DE2229493C2 - Schaltungsanordnung zur Unterdrückung von Störimpulsen - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Unterdrückung von StörimpulsenInfo
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- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/02—Measuring characteristics of individual pulses, e.g. deviation from pulse flatness, rise time or duration
- G01R29/027—Indicating that a pulse characteristic is either above or below a predetermined value or within or beyond a predetermined range of values
- G01R29/0273—Indicating that a pulse characteristic is either above or below a predetermined value or within or beyond a predetermined range of values the pulse characteristic being duration, i.e. width (indicating that frequency of pulses is above or below a certain limit)
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Description
55 iretenden Spannungsformen dargcsiellt sind.
nungen gelangen über eine Leitung an einen Verbindungspunkt
Λ. Dieser Punkt ist über einen Widerstand
R 5 mit der Basis eines als Verstärker wirkenden Transistors 71 verbunden. Der Kollektor des
Transistors T 1 liegt über einen Widerstand R7an
einer positiven Spannungsquelle. Sein Emitter liegt über einen Widerstand R 6 an Masse. Der Emitterwiderstand
R 6 ist mit einem Kondensator C 2 überbrückt. An dir Parallelkombination des Widerstandes
R6 mit dem Kondensator Cl wird über den
Widerstand RS die durch Transistor 71 entkoppelte,
an der Erregerwicklung S anstehende Gleichspannung gespeichert.
Vom Verbindiimgspunkt A aus wird über einen
Widerstand R11 die Basiselektrode eines Transistors
T 4 angesteuert, dessen Kollektor an einer positiven Spannungsquelle liegt und dessen Emitter über einen
Kondensator C 3 mit dem Emitter des Transistors 71 verbunden ist. Der Emitteranschluß des Transistors
7 4 ist mitß bezeichnet. Dem Kondensator C 3
liegt ein aus Widerständen R 9 und R 10 bestehender Spannungsteiler für die in deTi Kondensator C 3 gespeicherte
Spitzenspannung der positiven Halbwelle parallel.
Weiterhin ist der Verbindungspunkt A über einen Widerstand R12 mit der Basiselektrode eines
Triggertransistors 7 3 verbunden, dessen Emitter an der Anzapfung des aus den Widerständen R 9 u.;d
R 10 bestehenden Spannungsteilers liegt. Sein Kollektor ist über einen Arbeitswiderstand 7? 13 un'l
einen weiteren Widerstand R14 an eine positive
Spannungsquelle gelegt. Die im Verhältnis des aus den Widerständen R 9 und R 10 bestehenden Spannungsteilers
geteilte Amplitude der positiven Halbwelle ist für die aus dem Widerstand R 12 und dem
Triggertransistor 7 3 bestehende Triggerschaltung die Spannungsschwelle, bei der die Triggerschaltung
während d'r Anstiegsflanke einer positiven Halbwelle
anspricht. Beim Ansprechen des Transistors 73 wird über den Widerstand R 13, der mit der Basisclektrode
eines Verstärkertransistors 75 verbunden ist, dieser Transistor geschaltet. Sein Emitter
liegt an einer positiven Spannungsquelle, sein Kollektor, dessen Anschluß mit C bezeichnet ist, über einen
Widerstand R15 und einen Widerstand R16 an
Masse. Am Verbindungspunkt zwischen den Widerständen R 15 und R 16 kann das Ausgangssignal der
gesamten Spannungsg?berschaltung abgenommen werden. Wenn der Transistor 75 nach Auslösen des
Triggers auf Durchgang geschaltet ist, so liegt am mit// bezeichneten Ausgang eine Spannung von ungefähr
4 bis 5 V.
Die Störimpulsunterdrückungsschaltung wird über den am Kollektor des Transistors 71 liegenden Verbindungspunkt
D wirksam. Dieser Punkt ist über tinen Widerstand R 8 mit der Basiselektrode eines
Transistors 72 verbunden, dessen Emitter an einer positiven Spannungsquelle liegt. Sein Kollektor liegt
über den Widerstand R Ά an einer negativen Spannungsquelle.
Ein am Kollektor des Transistors 7 2 liegender Verbindungspunkt E ist über einen Widerstand
R 1 an den negierenden Eingang eines Operationsverstärkers Vl angeschlossen. Der gleiche Eingang
ist mit dem mil F bezeichneten Ausgang des Operationsverstärkers Vl über einen Kondensator
Cl verbunden. Der Kondensator Cl ist durch eine Z-Diode D 2 überbrücke Dem Widerstand R 1 liegt
eine Diode Dl parallel. Die Ausgangsklemme F des
Operationsverstärkers V1 ist über zwei Dioden D 3
und D 4 mit der Basiselektrode eines Transistors 76 verbunden. Diese Basiselektrode liegt weiterhin über
einen Widerstand it 4 an einer positiven Spannungsquelle.
