DE19534856A1 - Digitale Speichereinrichtung für Lese- und Schreiboperationen sowie ein Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents
Digitale Speichereinrichtung für Lese- und Schreiboperationen sowie ein Verfahren zu deren HerstellungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine digitale Speichereinrichtung mit Spin-gekoppelten,
magnetischen Schichten gemäß Anspruch 1. Zudem betrifft die Erfindung auch
ein Verfahren zur Herstellung einer digitalen Speichereinrichtung gemäß dem
Oberbegriff des Anspruchs 16.
Bei einem aus zwei ferromagnetischen Materialien und einer Zwischenschicht
bestehenden Schichtsystem sind die Widerstandserhöhungen bei Änderung der
Magnetisierungsausrichtung von parallel nach antiparallel in der Größe von
einigen Prozent. Solche Widerstandserhöhungen wurden u. a. an Co/Cu/Co-,
Fe/Cr/Fe- und NiFe/Cu/NiFe-Schichtsystemen beobachtet.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht nun darin, aufbauend auf
diesem Effekt eine digitale Speichereinrichtung mit magnetischen Schichten zu
schaffen, sowie ein Verfahren zur Herstellung einer solchen
Speichereinrichtung bereitzustellen, wobei die magnetischen Schichten
gleichermaßen zur Durchführung von Lese- und Schreiboperationen ausgebildet
sind.
Die Aufgabe wird durch eine digitale Speichereinrichtung gemäß der
Gesamtheit der Merkmale nach Anspruch 1 gelöst. Die Aufgabe wird ferner
durch ein Verfahren gemäß der Gesamtheit der Merkmale nach Anspruch 14
gelöst.
Weitere zweckmäßige oder vorteilhafte Ausführungsformen oder Varianten
finden sich in den auf jeweils einen dieser Ansprüche rückbezogenen
Unteransprüche.
Die erfindungsgemäße Speichereinrichtung erfüllt in vorteilhafter Weise die
folgenden Anforderungen:
- 1. die Speichereinrichtung ist lesbar und beschreibbar entsprechend einem an sich bekannten RAM;
- 2. die Speicherung ist im Gegensatz zu dynamischen Speichern (DRAM) nicht vergänglich und bedarf keiner Auffrischung;
- 3. die Speicherung ist im Gegensatz zu statischen Speichern (SRAM) dauerhaft und hängt von keinen Versorgungsspannungen ab;
- 4. die Information wird im Gegensatz zu Ferritkernspeichern beim Lesen nicht verändert, so daß eine Rückschreibung nach jedem Lesevorgang entfällt;
- 5. die Lese- und Schreiboperationen sind vergleichbar schnell und beanspruchen nur Zeiträume im Bereich von einigen Nanosekunden, so daß die heute üblichen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von weniger als 100 nsec erreicht werden;
- 6. die Speicherdichte ist groß, mindestens 1 · 10⁷ Bit/cm² und vorzugsweise mehr als 1 · 10⁸ Bit/cm², und erreicht damit Speicherdichten, die mit einem dynamischen RAM in den 4-, 16-, und 64-MBit Chips erreicht werden;
- 7. die Massenproduktion der Speicherzellen ist mit den in der Halbleitertechnik entwickelten Verfahren möglich, d. h., insbesondere mit Dünnschichttechnik und optischer Lithographie zur lateralen Strukturierung;
- 8. die Speicherzellen sind auf Silizium oder III/V-Wafern herstellbar, um kompatibel zu und integrierbar mit anderen Halbleiterbauelementen zu sein;
- 9. die notwendigen Ströme zum Schreiben und Lesen und die auftretenden Signalspannungen beim Lesen der Bits erlauben eine weitere Miniaturisierung der Speicherzellen im Nanometerbereich;
- 10. die elektrische Schreib- und Leseleistung bleibt unterhalb eines Wertes von 1 W, wenn diese Operationen mit der maximalen Taktfrequenz von beispielsweise 100 MHz ausgeführt werden;
- 11. die Zuverlässigkeit und Kosten der Speicherzellen lassen sich an denen von dynamischen RAMs messen.
Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist im folgenden anhand der
Figuren näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische, perspektivische Ansicht einer Speicherzelle mit
den Zuleitungen zur Bestimmung des Widerstands der
ferromagnetischen Schichtung und den Leiterbahnen für die
Ströme′ zur Drehung und zum Umklappen der Magnetisierung in
der oberen ferromagnetischen Schicht mit elliptischem
Querschnitt;
Fig. 2 eine schematische, perspektivische Ansicht eines 2 × 3 Arrays von
Speicherzellen;
Fig. 3a eine schematische Draufsicht auf eine Speicherzelle, welche
Leiterbahnen U1 und U2, die zu einer ferromagnetischen Schicht
mit elliptischen Querschnitt an je einer Stelle durchkontaktiert
sind, eine darunterliegende, metallische, unmagnetische
Zwischenschicht, ebenfalls mit elliptischem Querschnitt und eine
untere ferromagnetische Schicht mit rechteckiger Form
wiedergibt;
Fig. 3b eine schematische Querschnittsdarstellung auf der Linie T-T in
Fig. 3a, in welcher noch eine Isolatorschicht und Leiterbahnen J
und I dargestellt sind, durch die beim Lesen und Schreiben der
digitalen Information Ströme geschickt werden;
Fig. 3c eine schematische Querschnittsdarstellung auf der Linie S-S in
Fig. 3a;
Fig. 3d eine schematische Querschnittsdarstellung auf der Linie R-R in
Fig. 3a;
Fig. 4 eine schematische Draufsicht auf ein Array von 4 × 4
Speicherzellen, welche die Leiterbahnen U1 und U2, mit denen
die Widerstandsänderung in der Schichtung F2/Z/F1 gemessen
wird, die elliptisch geformte ferromagnetische Schicht F2, die
durchgängige ferromagnetische Schicht F1 und die untersten
Leiterbahnen I und J, durch die Schreibströme zur Erzeugung von
Magnetfeldern zwecks Änderung der Magnetisierung in F2
geschickt werden, wiedergibt. Nicht sichtbar sind die
durchgängigen J- Leiterbahnen unterhalb der durchgängigen F1
Schicht, durch die Leseströme zwecks Drehung der
Magnetisierung in F2 geschickt werden.
Eine schematische dreidimensionale Ansicht einer als Speicherzelle 1
ausgebildeten Speichereinrichtung der vorliegenden Erfindung und eines Arrays
solcher Speicherzellen sind jeweils in Fig. 1 und 2 dargestellt. In Fig. 3a bis
3d sind eine Draufsicht einer Speicherzelle 1 bzw. drei
Querschnittszeichnungen dargestellt.
Den sogenannten Kern der Speicherzelle 1 bilden zwei ferromagnetische
Schichten F1 und F2, die nur einige nm dick sind, und die unmagnetische
Zwischenschicht Z. Die obere ferromagnetische Schicht F2 hat einen
elliptischen Querschnitt, wohingegen die untere ferromagnetische Schicht F1
einen rechteckigen Querschnitt aufweist. Durch die in Spalten und Zeilen
angeordneten weiteren Speicherzellen 1 (siehe Fig. 2) ist die untere
ferromagnetische Schicht F1 als durchgehender Streifen entlang einer Spalte
ausgebildet, wie das in Fig. 4 in einer Draufsicht auf ein Array von 4 × 4
Speicherzellen 1 deutlich wird.
Aufgrund der aufgeprägten magnetischen Formanisotropie zeigen die
Magnetisierungen der elliptisch geformten Schicht F2 in Richtung der langen
Achse der Ellipse und die der Schicht F1 in Streifenrichtung, d. h. die beiden
Magnetisierungen sind parallel oder antiparallel zueinander. Mit der
Schichtdicke der Zwischenschicht Z wird eine verschwindende oder zumindest
eine sehr geringe Kopplung zwischen den magnetischen Schichten F1 und F2
eingestellt. Die Anisotropie der Schicht F1 wird so eingestellt, daß sie die
dominante Anisotropie wird.
Die untere Schicht F1 hat ein extrem großes Achsenverhältnis von
Streifenlänge zu Streifenbreite, was die Ausrichtung in Streifenrichtung
begünstigt. Durch zusätzliche Maßnahmen wird dafür gesorgt, daß die
Magnetisierung der Schicht F1 in der einmal eingenommenen Richtung entlang
der langen Achse verharrt, unbeeinflußt von den noch zu diskutierenden
Magnetfeldern parallel und senkrecht zur langen Achse.
