DE1489929A1

DE1489929A1 - Halbleiterbauelement zum Spannungsvergleich

Info

Publication number: DE1489929A1
Application number: DE19651489929
Authority: DE
Inventors: Sylvan Tage Peter
Original assignee: General Electric Co
Current assignee: General Electric Co
Priority date: 1964-07-20
Filing date: 1965-07-19
Publication date: 1970-11-26
Also published as: GB1093469A; JPS426583B1; US3328652A; FR1440499A

Description

General Electric Company, Schei^aM/Alggw^iork, U. S. A.

Halbleiterbauelement zum Spannungsvergleich

Die Erfindung betrifft Halbleiterbauelemente oder Halbleiterschalter, die einen Spannungsvergleich vornehmen und auf Differenzen zwischen zwei Spannungen ansprechen. Die Erfindung betrifft also Halbleiterbauelemente zum Vergleich von Spannungen, bei denen ein Auslöseimpuls, der durch eine Differenz zwischen zwei zu vergleichenden Spannungen zustande kommt, das Bauelement aus einem Zustand hoher Impedanz in einen Zustand geringer Impedanz umschaltet.

Eine Regelung der Leistungsaufnahme einer Last geschieht in der industriellen Technik sehr häufig in Abhängigkeit von der Größe zweier oder mehrerer Spannungen. Diese Art der S_egelung fordert daher eine Vorrichtung zum Vergleichen von Spannungen, die die Differenzen zwischen den infrage kommenden Spannungen, feststellen, sowie einen Schalter, der die Leistung durch die Last regelt. Die Vergleichsvorrichtung erzeugt gewöhnlich ein Ausgangssignal, das von der festgestellten Spannungsänderung abhängt, während der Schalter derart mit ihr verbunden ist, daß er auf das Ausgangssignal anspricht. D$her spricht der Schalter auf das Ausgangssignal der V ergleichsvo:f richtung unter Regelung der Leistung durch die Last an.

Die zusammengehörenden Aufgaben des Schalters und der auslösenden Vergleichsschaltungen können mit relativ komplizierten Schaltungen verwirklicht werden, in denen eine Anzahl von Schaltelementen verwendet werden müssen. Als Vergleichsschaltung können z. B. ein Schmitt-Trigger aus Transistoren oder Vakuumröhren (einschließlich einer Spannungsquelie) und als Schalter ein Relais oder ein gesteuerter Siliziumgleichrichter (SOR) ver-» wendet werden.

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Eine Aufgabe der Erfindug ist die Herstellung eines Halbleiterbauelementes oder Halbleiterschalters zum Spannungsvergleich, der die Punktion einer Vorrichtung verwirklicht, die von sich ändernden Spannungen ausgelöst wird.

Ein optimal arbeitender und brauchbarer Schalter zum Spannungsvergleich sollte den folgenden Anforderungen genügen:

1. Die elektrische Isolierung zwischen den Anschlußklemmen der Vergleichsschaltung und denen des Schalters muß derart sein, daß den relativen Spannungen zwischen den Klemmen der Vergleichsschaltung und denen des Schalters möglich/wenige beschränkende Bedingungen auferlegt sind.

2. Die Eingangsimpedanz der Vergleichsschaltung sollte an den Klemmen, an denen die zu vergleichenden Spannungen vor dem Schaltvorgang anliegen, hoch sein, damit der Schalt- oder Zündstrom, der zum Andern des Zustande des Schalters erforderlich ist, mögliehttklein wird und damit der Zündvorgang von den Schaltungen, von denen die zu vergleichenden Spannungen abgenommen werden, im wesentlichen unabhängig wird.

3. Die Spannungsdifferenz zwischen den zu vergleichenden Spannungen, die zuB Durchschalten des Schalters notwendig ist, sollte so klein wie möglich, beim Übergang von einer zu* einer anderen Schaltung (oder Gerät) gleichförmig und von der Temperatur und von der Lebensdauer unabhängig sein«

4* Der Schalter sollte in eines weiten Spannungs- und Strombereich arbeiten und im ausgeschalteten Zustand eine sehr hohe, im eingeschalteten Zustand dagegen eine sehr niedrige Impedanz haben.

Die Arbeitsgeschwindigkeit der Schaltung oder des Geräts sollte so groß wie mö&ich sein.

