DE1562089C - Low-resistance power transistor amplifier, preferably a carrier amplifier with overload protection - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen niederohmigen Leistungs-Transistorverstärker, vorzugsweise Trägerverstärker, mit einem oder mehreren in B- oder C-Betrieb arbeitenden basisgesteuerten Transistoren der Endstufe. Diese Endstufe wird mittels eines Hilfstransistors überlastungsgeschützt, dessen Kollektor den vorhergehenden Signalweg beeinflußt und dessen Basis-Emitter-Strecke einem in der emitterseitigen Versorgungsleitung der Endstufe liegenden Nebenwiderstand derart parallel geschaltet ist, daß die Basis des Hilfstransistors der Verstärkerseite zugewendet ist.The invention relates to a low-resistance power transistor amplifier, preferably a carrier amplifier, with one or more base-controlled transistors working in B or C operation the power amplifier. This output stage is overload protected by means of an auxiliary transistor, its collector influences the previous signal path and its base-emitter path one in the emitter-side Supply line of the output stage lying shunt resistor is connected in parallel in such a way that the base of the auxiliary transistor facing the amplifier side.

Bei Leistungsverstärkern, z. B. Trägerverstärkern, wird aus wirtschaftlichen Überlegungen die Endstufe bis nahe an die thermische Grenze belastet. Aus dem gleichen Grunde wird im allgemeinen auch einer Gegentakt-B-Schaltung der Vorzug gegeben. Außerdem muß meist ein kleiner Innenwiderstand am Verstärkerausgang gefordert werden. Die Folge davon ist insbesondere bei Kurzschluß ein starkes Anwachsen der Verlustleistung in der Endstufe, wobei die Transistoren innerhalb weniger Sekunden zerstört werden.In power amplifiers, e.g. B. Carrier amplifiers, the output stage is based on economic considerations loaded close to the thermal limit. For the same reason, there is generally also one Preference is given to push-pull B circuit. In addition, there must usually be a small internal resistance at the amplifier output are required. The consequence of this is a strong increase, especially in the event of a short circuit the power loss in the output stage, whereby the transistors are destroyed within a few seconds.

Es sind bereits mehrstufige Transistorverstärker bekannt, bei denen mit Hilfe eines zusätzlichen Hilfstransistors der Versorgungsgleichstrom und damit die thermische Belastung der Endtransistoren auf einen zulässigen Wert begrenzt wird.Multi-stage transistor amplifiers are already known in which an additional auxiliary transistor is used the direct current supply and thus the thermal load on the output transistors on one permissible value is limited.

Zum Beispiel aus der deutschen Auslegeschrift 1197 512, Fig. 3, ist ein mehrstufiger. Transistorverstärker bekannt, bei dem ein Hilfstransistor, hier Schutztransistor genannt, mit seiner Basis-Emitter-Strecke zu einem Siebglied L bzw. R parallel geschaltet ist und bei dem der Kollektor des Schutztransistors über einen Übertrager mit dem Kollektor des Vortransistors verbunden ist, wobei das kollektorferne Ende des Übertragers über einen Widerstand an der Versorgungsspannung liegt. Durch diese Schaltungsanordnung wird erreicht, daß bei Überlast am Ausgang des Verstärkers der durch den erhöhten Versorgungsstrom in dem Siebglied L bzw. R hervorgerufene Spannungsabfall den Schutztransistor so weit leitend macht, daß durch die Spannungsteilung des Schutztransistors mit dem Widerstand die gesamte Versorgungsspannung der Vorstufe und damit deren Verstärkung so weit abgesenkt wird, daß die Aussteuerung der Endstufe in zulässigen Grenzen bleibt.For example from the German Auslegeschrift 1197 512, Fig. 3, is a multi-stage. Transistor amplifier is known in which an auxiliary transistor, here called protective transistor, is connected with its base-emitter path in parallel to a filter element L or R and in which the collector of the protective transistor is connected to the collector of the pre-transistor via a transformer, the collector remote The end of the transformer is connected to the supply voltage via a resistor. This circuit arrangement ensures that, in the event of an overload at the output of the amplifier, the voltage drop caused by the increased supply current in the filter element L or R makes the protective transistor conductive to such an extent that, through the voltage division of the protective transistor with the resistor, the entire supply voltage of the preliminary stage and thus whose gain is reduced so far that the modulation of the output stage remains within permissible limits.

