DE2436274C2 - Verfahren zur Herstellung einer elektronenoptisch durchstrahlbaren freitragenden dünnen Struktur mit genau definierten Rändern - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer elektronenoptisch durchstrahlbaren freitragenden dünnen Struktur mit genau definierten RändernInfo
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- DE2436274C2 DE2436274C2 DE19742436274 DE2436274A DE2436274C2 DE 2436274 C2 DE2436274 C2 DE 2436274C2 DE 19742436274 DE19742436274 DE 19742436274 DE 2436274 A DE2436274 A DE 2436274A DE 2436274 C2 DE2436274 C2 DE 2436274C2
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer elektronenoptisch durchstrahlbaren freitragenden
dünnen Struktur mit genau definierten Rändern, vorzugsweise einer Aperturblende für Elektronenmikroskopie,
mit den im Oberbegriff des Anspruchs genannten Merkmalen.
Solche Strukturen sind in Elektronenmikroskopen z. B. in Form von Objektiv-Aperturblenden, Kondensor-Aperturblenden,
aber auch als Objektstrukturen bekannt. Sowohl Objektiv-(Beobachiungs-)Aperturen als
auch Kondensor-(Bestrahlungs-)Aperturen spielen für den Kontrast im Endbild eines Elektronenmikroskopes
eine wesentliche Rolle. Insbesondere die Objektiv-Aperturblende, deren Durchmesser ΙΟμίτι bis 100 μπι
beträgt, stellt ein kritisches Bauteil dar, weil diese geringe öffnung zu Verschmutzungen neigt, wenn die
Länge der Blendenbohrung relativ groß, z. B. 30 μπι lang
ist. Durch die Verschmutzung wird ein zusätzlicher axialer Astigmatismus verursacht und die Bildqualität
vermindert.
Zur Vermeidung dieser Nachteile dicker Blenden, ist es aus der DE-AS 15 21476 bekannt, sogenannte
Dünnschichtblenden herzustellen, die als 1 bis 2 μπι
starke Schicht auf einem Träger niedergeschlagen, von diesem Träger gelöst und auf einem Haltering
aufgefangen werden.
Gemäß dieser DE-AS werden solche metallische Dünnschidit-Aperturblenden für Elektronenmikroskope
durch Aufdampfen auf eine profilierte Fläche einer Matrize hergestellt Diese Blende ist mechanisch nicht
freitragend, sondern muß in einem gesonderten Blendenträger gehaltert werden, wobei die Profilierung
der Blende zu deren Zentrierung in dem Blendenträger . dient Die Struktur der Blende ist durch die Matrize
ίο vorgegeben, so daß beliebige Feinstrukturen nicht
möglich sind.
Aus der »Zeitschrift für wissenschaftliche Mikroskopie«, Band 64, 1960, Heft 7, Seite 425 ist eine Objektträgerblende
bekannt die aus einem in sich einheitlichen
t> zusammenhängenden Stoff in zwei Flächenbereichen
unterschiedlicher Dicke besteht von denen der weniger dicke Flächenbereich mit seinen Rändern die Blendenöffnung
begrenzt Maßnahmen zur Erzielung genau definierter Ränder sind dabei nicht angegeben.
Ein Verfahren der eingangs genannten Art ist in dem älteren Patent DE-PS 24 25 464 vorgeschlagen worden.
Dabei wird auf der mit einer metallischen Grundschicht aus einem anderen Material als dem der ersten
Metallschicht versehenen Trägerunterlage, die erste Metallschicht galvanisch abgeschieden. Durch galvanisches
Abscheiden lassen sich jedoch nicht beliebig dünne Metallscfekhten definiert herstellen, wodurch
sowohl die Feinheit als auch die Kantenschärfe der Struktur betroffen sind; dadurch kann der Korpuskular-
jo strahl unerwünschte Reflexionen erfahren.
Die Erfindung hat sich die Aufgabe gestellt, ein Verfahren der eingangs genannten Art anzugeben, bei
dem die hiernach hergestellte Struktur genau definierte Ränder zur Begrenzung der Elektronenstrahlen aufweist.
Die Erfindung löst diese Aufgabe durch das im kennzeichnenden Teil des Anspruchs angegebene
Merkmal.
