DE10215759A1 - Reinigungsprozeß für eine Photomaske - Google Patents
Reinigungsprozeß für eine PhotomaskeInfo
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Abstract
Eine Photomaske, die mit einer lichtabschirmenden Beschichtung auf einer Oberfläche eines Glassubstrates versehen ist, wird mit O¶3¶-Gas lösendem Wasser zum Entfernen organischer Substanzen gereinigt, die auf einer Oberfläche der Photomaske haften (S120). Indem eine alkalische Chemikalie wie alkalisches ionisiertes Wasser oder hydriertes Wasser benutzt wird, wird die Photomaske dann zum Beseitigen von Verunreinigung gereinigt (S122). Nach der Beendigung dieser Reinigungsschritte wird die Photomaske getrocknet.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Reinigungs
prozeß für eine Photomaske und insbesondere auf einen Reini
gungsprozeß, der geeignet zur Benutzung nach dem Reinigen von
Photomasken mit Lichtabschirmbeschichtungen geeignet ist, die
auf Oberflächen von Glassubstraten vorgesehen sind.
Photomasken mit Lichtabschirmbeschichtungen aus einem Cr- oder
MoSi-Material, die auf Oberflächen von Glassubstraten vorgese
hen sind, sind seit Jahren bekannt. Fig. 4 ist ein Flußdia
gramm eines Beispieles eines ersten Prozesses zum Reinigen ei
ner Photomaske mit dem oben beschriebenen Aufbau.
Wie in Fig. 4 dargestellt ist, wird gemäß dem Prozeß zum Rei
nigen der Photomaske ein Reinigungsschritt, der Schwefelsäure
oder eine Mischung von Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid
benutzt, zuerst zum Beseitigen organischer Substanzen durchge
führt, die auf einer Oberfläche der Photomaske anhaften
(S100). Der Grad der Verunreinigung einer Photomaske mit orga
nischen Substanzen kann auf der Grundlage der Benetzbarkeit
der Photomaske mit Wasser oder ähnlichem, das auf ihre Ober
fläche getropft wird, bestimmt werden. Genauer beschrieben,
die Benetzbarkeit der Photomaske mit Wasser oder ähnlichem,
das auf die Photomaske getropft wird, wird besser, wenn der
Grad der Verunreinigung der Photomaske mit organischen Sub
stanzen niedriger wird. Die Aufgabe des Reinigungsschrittes
S100 kann daher umbenannt werden in Verbesserung der Benetz
barkeit der Photomaske.
Zum Abspülen der Schwefelsäure oder der Mischung aus Schwefel
säure und Wasserstoffperoxid, die auf der Photomaske verblei
ben, wird ein Spülschritt dann mit reinem Wasser durchgeführt
(S102). Zum Verbessern der Reinheit der Photomaske ist es not
wendig, eine gründliche Spülung in diesem Schritt durchzufüh
ren.
Zum Beseitigen von Verunreinigungen, die an der Photomaske an
haften, wird dann ein Reinigungsschritt durchgeführt unter Be
nutzung von Ammoniak oder Wasserstoffperoxid (S104). In diesem
Schritt kann reines Wasser oder eine Reinigungslösung, die
durch Hinzufügen eines Reinigungsmittels zu reinem Wasser er
halten wird, anstelle von Ammoniak oder Wasserstoffperoxid be
nutzt werden.
Wie bei der Reinigung mit Schwefelsäure oder einer Mischung
von Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid wird nach dem oben
beschriebenen Schritt S104 ein Spülschritt unter Benutzung von
reinem Wasser ebenfalls durchgeführt (S106). Zum ausreichenden
Erhöhen der Reinheit der Photomaske ist es auch notwendig, das
Spülen dieser Stufe gründlich durchzuführen.
Nachdem die Photomaske in dem oben beschriebenen Schritt S106
vollständig gespült ist, wird dann ein Trocknungsschritt zum
Trocknen der Photomaske durchgeführt (S108).
Fig. 5 ist ein Flußdiagramm eines zweiten Prozesses zum Reini
gen einer Photomaske mit einer Cr- oder MoSi-Lichtabschirmbe
schichtung. Gemäß dem zweiten Prozeß wird ein Reinigungs
schritt zuerst im Hinblick auf das Beseitigen von organischen
Substanzen oder Verbessern der Benetzbarkeit wie bei dem er
sten Prozeß durchgeführt. Genauer beschrieben, ein Reinigungs
schritt wird durchgeführt unter Benutzung von Schwefelsäure
oder einer Mischung aus Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid
als Reinigungslösung (S110).