Aufgabe der Erfindung ist es, einen besonders einfachen niederohmigen Leistungs-Transistorverstärker, vorzugsweise: Trägerverstärker, anzugeben, der bis an die Grenze seiner thermischen Belastbarkeit ausgenutzt werden kann und bei Überlast bzw. Kurzschluß am Verstärkerausgang sicher gegen Überlastung geschützt ist. 'The object of the invention is to provide a particularly simple low-resistance power transistor amplifier, preferably: carrier amplifier, to be indicated, which is used to the limit of its thermal load capacity can be and safely protected against overload in the event of overload or short circuit at the amplifier output is. '

Ausgehend von einem Verstärker der vorgenannten Art mit einem oder mehreren in B- oder C-Betrieb arbeitenden, basisgesteuerten Transistoren der Endstufe, die mittels eines Hilfstransistors überlastungsgcscliützt ist, dessen Kollektor den vorhergehenden Signalweg beeinflußt und dessen Basis-Emitter-Strecke einem in der emitterseitigen Versorgungsleitung der Endstufe liegenden .Nebenwiderstand derart parallel geschaltet ist, daß die Basis des Hilfstransistors der Verstärkerseite zugewendet ist, wird die Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Kollektor des dem gleichen Leitfähigkeitstyp wie der der I-lndtransistoren angehörenden Hilfstransistors über eine Diode, deren Hußriehtung mit der Richlung des Arhcils-Kolloklorglcichst mines des Ililfstiansisiors übereinstimmt, mit dem Basiskreis der Endtransistoren verbunden ist.Starting from an amplifier of the aforementioned type with one or more in B or C mode working, base-controlled transistors of the output stage, which overload protection by means of an auxiliary transistor whose collector influences the previous signal path and its base-emitter path a shunt resistor lying in the emitter-side supply line of the output stage in such a way parallel is connected so that the base of the auxiliary transistor is facing the amplifier side, the task becomes solved according to the invention in that the collector of the same conductivity type as that of the I-ind transistors Associated auxiliary transistor via a diode, whose Hußriehtung with the direction of the Arhcils-Kolloklorglcichst mines des Ililfstiansisiors matches, is connected to the base circuit of the output transistors.

Dadurch liegt der vom Belastungszustand der Endtransistoren gesteuerte differentielle Widerstand der Kollektor-Emitter-Strecke des Hilfstransistors wechselstrommäßig parallel zum Steuerkreis der Endstufe, wodurch in vorteilhafter Weise mit einfachen Mitteln bei insbesondere einstufigen Verstärkern eine scharfe Begrenzung des zulässigen VersorgungsgleichstromesAs a result, the differential resistance controlled by the load condition of the output transistors is the Collector-emitter path of the auxiliary transistor in alternating current parallel to the control circuit of the output stage, whereby in an advantageous manner with simple means in particular single-stage amplifiers a sharp Limitation of the permissible DC supply current

ίο erreicht wird.ίο is achieved.

In weiterer Ausgestaltung der Erfindung sind zwei in Gegentakt arbeitende Endtransistoren vorgesehen, deren Basisanschlüsse gegenphasig je einem Ende einer mittenangezapften Wicklung eines Eingangs-Übertragers angesteuert sind, von denen ein Wicklungsende mit der Diode verbunden ist. Durch diese Gegentaktanordnung wird eine besonders gute Linearität der Verstärkung erreicht, bei der auch bei ' Wirksamwerden der erfindungsgemäßen Strombegrenzung durch einen kleineren differentiellen Widerstand im Basiskreis Verzerrungen des zu verstärkenden Signals bzw. Trägers vermieden werden.. Um einen besonders niederohmigen Verstärkerausgang zu erhalten, wird mit Vorteil eine Schal- tungsanordnung gewählt, bei der die Endtransistoren in Kollektorschaltung arbeitend emitterseitig mit je einem Ende einer mittenangezapften Wicklung eines Ausgangsübertragers verbunden sind.In a further embodiment of the invention, two output transistors operating in push-pull are provided, their base connections in phase opposition to each end of a center-tapped winding of an input transformer are controlled, one end of the winding is connected to the diode. Through this Push-pull arrangement achieves a particularly good linearity of the amplification, also with The current limitation according to the invention becomes effective through a smaller differential Resistance in the base circuit Distortions of the signal or carrier to be amplified can be avoided .. In order to obtain a particularly low-impedance amplifier output, it is advantageous to use a switching selected processing arrangement in which the output transistors in the collector circuit working on the emitter side with each connected to one end of a center-tapped winding of an output transformer.

