DE1211004B - Verfahren zur Bildung der Differenz zweier gleichzeitig auftretender Signale und Signalspeicherroehre zur Ausfuehrung des Verfahrens - Google Patents
Verfahren zur Bildung der Differenz zweier gleichzeitig auftretender Signale und Signalspeicherroehre zur Ausfuehrung des VerfahrensInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. α.:
Nummer:
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Auslegetag:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
G06f
Deutsche Kl.: 42 m-14
E19172IX c/42 m
8. April 1960
17. Februar 1966
8. April 1960
17. Februar 1966
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bildung der Differenz zweier gleichzeitig auftretender Signale,
bei dem eine Signalspeicherröhre verwendet wird.
Es ist häufig erforderlich, Signale in Abhängigkeit von der algebraischen Summe gleichzeitig auftretender
positiver und negativer Signale zu bilden. Weiterhin besteht oft die Forderung, z. B. bei Radarsystemen,
periodische Signale, die positiv oder negativ sein können und gleichzeitig auftretende positive und
negative Komponenten enthalten können, zu integrieren. Unterliegen derartige positive und negative
Signale starken Amplitudenschwankungen, was häufig vorkommt, ist die Ausführung der Integration mit
Schwierigkeiten verbunden. Bekannte Einrichtungen zur Durchführung der Differenzbildung oder Integration
sind kompliziert und aufwendig.
Ziel der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Bildung
der Differenz zweier gleichzeitig auftretender Signale zu schaffen, bei dem diese Schwierigkeiten vermieden
werden. Hierzu sieht die Erfindung bei einem Verfahren der eingangs genannten Gattung vor, daß zwei
durch jeweils eines der Signale modulierte Elektronenstrahlen über gemeinsame metallische Speicherelemente
geführt werden, denen zwei auf einem beim Auftreffen der Elektronenstrahlen während des Abtastvorganges
leitend werdenden Material angeordnete Elektroden zugeordnet sind, denen eine positive
bzw. negative Spannung zugeführt wird, daß anschließend die beiden Elektroden an einen gemeinsamen
Ausgang angelegt werden und daß schließlich die Speicherelemente symmetrisch zu den Elektroden
von einem Lesestrahl abgetastet werden.
Signalspeicherrö'hren sind an sich bekannt. Die in ihnen verwendeten modulierenden Signale sind allgemein
positiv. Wenn jedoch negative Signale verwendet werden sollen, kann den die Speicherelektrode abtastenden
Schreibquellen eine positive Vorspannung zugeführt werden, so daß die Gesamtspannung gleich
der Differenz von Vorspannung und Signalspannung ist.
Die Signale, die den der Signalspeicherröhre zügeführten
positiven Signalen entsprechen, werden so geführt, daß sie den einen Strahl modulieren, während
die von den negativen Signalen abhängigen, in bekannter Weise positiv gemachten Signale so geschaltet
sind, daß sie den anderen Strahl modulieren.
Materialien, die normalerweise Isolatoren sind, jedoch bei Aufprall eines Elektronenstrahles leitend
werden, sind an sich bekannt. Näheres ist in der Zeitschrift »Physical Review«, Bd. 75, 1949, S. 479, beschrieben.
Derartige Materialien werden in der Be-Schreibung sowie in den Ansprüchen kurz als elektronenempfindliche
Materialien bezeichnet.
Verfahren zur Bildung der Differenz zweier
gleichzeitig auftretender Signale und
Signalspeicherröhre zur Ausführung des
Verfahrens
gleichzeitig auftretender Signale und
Signalspeicherröhre zur Ausführung des
Verfahrens
Anmelder:
English Electric Valve Company Limited,
London
Vertreter:
Dr. W. Müller-Bore und Dipl.-Ing. H. Gralfs,
Patentanwälte, Braunschweig, Am Bürgerpark 8
Patentanwälte, Braunschweig, Am Bürgerpark 8
Als Erfinder benannt:
Eric Brian Butler Callick, Chelmsford, Essex;
Jervois Campbell Firmin,
Little Baddow, Essex (Großbritannien)
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 26. Juni 1959 (21 946),
vom 2. Dezember 1959
vom 2. Dezember 1959
Eine bevorzugte Ausführungsform einer Signalspeicherröhre zur Ausführung des Verfahrens gemäß
der Erfindung mit zwei Schreibstrahlquellen, einem Ablenksystem für die Elektronenstrahlen und einer
Speicherelektrode, ist so ausgebildet, daß die Speicherelemente der Speicherelektrode streifenförmig
ausgebildet und nebeneinander auf dem elektronenempfindlichen Material angeordnet sind, auf deren
anderer Seite sich die beiden Metallelektroden befinden, von denen jede die Speicherelemente um etwas
weniger als die Hälfte überlappt.