Die mit der Erfindung erzie^sn Vorteile bestehen
Die mit der Erfindung erzie^sn Vorteile bestehen
■to insbesondere darin, daß die vorgeschlagene Maßnahme
die Herstellung extrem dünner Strukturen mit genau definierten Rändern hoher Kantenschärfe zur störungsfreien
Begrenzung von Elektronenstrahlen erlaubt, deren Verschmutzungsempfindlichkeit weiter herabge-
•»5 setzt ist. Diese Vorteile ergeben sich nicht nur bei der
Ausbildung dieser Struktur als Objektiv- oder Kondensor-Aperturblende, sondern auch dann, wenn die
Struktur eine Objektstruktur mit Haitenetz ist. I·ι
diesem Fall bildet der weniger dicke Bereich sowohl die Ränder der Objektstruktur als auch das Haltenetz von
so geringer Stegbreite, daß dieses vom Elektronenmikroskop bei weiterer Verkleinerung nicht mehr
auflösbar ist.
In der Zeichnung sind ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens und danach hergestellte
Strukturen schematisch dargestellt. Es zeigen
Fig. 1 bis 5 die Verfahrensschritte zur Herstellung
einer Blendenöffnung,
Fig.6 eine Draufsicht auf eine Objektstruktur mit Haltenetz.
Fig.6 eine Draufsicht auf eine Objektstruktur mit Haltenetz.
Auf einem Träger 1 wird zunächst eine Abdeckschicht 2 aufgebracht. Die Abdeckschicht bedeckt den Träger 1
soweit wie in der entgültigen Struktur der materiefreie Bereich 6, in diesem Fall also die freie Blendenöffnung,
·" reichen soll. Wie schon oben erwähnt beträgt der
Durchmesser im Falle einer Objektiv-Apertur einige μπι
bis 100 um. Wegen des Erfordernisses der völlig kreisrunden Ausbildung für eine Objektiv-Aperturblen-
de, empfiehlt es sich, die Abdeckschicht 2 mittels der
Fotolacktechnik aufzubringen. Gemäß F i g. 2 wird auf den Träger 1 nunmehr eine Schwermetallschicht z. B.
eine Goldschicht 3 in der Weise durch Aufdampfen oder Aufsputtern aufgebracht, daß sie sich später von der
Unterlage lösen läßt. Hierzu empfiehlt sich eine Zwischenschicht zwischen Träger 1 und Schicht 3, die
das spätere Ablösen erleichtert. Die Schichtdicken im Dünnschichtbereich betragen beispielsweise 0,5 bis
I μπτ, im Dickschichtbereich ca. 30 u.m. Die Ablösung
vom Träger ist auch mittels eines nur den Träger auflösenden Lösungsmittels möglich.
Hierauf wird gemäß Fig.3 eine weitere Abdeckschicht
4 in einem Flächenbereich zusätzlich aufgebracht, der in der fertigen Struktur den weniger dicken
Schichtbereich einnehmen soIL Die Abdeckschicht 4 liegt also in einer schmalen Zone entlang den Rändern
der Abdeckung 2 auf der Schicht 3 und bedeckt diese. Wenn deshalb gemäß F i g. 4 eine weitere Abscheidung
des gleichen Stoffes, der bereits die Schicht 3 bildet, erfolgt, so wird eine Verstärkung 5 der Schicht 3
eintreten, mit Ausnahme der von der Abdeckung 4 bedeckten Stellen. Die Abdeckschichten 2 und 4 werden
hierauf entfernt und die Struktur vom Träger 1 in bekannter Weise gelöst Deren weniger dicke Flächen- 2S
bereiche 3 und dickere Flächenbereiche 5 bilden eine aus einem in sich einheitlichen zusammenhängenden
Stoff bestehenden Körper, der an seinen Rändern die gewünschte geringe Dicke hat, im übrigen jedoch durch
die von den Rändern abgesetzte Verstärkung äußerst ^o
robust im Gebrauch ist.
Das geschilderte Verfahren läßt sich mit Vorteil auch bei der Ausführung von Objektstrukturen verwenden,
die in einem Elektronenmikroskop als Vorlage für die elektrohenmikroskopische Verkleinerung von Mustern
dienen, wie sie für die Herstellung extrem kleiner elektronischer Bauelemente heute bereits bekannt ist.