Der Emitter des Transistors 76 liegt an Masse, sein Kollektor, dessen Anschluß mit K bezeichnet
ist, ist mit der Ausgangsklemme// verbunden.
Bei Anlegen einer negativen Halbwelle am Verbindungspunkt/l
wird der Transistor 71 gesperrt. Dadurch wird über den Widerstand R 8 der Transistor
72 auch in den Sperrzustand gesteuert. Über den Widerstand R 1 schaltet dabei der Transistor T1
den mit dem Kondensator Cl als Integrator wirkenden Operationsverstärker Vl. Im impulslosen
Zustand liegt der Ausgang dei Verstärkers V 1 am
ungefähr -0,7 V, das ist die Vorwärtsspannung der Z-Diode D 2. Sie dient dazu, den Verstärker V Ϊ
nicht in den Sättigungsbereich steuern zu lassei,. Sperrt nun beim Auftreten einer ..-,.egativen Halbwel!.-der
Transistor 72 so beginnt der Verstärker \ >
über den Kondensator Cl und die den Widerstand
R 1 nun überbrückende Diode D 1 sowie den Widerstand
Ä 2 die an seiner negativen Eingangsklemme
liegende Spannung zu integrieren. Die maximale Ausgangsspannung des Verstärkers wird dabei vo;,
der Zenerspannung der Z-Diode D 2 begrenzt, übe:
die Dioden D 3 und D 4, welche die Vorwärtsspan r.ung der Z-Diode D 2 und die Basisemitterschwellenpannung
des Transistors 76 kompensieren, schaltet der Schalttransistor 76 sofort nach Beginn
der Integration auf Durchgang, weil die summierten Spannungen der Dioden D 3 und D 4 zu seiner Sperrung
nicht mehr ausreichen.
Schaltet der Transistor 72 beim Nulldurchgang des aus zwei Halbwellen bestehenden Signals an der
Erregerspule S wieder auf Durchgang, so beginnt damit die Rückflanke der am Ausgang des Verstärkers
Vl integrierten Spannung. Für die Anstiegs- und
Rückflanke können zweckmäßig zwei verschiedene Zeiikonstanten gewählt werden Es kann z. B. die
Rückflanke flacher gemacht werden. Damit wird sichergestellt, daß der Störimpuls auch bei größerer
Länge sicher ausgetastet wird.
Während der gesamten Integrationszeit des Verstärkers Vl ist der Transistor 76 leitend und schließt
den Widerstand R 16 kurz. Damit liegt die Ausgangsklemme// auf Massepotential, unabhängig von
der Betätigung des Triggertransistors 7 3 während der positiven Halbwellc des Störimpulses. lsi die
Rii.Kflanke der Integrationsspannung beendet, so
ist die Z-Diode Ό2 wieder in Vorwärtsrichtung leitend. Der Transistor 76 sperrt wieder, und das nächste
Signal am Punkt A v/ird je nach seinem Beginn mit einer negativen oder positiven Halbwelle entsprechend
ausgewe-tet.
Die Schaltung nach der Erfindung kann Impulslängenunterschiede im Bereich von 1: tOÖ richtig
verarbeiten. Ein großes Verhältnis zwischen Stör- und Nutzamplituden wird nicht mehr benötigt, da
das Störsignal unabhängig von seiner Größe vollständig ausgeblendet wird.