Bei einer weiteren Ausführungsform einer Signalspeicherröhre ist gemäß der Erfindung vorgesehen,
daß die Speicherelemente streifenförmig ausgebildet und nebeneinander auf dem elektronenempfindlichen
Material angeordnet sind, daß neben den Speicherelementen mit Abstand die beiden Metallelektroden
verlaufen und daß auf der den Speicherelementen gegenüberliegenden Seite des Materials eine Metallplatte
angebracht ist.
609 508/201
Bei einer weiteren Ausführungsform der Signalspeicherröhre
sieht die Erfindung vor, daß die Speicherelemente streifenförmig ausgebildet und nebeneinander
auf einer Isolierplatte angeordnet sind, daß neben den Speicherelementen mit Abstand und durch
das elektronenempfindliche Material mit den Speicherelementen verbunden die beiden Metallelektroden
verlaufen und daß die Isolierplatte auf einer Metallplatte befestigt ist.
Vorzugsweise ist bei dem Verfahren gemäß der Erfindung
vorgesehen, daß die Absolutwerte der an die Elektroden angelegten positiven bzw. negativen Spannungen
gleich groß sind.
Die Erfindung wird im folgenden beispielsweise an
Hand der Zeichnung beschrieben; in dieser zeigt
Fig. 1 schematisch eine Signalspeicherröhre und deren Schaltung zur Ausführung des Verfahrens gemäß
der Erfindung,
F i g. 2 eine erste praktische Ausführungsform einer
Speicherelektrode für eine Signalspeicherröhre nach F i g. 1 in perspektivischer Darstellung und
F i g. 3 und 4 zwei weitere praktische Ausführungsformen der Speicherelektrode in perspektivischer
Darstellung.
In der Zeichnung sind gleiche Teile durchweg mit gleichen Bezugszahlen bezeichnet.
In F i g. 1 ist eine Speicherröhre 14 mit zwei gleichen, an sich bekannten Schreibstrahlquellen 1 und 2
dargestellt, von denen jede einen Elektronenstrah auf die Speicherelektrode 3 richtet.
Die Speicherelektrode, die in F i g. 2 im einzelnen dargestellt ist, umfaßt eine Anzahl streifenartiger
metallischer Speicherelemente 6, die beispielsweise aus Gold bestehen können und auf einer Schicht 7
aus elektronenempfindliehem Material liegen. Auf der anderen Seite der Schicht 7 gegenüber den Speicherelementen
6 sind zwei Metallelektroden 8 und 9 angebracht, von denen jede so liegt, daß sie jedes der
Speicherelemente 6 etwas weniger als deren halbe Länge überlappt. Die gesamte Anordnung wird von
einer Isolierplatte 10 getragen. Die Speicherelektrode kann geeigneterweise durch Aufdampfung und/oder
chemischem Niederschlag der Elemente und Elektroden 8 und 9 auf die Schicht 7, die selbst durch Aufdampfung
gebildet werden kann, hergestellt werden.
Eine weitere Elektroneristrahlquelle 5, die Lesestrahlquelle,
richtet ebenfalls einen Strahl auf die Speicherelektrode 3. Alle Elektronenstrahlen werden
geeignet abgelenkt, und zwar durch geeignete Ablenkmittel, die hier herkömmlicherweise durch die
Spule 4 repräsentiert werden. Die Art der Ablenkung wird im nachfolgenden beschrieben. Die beiden Elektroden
8 und 9 der Speicherelektrode 3 sind getrennt mit den beiden gekoppelten Schaltarmen eines Schalters
S verbunden. Im Betrieb werden diese Arme zu Beginn in die Stellung P gebracht, in der beide Elektroden
geerdet sind. In dieser Zeit sind die Schreibstrahlen abgeschaltet, und der Lesestrahl wird veranlaßt,
die Speicherelektrode in der Mitte der Elemente 6, d. h. in einer Richtung senkrecht zur Zeichenebene
von F i g. 1 abzutasten.