Um die Basis des Hilfstransistors von Überlastung zu schützen, insbesondere beim Einschalten der Versorgungsspannung, kann zwischen die Basis des . Hilfstransistors und den verstärkerseitigen Anschluß des Nebenwiderstandes ein Basiswiderstand eingeschaltet sein.To protect the base of the auxiliary transistor from overload, especially when switching on the supply voltage, can be between the base of the. Auxiliary transistor and the connection on the amplifier side of the shunt resistor, a base resistor must be switched on.

Um zu verhindern, daß auf der Versorgungsspannung eventuell vorhandene Störspannungen zu dem Hilfstransistor und weiterhin bei dessen Übergang vom sperrenden in den leitenden Zustand verstärkt auf den Eingang der Endstufe gelangen, kann parallel zur Emitter-Basis-Strecke des Hilfstranssistors ein Schutzkondensator geschaltet sein.In order to prevent any interference voltages that may be present on the supply voltage from causing the Auxiliary transistor and further strengthened in its transition from the blocking to the conductive state get to the input of the output stage, a parallel to the emitter-base path of the auxiliary transistor Protective capacitor must be connected.

Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung werden nachstehend an Hand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles näher erläutert.Further advantages and details of the invention are given below with reference to one in the drawing illustrated embodiment explained in more detail.

In F i g. 1 ist ein einstufiger Transistorverstärker dargestellt, der zwei in Gegentakt arbeitende Leistungstransistoren 71 und 72 aufweist sowie einen zusätzlichen Hilfstransistor 73, der genauso wie die Transistoren Π und 72 im vorliegenden Ausführungsbeispiel dem npn-Leitfähigkeitstyp angehört. Durch Kollektorschaltung der beiden Transistoren 71 und 7 2 wird ein besonders kleiner Innenwiderstand des Verstärkerausgangs erzielt. Die beiden Emitteranschlüsse sind je mit einem Ende einer mittenangezapften Primärwicklung des Ausgangsübertragers Ü2 verbunden, über dessen Sekundärwicklung die Leistung dem Ausgang A ■ des Verstärkers zugeführt wird. Die beiden Kollektoren der Transistoren 71 und 72 sind miteinander entsprechend deren Leitfähigkeitstyp an den Pluspol (+) der Versorgungsgleichspannung U_H geführt. Das Minuspotential ( —) wird den Emittern der Transistoren Ti und 72 über den Nebenwiderstand Λ4 zu der Mittelanzapfung der Primärwicklung des Ausgaiigsübcrtragcrs V 2 zugeleitet. Die beiden Basisanschliissc der Transistoren 71 und 7'2 werden jeweils gegenphasig über eines der beiden Enden einer miltLMiaiigczapflui Sekundärwicklung des Ein-In Fig. 1 shows a single-stage transistor amplifier which has two power transistors 71 and 72 operating in push-pull mode and an additional auxiliary transistor 73 which, like transistors Π and 72 in the present exemplary embodiment, is of the npn conductivity type. By the collector circuit of the two transistors 71 and 7 2 a particularly small internal resistance of the amplifier output is obtained. The two emitter connections are each connected to one end of a center-tapped primary winding of the output transformer U2 , via the secondary winding of which the power is fed to the output A of the amplifier. The two collectors of the transistors 71 and 72 are connected to the positive pole (+) of the DC supply voltage U _H in accordance with their conductivity type. The negative potential (-) is fed to the emitters of the transistors Ti and 72 via the shunt resistor Λ4 to the center tap of the primary winding of the output transformer V 2 . The two base connections of the transistors 71 and 7'2 are each in phase opposition via one of the two ends of a secondary winding of the one