Als derartige zusätzliche Maßnahme ist beispielsweise denkbar:
- 1. während des Schichtwachstums der Schicht F1 ein Magnetfeld in Streifenrichtung anzulegen, das erfahrungsgemäß eine wachstumsinduzierte Anisotropie erzeugt; oder
- 2. nach der Herstellung die Schicht F1 im Sättigungsmagnetfeld zu glühen, was zu feldinduzierten Anisotropieeffekten führt; oder
- 3. die Dicke der Schicht F1 zu erhöhen, da eine dickere Schicht zu einer Erhöhung der Anisotropieenergie proportional zur Schichtdicke führt, solange die Dicke klein gegen den Schichtdurchmesser ist. Diese Maßnahme hat den Nachteil, daß mit dickeren Schichten der Magnetowiderstandseffekt schnell kleiner wird.
Am wirkungsvollsten kann die magnetische Anisotropieenergie der beiden
Schichten F1 und F2 dennoch über die dritte Maßnahme gesteuert werden. Das
zeigen beispielhaft die folgenden Zahlen:
Wenn die Schichtdicke der unteren Schicht F1 etwa 10 nm beträgt, beträgt bei einer Streifenbreite von 1 µm und einer Magnetisierung von 1 T die Koerzitivfeldstärke µ₀ Hc für eine homogene Rotation 10 mT. Wenn zudem die Schichtdicke der oberen Schicht F2 dünner als die der Schicht F1 ist und vorzugsweise nur 1 - 2 nm beträgt, fällt die Koerzitivfeldstärke der Schicht F2 auf 1 mT und ist somit merklich kleiner als die in der Schicht F1. Damit kann die Magnetisierung in der Schicht F1 als unveränderbar bzw. eingefroren angesehen werden.
Wenn die Schichtdicke der unteren Schicht F1 etwa 10 nm beträgt, beträgt bei einer Streifenbreite von 1 µm und einer Magnetisierung von 1 T die Koerzitivfeldstärke µ₀ Hc für eine homogene Rotation 10 mT. Wenn zudem die Schichtdicke der oberen Schicht F2 dünner als die der Schicht F1 ist und vorzugsweise nur 1 - 2 nm beträgt, fällt die Koerzitivfeldstärke der Schicht F2 auf 1 mT und ist somit merklich kleiner als die in der Schicht F1. Damit kann die Magnetisierung in der Schicht F1 als unveränderbar bzw. eingefroren angesehen werden.
Die oberste ferromagnetische Schicht F2 bildet an zwei Stellen 2, 3 jeweils mit
einer der Leiterbahnen U1 bzw. U2 einen leitenden Kontakt. Über diese
Kontaktstellen 2 und 3 wird der elektrische Widerstand der Schicht F2
gemessen. Der Widerstand verringert sich in der Größenordnung von 1%,
wenn die Magnetisierung der Schicht F2 aus ihrer antiparallelen 180°-
Ausrichtung in eine 90°-Ausrichtung gegenüber der eingefrorenen
Magnetisierung der Schicht F1 herausgedreht wird. Der Widerstand erhöht sich
dagegen um einen entsprechenden Betrag, wenn die Magnetisierung der Schicht
F2 aus ihrer parallelen 0° in eine 90°-Ausrichtung gegenüber der
eingefrorenen Magnetisierung der Schicht F1 herausgedreht wird.
Für das Auslesen der Information wird durch die Leiterbahn J (siehe Fig. 3),
die sich isoliert von der Schichtung F2/Z/F1 unterhalb derselben befindet, ein
Lesestrom geschickt, der in F2 ein magnetisches Querfeld erzeugt und die
Magnetisierung aus der sogenannten leichten Achse (Ellipsenlängsachse) dreht.
Über das Vorzeichen der Änderung des Widerstands zwischen den
Leiterbahnen U1 und U2 wird festgestellt, ob die antiparallele oder parallele
Magnetisierung von F2, d. h., eine 0 oder 1, vorliegt.
Nach Abschalten des Lesestroms J kehrt die Magnetisierung in die
Ursprungslage (Ellipsenlängsachse) zurück, vorausgesetzt, mit dem Feld des
Lesestroms J hat nicht eine Ausrichtung senkrecht zur leichten Achse
stattgefunden. Damit dies nicht passieren kann und beim Lesen niemals
Information zerstört wird, ist die Ablenkung auf Winkel zwischen 45° und 60°
eingeschränkt, was etwa die Hälfte der maximalen Widerstandsänderung
bedeutet.