Die Geschwindigkeit des Lesestrahls liegt unter dem sogenannten ersten Übergangswert der Sekundäremissions-Kennlinie
der Elemente 6, d. h., die Anzahl der von den Elementen 6 durch Sekundäremission
emittierten Elektronen ist geringer als die Anzahl der Primärelektronen des Strahles, so daß die Elemente
6 auf das Kathodenpotential der Lesestrahlquelle . stabilisiert werden. Bekanntlich wird der
Sekundäremissionskoeffizient oberhalb der dem ersten Übergangswert entsprechenden Primärelektronenenergie
größer als 1, um bei einer zweiten Primärelektronenenergie, dem zweiten Ubergangswert, wieder
auf unter 1 abzusinken.
Bei einer Alternativmethode zur Stabilisierung des Potentials der Elemente kann die Lesestrahlquelle
abgeschaltet werden. Die Schreibstrahlen werden
ίο dann veranlaßt, die Speicherelektrode abzutasten,
während beide Elektroden 8 und 9 auf einem Potential einer Potentialquelle liegen, das gleich dem Potential
der Kathode der Lesestrahlquelle ist. Das Potential der Elemente wird dann auf Grund des Leitend'
werdens des elektronenempfindlichen Materials gleich dem der Elektroden 8 und 9. Der Vorgang, durch den
diese Stabilisierung bewirkt wird, ist also der gleiche, durch den das Schreiben bewirkt wird und der im
nachfolgenden näher beschrieben wird.
Die Lesestrahlquelle wird nun abgeschaltet und der Schalter S in die Stellung W gebracht, wodurch positive
und negative Spannungen gleicher Werte den Elektroden 8 bzw. 9 zugeführt werden. Diese Spannungen
sind mit + 20 V bzw. — 20 V angegeben, jedoch ist klar, daß diese Werte nur beispielgebend
und in keiner Weise einschränkend sind. Die beiden Schreibstrahlen werden nun eingeschaltet und veranlaßt,
gleichzeitig die Enden der Elemente 6 zu überstreichen, wobei der Schreibstrahl von der Strahlquelle
1 die Speicherelektrode gegenüber der Elektrode 8 und der andere Schreibstrahl die Speicherelektrode
gegenüber der Elektrode 9 abtastet, derart, daß die Strahlen auf den Enden der Elemente und/
oder auf die Schicht 7 außerhalb der Enden der EIemente
6 auf treffen.
Den Steuergittern (nicht gesondert dargestellt) der Elektronenstrahlquellen 1 und 2 werden die Signale,
die gespeichert werden sollen, zugeführt, um die Schreibstrahlen zu modulieren, wobei alle Signale, die
denen positiver Polarität entsprechen, der einen Strahlquelle und alle Signale, die denen negativer
Polarität entsprechen, der anderen Strahlquelle zugeführt werden. Normalerweise werden alle Signale,
ungeachtet welcher Strahlquelle sie zugeführt werden, im positiven Sinne angelegt, d. h., Signale mit
negativer Polarität werden in positive Signale-umgewandelt,
bevor sie der Strahlquelle 2 zugeführt werden, obgleich, wie im vorstehenden ausgeführt wurde,
negative Signale verwendet werden können, wenn die Schreibstrahlquellen geeignet positiv vorgespannt
sind, so daß im Effekt die Signale vor der Vorspannung subtrahiert werden. Wenn die Signale, die gespeichert
werden sollen, nicht getrennt als positive und negative Signale bestehen, so können sie in bekannter
Art getrennt werden.
Bei Auftreffen der Schreibstrählen auf der Speicherelektrode 3 wird die Schicht 7 über eine Fläche,
auf der die Strahlen in Abhängigkeit vom Grad ihrer Modulation auftreffen, leitend. Wird daher eine Zone
der Schicht 7 vom Strahl getroffen, so wird sie leitend, und das ihr benachbarte Element nimmt durch
Leitung zwischen ihm und der positiv vorgespannten Elektrode 8 ein positives Potential an. Die Höhe des
Potentials ist durch den Grad der Strahlmodulation und durch die Zeit, während der die dem Element benachbarte
Zone der Schicht? dem Beschüß ausgesetzt ist, bestimmt. Im Gegensatz dazu wird, wenn
eine Zone der Schicht 7 in Nachbarschaft des EIe-
mentes von dem modulierten Strahl der Strahlquelle 2 getroffen wird, das Element ein von der Elektrode 9
abgeleitetes negatives Potential annehmen. Daraus erhellt, daß, wenn beide Strahlen gleichzeitig moduliert
werden, das Element ein Potential annehmen wird, das von der Differenz der Größen der beiden
modulierenden Signale abhängig ist.