gangsübertragers Ül angesteuert. Der B-Betrieb entsteht durch eine Basisvorspannung, die an einer zwischen die beiden genannten Mittelanzapfungen eingeschalteten Diode D 2 erzeugt wird. Die Diode Dl wird durch einen Kondensator Cl wechselstrommäßig überbrückt und wird dadurch vorgespannt, daß der Vorwiderstand R 2 zwischen das Pluspotential (+) der Versorgungsspannung und die-Mittelanzapfung der Sekundärwicklung des Eingangsübertragers Ül geschaltet ist. output transformer Ül controlled. The B operation is created by a base bias voltage that is generated at a diode D 2 connected between the two mentioned center taps. The diode Dl is alternately bridged by a capacitor Cl and is biased by the fact that the series resistor R 2 is connected between the positive potential (+) of the supply voltage and the center tap of the secondary winding of the input transformer Ül .

Die Basis des Hilfstransistors T 3 ist über den Basiswiderstand R 3 mit dem verstärkerseitigen, der Emitter des Hilfstransistors Γ 3 ist direkt mit den dem Verstärker abgewendeten Anschluß des Nebenwiderstandes R 4 verbunden. Der Kollektor des Hilfstransistors Γ 3 ist über die Diode D1, deren Flußrichtung mit der Richtung des Arbeits-Kollektorgleichstromes des Hilfstransistors T 3 übereinstimmt, an die Basis des Transistors T 2 angeschlossen. Um die begrenzende Wirkung des gesteuerten differentiellen Wider-Standes der Kollektor-Emitter-Strecke des Hilfstransistors Γ 3 parallel zur Sekundärwicklung des Eingangsübertragers Ül zu gewährleisten, liegt im vorliegenden Ausführungsbeispiel in Reihe zur Primärwicklung des Eingangsübertragers Ül ein die Signalspannung teilender Widerstand R1, der aber auch durch den Quellenwiderstand einer vorgeschalteten Einrichtung realisiert sein kann.The base of the auxiliary transistor T 3 is connected via the base resistor R 3 to the amplifier-side, the emitter of the auxiliary transistor Γ 3 is connected directly to the terminal of the shunt resistor R 4 facing away from the amplifier. The collector of the auxiliary transistor Γ 3 is connected to the base of the transistor T 2 via the diode D 1, whose direction of flow coincides with the direction of the working collector direct current of the auxiliary transistor T 3. In order to ensure the limiting effect of the controlled differential resistance of the collector-emitter path of the auxiliary transistor Γ 3 parallel to the secondary winding of the input transformer Ül , in the present embodiment, a resistor R 1 dividing the signal voltage is connected in series with the primary winding of the input transformer Ül can also be implemented by the source resistance of an upstream device.

Um den Wechselstrom von der äußeren Versorgungsspannung Uβ abzuhalten, ist zwischen das Pluspotential (+) der Versorgungsspannung U_B und den verstärkerseitigen Anschluß des Nebenwiderstandes A4 ein Siebkondensator C 3 geschaltet. Der Emitter-Basis-Strecke des Hilfstransistors Γ3 liegt ein Schutzkondensator C 2 parallel, um zu verhindern, daß auf der Versorgungsspannung U_B eventuell vorhandene Störspannungen zu dem Hilfstransistor und weiterhin bei dessen Übergang vom sperrenden in den leitenden Zustand verstärkt auf die Basisanschlüsse der Transistoren Π und T 2 gelangen.In order to keep the alternating current from the external supply voltage Uβ , a filter capacitor C 3 is connected between the positive potential (+) of the supply voltage U _B and the amplifier-side connection of the shunt resistor A4. The emitter-base path of the auxiliary transistor Γ3 is connected to a protective capacitor C 2 in parallel to prevent any interference voltages that may be present on the supply voltage U _B from being amplified to the auxiliary transistor and, during its transition from the blocking to the conductive state, to the base connections of the transistors Π and T 2 arrive.

