DE102011078060A1 - Vorrichtung zur Bestimmung oder Überwachung des Füllstandes eines Füllguts in einem Behälter - Google Patents
Vorrichtung zur Bestimmung oder Überwachung des Füllstandes eines Füllguts in einem Behälter Download PDFInfo
- Publication number
- DE102011078060A1 DE102011078060A1 DE102011078060A DE102011078060A DE102011078060A1 DE 102011078060 A1 DE102011078060 A1 DE 102011078060A1 DE 102011078060 A DE102011078060 A DE 102011078060A DE 102011078060 A DE102011078060 A DE 102011078060A DE 102011078060 A1 DE102011078060 A1 DE 102011078060A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- frequency
- transistor
- oscillator
- branch
- signals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005293 physical law Methods 0.000 description 1
- 230000000541 pulsatile effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F23/00—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
- G01F23/22—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water
- G01F23/28—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring the variations of parameters of electromagnetic or acoustic waves applied directly to the liquid or fluent solid material
- G01F23/284—Electromagnetic waves
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F23/00—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
- G01F23/22—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water
- G01F23/28—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring the variations of parameters of electromagnetic or acoustic waves applied directly to the liquid or fluent solid material
- G01F23/296—Acoustic waves
- G01F23/2962—Measuring transit time of reflected waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1228—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more field effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1852—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/0002—Types of oscillators
- H03B2200/0006—Clapp oscillator
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
Description
- Die Erfindung betrifft ein Füllstandsmessgerät bzw. eine Vorrichtung zur Bestimmung oder Überwachung des Füllstandes eines Füllguts in einem Behälter mit einem hochfrequente Messsignale erzeugenden Hochfrequenzoszillator, mit einer Ein-/Auskoppeleinheit, mit einer Antenne, wobei die Antenne die hochfrequenten Messsignale in Richtung der Oberfläche des Füllguts aussendet und die an der Oberfläche des Füllguts reflektierten Messsignale empfängt, und mit einer Auswerteschaltung, die anhand der Laufzeitdifferenz der ausgesendeten Messsignale und der reflektierten hochfrequenten Messsignale den Füllstand in dem Behälter ermittelt. Weiterhin bezieht sich die Erfindung auf einen Hochfrequenzoszillator, der insbesondere bei einer Vorrichtung zur Bestimmung oder Überwachung des Füllstandes eines Füllguts in einem Behälter verwendbar ist.
- Bekannte Füllstandsmessgeräte bestimmen den Füllstand nach einem Laufzeitdifferenzverfahren. Laufzeitdifferenzverfahren nutzen die physikalische Gesetzmäßigkeit aus, wonach die Laufstrecke gleich dem Produkt aus Laufzeit und Ausbreitungsgeschwindigkeit ist. Im Falle der Füllstandsmessung entspricht die Laufstrecke dem doppelten Abstand zwischen Antenne und Oberfläche des Füllguts. Das Nutzechosignal, also das an der Oberfläche des Füllguts reflektierte Messsignal, und dessen Laufzeit werden anhand der sog. Echokurve bzw. der digitalisierten Hüllkurve bestimmt, wobei die Hüllkurve die Amplituden der Echosignale als Funktion des Abstandes ’Antenne – Oberfläche des Füllguts’ wiedergibt. Der Füllstand selbst ergibt sich dann aus der Differenz zwischen dem bekannten Abstand der Antenne zum Boden des Behälters und dem durch die Messung bestimmten Abstand der Oberfläche des Füllguts zur Antenne. Füllstandsmessgeräte werden in Behältern mit einer Höhe bis zu 30 m eingesetzt.