Es ist daher ein Halbleiterbauelement zum Spannung·vergleich vorgesehen, das zwei Klemmen für einen Schalter und zwei Klemmen für einen Spannungevergleioher aufweist und das mit einem HaIb-

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leiterkörper ausgerüstet ist, der eine Anzahl von Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps besitzt, die durch gleichrichtende Übergänge getrennt sind.

Gemäß der Erfindung ist das Halbleiterbauelement derart ausgebildet, daß die zum Schalter gehörenden Klemmen aus Leitfähigkeitsgründen durch vier Zonen mit drei Übergängen getrennt sind, wobei der mittlere Übergang im nichtleitenden Zustand des Schalters in Sperrichtung vorgespannt ist. Die Klemmen für den Spannungsvergleicher sind dagegen gemäß der Erfindung an zwei benachbarte Zonen angeschlossen, die nicht zu dem Leitungspfad zwischen den zum Schalter gehörenden Klemmen gehören, von denen jedoch die eine Klemme an eine Zone des Schalters über einen gleichrichtenden Übergang angrenzt. Diese Zone liegt neben dem mittleren der drei Übergänge, so daß eine Spannungsdifferenz geeigneter Größe und mit der richtigen Polung zwischen den zum Spannungsvergleicher gehörenden Klemmen eine Ladungsträgerinjektion in die angrenzende Zone des Schalters und dessen Durchschaltung bewirkt.

Die Erfindung wird nun auch anhand der beilegenden Abbildungen ausführlich beschrieben, wobei alle aus der Beschreibung und den Abbildungen hervorgehenden Einzelheiten oder Merkmale zur Lösung der Aufgabe im Sinne der Erfindung beitragen können und mit dem Willen zur Patentierung in die Anmeldung aufgenommen wurden.

Die Pigur3i1, 2 und 3 zeigen Schnitte durch je ein Halbleiterbauelement mit vier Zonen zum Spannungsvergleich gemäß der Erfindung.

Ein Ausführungsbeispiel für ein Bauelement zum Spannungsvergleich gemäß der Erfindung zeigt die Fig. 1. Das Bauelement enthält vier Klemmen 1, 2, 3 und 4-, die mit der Schaltung, in dem das Bauelement verwendet wird, verbunden werden. Die obere Klemme 1 und die untere Klemme 2 (ale Anoden-oder Kathodenklemme bezeichnet), die den Hauptstrom führen, sind in den Hauptetrompfad der Sctaltung eingefügt, in welchem der Schsltvorgeng stattfinden soll.

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Die Eingangs- und Vergleiehsklemmen 3 bzw. 4 sind mit den Spannungsquellen die verglichen werden sollen, verbunden. Der ßchalter heißt eingeschaltet, wenn der Strompfad zwiacbader Anoden- und der Kathodenklemme stark leitend ist, und er heißt ausgeschaltet, wenn zwischen diesen Klemmen eine hohe Impedanz liegt. Wenn die obere Anodenklemme 1 bezüglich der unteren Kathodenklemme 2 positiv ist, d8nn wird der Schelter eingeschaltet, wenn an der Eingangsklemme 3 ein bezüglich der Vergleichsklemme 4 positives Potential angelegt ist. Dagegen wird der Schalter nicht eingeschaltet, wenn zwischen den Klemmen 1 und 2 eine umgekehrt gepolte Spannung anliegt oder wenn die Vergleichsklemme 4 positiv bezüglich der Eingangsklemme 3 ist oder ein gleiches Potential wie dieses aufweist.