Beim Schreiben von 0 oder 1 in die Speicherzelle 1 wird durch die unterste
Leiterbahn I, siehe Fig. 3 und 4, ein Strom I in die eine oder andere Richtung
geschickt. Dieser senkrecht zur Magnetisierung fließende Strom I erzeugt in
der Schicht F1 ein Feld HI parallel oder antiparallel zur Magnetisierung. Die
Stromstärke wird so groß gewählt, daß sein Magnetfeld HI in der Schicht F2
unterhalb deren Koerzitivfeldstärke Hc liegt. Alleine vermag der Strom I mithin
nicht den Magnetisierungsvektor in der Schicht F2 in Feldrichtung
umzuklappen.
Das Schreiben wird mit einem zusätzlichen Schreibstrom J durch die schon
beim Lesen verwendete Leiterbahn J unterstützt, indem ein Feld senkrecht zur
Magnetisierung in der Schicht F2 erzeugt wird. Erst wenn beide Ströme I und J
fließen, kann der Magnetisierungsvektor in die Feldrichtung HI umklappen. In
dieser Richtung bleibt die Magnetisierung dann auch nach Abschalten der
Ströme. Mit der Stromrichtung des Stromes I in der untersten Leiterbahn I ist
festgelegt, ob das Schreibresultat eine 0 oder eine 1 ist.
Die Schreibströme I und J sind nicht in der Lage, die eingefrorene
Magnetisierung in der Schicht F1 umzuklappen, auch wenn diese Schicht den
gleichen Feldern ausgesetzt ist, wie die Schicht F2, in der ja die
Magnetisierung umklappen kann. Für dieses unterschiedliche Verhalten sorgt
allein die in der Schicht F1 vorhandene, sehr viel größere Koerzitivfeldstärke
als in der Schicht F2.
Das Schreiben mit zwei koinzidenten Strömen I und J ist vorteilhaft, weil in
jedem Zweig etwa der halbe Strom erforderlich ist. Die mit den beiden
Strömen I und J angelegten Magnetfelder parallel und senkrecht zur leichten
Achse der Schicht F2 begünstigen außerdem die Ummagnetisierung durch
homogene Rotation, die schneller ist als die durch Blochwandbewegung.
Zudem kann über die beiden Leitungen I, J genau die Zelle eindeutig
angesprochen werden, in die Information hineingeschrieben werden soll.
In Tabelle 1 sind Angaben zu einigen Schichtsystemen gemacht. In Tabelle 2
sind die Bauteile einer Speicherzelle 1 angegeben. Im vorangegangenen
Abschnitt wurde das Prinzip des Aufbaus und der Funktion einer Speicherzelle
1 beschrieben, die in den Fig. 1 und 3 dargestellt wird. Arrays von N × N
solchen Speicherzellen 1 bilden den Arbeitsspeicher. In Fig. 2 und 4 sind zwei
sehr kleine Arrays dargestellt. Mit dieser Vorbereitung können realisierbare
Referenzwerte angegeben werden, mit denen der Arbeitsspeicher spezifiziert
werden kann und mit denen Eigenschaften des Arbeitsspeichers bestimmt
werden.
In Tabelle 3 sind diese Referenzwerte zusammengestellt. Die Tabelle enthält
zunächst Angaben zu den magnetischen Schichten F1 und F2 und den
entsprechenden Koerzitivfeldstärken. Unterstellt wird, daß die
Koerzitivfeldstärke der magnetischen Kopplung durch die Zwischenschicht Z
kleiner als 0,1 mT ist, und damit gegen die Koerzitivfeldstärke von 1 mT in der
Schicht F2 vernachlässigbar ist. Wegen der Koerzitivfeldstärke von 10 mT in
der Schicht F1 darf deren Magnetisierung als eingefroren betrachtet werden.
Aus dem Flächenwiderstand der ferromagnetischen Schichtung F1, F2 von 5 Ω,
dem dreimal so großen Widerstand zwischen U1 und U2, einem angesetzten
Magnetowiderstandseffekt von 1%, von dem ein Viertel bei einer 45°-Drehung
des Magnetisierungsvektors aus seiner leichten Richtung beobachtet wird, und
aus dem angesetzten Strom von 1 mA zum Messen der Widerstandsänderung
dem Vorzeichen nach, ergibt sich die leicht meßbare Spannungsänderung von
+40 µV. Der Strom von 1.5 mA in der Leitungsbahn J erzeugt ein
transversales Feld von etwa 0,5 mT in der F2-Schicht. Mit diesem Strom wird
die Magnetisierung um etwa 45° gedreht.