- Es können alle bekannten Verfahren angewendet werden, die es ermöglichen, verhältnismäßig kurze Entfernungen mittels reflektierter Messsignale zu bestimmen. Handelt es sich bei den Messsignalen um Mikrowellen bzw. hochfrequente Messsignale, so kann sowohl das Pulsradar- als auch das Frequenzmodulations-Dauerstrichradar (FMCW-Radar) zum Einsatz kommen. Mikrowellenmessgeräte, die Pulsradar verwenden, werden von der Anmelderin unter der Bezeichnung ’MICROPILOT’ angeboten und vertrieben. Die von den bekannten Mikrowellen-Füllstandsmessgeräten verwendeten Frequenzen liegen beispielsweise bei 6 GHz, 26 GHz oder 76 GHz. Schematisch ist eine Vorrichtung zur Bestimmung des Füllstands in einem Behälter in
1 dargestellt. Eine Beschreibung der1 findet sich in der Figurenbeschreibung. - Eine wesentliche Komponente eines Mikrowellen-Füllstandsmessgeräts ist das Hochfrequenzmodul. Das Hochfrequenzmodul umfasst einen Hochfrequenzoszillator, der die Mikrowellen-Messsignale erzeugt, und eine Sende-/Empfangsweiche, die das Aussenden der Mikrowellen-Messsignale bzw. das Empfangen der reflektierten Mikrowellen-Messsignale regelt.
- Ein bekanntes Verfahren zur Erzeugung von hochfrequenten Messsignalen schlägt vor, einem Hochfrequenzoszillator eine gepulste Versorgungsspannung zuzuführen. Ein für die Anwendung in der Füllstandsmesstechnik geeigneter Oszillator weist bevorzugt eine relativ geringe Güte und eine hohe Ausgangsleistung auf. Die geringe Güte ist notwendig, um innerhalb einer sehr kurzen Zeitspanne ein möglichst schnelles Einschwingen bis zur Maximalamplitude und ein sauberes Abschwingen des Oszillators zu erreichen. Die Güte eines Oszillators bezeichnet hierbei die Zeitspanne für ein Ein- oder Abschwingen eines Oszillators als Vielfaches der Schwingungszeit. Eine relativ hohe Ausgangsleistung ist notwendig, um über einen Bereich von mindestens 30 m verlässliche Füllstandsmessungen sicherzustellen.
- Die Schaltungsanordnung eines Oszillators besteht im Wesentlichen aus einem aktiven Bauelement, das eine Schwingung erzeugt, und einer als Rückkopplung ausgestalteten Beschaltung, über die das gewünschte Schwingungsverhalten eingestellt wird. Bekannte Oszillatoren arbeiten sowohl im Bereich niedriger als auch im Bereich hoher Frequenzen bevorzugt nach dem Colpitts-, Hartley- oder Clapp-Prinzip. Kommt bei einem Oszillator mit einstellbarer Frequenz als aktives Bauelement ein Feldeffekttransistor zum Einsatz, so werden bei den bekannten Schaltungsanordnungen die Schwingungsfrequenz und der einstellbare Bereich im Wesentlichen durch die Beschaltung des Gates des Feldeffekttransistors bestimmt. Hierbei wird das veränderliche Bauelement, bei dem es sich beispielsweise um eine einstellbare Kapazität handelt, in die Beschaltung des Gates eingebracht. Üblicherweise handelt es sich bei der einstellbaren Kapazität um eine Kapazitätsdiode. Die Schaltungsanordnung eines Clapp-Oszillators ist in
2 dargestellt. Eine Beschreibung des Schaltbildes findet sich in der Figurenbeschreibung. - Die bekannten Oszillatorprinzipien eignen sich sehr gut, um im Bereich niedriger Frequenzen einen breiten Abstimmbereich zu erhalten. Unter niedrige Frequenzen wird hier insbesondere der Frequenzbereich unterhalb von einem GHz verstanden. Parasitäre Effekte der Bauelemente, insbesondere zusätzliche Kapazitäten und Induktivitäten, führen jedoch bei Frequenzen, die über bzw. weit über einem GHz liegen, zu einem immer kleiner werdenden Abstimmbereich. Der Abstimmbereich bezeichnet übrigens den Bereich, in welchem die Frequenz eingestellt werden kann. Um die Abstimmbereiche von Oszillatoren verschiedener Frequenzbereiche zu vergleichen, wird der relative Abstimmbereich verglichen. Dieser ergibt sich aus dem Verhältnis von (absolutem) Abstimmbereich und Mittenfrequenz, wobei die Mittenfrequenz in der Mitte zwischen der unteren und oberen Grenzfrequenz liegt. Der absolute Abstimmbereich ergibt sich aus der Differenz der oberen und unteren maximal einstellbaren Grenzfrequenz. Der Abstimmbereich ist ein zusammenhängender, ununterbrochener Frequenzbereich.