Bei dem zweiten Prozeß wird dann ein Reinigungsschritt unter
Benutzung einer alkalischen Chemikalie wie gasförmiges Ammoni
ak oder hydriertes Wasser (mit Wasserstoff versetztes Wasser)
durchgeführt, zum Beseitigen von Schwefelsäure oder Verunrei
nigungen, die noch auf der Photomaske verbleiben (S112).
Auf die oben erwähnten zwei Schritte folgend wird ein
Trocknungsschritt zum Trocknen der Photomaske durchgeführt.
Gemäß den Reinigungsprozesses wird eine mit einer Cr- oder Mo
Si-Lichtabschirmbeschichtung versehene Photomaske zuerst mit
Schwefelsäure oder einer Mischung aus Schwefelsäure und Was
serstoffperoxid gereinigt, wie oben erwähnt wurde. Bei dem er
sten Prozeß (Fig. 4) kann daher eine unzureichende Leistung
des Spülschrittes S102 dazu führen, daß Sulfationen auf der
Oberfläche der Photomaske verbleiben, wodurch ein mögliches
Problem entwickelt wird, daß Verwaschungen dazu neigen, auf
der Oberfläche der Photomaske aufzutreten. Gemäß dem ersten
Prozeß ist daher die Notwendigkeit aufgetreten, ein großes Maß
von reinem Wasser hoher Temperatur in dem oben beschriebenen
Schritt S102 zum Vermeiden eines solchen Problemes zu benut
zen.
Insbesondere wenn eine Halbtonphotomaske mit einer MoSi-
lichtabschirmenden Beschichtung zu reinigen ist, entwickeln der
erste und der zweite Prozeß ein anderes Problem, das als näch
stes beschrieben wird. Bei einer Halbtonphotomaske sind die
optischen Eigenschaften (Durchlässigkeit und Phasenwinkel) ei
ner lichtabschirmende Beschichtung von hoher Wichtigkeit. Nach
dem Reinigen von Halbtonmasken ist es daher wichtig, deren op
tischen Eigenschaften unverändert zu halten. Schritthaltend
mit der Bewegung zu Maskenmustern von zunehmend geschrumpften
Größen in den letzten Jahren werden die Variationen in den op
tischen Eigenschaften von Halbtonmasken nicht länger ignorier
bar, wobei die Variationen als ein Resultat des Reinigens mit
Schwefelsäure oder Mischung von Schwefelsäure und Wasserstoff
peroxid auftreten (S100 oder S110).
Die vorliegende Erfindung wurde in Hinblick auf die oben be
schriebenen Probleme gemacht. Es ist daher eine Aufgabe der
vorliegenden Erfindung, einen Reinigungsprozeß für eine Photo
maske vorzusehen, der leicht das Verwaschen der Photomaske
verhindern kann und keinen wesentlichen Einfluß auf die opti
schen Eigenschaften der Photomaske ausüben, selbst wenn die
Photomaske eine Halbtonphotomaske ist.
Diese Aufgabe wird gelöst durch einen Reinigungsprozeß nach
Anspruch 1.
Der Reinigungsprozeß für eine Photomaske, die mit einer licht
abschirmenden Beschichtung auf einer Oberfläche eines Glassub
strates versehen ist, weist die folgenden Schritte des Reini
gens der Photomaske mit in Wasser gelöstem O3; Beseitigen der
auf einer Oberfläche der Photomaske anhaftenden Verunreinigun
gen und Trocknen der Photomaske auf.
Bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteran
sprüchen angegeben.
Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben
sich aus der folgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispie
les anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
Fig. 1 ein Flußdiagramm, das die Schritte eines Photomasken
reinigungsprozesses gemäß einer Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 2 eine grafische Darstellung von Meßresultaten, die die
Beziehungen zwischen Kontaktwinkeln von Tröpfchen von
reinem Wasser, das auf die Photomasken getropft wird,
und Reinigungsprozessen zeigt;
Fig. 3 eine grafische Darstellung von Meßresultaten, die Be
ziehungen zwischen optischen Eigenschaften einer Halb
tonphotomaske mit MoSi-Lichtabschirmbeschichtungen und
Reinigungsprozesses darstellt;
Fig. 4 ein Flußdiagramm eines ersten Prozesses zum Reinigen
einer Photomaske; und
Fig. 5 ein Flußdiagramm eines zweiten Prozesses zum Reinigen
einer Photomaske.