In dem in der Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel kann der Halbleiterkörper als Tierschiohtbauelement betrachtet werden, das eine unter p-leitende Basiszone oder Schicht 1' und n-leitende Zonen oder Schichten 12 und 13 an deren beiden Seiten besitzt. Die untere 3£-leitende Zone stellt einen Emitter dar, und daher ist der Übergang «J™·, zwischen den benachbarten p- und η-Zonen als unterer Emitterübergang bezeichnet. Die obere η-leitende Zone 13 bildet mit der inneren p-leitenden Basiszone 11 einen mittleren Übergang Jq. Die obere η-leitende Zone 13» die als obere Basiszone bezeichnet ist, ist durch einen eingeschnittenen oder eingeäzten Einschnitt 16 in zwei einzelne Teile 14 und 15 geteilt. Der Einschnitt 16 sorgt für eine elektrische Isolierung zwischen den Teilen 14 und der η-leitenden Zone 13 sowie zwischen den an diese Teile angeschlossenen Elektroden. Eine vierte Schicht 17 aus p-leitendem Ma terial besteht aus zwä. Teilen 18 und 19 (obere Emitter), die einen gleichrichtenden Übergang zu den Teilen H und 15 der oberen Basiszone 13 haben. Da die obere (letzte)p-leitende Zone 18 einen Emitter für den Schalter darstellt, wird der von ihr mit der angrenzenden oberen Basiszone 14 gebildete Übergang J™ als Hauptemitter-. Übergang bezeichnet. Da der obere Teil 19 dagegen einen Emitter für den Spannungsvergleicher darstellt, iet der von ihr mit der angrenzenden n-lejbtenden, oberen Basiszone 15 gebildete Übergang Jj als Eingangsübergang bezeichnet. Wie es in der Fig. 1 gezeigt ist, sind die oberen Emitter 18 und 19 an der äußeren Oberfläche der angrenzenden oberen Basiszone 13 derart eingelassen, daß beide Zonen eine gemeinsame freie obere Obafläohe haben. Das ist deswegen so eingerichtet, damit die Kontaktierung des Halbleiterkörpers 10 vereinfacht wird.

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Me Anoden-, Kathoden-, Eingangs- und Vergleichsklemme 1, 2, 3 bzw. 4 sind mit Hilfe von ohmschen Kontakten oder Elektroden 21 22, 23 und 24 an den Halbleiterkörper 10 angeschlossen. Die Anoden- und die Eingangselektrode 20 bzw, 22 sind an der obeisi p-leitenden Emitterzone 18 bezw. 19 angebracht. Die Kathodenelektrode befindet sich auf der unteren Emitterzone 12. Den bisher beschriebenen Halbleiterkörper kann man sich aus zwei Vierschichtdioden gleicher Polarität zusammengesetzt denken. Das heißt, die vier Zonen 17, 13, 11 und 12 mit den drei dazwischenliegenden Übergängen J-g., J~ und J-p zwischen der Anoden- und Kathodenelektrode 20 bzw. 21 bilden die eine Diode, während die gleichen vier Zonen mit den drei Übergängen Jj, Jq und J-^₂ zwischen der Eingangs- und der Kathodenelektrode 22 bzw. 21 die zweite Diode darstellen. Die beiden Dioden sind derart zusammengesetzt, daß sie zwar dem gleichen Halbleiterkörper 10 angehören, dessen obere Emitterzone 17 und obere Basiszone 13 jedoch in zwei Teile geteilt sind, die einen elektrisch isolierten Anschluß an den beiden oberen Zonen möglich machen.

Die in der lig. 1 gezeigte Anodenelektrode 20 ist auch mit der angrenzenden oberen η-leitenden Basiszone kontaktiert, um den Hauptemitterübergang J-,., kurz zu schließen. Der untere Emitterübergang J_ß2 kann anstelle des Hauptemitterübergangs J^₁, wie er oben gezeigt ist, kurzgeschlossen sein. Wenn jedoch einer der beiden Übergänge kurzgeschlossen ist, dann sollte er von dem Eingangsübergang J, so weit entfernt wie möglich sein, damit die Wirkungsweise der Vorrichtung nicht beeinträchtigt ist.

Die Vergleichselektrode 23 ist mit dem Teil 15 der obeim n-leitenden Basiszone 13 niederohmig kontaktiert, der an die obere Emitterzone 19 angrenzt. Daher liegt zwischen der Eingangsklemme 3 und der Vergleichsklemme 4 eine Zweischichtdiode.

Zum besseren Verständnis der Wirkungsweise des Schalters betraphtet man den pnpn-Halbleiterkörper ara. besten als gesteuerten Gleichrichter, der» mit einer Eingangs- und Vergleichsklemme 3 und 4 kombiniert ist, die als Zuführungsieitungen für das Zündsignal

dienen.