- Mit den bekannten frequenzeinstellbaren Oszillatoren mit Kapazitätsdioden lassen sich theoretisch Abstimmbereiche von bis zu 10% der Mittenfrequenz bzw. der Resonanzfrequenz erreichen. Allerdings ist ein Abstimmbereich von mehr als 5% technisch sehr aufwändig zu realisieren. Zudem treten auch weitere Nachteile auf. Ein wesentlicher Nachteil ist eine Verringerung der Ausgangsleistung über den gesamten Abstimmbereich.
- Wird ein Hochfrequenzoszillator in einem Füllstandsmessgerät eingesetzt, so steht üblicherweise eine relativ niedrige Spannung zur Verfügung. Nur unter dieser Voraussetzung ist es möglich, das Füllstandsmessgerät in einem explosionsgefährdeten Bereich einzusetzen. Durch diese Randbedingung wird der verwendbare Kapazitätsbereich der Kapazitätsdiode weiter eingeschränkt. Die Folge hiervon ist ein weiter eingeschränkter nutzbarer Einstellbereich der Kapazitätsdiode.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Füllstandsmessgerät vorzuschlagen, das sich durch einen Hochfrequenzoszillator mit einem relativ großen nutzbaren Abstimmbereich auszeichnet.
- Die Aufgabe wird dadurch gelöst, dass dem Hochfrequenzoszillator ein Transistor mit Sourcezweig, Drainzweig und Gatezweig, zumindest eine frequenzeinstellende Komponente und zumindest eine frequenzbestimmende Komponente zugeordnet sind, wobei die frequenzbestimmende Komponente des Hochfrequenzoszillators im Sourcezweig des Transistors angeordnet ist.
- Eine vorteilhafte Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung sieht vor, dass das Hochfrequenzmodul so ausgelegt ist, dass es breitbandige Hochfrequenzpulse erzeugt. Alternativ wird vorgeschlagen, dass das Hochfrequenzmodul so ausgelegt ist, dass es FMCW Signale bzw. frequenzmodulierte Dauerstrich-Signale erzeugt.
- Bevorzugt handelt es sich bei dem Transistor um einen Feldeffekttransistor oder um einen bipolaren Transistor. Eine vorteilhafte Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung sieht vor, dass die frequenzeinstellende Komponente im Gatezweig angeordnet ist. Bevorzugt handelt es sich bei der frequenzeinstellenden Komponente um eine Induktivität, die mit einer parasitären Kapazität des Transistors zusammenwirkt.
- Wie bereits gesagt, ist die frequenzbestimmende Komponente erfindungsgemäß im Sourcezweig des Transistors angeordnet. Bevorzugt handelt es sich bei der frequenzbestimmenden Komponente um einen kapazitiven Spannungsteiler. Der kapazitive Spannungsteiler besteht in vorteilhafter Weise aus einer in dem Transistor vorhandenen parasitären Kapazität oder aus einer außerhalb des Transistors angeordneten ersten Kapazität und einer Reihenschaltung, die sich aus einer zweiten Kapazität und einer dritten Kapazität zusammensetzt. Als günstig wird es angesehen, wenn als dritte Kapazität eine Varaktordiode eingesetzt wird.