Es wird zuerst Bezug genommen auf das Flußdiagramm von Fig. 1,
der Photomaskenreinigungsprozeß gemäß dieser Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung wird beschrieben. Der Reinigungs
prozeß gemäß dieser Ausführungsform dient zum Reinigen einer
Photomaske, die auf einer Oberfläche eines Glassubstrates mit
einer Cr- oder MoSi-Lichtabschirmbeschichtung vorgesehen ist.
Wie in Fig. 1 dargestellt ist, wird gemäß dem Reinigungsprozeß
dieser Ausführungsform ein erster Schritt durchgeführt zum
Reinigen der Photomaske mit in Wasser gelöstem O3-Gas/O3-Gas
lösendem Wasser (S120). Dieser Reinigungsschritt wird durchge
führt zum Beseitigen von organischen Substanzen, die auf der
Oberfläche der Photomaske anhaften, das heißt zum Verbessern
der Benetzbarkeit der Oberfläche der Photomaske.
Unter Benutzung einer alkalischen Chemikalie, genau hydriertem
Wasser, hydriertem Wasser mit einem kleinen Betrag von dazuge
fügtem wässrigen Ammoniak, alkalischem ionisiertem Wasser oder
ähnlichem wird ein anderer Schritt dann ausgeführt zum Reini
gen der Photomaske (S122). Dieser Reinigungsschritt wird
durchgeführt zum Beseitigen von Verunreinigungen, die an der
Oberfläche der Photomaske anhaften.
Schließlich wird ein weiterer Schritt zum Trocknen der Photo
maske durchgeführt, die durch die oben beschriebene Verarbei
tung in S120 und S122 gereinigt worden ist (S124). Durch
Durchführen dieser Schritte kann die Oberfläche der Photomaske
mit der Cr- oder MoSi-Lichtabschirmbeschichtung reingewaschen
werden.
Bei dem oben erwähnten Prozeß der Ausführungsform wurde das
Reinigen der Photomaske in S120 unter Benutzung von O3-Gas lö
sendem Wasser durchgeführt. Es wird jedoch angemerkt, daß bei
der vorliegenden Erfindung die Reinigungslösung zur Benutzung
in diesem Schritt nicht auf O3-Gas lösende Wasser beschränkt
ist. Genauer beschrieben, das Reinigen der Photomaske in S120
kann durchgeführt werden unter Benutzung anstelle von O3-Gas
lösendem Wasser von O3-Gas lösendem Wasser, das sauer durch
die Auflösung von Kohlendioxidgas dargestellt wird, oder von
O3-Gas lösendem Wasser, das sauer durch das Hinzufügen eines
kleinen Betrages von Schwefelsäure dargestellt wird.
Bei dem oben erwähnten Prozeß der Ausführungsform wurde das
Reinigen der Photomaske und der Benutzung von O3-Gas lösendem
Wasser bei Zimmertemperatur durchgeführt. Es ist jedoch zu be
merken, daß bei der vorliegenden Erfindung die Temperatur der
Reinigungslösung nicht auf Zimmertemperatur begrenzt ist. Ge
nauer beschrieben, O3-Gas lösendes Wasser oder saures O3-Gas
lösendes Wasser, das anstelle des O3-Gas lösenden Wassers be
nutzbar ist, kann auf eine Temperatur höher als Zimmertempera
tur aber nicht höher als ungefähr 80°C, bevorzugter um 40°C
erwärmt sein.
Als nächstes wird auf Fig. 2 und 3 Bezug genommen, eine Be
schreibung wird über die vorteilhaften Effekte gegeben, die
aus dem Reinigungsprozeß dieser Ausführungsform erhältlich
sind.
