkeit des Typs Modell 429 B der Firma Analog Devices. Unter Verwendung dieses Moduls war mit dem System eine Teilzeit von 1 Mikrosekunde mit einer Genauigkeit von 1% erreichbar. Das Ausgangssignal des Teilers 51 stallt die x-Koordinate der auftreffenden Elektronen (und des auftreffenden Gammastrahls)
logen Impulsleiter verwendeten»Teilermodul hoher Genauigkeit mit hoher Geschwindigkeit des Typs Modell 429 B der Firma Analog Devices. Unter Verwendung dieses Moduls war mit dem System eine Teilzeit von 1 Mikrosekunde mit einer Genauigkeit von 1% erreichbar. Das Ausgangssignal des Teilers 51 stallt die x-Koordinate der auftreffenden Elektronen (und des auftreffenden Gammastrahls)
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dar und wird mit dem X-Eingang der Anzeigeeinheit 19 verbunden.
In ähnlicher Weise wird der Ausgang des Teilers 52 mit dem Y-Eingang
verbunden. Die Signale für die x-Koordinate und die y-Koordinate werden auf der Kathodenstrahlröhre sichtbar gemacht,
da das Eingangssignal (Z) für die Intensität an den Spitzen der
Signale für die x- und y-Koordinate eingeschaltet wirdjUm auf diese
Weise Leuchtpunkte auf den Bildschirmen der Röhre 19 zu erzeugen. Impulsteilungszeiten von 1 Mikrosekunde können durch iäie
Verwendung der vorstehend beschriebenen Schaltung leicht mit einer
Genauigkeit von 1% erreicht werden.
Aus der vorstehenden Beschreibung ist ersichtlich, daß die Erfindung
eine verbesserte Gamma-Kamera schafft, die infolge der Verwendung von einer oder höchstens 2 Phosphor-Wandler-Stufen eine
schnelle Ansprechzeit besitzt. Die schnelle Ansprechzeit und die verbesserte Bildqualität, wie man sie in der erfindungsgemäßen
Gamma-Kamera erhält, ist eine Folge der Anbringung des Halbleiter-Positions-Meßfühlers
im Innern der Bildverstärkerröhre,, so daß eine gepulste Elektronenanregung derselben mit hoher Energie zur Erzielung eines, hohen Quantenverstärkungsgrades ausgenutzt wird.
Auf der Grundlage der vorstehend gegebenen Lehre und der Beschreibung
einer Anzahl bestimmter Ausführungsformen der Kameraeinrichtung mit Bildwandlerröhre und schneller Ansprechzeit können
die verschiedenartigsten Abwandlungen und Ausführungsformen geschaffen werden. Beispielsweise können andere Materialien für den
Halbleiter-Positions-Meßfühler zur Bildung des Halbleiterkörpers
und der Kontaktschichten in demselben benutzt werden. Ebenso können andere elektronische. Schaltungsanordnungen in der elektronischen
Berechnungsschaltung 18 zur Erzeugung der x-Koordinaten und y-Koordinaten
der auftreffenden Elektronen benutzt werden. Schließlich
wird in dem Intensitatskanaleingang zur Kathodenstrahlröhre in der vorstehenden Ausführungsform der elektronischen Berechnungsschaltung
nur ein einziger Energieanalysator 47 verwendet. Es ist jedoch ersichtlich, daß auch leicht ein Mehrkanal-Energie-
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Analysator verwendet werden könnte, um auftreffende Elektronen-.Impulse
festzustellen, welche einen breiten Bereich von Energiewerten besitzen.