- Darüber hinaus sieht eine vorteilhafte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung vor, dass parallel zur Reihenschaltung aus zweiter und dritter Kapazität, insbesondere zur Varaktordiode, ein Widerstand geschaltet ist, über den der Arbeitspunkt des Transistors einstellbar ist.
- Gemäß einer einfachen und kostengünstigen Ausgestaltung ist der Hochfrequenzoszillator in Mikrostreifenleitungstechnik ausgeführt. Die Ausgestaltung zeichnet sich durch eine einfache Fertigbarkeit aus.
- Die Erfindung wird anhand der nachfolgenden Figuren näher erläutert. Es zeigt:
-
1 : eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Bestimmung des Füllstands eines Füllguts in einem Behälter, -
2 : ein Schaltbild eines aus dem Stand der Technik bekannt gewordenen Clapp-Oszillators, -
3 : ein Schaltbild einer vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Hochfrequenzoszillators, -
4 : eine Darstellung des in3 gezeigten Hochfrequenzoszillators, umgesetzt in Mikrostreifenleitungstechnik mit diskreten Bauelementen und -
5 : eine alternative Darstellung des in4 gezeigten Aufbaus des Hochfrequenzoszillators in Mikrostreifenleitungstechnik mit diskreten Bauelementen. -
1 zeigt eine schematische Darstellung eines Füllstandsmessgeräts6 , bei der der erfindungsgemäße Hochfrequenzoszillator32 bevorzugt zum Einsatz kommt. In dem Behälter1 ist das Füllgut2 gelagert Der Füllstand des Füllguts2 in dem Behälter1 wird mittels des Füllstandsmessgeräts6 über ein Laufzeitdifferenzverfahren ermittelt. Im gezeigten Fall ist die Antenneneinheit10 mit Signalerzeugungs-, Sende- und Empfangseinheit räumlich von der Regel-/Auswerteeinheit9 abgesetzt. Der Datenaustausch und die Stromversorgung zwischen dem die Signale erzeugenden Hochfrequenzmodul – in der1 nicht gesondert dargestellt – und der Sensorelektronik9 erfolgt über die Verbindungsleitungen7 ,8 . Es versteht sich von selbst, dass in Verbindung mit der vorliegenden Erfindung als Füllstandsmessgerät6 auch ein Kompaktgerät eingesetzt werden kann. - Die Antenneneinheit
10 ist in der Öffnung5 im Deckel4 des Behälters1 montiert ist. Über die Antenneneinheit10 werden Messsignale Tx, insbesondere Mikrowellen, in Richtung der Oberflächennormalen des Füllguts2 abgestrahlt. Die reflektierten Echosignale Rx werden in der Antenneneinheit10 empfangen. Anhand der Laufzeitdifferenz der Messsignale Tx/Echosignale Rx ermittelt die Regel-/Auswerteeinheit9 u. a. den aktuellen Füllstand des Füllguts2 in dem Behälter1 . - In
2 ist die Schaltungsanordnung eines aus dem Stand der Technik bekannt gewordenen Clapp-Oszillators dargestellt. Über den Anschluss11 des Clapp-Oszillators erfolgt sowohl die Stromversorgung als auch die Abnahme des erzeugten Schwingungssignals. Der Clapp-Oszillator besteht im Wesentlichen aus einem aktiven Bauelement, hier einem Feldeffekttransistor12 , und einer Rückkopplungsschaltung. Über die Rückkopplung wird ein gewünschtes Schwingungsverhalten des Oszillators erreicht. - Bei dem Clapp-Oszillator werden die Frequenz und der Abstimmbereich im Wesentlichen über die Beschaltung des Gatezweiges G des Feldeffekttransistors