Zunächst werde die Vierschichtdiode zwischen der Anodenklemme 1 und der Kathodenklemme 2 betrachtet. Wenn die Anodenklemme 1 gegenüber der Kathodenklemme 2 auf negativem Potential liegt, dann sind die nahe den Klemmen liegenden pn-Übergänge J_P1 und J₀ in' Sperrichtung vorgespannt, während der mittlere pn-übergang Jq in Durchlaßrichtung vorgespannt ist. Bei einem genügend hohen Potent-ial zwischen den Klemmen schlagen die beiden nahe den Klemmen gelegenen pn-Übergänge durch und führen einen Strom in Sperrichtung. Ligt dagegen eine umgekehrt gepolte Spannung an den beiden Klemmen 1 und 2, dann sind die beiden nahe den Klemmenfeelegenen pn-Übergänge J^ und J™« ^ⁿ Durchlaßrichtung und der mittlere pn-übergang J_Q in Sperrichtung vorgespannt. Daher liegt zwischen den beiden Klemmen wieder eine hohe Impedanz. Wenn jedoch die Spannung zwischen den beiden Klemmen 1 und 2 genügend erhöht wird oder wenn geeignete Ladungsträger in die untere Basiszone 11 (oder obere Basiszone 14) injiziert wrfcden, dann schlägt nicht nur der mittlere pn-übergang durch, sondern kehrt auch seine Polarität um und stellt eine sehr geringe Impedanz zwischen den Klemmen 1 und 2 dar.

Die beiden möglichen Lawinendurchschläge des Schalters werden für das Bauelement zum Spannungsvergleich nicht allgemein betrachtet. Hier ist nur die Injektion eines Basisstroms bzw. eines Zündvorgangs von Bedeutung. Daher ist für den Betrieb des Bauelementes nach der Pig. \ß in der beabsichtigten WEise zu fordern, daß die Potentiale der Eingangs- und der Vergleichs-' träger in die untere Basiszone 11 injiziert werden, wenn die Anodenklemme 1 positiv bezüglich der Kathodenklemme 2 Ist.

Wenn die Eingangsklemme 3 ebenso wie die Anodenklemme 1 positiv bezüglich der Kathodenklemme 2 ist, dann ist der mittlere Übergang 3n in Sperrichtung vorgespannt und der Eingangsteil der Vorrichtung sorgt nfcht für eine auslösende Injektion in die Basiszone 11 hinein. Wenn an die Eingangsklemme 3 ein Potential angelegt ist, daß gegenüber der Vergleichsklemme 4 kleiner ist, dann sind sowohl der mittlere Übergang J als auch der Eingangs^

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im« 3 b·zw. 4 zueinander derart sind, daß Ladung«-

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übergang in Sperrichtung vorgespannt und der Schalter wird nicht eingeschaltet (Anode gegen Kathode 2).

Um den Schalter einzuschalten, Muß das Potential an der Eingengekleame höher als das Potential an der Vergleiehsklemme sein. In einem solchen Zustand ist der Eingangsübergang Jj in Durchlaßrichtting gepolt und Ladungsträger, in diesem Falle Löcher, die Über diesen Übergang/injiziert werden, diffundieren in die unter Basiszone 11. Wenn dieser Vorgang begonnen hat, dann findet der Zünd- oder EinschaItVorgang zwischen der Anoden--" klenuse 1 und der Kathodenklemme 2 des pnpn-Halbleiterbauelements genau in der gleichen Weise wie- bei einem bekannten gesteuerten Gleichrichter statt und die Impedanz zwischen der Anoden- und Kathodenkleaae wird sehr klein.

Baθ Bauelement erfüllt alle Voraussetzungen, die an einen Schalter zum Spannungsvergleich in der oben geforderten Weise zu stellen sind. Sin zn der Fig. 1 duales oder komplementäres Bauelement zeigt die Fig. 2. Unter dual oder komplementär soll verstanden sein, daß das Bauelement identisch zusammengesetzt ist und sich nur durch die Leitfähigkeiten der einzelnen Zonen unterscheidet , die in den beiden Bauelementen von der entgegengesetzten Art sind. Wegen der großen Ähnlichkeit beider Bauelemente nach den fig. 1 tmd 2 genügt hier eine nur kurze Beschreibung der Fig. 2. Iaeh dieser Figur sind 25 eine untere Anodenklemme/ 26 eine obere Katho4«nklem*e, 27 eine Eingangeklemme und 28 eine Vergleiohsklemme, wobei die beiden letzteren in der gleichen Beziehung zueinander eteJb&n wie in der Fig. 1, nur daß sie auf der Kethodenseite des Schalters angebracht sind.