Zum Schreiben wird zusätzlich ein Strom I auf der Leitungsbahn I benötigt.
Mit einem durch diese tieferliegende Leiterbahn I fließenden Strom I von 3 mA
wird in der Schicht F2 ein ausreichend starkes Magnetfeld von ebenfalls etwa
0,5 mT erzeugt.
Geht man von einem Array von 8192*8192 Speicherzellen aus, was einer
Speicherkapazität von 64 MBit entspricht, so ist der Platzbedarf weniger als 4
cm². Die durchgehenden Leiterbahnen U1, U2, J und I haben eine Länge von
maximal 2.5 cm und einen elektrische Widerstand von maximal 2000 Ω.
Die Leistung in den drei Stromkreisen ist maximal 3 W und ist im Mittel nur
halb so groß. Mit einigen einfachen Maßnahmen läßt sich die Leistung fürs
Lesen und Schreiben mit einer maximalen Taktfrequenz von 100 MHz auf 1W
begrenzen.
Damit erfüllt der Speicher alle Anforderungen, die eingangs aufgestellt wurden,
nämlich:
- 1. der Speicher ist ein RAM. Jede Zelle kann zum Lesen und Schreiben angesprochen werden;
- 2. die Speicherung ist magnetisch und bedarf keiner Auffrischung;
- 3. die Speicherung ist dauerhaft auch nach Abschalten aller Versorgungsspannungen;
- 4. das Lesen ist nicht zerstörend;
- 5. der Schreibvorgang ist schnell, jedoch nicht so schnell wie ein Lesevorgang gemacht werden kann;
- 6. die Speicherdichte ist sehr groß, < 10⁷ Bit/cm²;
- 7. der Speicher ist mit den Methoden der Halbleitertechnik herstellbar;
- 8. die Kompatibilität zu und Integrierbarkeit mit Halbleiterbauelementen ist möglich;
- 9. eine weitere Miniaturisierung ist noch möglich, da sich die Ströme und Spannungen dabei nicht dramatisch ändern;
- 10. die elektrische Schreib- und Leseleistung liegt maximal bei 1 W.
Claims (16)
1. Digitale Speichereinrichtung für Lese- und/oder Schreiboperationen,
- - mit einer ersten magnetischen Schicht (F1) und einer zweiten magnetischen Schicht (F2),
- - mit einer Zwischenschicht (Z), die zwischen den magnetischen Schichten (F1, F2) angeordnet ist,
- - mit einer unveränderbaren Magnetisierungsrichtung in der ersten magnetischen Schicht (F1) und einer veränderbaren Magnetisierungsrichtung in der zweiten magnetischen Schicht (F2),
- - mit Leiterbahnen (I, J) zum Leiten von Lese- und/oder Schreibströmen, wobei für eine Leseoperation ein Strom J eine über die Zeitspanne des fließenden Stromes andauernde Richtungsänderung der Magnetisierung in der zweiten magnetischen Schicht (F2) bewirkt und für eine Schreiboperation ein zusätzlicher Strom I eine nach Abschalten der Ströme I und J andauernde, Magnetisierungsrichtung in der zweiten magnetischen Schicht (F2) bewirkt.
2. Digitale Speichereinrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Magnetisierungen in der ersten magnetischen Schicht (F1) und der
zweiten magnetischen Schicht (F2) parallel oder antiparallel zueinander
ausgerichtet sind.
3. Digitale Speichereinrichtung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die erste magnetische Schicht (F1) eine gegenüber der zweiten
magnetischen Schicht (F2) kleine Formanisotropie aufweist.
4. Digitale Speichereinrichtung nach einem der Ansprüche 1-3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Koerzitivfeldstärke der ersten magnetischen Schicht (F1) deutlich
größer als die der zweiten magnetischen Schicht (F2) ist.
5. Digitale Speichereinrichtung nach einem der Ansprüche 1-4,
dadurch gekennzeichnet,
daß der in der Leiterbahn (J) fließende Strom J in der zweiten magnetischen
Schicht (F2) ein magnetisches Querfeld erzeugt.
6. Digitale Speichereinrichtung nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß das magnetische Querfeld eine Ablenkung der Magnetisierungsrichtung von
weniger als 90° bewirkt.
7. Digitale Speichereinrichtung nach einem der Ansprüche 4-6,
dadurch gekennzeichnet,
daß der in der Leiterbahn (I) fließende Strom I für sich allein in der zweiten
magnetischen Schicht (F2) ein Feld mit einer Stärke unterhalb der
Koerzitivfeldstärke erzeugt.