12 eingestellt. Der frequenzbestimmende Schwingkreis besteht aus der Induktivität14 und den drei Kondensatoren15 ,15.1 ,15.2 . Die beiden Kondensatoren15.1 ,15.2 bilden einen Spannungsteiler, an dem ein Teil der Schwingkreisspannung auf die Source rückgekoppelt wird. Über die Dimensionierung des Spannungsteilers lässt sich maßgeblich die Ausgangsleistung des Oszillators bestimmen. - Als frequenzeinstellende Komponente kommt eine einstellbare Kapazität
15 zum Einsatz. Bei der einstellbaren Kapazität15 handelt es sich üblicherweise um eine Kapazitätsdiode. Über den Widerstand13 wird der Arbeitspunkt des Feldeffekttransistors12 eingestellt. Aufgrund hoher Toleranzen werden für einstellbare Hochfrequenzoszillatoren Oszillatorprinzipien mit nur einer Kapazitätsdiode bevorzugt. Als Reflexionsresonator bestimmt die Beschaltung des Gatezweigs G maßgeblich die Ausgangsfrequenz des Hochfrequenzoszillators, weshalb die Kapazitätsdiode15 in die Beschaltung des Gatezweigs G eingefügt ist. -
3 zeigt ein Schaltbild einer vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Hochfrequenzoszillators32 . Bevorzugt wird der Hochfrequenzoszillator32 in dem in1 dargestellten Füllstandsmessgerät6 eingesetzt. Allerdings ist es auch möglich, den erfindungsgemäßen Hochfrequenzoszillator z. B. in Verbindung mit einem Kommunikationsgerät einzusetzen. - Erfindungsgemäß umfasst der Hochfrequenzoszillator einen Transistor
25 mit Sourcezweig S, Drainzweig D und Gatezweig G als aktives Bauelement, eine frequenzeinstellende Komponente18 und eine frequenzbestimmende Komponente17 auf. Im Gegensatz zum bekannten Stand der Technik findet sich die frequenzbestimmende Komponente17 des Hochfrequenzoszillators32 nicht im Gatezweig G, sondern im Sourcezweig S des Transistors25 . Bei der in3 gezeigten Schaltung ist als Transistor25 ein Feldeffekttransistor eingesetzt. Es versteht sich von selbst, dass es sich bei dem Transistor25 auch um einen bipolaren Transistor handeln kann. Bei den einzelnen Zweigen wird dann korrekt von einem Basis-, Emitter- und Kollektorzweig gesprochen. - Der erfindungsgemäße spannungsgesteuerte Hochfrequenzoszillator
32 ist so ausgelegt, dass er breitbandige Hochfrequenzpulse erzeugt. Alternativ ist der Hochfrequenzoszillator so ausgelegt, dass er FMCW Signale bzw. frequenzmodulierte Dauerstrich-Signale erzeugt. Dies ist problemlos möglich, da ein pulsbarer Hochfrequenzoszillator nichts anderes als einen Sonderfall eines Dauerstrich-Hochfrequenzoszillators darstellt. Ebenso können von dem Hochfrequenzoszillator32 auch sog. Chirp-Signale erzeugt werden. - Im Drainzweig (D) ist eine Leitung