Wenn nur gewünscht wird, Signale zu speichern oder auszulesen, die algebraischen Summen der ursprünglichen
Signale entsprechen, so brauchen die Schreibstrahlen nur einmal die Oberfläche der Speicherelektrode
abzutasten, bevor ausgelesen wird. Sollen jedoch periodisch auftretende Signale integriert
und zufällige Signale eliminiert werden, können die Schreibstrahlen so eingerichtet werden, daß sie die
Speicherelektrode vor dem Auslesen mehrmals abtasten. So wird, wenn ein spezielles Element während
eines Abtastvorganges auf ein kleines Potential angehoben wird und den Schreibstrählquellen in einander
entsprechenden Zeiten aufeinanderfolgender Abtastvorgänge entsprechende Signale zugeführt
werden, das Potential des Elementes während der aufeinanderfolgenden Abtastvorgänge zunehmen. Die
Potentialzunahme ist dabei im wesentlichen linear, solange das Potential, auf das das Element gehoben
ist, klein in bezug auf die an den Elektroden 8 und 9 liegenden Potentiale ist. Ändern darüber hinaus die
den Schreibstrahlquellen in entsprechenden Zeiten aufeinanderfolgender Abtastvorgänge zugeführten
Signale ihre Werte zufällig, so bleibt das Potential des betreffenden Elementes wahrscheinlich klein.
Ist der Schreibvorgang abgeschlossen, so werden die Schreibstrahlen abgeschaltet und der Schalter S
in die Stellung R gebracht, wodurch eine positive Vorspannung, deren Wert größer ist als das maximale
Potential jeder Polarität, welches auf einem der Elemente der Speicherelektrode erzielt worden ist, in
Reihe mit der Ausgangsbelastung an die Elektroden 8 und 9 gelegt wird. Der Lesestrahl wird nun eingeschaltet
und veranlaßt, nacheinander die Mitten aller Elemente 6 der Speicherelektrode wie zuvor abzutasten.
Da die nun vom Strahl getroffene Zone der Schicht 7 klein ist, ist die Elektronenempfindlichkeit
vernachlässigbar, und die Schicht 7 wirkt im wesentlichen als Isolator. Die Elemente 6 sammeln nun in
Abhängigkeit von ihren Potentialen Elektronen aus dem Strahl, und an der Ausgangslast (Arbeitswiderstand)
entstehen Ausgangssignale entsprechend den vorher gespeicherten Ladungen, die geeigneten Ausnutzungsmitteln
zugeführt werden können. Für die Entfernung des Vorspannungspotentials aus den Signalen sind Mittel vorgesehen. Der Schalter S wird
dann in die Stellung P gebracht, wodurch die Kathode der Lesestrahlquelle geerdet wird und der Strahl wieder
die Speicherelektrode abtastet, um die Potentiale der Elemente wie zuvor auf das Potential der Lesestrahlquellen-Kathode
zu bringen.
F i g. 3 zeigt eine Alternativanordnung der Speicherelektrode,
die dadurch gekennzeichnet ist, daß die Speicherelemente 6 streifenförmig und parallel
zueinander auf einer Seite einer elektronenempfindlichen Schicht 7, die von einer Isolierplatte 10 getragen
wird, angeordnet sind und zwei streifenförmige Metallelektroden 8', 9' quer zu und in Abstand von
den Elementen 6 auf der gleichen Seite der elektronenempfindlichen Schicht 7 wie die Elemente 6 außerhalb
der Enden der Elemente 6, und zwar eine auf der einen Seite und die andere auf der anderen Seite,
angebracht sind sowie eine streifenförmige metallische Signalplatte 11 auf der den Elementen 6 gegenüberliegenden
Seite der Schicht 7 quer zur Ausrichtung der Elemente 6 angebracht ist.