503821/0933
Claims (1)
- Patenta nsprücheVerbessertes Bildröhren-Kameragerät mit schneller Ansprechzeit, dadurch gekennzeichnet, daß es umfaßt:ein abgedichtetes, evakuiertes Gehäuse (10) mit eingangsseitigem Ende (10a) und ausgangsseitigern Ende (lob), eine erste Phosphorschicht (11), die entlang einer Oberfläche des eingangsseitigen Endes (1Oa) des Gehäuses (10) gebildet ist, einen ersten Photokathodenfilm (12) in optischer Verbindung mit der ersten Phosphorschicht (11), der in dem Gehäuse (10) benachbart zu und entlang dem eingangsseitigen Ende (10a) des-' selben angeordnet ist, wobei diese erste Phosphorschicht (11) einen Lichtimpuls bei Vorhandensein eines absorbierten auftreffenden Kernteilchens oder einer elektromagnetischen Strahlung erzeugt, die außerhalb des Gehäuses (1O) entstehen, wobei die Anzahl der optischen Photonen in jedem Lichtimpuls proportional der Energie des auftreffenden absorbierten Strahls oder Teilchens ist und der Photokathodenfilm (12) bei Vorhandensein optischer Photonen entsprechend Elektronen abgibt, einen Halbleiter-Positions-Meßfühler (16) für zwei Koordinaten-Achsen, der im Innern des Gehäuses (10) benachbart zum ausgangssei tigen Ende (10b) desselben zur Erfassung der Elektronen und zur Erzeugung elektrischer Signale angeordnet ist, aus denen die Koordinaten bezüglich zweier Achsen für die, an der Photokathode (12) abgegebenen Elektronen, welche auf die Halbleiter-Einrichtung (16) auftreffen, und die Koordinaten des entsprechenden auftreffenden Strahls oder Teilchens bestimmbar sind, wobei die Anzahl der auftreffenden Elektronen aus dem Ausgangssignal der Halbleitereinrichtung (16) ermittelbar und proportional zur Energie der auftreffenden Strahlung oder des Teilchens ist, undEinrichtungen (17) (15) zur Beschleunigung der von dem ersten Photokathodenfilm (12) emittierten Elektronen und zur Fokussierung derselben auf die Halbleitereinrichtung (16) zur Anregung- 24 -509821/3959derselben durch gepulste Elektronen mit hoher Energie und zur Erzielung eines beträchtlichen Quantenverstärkungsgrades im Vergleich zur konventionellen Anregung desselben durch Lichtphotonen niedriger Energie und zur Erzielung einer verbesserten Abbildungsqualität und einer schnelleren Ansprechzeit.2. Bildverstärker-Kameragerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß es weiterhin eine elektronische Schaltungseinrichtung (18) außerhalb des Gehäuses (10) umfaßt, die mit den Ausgängen der Halbleitereinrichtung (16) verbundene Eingänge besitzt zur Erzeugung eines Paars elektrischer Signale entsprechend den Zwei-Achsen- Koordinaten des auftreffenden Strahls oder Teilchens und eines dritten Signals entsprechend der Energie desselben.3. Bildverstärker-Kameragerät nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß es noch eine Ausleseeinrichtung (19) besitzt, die mit einem Ausgang der elektronischen Schaltungseinrichtung (18) zur Aufzeichnung der x-Koordinaten und y-Koordinaten des auftreffenden Strahls oder Teilchens verbunden ist.4. Bildverstärker-Kameragerät nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Phosphorschicht (11), der erste Photokathodenfilm (12) <■ die Halbleitereinrichtung (16) einen einstufigen Bildverstärker bilden.5. Bildverstärker-Kameragerät nach den Ansprüchen 1 bis 4, d adurch gekennzeichnet, daß es weiterhin umfaßt:eine zweite Phosphorschicht (32), die im Innern des Gehäuses (10) zwischen dem ersten Photokathodenfilm (12) und der Halbleitereinrichtung (16) und allgemein senkrecht zu den Laufbahnen der vom ersten Photokathodenfilm (12) abgegebenen Elektronen und jenseits des Kreuzungspunktes dieser Bahnenangeordnet ist und"— 25 —509821/0353einen zweiten Photokathodenfilm (30) in optischer Verbindung mit der zweiten Phosphorschicht (32), der im Innern des Gehäuses (1O) zwischen der zweiten Phosphorschicht (32) und