Diese Objekte sollen die zu reproduzierenden Muster in Form von für Elektronen abw'echselnd durchlässigen
und absorbierenden Bereichen enthalten. Für den beispielsgemäßen Zweck ist es nicht immer möglich, die
absorbierenden Bereiche in sich zusammenhängend vorzusehen. Wie in Fig.6 zu sehen, sorgt ein
verbindendes Haltenetz 7 für die Einhaltung der gegenseitigen Abstände der einzelnen absorbierenden
Flächenbereiche. Die Stege 7 werden so schmal ausgebildet, daß sie bei der elektronenmikroskopischen
Verkleinerung nicht mehr wiedergegeben werden. Dabei kann auflösungsbegrenzend in der Hauptsache
der bei der Verkleinerung verwendete strahlungsempfindliche Kopierlack sein. Die eigentlichen Objektstrukturen
überlagern dieses Trägernetz. In ihren Randbereichen
8 weisen sie eine Dicke auf, die ausreichend absorbiert, um die Objektstruktur gen-Mgend kontrastreich
abbilden zu können. In den vom Rand zurückgesetzten übrigen Flächenbereichen 9 wersen sie eine
wesentlich größere Dicke auf, die ihnen eine größere innere Festigkeit gibt. Die Herstellung erfolgt an?Iog
dem obenbeschriebenen Verfahren zur Herstellung einer Apcrturblende. Dabei kann zur Herstellung des
Haltenetzes 7 der gleiche Arbeitsgang wie für die Herstellung der weniger dicken Bereiche 8 Verwendung
finden und zwar entweder gleichzeitig oder nacheinander. Obwohl die Schichtdicke der Stege 7 demgemäß
etwa der den weniger dicken Bereichen 8 entspricht (die ausreichend für eine kontrastreiche Abbildung im
Elektronenmikroskop ist), wird das Haltenetz 7 wegen seiner geringen Stegbreite nicht mit abgebildet.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Verfahren zur Herstellung einer elektronenoptisch durchstrahlbaren, freitragenden dünnen Struktur mit genau definierten Rändern, vorzugsweise einer Aperturblende für Elektronenmikroskope, die neben materiefreien Bereichen (6) aus einem in sich einheitlichen zusammenhängenden Stoff in wenigstens zwei Flächenbereichen (3, 5 bzw. 8, 9) unterschiedlicher Dicke besteht, von denen der weniger dicke Flächenbereich (3 bzw. 8) mit seinen Rändern begrenzend auf die die materiefreien Bereiche (6) durchsetzenden Elektronenstrahlen wirkt und der dickere Flächenbereich (5 bzw. 9) eine mechanische Verstärkung für die weniger dicken Flächenbereiche (3 bzw. 8) bildet, bei dem folgende Verfahrensschritte durchgeführt werden: Auf einer Trägerunterlage (1) wird im später materiefreien Bereich (6) eine erste Abdeckschicht (2) aufgebracht, anschließend wird eine erste Metallschicht von der Dicke ' aufgebracht wie sie der weniger dicke Flächenbereich (3 bzw. 8) aufweisen soll, auf den Bereich der ersten Metallschicht, die den weniger dicken Flächenbereich (3 bzw. 8) bilden soll, wird eine zweite Abdeckschicht (4) aufgebracht, durch galvanisches Abscheiden einer zweiten Metallschicht aus dem gleichen- Metall wie die erste Metallschicht werden die nicht durch die zweite Abdeckschicht bedeckten Teile der ersten Metallschicht auf die Dicke des dickeren Flächenbereichs (5 bzw. 9) verstärkt, die erste und die zweite Abdeckschicht (2 bzw. 4) werden entfernt und schließlich wird die auL dem weniger dicken Flächenbereich (3 "üzw. 8) und dem dickeren Flächenbereich (5 bzw. 9) gt bildete Struktur vom Träger (1) gelöst, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Metallschicht durch Aufdampfen oder Aufsputtern auf die Trägerunterlage (1) aufgebracht wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742436274 DE2436274C2 (de) | 1974-07-27 | 1974-07-27 | Verfahren zur Herstellung einer elektronenoptisch durchstrahlbaren freitragenden dünnen Struktur mit genau definierten Rändern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742436274 DE2436274C2 (de) | 1974-07-27 | 1974-07-27 | Verfahren zur Herstellung einer elektronenoptisch durchstrahlbaren freitragenden dünnen Struktur mit genau definierten Rändern |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2436274A1 DE2436274A1 (de) | 1976-02-12 |
DE2436274C2 true DE2436274C2 (de) | 1983-12-22 |
Family
ID=5921720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19742436274 Expired DE2436274C2 (de) | 1974-07-27 | 1974-07-27 | Verfahren zur Herstellung einer elektronenoptisch durchstrahlbaren freitragenden dünnen Struktur mit genau definierten Rändern |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2436274C2 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2832408A1 (de) * | 1978-07-24 | 1980-02-14 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung von praezisionsflachteilen, insbesondere mit mikrooeffnungen |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1521476C3 (de) * | 1965-09-16 | 1973-01-04 | Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung metallischer Folienblenden, insbesondere Aperturblenden für Elektronenmikroskope |
-
1974
- 1974-07-27 DE DE19742436274 patent/DE2436274C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2436274A1 (de) | 1976-02-12 |
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