F i g. 4 zeigt eine weitere Form einer Speicherelektrode, die dadurch gekennzeichnet ist, daß die
Speicherelemente 6 streifenförmig und parallel zueinander auf einer Isolierplatte 12, die von einer
metallischen Signalplatte 13 getragen wird, angeordnet sind, daß zwei streifenförmige Metallelektroden 8',
9' quer zu und in Abstand von den Elementen 6 außerhalb deren Enden auf der gleichen Seite der Isolierplatte
12, und zwar die eine auf der einen Seite und die andere auf der anderen Seite der Elemente 6 angeordnet
sind und daß je eine Schicht elektronenempfindliches Material T zwischen jeder der beiden Elektronen
8', 9' und den Enden der Elemente 6 liegt und diese berührt.
Bisher wurde angenommen, daß die Geschwindigkeit des Lesestrahls unterhalb des sogenannten ersten Sekundäremissionsübergangswertes liegt. Das gleiche Ergebnis kann jedoch bei Betrieb des Strahls mit einer Geschwindigkeit oberhalb des erwähnten zweiten Sekundärübergangswertes erzielt werden. WaM-weise kann der Strahl so eingerichtet werden, daß er zwischen den beiden sogenannten Übergängen betrieben wird, so daß die Sekundäremission der Elemente 6 die Sammlung von Elektronen auf diesen überschreitet. (Der Sekundäremissionskoeffizient also größer als 1 ist.) Die Sekundärelektronen können von einer positiv vorgespannten Elektrode gesammelt werden, wie z. B. von einer mit einer Öffnung versehenen Netzelektrode, die nahe der Speicherelektrode und in der oder um die Bahn des Strahles herum angebracht ist. In diesem Fall sammeln die Elemente positive Ladungen beim Auslesen, und die den Elektroden 8 und 9 zugeführte Auslesevorspannung muß daher bei der unter bezug auf F i g. 1 beschriebenen Ausführung negativ sein.
Bisher wurde angenommen, daß die Geschwindigkeit des Lesestrahls unterhalb des sogenannten ersten Sekundäremissionsübergangswertes liegt. Das gleiche Ergebnis kann jedoch bei Betrieb des Strahls mit einer Geschwindigkeit oberhalb des erwähnten zweiten Sekundärübergangswertes erzielt werden. WaM-weise kann der Strahl so eingerichtet werden, daß er zwischen den beiden sogenannten Übergängen betrieben wird, so daß die Sekundäremission der Elemente 6 die Sammlung von Elektronen auf diesen überschreitet. (Der Sekundäremissionskoeffizient also größer als 1 ist.) Die Sekundärelektronen können von einer positiv vorgespannten Elektrode gesammelt werden, wie z. B. von einer mit einer Öffnung versehenen Netzelektrode, die nahe der Speicherelektrode und in der oder um die Bahn des Strahles herum angebracht ist. In diesem Fall sammeln die Elemente positive Ladungen beim Auslesen, und die den Elektroden 8 und 9 zugeführte Auslesevorspannung muß daher bei der unter bezug auf F i g. 1 beschriebenen Ausführung negativ sein.
Der Betrieb des Lesestrahles oberhalb des ersten Ubergangswertes hat den Vorteil, daß Fokussier- und
Ablenkschwierigkeiten, die bei einem Strahl geringerer Geschwindigkeit beobachtet wurden, verringert
oder vermieden werden. Die Verwendung eines Strahls mit geringer Geschwindigkeit, der unterhalb
des »ersten Überganges« betrieben wird, gestattet jedoch die Anwendung eines alternativen Ausleseverfahrens
gegenüber dem unter Bezug auf F i g. 1 beschriebenen, bei dem der Lesestrahl in Abhängigkeit
von den darauf gespeicherten Potentialen Elektronen an die Speicherelektrode abgibt, wobei die verbleibenden
Strahlelektronen von der Speicherelektrode reflektiert und von geeigneten Elektroden gesammelt
werden, an denen man die gespeicherte Information erhält. Dieses alternative Ausleseverfahren erfordert
keine weitere Beschreibung, da es dem in der bekannten Super-Orthikon-Fernsehkameraröhre durchgeführten
ähnlich ist.
Obgleich die Einrichtung nach F i g. 1 nach der Beschreibung drei getrennte Elektronenstrahlquellen
aufweist, ist dies offensichtlich nicht notwendig. Die beiden Schreibstrahlen können von einer einzigen
Strahlquelle, deren Elektronenstrahl in bekannter Art aufgeteilt wird, abgeleitet werden und die beiden
Strahlen des aufgeteilten Strahles durch die Signale, die gespeichert werden sollen, getrennt moduliert
werden. Ebenso ist in einigen Einrichtungen eine gesonderte Lesestrahlquelle nicht notwendig, da eine
i 211
oder beide Schreibstrahlquellen auch zum Lesen benutzt werden können.