Wenn man in der Pig, 2 Ton unten beginnt, dann tragen die pnpn-Zonen die Be sugs zeichen $1, 32, 35 und 34 und bilden zwischen sich di« Übergang» JTg^. t ^Qt Jjg? ^mi^ ^Ji aus. Dabei deuten die Indi*es *B* wiedekim SÜttera^ergSiage, "I^w einen Bingangsüber- * gang und "ö" eiaefe mittleren übergang. Die oberen beiden p- und n-Zonen 33 btw. 34 eint zur !eolation durch einen Einschnitt 24 geteilt. Saher ist die obere Basiszone 33 in einen zum Schalster gehörenden Teil 39, der Zwischen den Klemmen 23 und 26 "

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—film Haupt8trompä£d liegt, und einen dem Spannungsvergleicher angehörenden Teil 60 geteilt. Der zum Schalter gehörenden obere Emitter 61 ist durch die an die obere Basiszone 39 angrenzende η-Zone gebildet, während die obere-Emitterzone 62 durch die an die obere Basiszone 60 angrenzende obere n-Zone gebildet ist. Die Anoden-, Kathoden, Eingangs- und Vergleichselektrode sind nacheinander mit 35, 36, .37 und 38 bezeichnet undjen den zum Schalter gehörenden Emittern 31 bzw. 61 sowie an dem zum Spannungsvergleicher gehörenden oberen Emitter 62

und a.n der oberen, zum Spannungsvergleicher gehörenden Basiszone 60 angebracht.

Die Wirkungsweise des Bauelements nach der Pig. 2 ist grundsätzlich die gleiche wie die des Schalters nach der Fig. 1, wobei nur die Bezeichnungen zwischen den verschiedenen Spannungen anders sind. Zum Arbeiten im Auslösebereich muß, wie der Name sagt, die Anode wieder auf positivem Potential gegenüber der Kathode liegen. In.diesem Ausführungsbeispiel muß jedoch die Vergleichsklemme 28 auf positivem Potential gegenüber der Eingangsklemme 27 sein, damit eine Injektion aus dem Eingpngsemitter 62 in die untere Basiszone 32 stattfinden kann. Die Injektion von Ladungsträgern von Eingangsemitter 62 in die^ untere Basiszone 32 bewirkt wiederum des Ein- oder Durchschalten des Schalters.

Da8 Bauelement zum Spa nnungsvejjp. eich nach der Pig. 3 weist eine Anodenklemme 40, eine Kathodenklemme 41, eine Eingangsklemme 42 und eine Vergleicheklemme 43 auf. Der Halbleiterkörper 44 ' des Bauelements enthält wie in den vorhergehenden Ausführungsbeispielen vier Zonen 45, 46, 47 und 48 zwischen der Anoden- und der Kathodenklemme. Von unten nach oben in der Pig. 3 gesehen, handelt ee sich um ein pnpn-Element, das entsprechend den vorherigen Beispielen Übergänge J_E1 _t J_Q und Jg₂ besitzt. Daher dient dieser Teil des Halbleiterkörpers als Vierschichtendiode oder eis gesteuerter Gleichrichter, wenn nämlich an einer der Basiszonen (p-leitende Zone 47 oder n^-leitende Zone 46), die an den mittleren Übergang J₀ angrenzen, ein Zündstrom injiziert wird.

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In. diesem Ausführungsbeispiel der Erfindung verläuft der Auslösevorgang in anderer Weise als der oben beschriebene. Diese Anordnung hat den Vorteil besser-er elektrischer Isolierung^ind den geringen Nachteil, daß ihre Verwendung als Spannungsvergleicher die an die Verglei chskleinme 43 anlegbaren Poten^ale auf Potentiale beschränkt, die positiv bezüglich der Kathodenklemme 41 sind. Das ist zwar eine geringe Beschränkung, doch kann im Bedarfsfall, wenn ein negatives Potenüal an der Vergleichklemme 43 bezüglich der Kathodenklemme 41 erwünscht ist, ein komplementäres (duales) Halbleiterbauelement verwendet werden.