der Halbleitereinrichtung (16) so angeordnet ist, daß das Gerät einen zweistufigen Bildverstärker bildet.S. Bildverstärker-Kameragerät nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Photokathodenfilm (30) in nächster Nachbarschaft zur Halbleitereinrichtung (16) angeordnet ist zur "Nahfokussierung"der von dem zweiten Photokathodenfilm emittierten Elektronen auf die Halbleitereinrichtung (16).1. Bildverstärker-Kameragerät nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß der zweite Photokathodenfilm (30) einen bedeutenden Abstand von der Halbleitereinrichtung (16) besitzt und das Gerät weiterhin .eine Einrichtung (36) zur Beschleunigung und Fokussierung der. von dem zweiten Photokathodenfilm (3O) abgegebenen Elektronen auf die Halbleitereinrichtung (16) mit Kreuzung der Elektronenbahnen besitzt.8. Bildverstärker-Kameragerät nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausleseeinrichtung (19) eine Kathodenstrahlröhre oder ein digitales Aufzeichnungsgerät oder eine Einrichtung zur Speicherung der Information bezüglich der x-Koordinate, der y-Koordinate und der Energie zur späteren Ausgabe auf einem photographischen Film ist.9. Bildverstärker-Kameragerät nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin eine Einrichtung (13) besitzt, die zwischen einer Quelle (14) für die auftreffenden Kernteilchen oder elektromagne-- 26 -509821/0953tische Strahlung außerhalb des Gehäuses und der ersten Phosphorschicht (11) zur Kollimation der Teilchen oder der Strahlung angeordnet·ist.10. Bildverstärker-Kameragerät nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin einen Kanal-Elektronen-Vervielfacher (16a) enthält, welcher in dem Gehäuse (10) zwischen dem ersten Photokathodenfilm (l2 und der Halbleitereinrichtung (16) und in nächster Nachbarschaft dieser Halbleitereinrichtung zur Erhöhung der auf die Halbleitereinrichtung auftreffenden Zahl von Elektronen und zur Erzielung einer verbesserten Abbildungsqualität angeordnet ist.11. Bildverstärker-Kameragerät nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Phosphorschicht (11) entlang einer äußeren Oberfläche eines Eingangsfensters am eingangsseitigen Ende (10a) eines ersten Glaskolbens gebildet ist, welcher das Gehäuse (10) bildet, die zweite Phosphorschicht (32) entlang einer inneren Oberfläche eines ausgangsseitigen Fensters am ausgangsseitigen Ende (lob) des ersten Glaskolbens gebildet ist, <?er zweite Photokathodenfilm (30) entlang einer inneren Ob. fläch·.: v-"iines Eingangsfensters am eingangsseitigen Ende eines zweiten Glaskolbens (31) gebildet ist, wobei eine optische Pasereiarichtung (30a) i32a) zur qecjenseitigen Verbindung des Ausgangs der zweiten Phosphorschicht (32) mit dem zweiten Photokathodenfilm (30) vorgesehen ist und die Halbleiter-Positions-Meßfühlereinrichtung (16) im Innern des zweiten Glaskolbens benachbart zum ausgangsseitigen Ende desselben angeordnet ist.12. Bildverstärker-Kameragerät nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste-27 -509821/095.9Phosphorschicht (ll) aus einem der Materialien Thallium-aktiviertes Natriumiodid, Thallium-aktiviertes Caesiumjodid und Natrium-aktiviertes Caesiumjodid hergestellt ist und die zweite Phosphorschicht (32) eine schnelle Ansprechzeit besitzt und aus Zinkoxyd hergestellt ist.13. Bildverstärker-Kameragerät nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet , daß der Positions-Meßfühler (16) für zwei Achsen umfaßt:einen Körper (2O) aus einem leicht dotierten Halbleitermaterial eines ersten .Leitfähigkeitstyps, eine stark dotierte dünne erste Halbleiterschicht (20a) mit einem entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyp, die entlang einer ersten Oberfläche des Körpers (2O) aus Halbleitermaterial gebildet ist, auf welcher die von der Photokathode (12) emittierten Elektronen auftreffen,eine stark