In F i g. 2 sind die an den besonders bezeichneten
Schaltpunkten auftretenden Spannungsformen dargestellt. In den Spannungsformen der Diagramme an
den Punkten B und D sind gleichzeitig noch die Spannungsformen des Ausgangssignals der Erregerwicklung
punktiert eingezeichnet.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentansprüche· wie der Anker befinden- in der Geberspule Span-, ' nungisänderungen induzieren. Derartige Bohrungen acha.tungsanordnung zur Unterdrückung sind bei Schwungscheiben oft zu Auswuchtzwecken von Stonmpulsen am Ausgang eines einem ein angebracht. Die in der Geberwicklung von einem aus positiver ur.d negativer Halbwelle bestehen- 5 Loch induzierte Spannung weist allerdings einen umdes signal abgebenden Geber nachgeschalteten, gekehrten Verlauf auf. Hier folgt die positive Haibaut nur eine der Halbwellen ansprechenden Trig- welle auf die negative Halbwelle, gers, dadurch gekennzeichnet, daß ein Wird der induktive Geber beispielsweise als NuII-mit seinem Eingang an den Ausgang eines von punktsensor für die Zündwinkelmessung beutet, so oer nicht zur Tnggerung herangezogenen Halb- iq wirken alle positiven Halbwellen, die den obenerweue der Geberausgangsspannung gesteuerten er- wähnten Trigger ansprechen lassen und die nicht sten scnaittransistors (Tl) angeschlossener Inte- vom vorgesehenen Anker hervorgerufen sind, als grationsverstarker (Fl, Cl) ausgangsseitig mit Störimpulse. Bei der Erfindung wird die Eigenschaft der steuerelektrode eines den Triggerausgang der Störimpulse, auf eine negative Halbwelle zu folverbund · " zweiten Schalttransistors (76) ,5 gen, zu ihrer Unterdrückung ausgenutzt. 0 "ς ifVSf ^me Schaltungsanordnung zur Unterdrückung von z. schaltung nach Anspruch 1, dadurch ge- Störimpulsen am Ausgang eines einem ein aus positi-Kennzeicnnet, daß dem ersten Schalttransistor ver und neeativer Halbwelle bestehendes Signa! ah-U-) ein Verstarkertransistor(71) vorgeschaltet gebenden Geber nachgeschalteten, auf nur eine der ' ze Halbwellen ansprechenden Triggers ist gemäß dei J. schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß ein mit seif!L Kennzeicnnet, daß einem Triggertransistor nem Eingan? an den Ausgang eines von der nicht zu· tetist n rstarkertransistor (T5) nachgeschal- Triggerung benutzten Halbwelle der Geberausgangs-' spannung gesteuerten ersten Schalttransistors anae-4. Schaltung nach Anspruch 1 oder einem der as schlossener Inteerationsverstärker ausaanssseitig mi' vorausgenenden Ansprüche, Gadurch gekenn- der Steuerelektrode -ines den Triggeraus'gang kurzzeichnet, daß der Integrationsverstärker ein Ope- schließenden zweiten Schalttransistors verbunden ist rationsvcrstarker (VI) mit einem seinen Ausgang Auf diese Weise werden alle als Störimpulse wirmit einem seiner Eingänge verbindenden Kon- kenden Halbwellen, die auf eine der nicht zur Tri«- oensator (C 1) -t und der Kondensator (C 1) von 3<> gerung benutzten Halbwellen folgen, am Ausgang einer Z-Diode (D 2) überbrückt ist. JesTnggc« unwirksam gemacht. ^5. Schaltung nach Anspruch i oder einem der Zweckmäßig wird dem ersten Transistor ein Vervorausgehenuen Ansprüciie. d durch gekenn- Stärkertransistor vorgeschaltet, ebenso ist dem zeichnet, daß die Integrationskonstante des Inte- eigentlichen Triggertransistor ein Verstärkertransigrationsverstarkers (Vl, Cl) für die Anstiegs- 35 stör nachgeschaltet."ante kleiner als die für die Rückflanke ist. Dei einer weiteren Ausgestaltung der Erfindungvnrö aUU"g na^h Anspruch 1 oder einem der besteht der Integrationsverstärker ans einem Opera-vorausgenenden Ansprüche, dadurch gekenn- tionsverstärker, dessen Ausgang übv;r einen Konden-zei-iinet, α au der Ausgang des Integrationsver- sator mit seinem negierenden Eingang verbunden iststarKers (Kl Cl) mn der Steuerelektrode des 4<> Der Kondensator ist dabei von einer ZenerdioderDei,enHn!Ura c nS1StOrSu(r6) überzwei Di«a^ überbrückt. Zweckmäßig wird die Integrationskon-(u j und υ 4) in Spernchtung verbunden ist. stante des Integrationsverstärkers für die Anstiegs-. flanke der integrierten Spannungsform kleiner gc-.„ , _ „ . wählt als fü; deren Rückflanke.cm^*:r o2!::i::?si^Ä ^!r <s.. Es.ist ^^ ^^8, ?η Α^ψΒ des m.nut der Steuerelektrode dessThMderS^na?T-ht^!,g,?l, tegra^"sverstärkers n.it der Steuerelektrode deslöst Jtaen Tri, g e der beiden HalbweIlen zweiten Schalttransisxors über zwei Dioden in Spcrr-lost einen Trigger aus, wenn sie e.nen vorgegebenen richtung zu verenden
Priority Applications (6)
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- 1973-06-18 GB GB2890573A patent/GB1399413A/en not_active Expired
Also Published As
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GB1399413A (en) | 1975-07-02 |
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