Die Isolierung zwischen dem Spannungsvergleicher und dem Schalterteil ist durch Heilung der oberen η-leitenden Zone 48 mittels eines Einschnittes 51 in eine zum Schalter gehörende obere Emitterzone 49 und in eine zum Spannungsvergleich gehörende Vergleichszone 50 hergestellt. Zur Verwirklichung der Vergleichsfunktion ist eine obere p-leitende Eingangszone 52 vorgesehen, die an die zum Spannungsvergleicher gehörende Zone 50 angrenzt und einen Eingangsübergang J-. mit dieser bildet. Die Anoden-, Kathoden, Eingangs- und Vergleichsklemme 40, 41, 42 bzw. 43 sind mit Hilfe ohmscher Elektroden 53, 54» 55 bzw. 56 an die untere Emitterzone 45, die obere Emitterzone 49, die obere Eingangszone 52 bzw. die Vergleichs zone 50 angeschlossen.

Es seien die Anodenklemme 40 und die Vergleichsklemme 43 beide auf positivem Potential gegenüber der Kathodenklemme 41 und die Eingangsklemme positiv gegenüber der Vergleichakleffime 43. Unter diesen UfflStÄadtn injiziert der Eingängeemitter 52 einen löcherstroin in die: VergJgiciiszoae 50 der n-leitenden Zone 48. Die ladungStrtger äifftÄdiöre» in die obere p-leitende Basiszone 47» Wödareli der Schalter eingeschaltet wird, wie es l>ei einem geetetterten Öieleftrichte* In lei* oben beschriebenen Weise üblich.

Die HaIbItiterbauelemente der Erfindung können Kit Hilft der bekannten SiffBiiöii·- «iftv Le^liltoifiriferfshrett «öwi« d·* fcekennte* AMeöfc¥trf*iirea fce*itft*«lit treräön. J&t Äie··» Äruade wird auf

ki%r ^iüht weiter

Claims

Pat ent stnsprUche

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1. Halbleiterbauelement zum Spannungsvergleich, dessen Halbleiterkörper eine Anzahl von Zonen alt abwechselnd entgegengesetztem Loitungetyp mit dasvlschenllegenden gleichrichtenden Übergängen aufweist, dadurch gekennaeiohn e t, daß die Zonen (11, 12, 13, 7) wet bei zwei eehrechiohtigen, Äua^maengeeetzten Dioden aufgebaut Bind, die beide eLne mit einer ohmechen Elektrode versehene äußere Zone (12) und eine daran abgrenzende Innere Zone (11) gemeinsam heben, und von denen jede eine alt einer ohmechen Elektrode versehene äußere Zone ( 8, 19) und eine Innere Zone ( 4, 15) Aufweist, die nicht beiden Dioden gemeinsam sind, und defl die eine der beiden inneren Zonen (15) mit einer onesoben Yergleiohselektrod· (38)ausgerüstettet.

. Halbleiterbauelement naoh Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, djrfi eine der äußeren Zonen (18) eine Anodenelektrode (20) und sine andere äußere Zone (12) eins K^thodenelektrode (21) aufweist, die durch vier in Serie liegende Zonen und drei gleichrichtende übergänge voneinander getrennt sind, daß eine weitere äußere Zone 09b, die entfernt von den mit der Anoden- und Isthodenelektrode versehenen Zonen liegt, mit einer Kingangeelektrode (22) reraehen 1st, die von der fett bodenelektrode (21) ebenfeile durch vier Zonen tint drei gleichrichtende überginge getrennt 1st, ds· «wei (1I₉ 2) der vier zwlaohen der Anoden- und tathodenelektrode in Serie liegenden Zonen gleioheeitlg eins äulere umd sin· angrensemde innere Zone «wiaohen der Eingänge- und der Kathotenelektrods darstellen, und dsl die Yergleiohselektrods (25) Mi dlsjsnlgs inner· Ions (15) angeschlossen 1st, die an die alt der elektrode (22) versehene entere Zone engrenet.

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3. Halbleitorbautleaent nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennze lohnet« daß «Ine tuäere Zont (18) und ein« daran 3jogrenz«nde Innert Zone (14) «In« ohaeoho Elektrode (20) geeelneee heben.

4. Ualblelterbaueleaentmoh elnea oder Mehreren der Aneprüohe 1-3, dadurch gekennzeichnet« dafi beiden Dioden mehr el· eine Innere Zone geaelnana let und daß ale zwei nicht geaelnsnae Jäidabechnltte (48 baw. 50,52.) aufweisen« wobei dlo Verglelohaelektrode (56) alt einer Inneren Zone (52) verbunden let, die nloht beiden Dioden geaelneea 1st.

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