Claims (1)
1. Verfahren zur Bildung der Differenz zweier gleichzeitig auftretender Signale, bei dem eine
Signalspeicherröhre verwendet wird, dadurch
gekennzeichnet, daß zwei durch jeweils eines der Signale modulierte Elektronenstrahlen
über gemeinsame metallische Speicherelemente io' (6) geführt werden, denen zwei auf einem beim
Auftreffen der Elektronenstrahlen während des Abtastvorganges leitend werdenden Material (7)
angeordnete Elektroden (8, 9) zugeordnet sind, denen eine positive bzw. negative Spannung zugeführt
wird, daß anschließend die beiden Elektroden (8, 9) an einen gemeinsamen Ausgang angelegt
werden und daß schließlich die Speicherelemente (6) symmetrisch zu den Elektroden
(8, 9) von einem Lesestrahl abgetastet werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Absolutwerte der an die
Elektroden (8, 9) angelegten positiven bzw. negativen Spannungen gleich groß sind.
3. Signalspeicherröhre zur Ausführung des Verfahrens nach Anspruch 1 und 2 mit zwei
Schreibstrahlquellen, einem Ablenksystem für die Elektronenstrahlen und einer Speicherelektrode,
dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherelemente (6) der Speicherelektrode (3) streifenförmig
ausgebildet und nebeneinander auf dem elektronenempfindlichen Material (7) angeordnet
sind, auf deren anderer Seite sich die beiden Metallelektroden (8, 9) befinden, von denen jede
die Speicherelemente (6) um etwas weniger als die Hälfte überlappt.
4. Signalspeicherröhre zur Ausführung des Verfahrens nach Anspruch 1 und 2 mit zwei
Schreibstrahlquellen, einem Ablenksystem für die Elektronenstrahlen und einer Speicherelektrode,
dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherelemente (6) streifenförmig ausgebildet und nebeneinander auf dem elektronenempfindlichen
Material (7) angeordnet sind, daß neben den Speicherelementen (6) mit Abstand die beiden
Metallelektroden' (8', 9') verlaufen und daß auf der den Speicherelementen (6) gegenüberliegenden
Seite des Materials (7) eine Metallplatte (11) angebracht ist.
5. Signalspeicherröhre zur Ausführung des Verfahrens nach Anspruch 1 und 2 mit zwei
Schreibstrahlquellen, einem Ablenksystem für die Elektronenstrahlen und einer Speicherelektrode,
dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherelemente (6) streifenförmig ausgebildet und nebeneinander
auf einer Isolierplatte (12) angeordnet sind, daß neben den Speicherelementen (6) mit
Abstand und durch das elektronenempfindliche Material (7') mit den Speicherelementen verbunden
die beiden Metallelektroden (8', 9') verlaufen und daß die Isolierplatte (12) auf einer~Metallplatte
(13) befestigt ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Elektrotechnische Zeitschrift ETZ-A, 1. August 1957, Bd. 78, Heft 15, S. 543 bis 548.
Elektrotechnische Zeitschrift ETZ-A, 1. August 1957, Bd. 78, Heft 15, S. 543 bis 548.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
609 508/201 2.66 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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GB21946/59A GB888896A (en) | 1959-06-26 | 1959-06-26 | Improvements in or relating to signal storage arrangements |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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DE1211004B true DE1211004B (de) | 1966-02-17 |
DE1211004C2 DE1211004C2 (de) | 1966-09-01 |
Family
ID=10171434
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE1960E0019172 Expired DE1211004C2 (de) | 1959-06-26 | 1960-04-08 | Verfahren zur Bildung der Differenz zweier gleichzeitig auftretender Signale und Signalspeicherroehre zur Ausfuehrung des Verfahrens |
Country Status (5)
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DE (1) | DE1211004C2 (de) |
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GB (1) | GB888896A (de) |
NL (1) | NL251771A (de) |
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0
- NL NL251771D patent/NL251771A/xx unknown
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- 1959-06-26 GB GB21946/59A patent/GB888896A/en not_active Expired
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