27 mit definierter Laufzeit vorgesehen. An diese Leitung27 angesetzt, finden sich zwei Filter22 ,23 , wobei das Filter22 als Tiefpass oder Bandsperre ausgebildet ist, während es sich bei dem Filter23 um einen Bandpass oder um einen Hochpass handelt. Der Tiefpass22 bzw. die Bandsperre22 unterdrückt Signalanteile des hochfrequenten Ausgangssignals am Anschluss20 für die Spannungsversorgung. Hierdurch wird sichergestellt, dass beim Betreiben des Hochfrequenzoszillators32 als Pulsoszillator alle Signalanteile der Hochfrequenzpulse nach dem Anschluss28 durchgelassen werden. Vor den Hochfrequenzausgang28 ist der Bandpass23 bzw. der Hochpass23 geschaltet. Der Bandpass23 bzw. der Hochpass23 stellt für die Frequenzanteile der Spannungsversorgung20 , inklusive der Gleichspannungsanteile im Dauerbetrieb, eine unüberwindliche Sperre dar. - Während die frequenzbestimmende Komponente
17 im Sourcezweig S angeordnet ist, ist die frequenzeinstellende Komponente18 im Gatezweig G angeordnet. Bei der frequenzeinstellenden Komponente18 handelt es sich im gezeigten Fall um eine Induktivität21 , die mit der parasitären Kapazität24 des Transistors12 zusammenwirkt. Dieser Aufbau ist somit sehr einfach. Außerdem zeigt sich bei der erfindungsgemäßen Gatebeschaltung ein deutlich kleinerer Einfluss auf die Ausgangsfrequenz, als dies bei den aus dem Stand der Technik bekannten Lösungen der Falle ist. - Bei der frequenzbestimmenden Komponente
17 handelt es sich um einen kapazitiven Spannungsteiler16 , der sich bevorzugt aus einer in dem Transistor25 vorhandenen parasitären Kapazität24 und einer Reihenschaltung, bestehend aus der zweiten Kapazität26 und der dritten Kapazität19 , zusammensetzt. Bei der dritten Kapazität19 handelt es sich bevorzugt um eine Varaktordiode. In Abhängigkeit von dem Transistortyp kann die parasitäre Kapazität24 auch außerhalb des Transistors25 angeordnet sein. Bei der in3 gezeigten Ausgestaltung stellt die parasitäre Kapazität24 übrigens die größte aller parasitären Kapazitäten des Transistors25 und des Transistorgehäuses dar. - Der kapazitive Spannungsteiler
16 bestimmt maßgeblich die Ausgangsfrequenz und den Abstimmbereich des Hochfrequenzoszillators32 . Die Kapazität26 dient zudem als Trennung der Steuerspannung der Kapazitäts- bzw. Varaktordiode19 von der Einstellung des Arbeitspunkts des Transistors25 durch den Widerstand29 . - Der Widerstand
30 , der dem Eingang33 des Steuersignals (Spannung zur Einstellung der Frequenz) nachgeschaltet ist, hat einen deutlich größeren Wert als der Wellenwiderstand für die Hochfrequenzsignale. Daher wirkt der Widerstand30 für die Hochfrequenzsignale annähernd als Isolator. Hingegen tritt für die niederfrequente Abstimmspannung aufgrund des hohen Innenwiderstands der Kapazitätsdiode19 in Sperrrichtung nur ein sehr kleiner Spannungsabfall am Widerstand30 auf. - Bei den bekannten spannungsgesteuerten Hochfrequenzoszillatoren mit nur einer Kapazitätsdiode erhöht sich mit steigender Steuerspannung die Ausgangsfrequenz. Als vorteilhaft ist in Verbindung mit der erfindungsgemäßen Lösung anzusehen, dass bei entsprechend angepasster Dimensionierung der Bauelemente eine zunehmende Frequenzabsenkung mit steigender Steuerspannung erreicht werden kann.
- Da die Kapazitätsdiode
19 in der Sourcebeschaltung angeordnet ist, besteht eine leichte Abhängigkeit zwischen der Ausgangsfrequenz und der Ausgangsleistung. Diese Abhängigkeit lässt sich durch ein angepasstes Filter23 oder ein zusätzliches in der3 nicht gesondert dargestelltes Filter kompensieren. - Mit dem in
3 dargestellten Oszillatorprinzip lässt sich technisch ein Abstimmbereich von mehr als 10% der Mittenfrequenz erreichen. - Die Figuren
4 und5 zeigen jeweils eine Darstellung des in3 gezeigten Hochfrequenzoszillators, umgesetzt in Mikrostreifenleitungstechnik mit diskreten Bauelementen. Im C-Band wird die Bandsperre22 aus3 durch eine hochohmige Mikrostreifenleitung mit einem Radialstub37 realisiert, der Bandpass durch einen diskreten Kondensator41 und die Leitung mit definierter Laufzeit27 durch ein Stück Mikrostreifenleitung38 . Der Feldeffekt-transistor25 mit einem Teil des kapazitiven Spannungsteilers, die Varaktordiode44 , die Kapazität42 und die Widerstände40 ,43 werden als diskrete Bauelemente ausgeführt. Die Induktivität der Gatebeschaltung des Transistors25 ist durch die Mikrostreifenleitung46 und drei Durchkontaktierungen36 realisiert. Technisch bedingt tritt eine weitere Laufzeit39 zwischen dem Transistor25 und der Varaktordiode44 auf. Diese begrenzt den Einstellbereich der Varaktordiode44 jedoch nur geringfügig. Weitere Durchkontaktierungen45 , welche die Bauelemente40 ,44 mit der Massefläche der Platinenunterseite verbinden, sind als Kreise dargestellt. - Bezugszeichenliste
-
- 1
- Behälter
- 2
- Füllgut
- 3
- Oberfläche des Füllguts
- 4
- Deckel
- 5
- Öffnung
- 6
- Füllstandsmessgerät/Feldgerät
- 7
- Verbindungsleitung
- 8
- Verbindungsleitung/Versorgungsleitung
- 9
- Regel-/Auswerteeinheit/Sensorelektronik
- 10
- Antenne
- 11
- Anschluss
- 12
- Transistor
- 13
- Widerstand
- 14
- Induktivität
- 15
- Einstellbare Kapazität
- 16
- Kapazitiver Spannungsteiler
- 17
- Frequenzbestimmende Komponente
- 18
- Frequenzeinstellende Komponente
- 19
- Varaktordiode/Sperrdiode
- 20
- Spannungsversorgung
- 21
- Induktivität
- 22
- Tiefpass/Bandsperre
- 23
- Hochpass/Bandpass
- 24
- parasitäre Kapazität
- 25
- Transistor
- 26
- Kapazität
- 27
- Leitung definierter Laufzeit
- 28
- Hochfrequenzausgang
- 29
- Widerstand
- 30
- Widerstand
- 32
- Hochfrequenzoszillators
- 33
- Steuerspannung
- 34
- Sende-/Empfangsweiche bzw. Ein-/Auskoppeleinheit
- 35
- Auswerteeinheit
Claims (10)
- Vorrichtung zur Bestimmung oder Überwachung des Füllstandes (F) eines Füllguts (
2 ) in einem Behälter (1 ) mit einem hochfrequente Messsignale erzeugenden Hochfrequenzoszillator (32 ), mit einer Ein-/Auskoppeleinheit (34 ), mit einer Antenne (10 ), wobei die Antenne (10 ) die hochfrequenten Messsignale (Sx) in Richtung der Oberfläche (3 ) des Füllguts (2 ) aussendet und die an der Oberfläche (3 ) des Füllguts (2 ) reflektierten Messsignale (Rx) empfängt, und mit einer Auswerteeinheit (35 ), die anhand der Laufzeitdifferenz der ausgesendeten Messsignale (Tx) und der reflektierten Messsignale (Rx) den Füllstand (F) in dem Behälter (1 ) ermittelt, dadurch gekennzeichnet, dass dem Hochfrequenzoszillator (32 ) ein Transistor (12 ) mit Sourcezweig (S), Drainzweig (D) und Gatezweig (G), zumindest eine frequenzeinstellende Komponente (18 ) und zumindest eine frequenzbestimmende Komponente (17 ) zugeordnet sind, und dass die frequenzbestimmende Komponente (17 ) des Hochfrequenzoszillators (32 ) im Sourcezweig (S) des Transistors (12 ) angeordnet ist. - Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Hochfrequenzmodul (
32 ) so ausgelegt ist, dass es breitbandige Hochfrequenzpulse erzeugt. - Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Hochfrequenzmodul (
32 ) so ausgelegt ist, dass es FMCW Signale bzw. frequenzmodulierte Dauerstrich-Signale erzeugt. - Vorrichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Transistor (