dotierte dünne zweite Halbleiterschicht (20b) des ersten Leitfähigkeitstyps, die entlang einer zweiten, der ersten gegenüberliegenden Oberfläche des Körpers (20) aus Halbleitermaterial gebildet ist,ein erstes Paar elektrisch leitender Anschluß-Streifen (21, 22), welche mit der ersten Oberfläche des Körpers (20) aus Halbleitermaterial entlang zweier gegenüberliegender Kanten desselben verbunden sind,ein zweites Paar von elektrisch leitenden Anschluß-Streifen (23, 24), die mit der zweiten Oberfläche des Körpers (20) aus Halbleitermaterial entlang zweier bezüglich der beiden Kanten auf der ersten Oberfläche um 90° gedrehten gegenüberliegenden Kanten verbunden sind, undmit jedem der Anschluß-Streifen des ersten und zweiten Paars verbundene Einrichtungen zur Anlegung einer Sperrspannung an den Körper (2O) aus Halbleitermaterial und zur Einstellung einer Abreicherungszone in demselben.14. Bildverstärker-Kameragerät nach einem der Ansprüche 1 bis 13,- 28 -50982 1/QSSSdadurch gekennzeichnet, daß die elektronische Schaltungseinrichtung (18) umfaßt: einen ersten laduhgsempfindlichen Verstärker (S..), bei dem ein Eingang mit einem ersten Streifen (21) des ersten Paars der Anschluß-Streifen verbunden ist,einen zweiten ladungsempfindlichen Verstärker (S_), bei dem ein Eingang mit einem zweiten Streifen (22) des ersten Paars von Anschluß-Streifen verbunden ist, und einen dritten ladungsempfindlichen Verstärker (S_), bei dem ein Eingang mit einem ersten Anschluß-Streifen (23) des zweiten Paars von Anschluß-Streifen verbunden ist.15. Bildverstärker-Kameragerät nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die elektronische Schaltung (18) weiterhin umfaßt:eine erste Schaltung (41) zur Summierung der Ausgangssignale (Q1, Qp) des ersten und zweiten ladungsempfindlichen Verstärkers (Sj, S2^'eine zweite Schaltung (51) zur Teilung des Ausgangssignals (Q.) des ersten ladungsempfindlichen Verstärkers (S1) durch die Summe der Ausgangssignale des ersten und zweiten ladungsempfindlichen Verstärkers, undeine dritte Schaltung (52) zur Teilung des Ausgangssignales des dritten 1adungsempfindlichen Verstärkers (S_) urch die Summe der Ausgangssignale des ersten und zweiten ladungsempfindlichen Verstärkers, wobei das Ausgangssignal der ersten Schaltung (41) proportional der gesamten Zahl der auf dem Halbleiter-Positi0ns-M2ßfühler (16) auftreffenden Elektronen und daher proportional zur Energie des auftreffenden Strahls oder Teilchens ist, das Ausgangssignal der zweiten Schaltung (51) die x-Koordinate der auftreffenden Elektronen und damit auch die x-Koordinate des auftreffenden Strahls oder Teilchens und das Ausgangssignal der dritten Schaltung (52) die y-Koordinate der auftreffenden Elektronen und damit auch die y-Koordinate des auftreffenden Strahls oder Teilchens darstellt.509821/0959-16. Bildverstärker-Kameragerät nach einem der Ansprüche 1 - 15-, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin eine Elektrodeneinrichtung (15a) umfaßt, welche in dem abgedichteten Gehäuse (1O) zwischen dem ersten Photokathodenfilm (12) und dem Halbleiter-Meßfühler (16) angeordnet ist zur Erzielung einer Abbildung mit variabler Vergrößerung, so daß das Kameragerät einen "Zoom-Effekt" besitzt.SQ3821/Ö3S9Leerseite
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE2453772A1 true DE2453772A1 (de) | 1975-05-22 |
Family
ID=23649083
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DE19742453772 Ceased DE2453772A1 (de) | 1973-11-15 | 1974-11-13 | Schnellansprechende kamera fuer bildwandlerroehren |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3890506A (de) |
JP (1) | JPS5531431B2 (de) |
CA (1) | CA1007281A (de) |
DE (1) | DE2453772A1 (de) |
FR (1) | FR2251907B1 (de) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8120 | Willingness to grant licences paragraph 23 | ||
8131 | Rejection |