8. Digitale Speichereinrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Stromrichtung des Stromes I das Schreibresultat festlegt.
9. Digitale Speichereinrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite magnetische Schicht (F2) mit Leiterbahnen (U1, U2) in
leitendem Kontakt steht, über die der elektrische Widerstand meßbar ist.
10. Digitale Speichereinrichtung nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Änderung des Widerstandes dem Vorzeichen nach das Leseresultat
festlegt.
11. Digitale Speichereinrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine Schichtanordnung vorgesehen ist mit
- - einer zweiten magnetischen Schicht (F2), unterhalb der eine Zwischenschicht (Z) angeordnet ist,
- - einer ersten magnetischen Schicht (F1), die unterhalb der Zwischenschicht (Z) angeordnet ist,
- - einer unterhalb der ersten magnetischen Schicht (F1) gegenüber dieser isoliert angeordneten Leiterbahn J,
- - einer unterhalb der Leiterbahn J gegenüber dieser isoliert angeordneten Leiterbahn I, und
- - zwei Leiterbahnen (U1, U2), die oberhalb der zweiten magnetischen Schicht (F2) derart angeordnet sind, daß die Leiterbahnen (U1, U2) gegeneinander isoliert sind und jede der Leiterbahnen (U1, U2) an einer Stelle (2, 3) mit der zweiten ferromagnetischen Schicht (F2) in leitendem Kontakt ist.
12. Digitale Speichereinrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite magnetische Schicht (F2) elliptisch und die erste
ferromagnetische Schicht (F1) rechteckig ausgebildet sind.
13. Digitale Speichereinrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die magnetischen Schichten (F1, F2) ferromagnetisch sind.
14. Verfahren zur Herstellung einer digitalen Speichereinrichtung mit zwei
magnetischen Schichten (F1, F2) und einer unmagnetischen Zwischenschicht
(Z) mit den unabhängigen Schritten
- - Ausbilden der beiden magnetischen Schichten (F1, F2) derart, daß die unmagnetische Zwischenschicht (Z) mit einer geringeren Dicke als die der magnetischen Schichten (F1, F2) zwischen den magnetischen Schichten (F1, F2) angeordnet ist,
- - Aufprägen einer magnetischen Formanisotropie in den magnetischen Schichten (F1, F2), derart, daß die Magnetisierung in der ersten magnetischen Schicht (F1) unveränderbar wird;
- - Ausbilden einer unteren Leiterbahn (J) unterhalb der unteren magnetischen Schicht (F1) und isoliert von dieser;
- - Ausbilden einer unteren Leiterbahn (I) unterhalb der Leiterbahn (J) und isoliert von dieser;
- - Ausbilden einer oberen Leiterbahn (U1) oberhalb der oberen magnetischen Schicht (F2) und einer Kontaktstelle 2 zwischen den beiden;
- - Ausbilden einer oberen Leiterbahn (U2) oberhalb der oberen Leiterbahn (U1) und isoliert zu dieser und mit einer Kontaktstelle 3 zwischen der oberen Leiterbahn (U2) und der oberen magnetischen Schicht (F2).
15. Verfahren zur Herstellung einer digitalen Speichereinrichtung nach
Anspruch 14,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Magnetisierung in den magnetischen Schichten (F1, F2) zueinander
parallel oder antiparallel ausgerichtet werden kann.
16. Verfahren zur Herstellung einer digitalen Speichereinrichtung nach
Anspruch 15,
dadurch gekennzeichnet,
daß die obere magnetische Schicht (F2) dünner als die untere magnetische
Schicht (F1) ausgebildet wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19534856A DE19534856A1 (de) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | Digitale Speichereinrichtung für Lese- und Schreiboperationen sowie ein Verfahren zu deren Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19534856A DE19534856A1 (de) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | Digitale Speichereinrichtung für Lese- und Schreiboperationen sowie ein Verfahren zu deren Herstellung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19534856A1 true DE19534856A1 (de) | 1997-03-27 |
Family
ID=7772643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19534856A Withdrawn DE19534856A1 (de) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | Digitale Speichereinrichtung für Lese- und Schreiboperationen sowie ein Verfahren zu deren Herstellung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19534856A1 (de) |
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- 1995-09-20 DE DE19534856A patent/DE19534856A1/de not_active Withdrawn
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