An Hand des in der Fig. 2 dargestellten Diagramms mit Ausgangskennlinien des Hilfstransistors T 3 wird die Wirkungsweise der Schutzschaltung des Verstärkers näher erläutert. Im normalen Betriebsfall ist der Basisstrom J_B des Hilfstransistors Γ3 J₈ = 0. Für die positive Halbwelle der an der Kollektor-Emitter-Strecke liegenden Wechselspannung fließt nur ein geringer Sperrstrom. Da an der Kollektor-Emitter-Strecke des Hilfstransistors T 3 nur eine kleine Vorspannung U_CE0 liegt, würde bei der negativen Halbwelle der Kollektorstrom J/ des Hilfstransistors Γ 3 stark ansteigen und die Spannung Ul am Eingangsübertrager Vl nichtlinear belasten. Durch die Reihenschaltung der Diode D1 wird auch für die negative Halbwelle der hochohmige Zustand erreicht.The mode of operation of the protective circuit of the amplifier is explained in more detail using the diagram shown in FIG. 2 with output characteristics of the auxiliary transistor T 3. In normal operation, the base current J _{B of} the auxiliary transistor Γ3 J ₈ = 0. Only a small reverse current flows for the positive half-cycle of the alternating voltage across the collector-emitter path. Since there is only a small bias voltage U _CE0 at the collector-emitter path of the auxiliary transistor T 3, the collector current J / of the auxiliary transistor Γ 3 would rise sharply in the negative half- cycle and load the voltage Ul at the input transformer Vl in a non-linear manner. By connecting the diode D1 in series , the high-resistance state is also achieved for the negative half-wave.

Bei Überschreiten des für die maximale Last notwendigen Versorgungsstromes wird die Schwellspannung der Emitter-Basis-Strecke des Hilfstransistors 73 überschritten, so daß ein Strom J₈₁ in die Basis fließt. Über den Vorwiderstand R 2 schließt sich nun ein Stromkreis für den Kollektorstrom, der den Arbeitspunkt J_{c t} ergibt. Dabei befindet sich die Kollektor-Emitter-Strecke in einem sehr niederohmigen Zustand. Die Diode Dl wird ebenfalls vom Strom J₀₁ durchflossen. Ihr Durchlaßwiderstand addiert sich zu dem der Kollektor-Emitter-Strecke des Hilfstransistors Γ 3. Dabei stellt sich nun ein Gleichgewicht zwischen den in der Endstufe fließenden Versorgungsgleichstrom und der ansteuernden Wechselspannung U₁ ein.When the supply current necessary for the maximum load is exceeded, the threshold voltage of the emitter-base path of the auxiliary transistor 73 is exceeded, so that a current J _{81 flows} into the base. A circuit for the collector current, which results in the operating point J _{c t} , is now closed via the series resistor R 2. The collector-emitter path is in a very low-resistance state. The diode Dl is also traversed by the current J _01. Their forward resistance is added to that of the collector-emitter path of the auxiliary transistor Γ 3. In this case, an equilibrium is established between the supply direct current flowing in the output stage and the driving alternating voltage U ₁ .

