DE2163324C2 - Vorrichtung zur Behandlung von Haaren in einem Hochfrequenzfeld - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Behandlung von Haaren in einem Hochfrequenzfeld der Im Oberbegriff des Anspruchs I angegebenen Gattung.

Es ist bereits seit vielen Jahren bekannt, daß zur Behandlung von Haaren, beispielsweise für die Herstellung von Dauerwellen und das Legen von Wasserwellcn für Frisuren sowie für kosmetische Zwecke, wie beispielsweise das Färben und Reinigen des Haars, nicht nur erwärmte Luft und Wärmestrahler, die das Haar von aulien her erhitzen und dadurch die darin befindliche Feuchtigkeit zum Verdunsten bringen, sondern auch Hochfrequenz-Felder verwendet werden können (DE-PS 9 50 020; DE-PS 8 11 482; DE-PS 9 52 544; US-PS 18 92 106); in dem Buch »Elektronik, Technik der Zukunft«, herausgegeben vom Vogel-Verlag Würzburg,

6. Auflage 1960, werden Geräte, mit denen diese Art der Haarbehandlung durchgeführt wird, als »elektronische Dauerwellengeräte« bezeichnet.

In einer älteren Patentanmeldung gemäß P 21 56 084.9-23 wird eine Vorrichtung zur Behandlung von .'faaren in einem Hochfrequenzfeld der angegebenen Gattung vorgeschlagen, die einen Hochfrequenzgenerator, eine zylindrische Halterjng aus einem elektrisch isolierenden Material zum Aufwickeln einer Haarlocke, ein koaxial zu der Halterung angeordnetes Kopplungselement, ein elek-

lä trisch leitendes und elektromagnetisch geschlossenes Gehäuse, welches das Kopplungselement und die Halterung mit den Haaren umgibt, wobei das Kopplungselement über einen ersten Anschluß mit dem Hochfrequenzgenerator elektrisch verbunden und das Gehäuse geerdet ist, sowie eine auf der Halterung angeordnete, wendeiförmige Wicklung aufweist, die einenends elektrisch frei ist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zur Behandlung von Haaren in einem Hochfrequenzfeld der angegebenen Gattung zu schaffen, bei der die Erzeugung und Ausnutzung des Hochfrequenzfeldes mit sehr gutem Wirkungsgrad erfolgen.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs ! angegebenen Merkmale gelöst.

Zweckmäßige Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen zusammengestellt.

Die mit der Erfindung erzielten Vorteile beruhen insbesondere darauf, daß das Hochfrequenzfeld im Inneren des elektrisch leitenden und elektromagnetisch geschlossenen Gehäuses erzeugt wird, also keine Verluste durch Elnkoppeln dieses Hochfrequenzfeldes in andere Teile der Vorrichtung entstehen können. Außerdem ist zur Erzeugung dieses HochfrequenzfeLr'-es nur relativ wenig Energie erforderlich, da praktisch die gesamte erzeugte Hochfrequenzenergie im Inneren des Gehäuses ausgenutzt wird, also durch Austreten von elektromagnetischen Wellen aus dem Gehäuse keine Verluste entstehen. Dies ist auch für die internationalen Bestimmungen über das Fernmelde- und Funkwesen wichtig, da nun ohne Rücksicht auf die bestimmte, durch diese Bestimmungen geschützte Frequenzen die Vorrichtung im Hinblick auf eine optimale Nutzung des erzeugten Hochfrequenzfeldes ausgelegt werden kann. Weuerhin erfolgt die Erzeugung des Hochfrequenzfeldes in unmittelbarer Nähe der zu behandelnden Haare, da Halbleiter-Generatoren sehr klein ausgelegt und deshalb in unmittelbarer Nähe der Haare angeordnet werden können, so daß sich auch hierdurch eine optimale Ausnutzung der zur Verfügung stehenden Energie ergibt. Die geringe Größe des Halbleiter-Generators trägt schließlich noch dazu bei, daß die gesamte Vorrichtung nur wenig Raum benötigt und deshalb ihre Lagerung, Handhabung und Ihr Transport keine Probleme bereiten.

Der Halbleiter-Generator kann entweder durch einen Transistor, dessen Emitter mit einer Glelchspannungsquelle, dessen Basis mit dem anderen Ende der Wicklung und dessen Kollektor mit dem Kopplungselement verbunden sind, oder durch zwei Transistoren gebildet werden, deren Kollektoren mit einer Gleichspannungsquelle, deren Emitter geerdet und deren Basis-Elektroden über einen Widerstand mit der Gleichspannungsquelle sowie mit der Wicklung verbunden sind. Ein solcher

Halbleiter-Genarator arbeitet mit der Eigenfrequenz des elektrisch leitenden und elektromagnetisch geschlossenen, als Resonator dienenden Gehäuses, so daß sich eine automatische Anpassung an die unterschiedlichen Betriebszustande ergibt, die durch die unterschiedlichen Eigenschaften der zu behandelnden Haare hervorgerufen werden.

Der Transistor Ist nach einer bevorzugten Ausführungsform an einem eine Stirnfläche des Gehäuses bildenden Sockel aus einem elektrisch leitenden Material angebracht, der mit Rippen für die Wärme-Abfuhr im Bereich des Transistors versehen ist. Dadurch ergibt sich eine effektive Kühlung des Halbleiter-Generators.

Ein weiterer Vorteil dieser Vorrichtung liegt darin, daß sie über einen flexiblen Leiter mit geringem Querschnitt gespeist werden kann, der nur für die Zuführung eines Gleichstroms dient und deshalb keine störenden Frequenzen abstrahlen kann.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beiliegenden, schematischen Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 einen Schnitt durch eine erste Ausführungsform einer Vorrichtung zur Behandlung von Haaren in einem Hochfrequenzfeld,

Fig. 2 das Grundschaltbild der Vorrichtung nach Fig. I,

Fig. 3 das Schaltbild einer zweiten Ausführungsform einer Vorrichtung zur Behandlung von Haaren in einem Hochfrequenzfeld, und

Fig. 4 einen Schnitt durch einen Lockenwickler mit einer Ausführungsform einer Vorrichtung zur Behandlung von Haaren in einem Hochfrequenzfeld.

In Fig. 1 ist eine zylindrische Halterung 1 aus einem elektrisch isolierenden Material für das Aufwickeln einer Haarlocke dargestellt; diese zylindrische Halterung 1 kann beispielsweise aus PTFE hergestellt sein. Die Halterung 1 ist an einem Ende mit einem Flansch 2 aus einem leitenden Material versehen und weist am anderen Ende einen ringförmigen Flansch 3 auf.

Die zylindrische Halterung 1 und die Flansche 2 und 3 begrenzen eine Art Spule, auf die eine zu behandelnde Haarlocke 4 aufgewickelt wird.

Ein abnehmbarer Zylinder 5 mit Öffnungen 6 kann, die zylindrische Halterung 1 umgebend, auf die Flansche 2 und 3 in der Weise aufgesetzt werder., daß der Zylinder 5. der Flansch 2 und ein metallischer Sockel 7 ein elektrisch leitendes und elektromagnetisch geschlossenes Gehäuse bilden.

Der Sockel 7 ist mit Rinpen 8 für die Wärmeabfuhr eines Transistors 9 versehen, der an dem metallischen Sockel 7 befestigt Ist.

Ein Leiter 10, der in einem leitenden Mantel 11 angeordnet Ist, ist an das untere Ende des Sockels 7 angeschlossen.

Ein Draht 12 verbindet den Sockel 7 mit dem Emitter des Transistors 9, dessen Basis über einen Draht 13 an eine Wicklung 14 angeschlossen ist. deren Ende 14o frei, d. h., nicht elektrisch verbunden Ist.

Eine zweite Wicklung 15. die koaxial zu der Wicklung 14 verläuft, ist an einem Ende 16 mit dem Kollektor des Transistors 9 verbunden; ihr Ende 17 ist über einen koaxial angeordneten Filterkondensator 18 an den Leiter 10 angeschlossen.

Die Basis des Transistors 9 liegt über die Leitung 17 an einem Widerstand 19.

Aus dem In Fig. 2 angedeuteten Schaltungsaufbiiu sind die verschiedenen elektrischen Bauelemente zu erkennen. Die Leitung 10 isl mil einer Gleichstromquelle

von beispielsweise 18 Volt verbunden; Der Sockel 7 liegt an Masse.

Als Transistor 9 wird ein NPN-Transistor verwendet; die Wicklung 18 besteht aus (8 Drahtwindungen von 0,6 mm Durchmesser, die sich über eine Gesamtlänge von 36 mm erstrecken, wobei die zylindrische Halterung 1, welche die Wicklung 14 trägt, einen Durchmesser von 20 mm hat.

Die Wicklung 15 besteht aus 8 Drahtwindungen von 0,4 mm Durchmesser, die sich über eine Länge von 14 mm erstrecken.

Der Widerstand 19 hat einen Widerstandswert von 22 kOhm.

Der Kondensator 18 hat eine Kapazität von 2200 pF.

Mit einer zylindrischen Hülle 5, die einen Durchmesser von 28 mm und eine Länge von 65 mm hat, erreicht man eine Frequenz von etwa 65 MHz.

In den Fig. 3 und 4 ist eine zweite Ausführungsform dargestellt, bei der es sich um eine Modifikation der Ausführungsform nach den Fig. 1 und 2 handelt.

Fig. 4 zeigt einen axialen Schnitt durch diese Ausführungsform, die eine zylindrische Halterung 1 aus PTFE für die Aufnahme von Wicklungen 22 aufweist.

Auf die Enden der zylindrischen Halterung 1 sind Kappen i3 und 24 aus Aluminium aufgeschraubt, die zur Befestigung von zwei Transistoren 25 dienen.

Ein zylindrischer Schutzmantel 26 aus PTFE umgibt die Wicklungen 22.

Am unteren Ende ist die Kappe 24 mit einem Sockel 27 aus PVC fest verbunden. An seinem Umfang weist der Sockel 27 eine ringförmige Rille auf, an der ein Lokkenwickler befestigt wird.

Der Sockel 27 enthält einen Kontakt für die Anbringung des Kabels für die Zuführung eines Gleichstroms.

In Fig. 4 sind die elektronischen Bauelemente der Vorrichtung, die sich in dem von den strichpunktierten Linien umgebenen Raum 29 befinden, nicht im Detail dargestellt.

Das elektrisch leitende und elektromagnetisch geschlossene Gehäuse dieser Ausführungsform weist noch eine zylindrische Hülle 30 mit einem Boden 31 aus einem elektrisch leitenden Material auf.

Die Hülle 30 ist mit Öffnungen für die Abgabe des bei der Trocknung entstehenden Wasserdarnpfs versehen. Außerdem werden durch diese Öffnungen die Haarlokken hindurchgeführt, die auf die zylindrische Halterung 1 aufgewickelt werden.

In Fig. 3 ist die elektrische Schaltung des Lockenwicklers nach Fig. 4 dargestellt.

Diese Schaltung hut einen symmetrischen Aufbau und weist zwei identische NPN-T ransistoren 25 auf. Der Kc! ■ leklor jedes Transistors Ii Ist jeweils über eine Leitung 32 uno cine Wicklung 33 mit einer Gleichspannungsquelle verbunden, die 12 V liefert. Eine Leitung 34 verbindet die beiden Emitter der Transistoren 25 miteinander und legt diese Emitter an Erde.

Die Basis-Elektroden der beiden Transistoren 25 sind untereinander über Leitungen 36 und die Wicklung 35 verbunden. Darüber hinaus ist die Basis-Elektrode jedes Transistors 25 über einen Widerstand 19 an die Glsielispannungsquelle angeschlossen.

Eine Frequenz von 220 MHz läßt sich mit elektronischen Bauelementen mit folgenden Spezifikationen erreichen:

Jeder Polarisationswiderstand 19 hat einen Widerstandswcrl von 2.2 kOhm. Die beiden Wicklungen 33 und die Wicklung 35 sind auf eine zylindrische Halterung i mit einem Durchmesser von 20 mm gewickelt.

Dabei sind die Windungen der einen Wicklung in die Windungen der anderen einführt. In Flg. 3 sind die Wicklungen 33 und 35 so dargestellt, daß sie unterschiedliche Durchmesser und unterschiedliche .Strichstärken haben; bei einer gerätetechnischen Ausführung haben die Windungen jedoch gleichen Durchmesser und bestehen aus einem Kupierdraht mit einem Durchmesser von 0,6 mm.

Die Wicklung 35 enthält 6 Windungen, die auf eine Länge von 40 mm gewickelt sind. Jede Wicklung 35 weist 6 Windungen auf, die auf eine Lunge von 17,5 mm gewickelt sind.

Abschließend wird noch darauf hingewiesen, daß die beschriebenen Halbleiter-Generatoren für die Erzeugung des llochfrequenzfeldes an sich auf anderen Gebieten bekannt sind.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche;

1. Verrichtung zur Behandlung von Haaren In einem Hochfrequenzfeld mit einem Hochfrequenzgenerator, mit einer zylindrischen Halterung aus einem elektrisch isolierenden Material zum Aurwickeln einer Haarlocke, mit einem koaxial zu der Halterung angeordneten Kopplungselement, mit einem elektrisch leitenden und elektromagnetisch geschlossenen Gehäuse, welches das Kopplungselement und die Halterung mit den Haaren umgibt, wobei das Kopplungselement über einen ersten Anschluß mit dem Hochfrequenzgenerator elektrisch verbunden und das Gehäuse geerdet ist, und mit einer auf der Halterung angeordneten, wendeiförmigen Wicklung, die einenends elektrisch frei ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Hochfrequenzgenerator als HaIblelterGenerator (9, 18, 19) ausgebildet und in dem "Gehäuse (2, S, 7) angeordnet ist und daß die Wicklung (14) anderenends über einen zweiten Anschluß (13) mit dem Halbleiter-Generator (9, 18, 19) verbunden ist.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiter-Generator einen Transistor (9) aufweist, dessen Emitter mit einer Glelchspannungsquelie, dessen Basis mit dem anderen Ende der Wicklung (14) und dessen Kollektor mit dem Kopplungselement (15) verbunden ist.

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das eine Ende (17) des Kopplungselementes (15) über einen Filterkondensator (18) mit der Gleichspannungsquelle verbunden ist.

4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des Transistors (9) über einen Widerstand (19) mit der Wicklung (14) verbunden ist.

5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor (9) an einem eine Stirnfläche des Gehäuses (2, 5, 7) bildenden Sockel (7) aus einem elektrisch leitenden Material angebracht ist.

6. Vorrichtung nach Anspruch S, dadurch gekennzeichnet, daß der Sockel (7) mit Rippen (8) für die Wärmeabfuhr Im Bereich des Transistors (9) versehen ist.

7. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiter-Generator zwei Transistoren (25) aufweist, deren Kollektoren mit einer Gleichspannungsquelle, deren Emitter geerdet und deren Basis-Elektroden über einen Widerstand (19) mit der Gleichspannungsquelle sowie mit der Wicklung (35) verbunden sind.