Fig. 2 stellt die Reinigungsniveaus von Photomasken, bevor und
nachdem sie durch eine Mehrzahl von Reinigungsprozessen ein
schließlich des Reinigungsprozesses dieser Ausführungsform ge
reinigt wurden, im Vergleich miteinander dar. In Fig. 2 sind
Kontaktwinkel von reinen Wassertröpfchen, die auf die Oberflä
chen der Photomasken getropft sind, entlang der Ordinate auf
getragen. Wenn der Grad der Verunreinigung einer Photomaske
mit organischen Substanzen niedriger wird, zeigt die Photomas
ke eine bessere Benetzbarkeit mit reinem Wasser, das auf die
Photomaske getropft wird. Folglich nimmt der Kontaktwinkel der
Photomaske einen kleineren Wert an, wenn der Grad der Verun
reinigung der Photomaske mit organischen Substanzen niedriger
wird.
Eine Beschreibung wird hier im folgenden gegeben für die Pro
zeduren eines Experimentes, das zum Erzielen der in Fig. 2 ge
zeigten Resultate durchgeführt wurde. Auf die individuellen
Proben wurde reines Wasser getropft, bevor sie dem Reinigungs
schritt unterworfen wurden. Die Kontaktwinkel des reinen Was
sers, das auf die Proben getropft wurde, wurden als Kontakt
winkel vor der Reinigung gemessen. Nach der Messung der Kon
taktwinkel vor der Reinigung wurden die individuellen Proben
durch die entsprechenden vorbestimmten Reinigungsprozesse ge
reinigt. Nach dem Reinigen wurde reines Wasser wieder auf die
Proben zum Messen der Kontaktwinkel nach der Reinigung ge
tropft.
In Fig. 2 bezeichnen die zwei Resultate, die durch das Zeichen
A bezeichnet sind, die Kontaktwinkel, bevor und nachdem die
oben erwähnten Proben (Photomasken mit Standardverunreinigung)
mit einer Mischung aus Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid
gereinigt wurden. Die zwei Resultate, die durch das Zeichen B
bezeichnet sind, zeigen die Kontaktwinkel, bevor und nachdem
die oben erwähnten Proben mit O3-Gas lösendem Wasser gereinigt
wurden. Die zwei Resultate, die durch das Zeichen C bezeichnet
sind, bezeichnen die Kontaktwinkel, bevor und nachdem eine der
oben erwähnten Proben mit heißem O3-Gas lösendem Wasser, das
auf 40°C erwärmt wurde, gereinigt wurde. Die zwei Resultate,
die durch das Zeichen D bezeichnet sind, zeigen die Kontakt
winkel, bevor und nachdem eine der oben erwähnten Proben mit
O3-Gas lösendem Wasser gereinigt wurden, das sauer bereitet
wurde.
Das O3-Gas lösende Wasser entsprechend dem Zeichen D war O3-Gas
lösendes Wasser mit Kohlendioxidgas, das darin hindurchperlen
gelassen und darin gelöst wurde, so daß der pH des O3-Gas lö
senden Wassers in einem Bereich von 4 bis 5 fiel. Obwohl es
nicht in Fig. 2 gezeigt ist, kann auch die Benutzung von O3-Gas
lösendem Wasser, dessen pH auf 4 bis 5 durch Hinzugeben
eines kleinen Betrages von Schwefelsäure eingestellt wurde,
als Reinigungslösung ähnliche Resultate wie durch das Zeichen
D bezeichnete Resultate erzielen.
Wie aus den in Fig. 2 gezeigten Resultaten ersichtlich ist,
kann die Benutzung von O3-Gas lösendem Wasser zum Reinigen ei
nen Kontaktwinkel gleich dem erzielen, der aus dem Reinigen
mit einer Mischung aus Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid
erreichbar ist. Genauer, das Reinigen mit O3-Gas lösendem Was
ser kann die Benetzbarkeit einer Photomaske zu einem ähnlichen
Ausmaß verbessern, das erzielbar ist aus der Benutzung von
Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid als Reinigungslösung, das
heißt, es kann organische Substanzen auf der Photomaske besei
tigen.
Es wird auch erkannt, daß die Reinigungsfähigkeit von O3-Gas
lösendem Wasser auf im wesentlichen dem gleichen Niveau gehal
ten wird, selbst wenn das O3-Gas lösende Wasser auf eine Tem
peratur höher als Zimmertemperatur aber nicht höher als unge
fähr 80°C erwärmt wird oder wenn das O3-Gas lösende Wasser
schwach sauer dargestellt wird. Die hervorragende Reinigungs
fähigkeit dieser O3-Gas lösenden Wasser wird auch entsprechend
gezeigt, wenn das Reinigen auf Halbtonphotomasken mit MoSi-
Lichtabschirmbeschichtungen angewendet wird.
Wie leicht aus dem Vorangehenden ersichtlich ist, sind alle
Reinigungslösungen, die bei dem Reinigungsprozeß dieser Aus
führungsform verwendbar sind, nämlich O3-Gas lösendes Wasser,
saures O3-Gas lösendes Wasser und erwärmtes O3-Gas lösendes
Wasser alle mit ausreichender Fähigkeit zum Beseitigen von or
ganischen Substanzen ausgestattet, mit anderen Worten mit ei
ner ausreichend verbesserten Fähigkeit der Benetzbarkeit als
Reinigungslösungen für Photomasken mit Cr- oder MoSi-Licht
abschirmbeschichtungen. Ohne die Benutzung von Schwefelsäure
oder einer Mischung aus Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid
kann somit der Reinigungsprozeß dieser Ausführungsform ein
ähnliches Niveau der Reinheit sicherstellen, wie es durch die
Benutzung von Schwefelsäure oder einer Mischung von Schwefel
säure und Wasserstoffperoxid zur Verfügung stand. Das bedeu
tet, daß der Reinigungsprozeß dieser Ausführungsform es mög
lich macht, den Betrag von Chemikalien wie Schwefelsäure oder
einer Mischung von Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid, die
zu benutzen sind, zu verringern, so daß verhindert wird, daß
Sulfationen auf den Oberflächen der Photomasken verbleiben,
und weiter kann deutlich die Spüllösung (reines Wasser) ver
ringert werden, die in großen Mengen bei den Reinigungsprozes
sen von Fig. 4 benutzt werden.
Fig. 3 zeigt Variationen in optischen Eigenschaften von MoSi-
Lichtabschirmbeschichtungen oder Halbtonphotomasken im Ver
gleich mit einander, wenn die Halbtonmasken durch ein Mehrzahl
von Reinigungsprozessen gereinigt wurden einschließlich des
Reinigungsprozesses dieser Ausführungsform. In Fig. 3 sind Va
riationen (%) in der Durchlässigkeit einer jeden MoSi-Licht
abschirmbeschichtung auf der Ordinate aufgetragen (auf der
linken Seite in der Figur), und Variationen (Grad) in dem Pha
senwinkel einer jeden MoSi-Lichtabschirmschicht sind entlang
der Ordinate aufgetragen (auf der rechten Seite in der Figur).
Dagegen stellt die Abzisse in Fig. 3 die Zahl von Reinigungs
zyklen dar.
Eine Beschreibung wird im folgenden über die Prozeduren eines
Experimentes gegeben, das zum Erzielen der in Fig. 3 gezeigten
Resultate durchgeführt wurde. Bei dem Experiment wurden die
Halbtonphotomasken mit MoSi-Abschirmbeschichtungen zuerst als
Proben vorgesehen. Diese Proben wurden wiederholt gereinigt
mit einer Mischung aus Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid,
aus O3-Gas lösendem Wasser und aus O3-Gas lösendem Wasser, das
sauer dargestellt wurde (d. h. O3-Gas lösendem Wasser, dessen
pH auf 4 bis 5 eingestellt wurde durch Durchperlenlassen von
Kohlendioxidgas). Variationen in der Durchlässigkeit und in
dem Phasenwinkel, die in jeder MoSi-Lichtabschirmbeschichtung
nach jeder Reinigungstätigkeit auftraten, wurden gemessen.
In Fig. 3 zeigen die Resultate, die durch offene Quadrate
bezeichnet sind, Variationen in der Durchlässigkeit, die bei
der lichtabschirmenden Beschichtung auftraten, wenn das Reini
gen mit der Mischung aus Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid
durchgeführt wurde. Wie durch die Resultate gezeigt ist, vari
iert die Durchlässigkeit einer MoSi-Lichtabschirmbeschichtung
ziemlich deutlich, wenn die Mischung von Schwefelsäure und
Wasserstoffperoxid als Reinigungslösung benutzt wird. In Fig.
3 zeigen die Resultate, die durch gefüllte Quadrate ∎ gekenn
zeichnet sind, die Variation des Phasenwinkels bei der Reini
gung mit dem Schwefelsäure-Wasserstoffperoxidgemisch.
In Fig. 3 zeigen die Resultate, die durch offene Dreiecke ∆
gekennzeichnet sind, und die Resultate, die durch gefüllte
Dreiecke ▲ gekennzeichnet sind, Variationen der Durchlässig
keit bzw. des Phasenwinkels, die bei der lichtabschirmenden
Beschichtung auftrat, wenn die Reinigung mit O3-Gas lösendem
Wasser durchgeführt wurde. Wie durch die Resultate gezeigt
ist, bleibt die Durchlässigkeit einer MoSi-Lichtabschirm
schicht im wesentlichen ohne Variation selbst bei wiederholter
Reinigung, insoweit als O3-Gas lösendes Wasser als eine Reini
gungslösung benutzt wurde.
In Fig. 3 zeigen die Resultate, die durch offene Kreise ○ ge
kennzeichnet sind, und die Resultate, die durch gefüllte Krei
se ⚫ gekennzeichnet sind, Variationen in der Durchlässigkeit
bzw. dem Phasenwinkel, die auftraten bei der lichtabschirmen
den Beschichtung, wenn die Reinigung durchgeführt wurde unter
Benutzung von O3-Gas lösendes Wasser, das sauer bereitet wur
de. Wie durch die Resultate gezeigt ist, variiert die Durch
lässigkeit einer MoSi-Lichtabschirmschicht nicht sehr durch
wiederholtes Reinigen, selbst wenn saures O3-Gas lösendes Was
ser benutzt wird.
Das O3-Gas lösende Wasser entsprechend den Resultaten, die
durch offene Kreise ○ oder gefüllte Kreise ⚫ bezeichnet sind,
O3-Gas lösendes Wasser, durch das Kohlendioxidgas geperlt und
gelöst wurde, so daß der pH des O3-Gas lösenden Wassers in ei
nem Bereich von 4 bis 5 fiel. Obwohl es nicht in Fig. 3 ge
zeigt ist, kann auch die Benutzung von O3-Gas lösendem Wasser,
dessen pH auf 4 bis 5 durch Hinzufügen eines kleinen Betrages
von Schwefelsäure eingestellt wurde, als Reinigungslösung ähn
liche Resultate erzielen, wie durch das Zeichen D gezeigt ist.
Obwohl es nicht in Fig. 3 gezeigt ist, zeigt selbst die Benut
zung von O3-Gas lösendem Wasser, das auf eine Temperatur höher
als Zimmertemperatur erwärmt worden ist aber nicht höher als
80°C, als Reinigungslösung keine wesentlichen Variationen in
den optischen Eigenschaften (Durchlässigkeit, Phasenwinkel)
einer MoSi-Lichtabschirmbeschichtung.
Wie leicht aus dem Vorangehenden ersichtlich ist, sind die für
den Reinigungsprozeß dieser Erfindung benutzbaren Lösungen,
insbesondere O3-Gas lösendes Wasser, saures O3-Gas lösendes
Wasser und erwärmtes O3-Gas lösendes Wasser Schwefelsäurelö
sungen überlegen beim stabilen Aufrechterhalten der optischen
Eigenschaften der MoSi-Lichtabschirmbeschichtungen. Als Konse
quenz macht der Reinigungsprozeß dieser Ausführungsform es
möglich, Halbtonphotomasken sauber zu waschen, ohne daß Varia
tionen der optischen Eigenschaften der Halbtonphotomasken ver
ursacht werden, obwohl solche Variationen als ungelöste Pro
bleme bei vorhandenen Reinigungsprozessen geblieben sind.
Bei der oben beschriebenen Ausführungsform wurde Kohlendioxid
gas zum Säuern des O3-Gas lösenden Wassers durchgeperlt und
darin gelöst. Es sei jedoch angemerkt, daß das in dem O3-Gas
lösendem Wasser zu lösende Gas zum Säuern desselben nicht auf
Kohlendioxidgas begrenzt ist. Andere Gase können als das in
dem O3-Gas lösendem Wasser zu lösenden Gas benutzt werden, so
weit sie dasselbe nur säuern.
Bei der oben beschriebenen Ausführungsform wurde das O3-Gas
lösende Wasser durch Zugeben eines kleinen Betrages von Schwe
felsäure gesäuert. Es soll jedoch angemerkt werden, daß das
Verfahren zum Säuern des O3-Gas lösenden Wassers nicht auf die
Zugabe von Schwefelsäure begrenzt ist. Zum Beispiel kann das
O3-Gas lösende Wasser sauer gemacht werden, indem ein saurer
Elektrolyt wie Hydrochloridsäure anstelle der Schwefelsäure
hinzugegeben werden.