Claims (8)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Niederohmiger Leistungs-Transistorverstärker, vorzugsweise Trägerverstärker, mit einem oder mehreren in B- oder C-Betrieb arbeitenden, basisgesteuerten Transistoren der Endstufe, die mittels eines Hilfstransistors überlastungsgeschützt ist, dessen Kollektor den vorhergehenden Signalweg beeinflußt und dessen Basis-Emitter-Strecke einem in der emitterseitigen Versorgungsleitung der Endstufe liegenden Nebenwiderstand derart parallel geschaltet ist, daß die Basis des Hilfstransistors der Verstärkerseite zugewendet ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des dem gleichen Leitfähigkeitstyp wie der der Endtransistoren (Π, Γ 2) angehörenden Hilfstransistors (T 3) über eine Diode (D 1), deren Flußrichtung mit der Richtung des Arbeits-Kollektorgleichstromes des Hilfstransistors (Γ3) übereinstimmt, mit dem Basiskreis der Endtransistoren (Tl, T2) verbunden ist.1. Low-resistance power transistor amplifier, preferably carrier amplifier, with one or more base-controlled transistors of the output stage working in B or C operation, which is overload-protected by means of an auxiliary transistor, whose collector influences the previous signal path and whose base-emitter path is an in the emitter-side supply line of the output stage shunt resistor is connected in parallel in such a way that the base of the auxiliary transistor faces the amplifier side, characterized in that the collector of the auxiliary transistor (T 3) belonging to the same conductivity type as that of the output transistors (Π, Γ 2) has a Diode (D 1), the direction of flow of which corresponds to the direction of the working-collector direct current of the auxiliary transistor (Γ3), is connected to the base circuit of the output transistors (Tl, T2) . 2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwei im Gegentakt arbeitende Endtransistoren (Tl, T2) vorgesehen sind, deren Basisanschlüsse gegenphasig je aus einem Ende einer mittenangezapften Wicklung eines Eingangsübertragers (Ül) angesteuert sind, von denen ein Wicklungsende mit der Diode (Dl) verbunden ist.2. Amplifier according to claim 1, characterized in that two push-pull output transistors (Tl, T2) are provided, the base connections of which are driven in phase opposition from one end of a center-tapped winding of an input transformer (Ül), one end of which is connected to the diode ( Dl) is connected. 3. Verstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Endtransistoren (Tl, T2) in Kollektorschaltung arbeitend emitterseitig mit je einem Ende einer mittenangezapften Wicklung eines Ausgangsübertragers (Ü2) verbunden sind.3. Amplifier according to claim 2, characterized in that the output transistors (Tl, T2) working in a collector circuit on the emitter side are connected to one end each of a center-tapped winding of an output transformer (Ü2). 4. Verstärker nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die Mittelanzapfung des Ausgangsübertragers (Ül) und die Mittelanzapfung des Eingangsübertragers (Ül) mindestens eine wechselspannungsüberbrückte weitere Diode (D 2) eingeschaltet ist, die mittels eines zwischen die Mittelanzapfung des Eingangsübertragers (Ül) und das kollektorseitige Potential der Versorgungsspannung (U_B) geschalteten Vorwiderstandes (R2) in Flußrichtung vorgespannt ist.4. Amplifier according to claim 3, characterized in that between the center tap of the output transformer (Ül) and the center tap of the input transformer (Ül) at least one AC voltage-bridged further diode (D 2) is switched on, which by means of a between the center tap of the input transformer (Ül) and the collector-side potential of the supply voltage (U _B ) of the connected series resistor (R2) is biased in the flow direction. 5. Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die Basis des Hilfstransistors (T 3) und den verstärkerseitigen Anschluß des Nebenwiderstandes (R 4) ein Basiswiderstand (R 3) eingeschaltet ist. 5. Amplifier according to one of claims 1 to 4, characterized in that a base resistor (R 3) is switched on between the base of the auxiliary transistor (T 3) and the amplifier-side connection of the shunt resistor (R 4). 6. Verstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zur Emitter-Basis-Strecke des Hilfstransistors (T 3) ein Schutzkondensator (C 2) geschaltet ist.6. Amplifier according to one of the preceding claims, characterized in that in parallel a protective capacitor (C 2) is connected to the emitter-base path of the auxiliary transistor (T 3). 7. Verstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Nebenwiderstand (R 4) derart bemessen ist, daß der im Kurzschlußfall zulässige Versorgungsgleichstrom am Nebenwiderstand (A4) einen Spannungsabfall erzeugt, der größer als die Emitter-Basis-Schwelle des Hilfstransistors (T 3) ist.7. Amplifier according to one of the preceding claims, characterized in that the shunt resistor (R 4) is dimensioned such that the DC supply current permitted in the event of a short circuit at the shunt resistor (A4) generates a voltage drop that is greater than the emitter-base threshold of the auxiliary transistor ( T 3) is. 8. Verstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Speiseinnenwiderstand (Rl) einer der Endstufe8. Amplifier according to one of the preceding claims, characterized in that the internal feed resistance (Rl) is one of the output stage vorgeschalteten Einrichtung unter Berücksichtigung des Übersetzungsverhältnisses des Eingangsübertragers (Ol) größer als die Summe der differentiellen Widerstände der Diode (Dl) und der Kollektor-Emitter-Strecke des Hilfstransistors (T 3) im angesteuerten Zustand bemessen ist.upstream device taking into account the transformation ratio of the input transformer (Ol) is larger than the sum of the differential resistances of the diode (Dl) and the collector-emitter path of the auxiliary transistor (T 3) in the activated state. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings