DE102016108656A1 - Leistungselektronische Baugruppe mit vibrationsfreier Kontaktierung - Google Patents

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Ronald Eisele
Frank Osterwald
Holger Ulrich
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Danfoss Silicon Power GmbH
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Abstract

Leistungselektronische Baugruppe mit einem Substrat, einem auf dem Substrat angeordneten Halbleiter, einem auf dem Halbleiter angeordneten, den Halbleiter kontaktierenden Metallkörper und einem den Metallkörper kontaktierenden elektrischen Leiter, dadurch gekennzeichnet, dass der elektrische Leiter mit dem Metallkörper mittels Laserschweißen kontaktiert ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine leistungselektronische Baugruppe mit vibrationsfreier Kontaktierung. Insbesondere betrifft die Erfindung eine leistungselektronische Baugruppe mit einem Substrat, einem auf dem Substrat angeordneten Halbleiter, einem auf dem Halbleiter angeordneten, den Halbleiter kontaktierenden Metallkörper und einem den Metallkörper kontaktierenden elektrischen Leiter.
  • Eine derartige leistungselektronische Baugruppe ist beispielsweise aus der EP 2 766 922 A1 bekannt.
  • Grundsätzlich führen Leistungsbauelemente einen sehr hohen Strom, beispielsweise von 20 bis 250 A, und entfalten dabei eine sehr hohe Stromdichte von etwa 150–200 A/cm2. Moderne Leistungshalbleiter ermöglichen zudem das Schalten mit sehr hohen Frequenzen, welches vor allem in den steilen Schaltflanken des Stromanstiegs beim Einschalten aufgrund der üblicherweise mit parasitären Induktivitäten belegten Leiterbahnführung üblicherweise zu Überspannungen in den Spannungsverläufen führt. Zudem führen die hohen Frequenzanteile in den Schaltflanken teilweise zu einer Stromverdrängung in den Leitern, die als Skin-Effekt bekannt ist.
  • Moderne Leistungsmodule müssen daher durch geeigneten Entwurf und durch hinreichend stromtragfähig ausgelegte Leitungs- und Anschluss-Querschnitte auf die hohe Stromdichte, die Überspannungen und gegebenenfalls den Skin-Effekt Rücksicht nehmen.
  • Insbesondere hinsichtlich der niederinduktiven Kontaktierung von Leistungshalbleitern sind sogenannte planare Aufbau-Technologien durchaus vorteilhaft. Hierfür ist beispielsweise ein Aufbau bekannt, der durch galvanisches Plating auf den Leistungshalbleitern befestigte und von diesen über eine Isolationsschicht geführte Anschlüsse aufweist. Diese Technik ermöglicht sehr niederinduktive Anschlussgeometrien, ist aber hinsichtlich der Stromtragfähigkeit – vor allem auch, wenn der Skin-Effekt auftritt – stark begrenzt. Auch schlägt dieses Verfahren mit hohen Kosten zu Buche, so dass eine Verbreitung dieser Technik bislang ausgeblieben ist.
  • Einen ähnlichen Ansatz verfolgt auch die sogenannte „Embedding-Technik“ von Leistungshalbleitern in Leiterplatten. Auch bei diesem Verfahren werden die oberseitigen Anschlüsse der Halbleiter durch galvanisches Plating ausgeführt. Ähnliche Begrenzungen gelten hier.
  • Beide Verfahren sind erst ab sehr großen Produktionsvolumina wirtschaftlich und sehr kostenintensiv für Design-Änderungen und bei Kleinserien.
  • Die traditionelle Kontaktierung mittels Al-Drahtbonds hingegen gerät bei modernen Leistungsmodulen immer mehr an die Grenze der Stromtragfähigkeit von Al-Drähten. Diese sind bei immer kleineren Halbleitern mit immer höherer Stromdichte nicht mehr in der Lage den Strom zu tragen. Zudem müssen sie, um eine hinreichende thermomechanische Belastbarkeit zu erreichen mit vergleichsweise hohen Loops ausgeführt werden. Eine große Loophöhe wiederum führt zu einer unerwünschten parasitären Induktivität.
  • Ähnliches gilt für die Ribbonkontaktierung mittels Ultraschall-gestützten Bondverfahren:
    Sowohl beim Drahtbonden als auch beim Ribbon-Bonden stellen die Reibschweißkontakte einen „Bottle-neck“ für den Stromfluss dar. Direkt auf die dünne Halbleitermetallisierung gebondete Drähte oder Bändchen können kaum genügend Strom über die dünne Halbleitermetallisierung und die oft zu kleine metallische Kontaktstelle aufnehmen, sodass ein erhöhter Widerstand und eine lokale thermische Überlast die Folge ist.
  • Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Halbleiter-Oberseitenkontaktierung mit möglichst hoher Stromtragfähigkeit zum Schalten mit steilen Anstiegsflanken bereitzustellen.
  • Erfindungsgemäß ist also eine leistungselektronische Baugruppe mit einem Substrat, einem auf dem Substrat angeordneten Halbleiter, einem auf dem Halbleiter angeordneten, den Halbleiter kontaktierenden Metallkörper und einem den Metallkörper kontaktierenden elektrischen Leiter vorgesehen, wobei der elektrische Leiter mit dem Metallkörper mittels Laserschweißen kontaktiert ist.
  • Bevorzugt ist der elektrische Leiter ein Bändchen oder eine Litze, also ein aus dünnen Einzeldrähten bestehender elektrischer Leiter.
  • Besonders bevorzugt besteht der elektrische Leiter aus Aluminium (Al) oder Kupfer (Cu) oder einer überwiegend Aluminium (Al) oder Kupfer (Cu) enthaltenden Legierung oder einem Aluminium (Al) und Kupfer (Cu) enthaltenden Schichtmaterial.
  • Nach einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist der Metallkörper auf dem Halbleiter mittels Sintern kontaktiert.
  • Schließlich ist bevorzugt vorgesehen, dass die Loop-Höhe des elektrischen Leiters wenigstens 0,025 mm und höchstens 1 mm beträgt.
  • Desweiteren wird ein Verfahren zum Herstellen einer leistungselektronischen Baugruppe beansprucht, die ein Substrat, einen auf dem Substrat angeordneten Halbleiter, einen auf dem Halbleiter angeordneten, den Halbleiter kontaktierenden Metallkörper und einen den Metallkörper kontaktierenden elektrischen Leiter aufweist, wobei das Kontaktieren des elektrischen Leiters auf dem Metallkörper mittels Laserschweißen erfolgt.
  • Bevorzugt ist der zur Kontaktierung des Halbleiters verwendete elektrische Leiter ein Bändchen oder eine Litze.
  • Besonders bevorzugt besteht der elektrische Leiter aus Aluminium (Al) oder Kupfer (Al) oder einer überwiegend Aluminium (Al) oder Kupfer (Cu) enthaltenden Legierung oder einem Aluminium (Al) und Kupfer (Cu) enthaltenden Schichtmaterial.
  • Schließlich erfolgt das Kontaktieren des Metallkörpers mit dem Halbleiter durch Sintern.
  • Ein erster Grundgedanke der Erfindung ist es, eine weitestgehend vollflächige Kontaktierung des Leistungshalbleiters mit einem Metallplättchen vorzugsweise aus einem elektrisch und thermisch sehr gut leitfähigen Material wie Kupfer (Cu) zu nutzen, um zunächst eine sehr gute Stromverteilung auf dem Leistungshalbleiter zu ermöglichen und lokale thermische Überlasten des Leistungshalbleiters zu vermeiden. Das Metallplättchen wird mit dem Leistungshalbleiter vorzugsweise durch Sintern mittels Sinterpaste (z. B. Ag-Sinterpaste) verbunden.
  • Anstelle der üblicherweise für die Kontaktierung des Leistungshalbleiters nach außen zu verwendenden Cu-Drähte wird vorzugsweise ein Metallbändchen oder Ribbon (vorzugsweise ebenfalls aus Cu) auf dem Metallplättchen angebracht. Das Metallbändchen wird jedoch nicht wie beim Ribbon-Bonden üblich mit einer hohen Loop gebondet, sondern wird möglichst flach zur zweiten Kontaktstelle geführt, um einen denkbar geringen Beitrag zur parasitären Induktivität zu haben. Bändchen werden üblicherweise für Hochfrequenzkontakte genutzt, um dem Skin-Effekt wirksam zu begegnen.
  • Die flache Loopführung der Bändchen hat in einem Ultraschall-gestützten Bondprozess den Nachteil, dass alleine schon die Ultraschall-Reib-Bewegung spätestens an der zweiten Kontaktstelle durch das wenig elastisch geführte Bändchen unkontrollierbar stark gedämpft wird. Je geringer die Loop-Höhe des Kontaktbändchens umso höher ist seine Steifigkeit und die Neigung, die mechanische Belastung auf die Verbindungsstelle zu konzentrieren. Eine Schweißverbindung unbekannter Güte wäre die Folge.
  • Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht daher darin, die vibrationslose Kontaktierung mittels Laserschweißen zu nutzen, um eine minimale Loop-Höhe für eine minimale, parasitäre Induktivität zu erreichen. Da der Energie-Eintrag durch Laserenergie und nicht durch Ultraschall-induzierte Schwingungen erfolgt, kann die Schweißenergie auf beiden Anschlüssen des flachen Bändchens kontrolliert eingebracht werden, obwohl das Bändchen durch den geringen Loop maximal Steifheit aufweist.
  • Ein weiterer bekannter Nachteil der Ultraschall-gestützten Bondtechnik wird dadurch ebenfalls vermieden: Die Sinterverbindung des Metallplättchens auf dem Leistungshalbleiter wird nicht „losgerüttelt“.
  • Sehr vorteilhaft bei der Laserschweißtechnik für Bändchen ist die Möglichkeit, eine sehr vollflächige Schweißverbindung zu erreichen. Dies ist bei der Ultraschall-gestützten Verbindungstechnik nur mit sehr gut angepasster Werkzeuggeometrie und Prozessführung möglich und wird vor allem auf dem Leistungshalbleiter zu den o. g. Ablösungen der Sinterverbindung führen können.
  • Anstelle eines Bändchens in Form eines Metallstreifens lassen sich sehr vorteilhaft auch Verbindungen durch Litze herstellen. Die Verbindung der Litze mit den Kontaktstellen ist durch Ultraschall-gestützte Verfahren nur unzureichend möglich. Bekannt ist eine Verbindung der Litze durch Löten oder durch Silbersintern (eigenes Patent bzw. Veröffentlichungen). Diesen Verfahren haften jedoch Nachteile bei der Automatisierung der Prozessführung an. Hier ist der Einsatz der Laserschweißtechnik sehr vorteilhaft.
  • Die gewebte Struktur der Litze bietet gegenüber der Vollmaterial-Struktur eines Bändchens den Vorteil der Elastizität unter thermo-mechanischen Belastungen. Die Litze kann sich in der Ebene verformen, hingegen ein Bändchen die Elastizität lediglich aus einer gewissen Dehnungsreserve durch die Loopführung beziehen kann.
  • Die flache Loopführung der laserkontaktierten Bändchen oder Litze stellt allerdings erhöhte Anforderungen an die Isolierung insbesondere von Chipkanten dar. Überschläge sind daher unbedingt zu vermeiden.
  • Eine besonders bevorzugte Methode ist es, die Trägerfolie des oberseitigen Chipkontaktes um den Chip umlaufend überlappen zu lassen. Damit lässt sich eine wirksame Isolierung von den flach geführten Bändern zu den Chipkanten sicher erreichen.
  • Eine andere Methode die erforderliche Isolation zwischen Bändchen und Fremdpotential auf dem überbrückten Halbleiter und Substrat herbeizuführen, ist das Erzeugen einer konturkonformen Isolationsschicht vor dem Laserkontaktieren. Die Isolationsschicht erstreckt sich hierbei von der Kante der Halbleiterkontaktfläche über die Halbleiterkante und der Leiterfläche des Substrates bis zur offenen Kontaktfläche des zweiten laserkontaktierten Bändchen-„Landeplatzes“. Eine beispielhafte Isolationsschicht ist das unter dem Markennamen Parylene® (Markenname Union Carbide) vertriebene Beschichtungsverfahren und -material oder auch Folien aus dem Material Kapton® (Markenname DuPont).
  • Bei sicherer Loopführung der Bändchen ist auch der übliche Silikon-Weichverguss, der nach dem Verschweißen aufgebracht wird, von Leistungsmodulen ausreichend, um die Isolation zu gewährleisten.
  • Grundsätzlich gilt für die Loop-Höhe des laserkontaktierten, niederinduktiven Bändchens, dass die angestrebte, minimale Höhe des Bändchens vom Fremdpotential durch die Isolationsfestigkeit des Volumens unterhalb des Bändchens bestimmt wird. So gestattet insbesondere die Beschichtung mit dem Material Parylene® eine geringe Schichtdicke (je nach Isolationsanforderung der Anwendung) und damit eine niedrige, niederinduktive Loop-Gestaltung.
  • Beispielsweise ist die elektrische Durchbruchfestigkeit von Parylene N® höher als 200V/µm Schichtdicke. Für einen Halbleiter mit einer Sperrfähigkeit von z.B. 1200 V ist also mit einer Schichtdicke von 6 µm und besonders bevorzugt zusätzlich eines Sicherheitsaufschlages von Faktor 2–5 (entspricht ca. 30 µm) eine Loop-Höhe von wenigen 10 µm erreichbar (ab ca. 25 µm). Diese geringe Loop-Höhe gestattet die Erreichung sehr geringer parasitärer Induktivitäten für jedes laserkontaktierte Bändchen über einer Parylene®-Isolationsschicht.
  • Ähnliche Isolationsfestigkeiten und damit vergleichbare Loophöhen sind auch mit Kapton® (Polyimid) als Folie erreichbar (> 200 V/µm Foliendicke ab 25 µm).
  • Die Erfindung wird im Folgenden anhand von in den beigefügten Zeichnungen dargestellten, besonders bevorzugt ausgestalteten Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 den schematischen Aufbau einer besonders bevorzugt ausgestalteten leistungselektronischen Baugruppe nach der Erfindung; und
  • 2 ein Flussdiagramm für den Verfahrensablauf zur Herstellung der leistungselektronischen Baugruppe aus 1.
  • 1 zeigt den schematischen Aufbau einer besonders bevorzugt ausgestalteten leistungselektronischen Baugruppe nach der Erfindung.
  • Insbesondere zeigt 1 eine leistungselektronische Baugruppe 10 mit einem Substrat 20, einem auf dem Substrat 20 angeordneten Halbleiter 30, einem auf dem Halbleiter 30 angeordneten, den Halbleiter 30 kontaktierenden Metallkörper 40 und einem den Metallkörper 40 kontaktierenden elektrischen Leiter 50. Erfindungsgemäß ist der elektrische Leiter 50 mit dem Metallkörper 40 mittels Laserschweißen kontaktiert. Ebenso ist der elektrische Leiter 50 mit dem nicht weiter identifizierten Substratanschluss mittels Laserschweißen kontaktiert.
  • Der dargestellte elektrische Leiter 50 ist bevorzugt als Bändchen oder als Litze ausgebildet und besteht besonders bevorzugt aus Aluminium (Al) oder Kupfer (Cu) oder einer überwiegend Aluminium (Al) oder Kupfer (Cu) enthaltenden Legierung oder einem Aluminium (Al) und Kupfer (Cu) enthaltenden Schichtmaterial.
  • Wie in 1 angedeutet ist der Metallkörper 40 auf dem Halbleiter 30 mittels Sintern kontaktiert.
  • Auffällig ist auch der flache Aufbau der in 1 dargestellten leistungselektronischen Baugruppe 10, der insbesondere dadurch erreicht wird, dass die Loop-Höhe LH des elektrischen Leiters 50 wenigstens 0,025 mm, höchstens aber 1 mm beträgt. Der elektrische Leiter 50 weist daher eine im Wesentlichen gestreckte Konformation auf.
  • Die flache Loopführung des elektrischen Leiters 50 erfordert eine Isolierung gegenüber dem Halbleiter 30, die in 1 durch die zwischen Halbleiter 30 und elektrischem Leiter 50 angeordnete Isolationsschicht 60 bewirkt wird.
  • 2 zeigt ein Flussdiagramm für den Verfahrensablauf zur Herstellung der leistungselektronischen Baugruppe aus 1.
  • In einem ersten Schritt 100 wird der Halbleiter 30 auf dem Substrat 20 angeordnet. Zugleich kann in diesem Schritt bereits eine Befestigung des Halbleiters 30 auf dem Substrat erfolgen.
  • In einem zweiten Schritt 110 wird der Metallkörper 40 auf dem Halbleiter 30 angeordnet und zugleich ein elektrischer Kontakt zwischen Halbleiter 30 und Metallkörper 40 hergestellt. In diesem Schritt kann zugleich eine Befestigung des Metallkörpers 40 mit dem Halbleiter 30 und eine Befestigung des Halbleiters 30 auf dem Substrat erfolgen, soweit letztere noch nicht in Schritt 100 vorgenommen worden ist.
  • In Schritt 120 wird – wie oben bereits erwähnt – die freie Oberfläche des Halbleiters 30 mit einer Isolationsschicht 60, beispielsweise aus Parylene oder Kapton oder einem anderen Material, abgedeckt.
  • Schließlich wird in Schritt 130 der Metallkörper 40 mit dem elektrischen Leiter 50 mittels Laserschweißen kontaktiert.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • EP 2766922 A1 [0002]

Claims (9)

  1. Leistungselektronische Baugruppe mit einem Substrat, einem auf dem Substrat angeordneten Halbleiter, einem auf dem Halbleiter angeordneten, den Halbleiter kontaktierenden Metallkörper und einem den Metallkörper kontaktierenden elektrischen Leiter, dadurch gekennzeichnet, dass der elektrische Leiter mit dem Metallkörper mittels Laserschweißen kontaktiert ist.
  2. Leistungselektronische Baugruppe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der elektrische Leiter ein Bändchen oder eine Litze ist.
  3. Leistungselektronische Baugruppe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der elektrische Leiter aus Aluminium (Al) oder Kupfer (Cu) oder einer überwiegend Aluminium (Al) oder Kupfer (Cu) enthaltenden Legierung oder einem Aluminium (Al) und Kupfer (Cu) enthaltenden Schichtmaterial besteht.
  4. Leistungselektronische Baugruppe (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Metallkörper auf dem Halbleiter mittels Sintern kontaktiert ist.
  5. Leistungselektronische Baugruppe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Loop-Höhe des elektrischen Leiters wenigstens 0,025 mm und höchstens 1 mm beträgt.
  6. Verfahren zum Herstellen einer leistungselektronischen Baugruppe mit einem Substrat, einem auf dem Substrat angeordneten Halbleiter, einem auf dem Halbleiter angeordneten, den Halbleiter kontaktierenden Metallkörper und einem den Metallkörper kontaktierenden elektrischen Leiter, dadurch gekennzeichnet, dass das Kontaktieren des elektrischen Leiters auf dem Metallkörper mittels Laserschweißen erfolgt.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der elektrische Leiter ein Bändchen oder eine Litze ist.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 und 7, dadurch gekennzeichnet, dass der elektrische Leiter aus Aluminium (Al) oder Kupfer (Al) oder einer überwiegend Aluminium (Al) oder Kupfer (Cu) enthaltenden Legierung oder einem Aluminium (Al) und Kupfer (Cu) enthaltenden Schichtmaterial besteht.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Kontaktieren des Metallkörpers mit dem Halbleiter durch Sintern erfolgt.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019115573A1 (de) * 2019-06-07 2020-12-10 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Schalteinrichtung und Verfahren zur Herstellung
DE102022206267A1 (de) 2022-06-22 2023-12-28 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Kontaktsystem mit einem Leistungshalbleiter und einem Verbindungselement
DE102018217231B4 (de) 2017-10-24 2024-01-25 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Fertigung derselben

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019211070B3 (de) * 2019-07-25 2020-12-10 Robert Bosch Gmbh Fertigungsverfahren zum Verschweißen eines Kupferleiters mit einem Werkstück, Werkstück und Fahrzeug
CN113664370A (zh) * 2021-08-20 2021-11-19 吉林大学 一种钢制车轮轮辋超声辅助激光焊接方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090008775A1 (en) * 2007-07-05 2009-01-08 Nec Electronics Corporation Semiconductor device with welded leads and method of manufacturing the same
EP2144284A1 (de) * 2008-07-11 2010-01-13 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Herstellen eines Anschlusskontaktes an einem Halbleiterbauelement für die Leistungselektronik und elektronisches Bauteil mit einem auf diese Weise an einem Halblei-terbauelement hergestellten Anschlusskontakt
DE102011115887A1 (de) * 2011-10-15 2013-04-18 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungshalbleiterchip mit oberseitigen Potentialflächen
DE102012222791A1 (de) * 2012-12-11 2014-06-12 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleiters und Halbleiterbauelement mit erhöhter Stabilität gegenüber thermomechanischen Einflüssen

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004319740A (ja) * 2003-04-16 2004-11-11 Fuji Electric Holdings Co Ltd パワー半導体装置およびその製造方法
JP4976688B2 (ja) * 2005-12-15 2012-07-18 富士電機株式会社 ヒートスプレッダと金属板との接合方法
JP4858238B2 (ja) * 2007-03-05 2012-01-18 富士電機株式会社 レーザ溶接部材およびそれを用いた半導体装置
JP5702937B2 (ja) * 2010-03-12 2015-04-15 株式会社日立製作所 半導体装置
JP2016063179A (ja) * 2014-09-22 2016-04-25 カルソニックカンセイ株式会社 ビームリードおよび半導体装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090008775A1 (en) * 2007-07-05 2009-01-08 Nec Electronics Corporation Semiconductor device with welded leads and method of manufacturing the same
EP2144284A1 (de) * 2008-07-11 2010-01-13 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Herstellen eines Anschlusskontaktes an einem Halbleiterbauelement für die Leistungselektronik und elektronisches Bauteil mit einem auf diese Weise an einem Halblei-terbauelement hergestellten Anschlusskontakt
DE102011115887A1 (de) * 2011-10-15 2013-04-18 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungshalbleiterchip mit oberseitigen Potentialflächen
EP2766922A1 (de) 2011-10-15 2014-08-20 Danfoss Silicon Power GmbH Leistungshalbleiterchip mit metallischen formkörpern zum kontaktieren mit dickdrähten oder bändchen sowie verfahren zu dessen herstellung
DE102012222791A1 (de) * 2012-12-11 2014-06-12 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleiters und Halbleiterbauelement mit erhöhter Stabilität gegenüber thermomechanischen Einflüssen

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018217231B4 (de) 2017-10-24 2024-01-25 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Fertigung derselben
DE102019115573A1 (de) * 2019-06-07 2020-12-10 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Schalteinrichtung und Verfahren zur Herstellung
DE102019115573B4 (de) 2019-06-07 2021-12-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Schalteinrichtung und Verfahren zur Herstellung
DE102022206267A1 (de) 2022-06-22 2023-12-28 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Kontaktsystem mit einem Leistungshalbleiter und einem Verbindungselement

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