Bei der oben beschriebenen Ausführungsform wurde keine spezi
elle Angabe gemacht, wie die Reinigungsschritte S120, S122
auszuführen sind. Diese Reinigungsschritte können erzielt wer
den durch Eintauchen von Photomasken in Überströmtanke mit
entsprechenden Reinigungslösungen wie O3-Gas lösendem Wasser
und einer alkalischen Chemikalie, die darin eingefüllt sind.
Noch höhere Reinigungseffekte können erzielt werden, wenn Ul
traschallwellen an die Photomasken durch die Reinigungslösun
gen innerhalb des Überströmtankes angelegt werden.
Die wesentlichen Vorteile der oben beschriebenen Erfindung
können wie folgt zusammengefaßt werden:
Organische Substanzen, die auf der lichtabschirmenden Be schichtung der Photomaske abgeschieden sind, können beseitigt werden, ohne daß Schwefelsäure oder ähnliche Chemikalien be nutzt werden. Daher kann der Reinigungsprozeß sicher verhin dern, daß Sulfationen auf der Oberfläche der Photomaske ver bleiben und weiter kann der Betrag von reinem Wasser verrin gert werden, der zum Spülen der Photomaske nötig ist.
Organische Substanzen, die auf der lichtabschirmenden Be schichtung der Photomaske abgeschieden sind, können beseitigt werden, ohne daß Schwefelsäure oder ähnliche Chemikalien be nutzt werden. Daher kann der Reinigungsprozeß sicher verhin dern, daß Sulfationen auf der Oberfläche der Photomaske ver bleiben und weiter kann der Betrag von reinem Wasser verrin gert werden, der zum Spülen der Photomaske nötig ist.
Es ist möglich, organische Substanzen, die auf der Halbtonpho
tomaske anhaften, zu beseitigen, wobei die Halbtonphotomaske
eine MoSi-Lichtabschirmbeschichtung aufweist, ohne daß die op
tischen Eigenschaften der Halbtonmaske geändert werden.
Die Photomaske kann reingewaschen werden unter Benutzung von
O3-Gas lösendem Wasser, das sauer dargestellt ist.
Ultraschallreinigen kann mit mindestens einem der Reinigungs
schritte kombiniert werden, bei dem das O3-Gas lösende Wasser
(der erste Schritt) benutzt wird, und bei dem Reinigungs
schritt, der zum Beseitigen von Verunreinigung (der zweite
Schritt) gedacht ist. Daher kann eine hohe Reinigungswirksam
keit erzielt werden.
Claims (6)
1. Reinigungsprozeß für eine Photomaske,
die mit einer lichtabschirmenden Beschichtung auf einer
Oberfläche eines Glassubstrates versehen ist,
mit den Schritten:
Reinigen der Photomaske mit Wasser, in dem O3-Gas gelöst ist (S20);
Beseitigen von Verunreinigungen, die auf einer Oberfläche der Photomaske anhaften (S122); und
Trocknen der Photomaske (S124).
Reinigen der Photomaske mit Wasser, in dem O3-Gas gelöst ist (S20);
Beseitigen von Verunreinigungen, die auf einer Oberfläche der Photomaske anhaften (S122); und
Trocknen der Photomaske (S124).
2. Reinigungsprozeß nach Anspruch 1,
bei dem die Photomaske eine Halbtonphotomaske mit einer
MoSi-Lichtabschirmbeschichtung ist.
3. Reinigungsprozeß nach Anspruch 1 oder 2,
bei dem das Wasser, in dem O3-Gas gelöst ist, sauer bereitet
ist.
4. Reinigungsprozeß nach Anspruch 3,
bei dem das Wasser, in dem O3-Gas gelöst ist, durch Hinzu
fügen eines sauren Elektrolyten sauer bereitet ist.
5. Reinigungsprozeß nach Anspruch 3,
bei dem das Wasser, in dem O3-Gas gelöst ist, durch Lösen
eines sauren Gases sauer bereitet ist.
6. Reinigungsprozeß nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
bei dem Ultraschallreinigen in mindestens einem von dem
ersten und dem zweiten Schritt ausgeführt wird.
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