12 ) um einen Feldeffekttransistor oder um einen bipolaren Transistor handelt. - Vorrichtung nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die frequenzeinstellende Komponente (
18 ) im Gatezweig (G) angeordnet ist. - Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der frequenzeinstellenden Komponente (
18 )) um eine Induktivität (21 ) handelt, die mit einer parasitären Kapazität (24 ) des Tansistors (12 ) zusammenwirkt. - Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der frequenzbestimmenden Komponente (
17 ) um einen kapazitiven Spannungsteiler (16 ) handelt, der sich bevorzugt aus einer in dem Transistor (12 ) vorhandenen parasitären Kapazität (24 ) und/oder aus einer außerhalb des Transistors (12 ) angeordneten ersten Kapazität (26 ) und einer Reihenschaltung, bestehend aus einer zweiten Kapazität (26 ) und einer dritten Kapazität (19 ), zusammensetzt. - Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der dritten Kapazität (
19 ) um eine Varaktordiode handelt. - Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass parallel zur Reihenschaltung aus zweiter Kapazität (
26 ) und dritter Kapazität (19 ), insbesondere zur Varaktordiode, ein Widerstand (29 ) geschaltet ist, über den der Arbeitspunkt des Transistors (12 ) einstellbar ist. - Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Hochfrequenzoszillator (
32 ) in Mikrostreifenleitungstechnik ausgeführt ist.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102011078060A DE102011078060A1 (de) | 2011-06-24 | 2011-06-24 | Vorrichtung zur Bestimmung oder Überwachung des Füllstandes eines Füllguts in einem Behälter |
US14/126,561 US9243948B2 (en) | 2011-06-24 | 2012-05-21 | Apparatus for determining or monitoring the fill level of a substance in a container |
PCT/EP2012/059356 WO2012175257A1 (de) | 2011-06-24 | 2012-05-21 | Vorrichtung zur bestimmung oder überwachung des füllstandes eines füllguts in einem behälter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102011078060A DE102011078060A1 (de) | 2011-06-24 | 2011-06-24 | Vorrichtung zur Bestimmung oder Überwachung des Füllstandes eines Füllguts in einem Behälter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102011078060A1 true DE102011078060A1 (de) | 2012-12-27 |
Family
ID=46147455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102011078060A Withdrawn DE102011078060A1 (de) | 2011-06-24 | 2011-06-24 | Vorrichtung zur Bestimmung oder Überwachung des Füllstandes eines Füllguts in einem Behälter |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9243948B2 (de) |
DE (1) | DE102011078060A1 (de) |
WO (1) | WO2012175257A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015112543A1 (de) | 2015-07-30 | 2017-02-02 | Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg | Vorrichtung zur Bestimmung und/oder Überwachung zumindest einer Prozessgröße |
DE102016117920A1 (de) | 2016-09-22 | 2018-03-22 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Frequenzwandler-Schaltung für ein Radar-basiertes Messgerät |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017109316A1 (de) * | 2017-05-02 | 2018-11-08 | Endress+Hauser SE+Co. KG | Verfahren zur Bestimmung und/oder Überwachung des Füllstands |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4596966A (en) * | 1984-03-09 | 1986-06-24 | Thomson-Csf | Variable capacitor-controlled transistorized ultra-high frequency oscillator |
EP1223667A2 (de) * | 2001-01-03 | 2002-07-17 | Motorola, Inc. | Spannungsgesteuerter Colpittoszillator |
DE10392903T5 (de) * | 2002-07-08 | 2005-08-11 | Saab Rosemount Tank Radar Ab | Schaltung für Mehrfrequenzbereichsradar-Füllstandsmeßgerät |
DE102006009467A1 (de) * | 2006-03-01 | 2007-09-06 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Oszillator mit mitgeführtem Verstärker |
WO2009138817A1 (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | Freescale Semiconductor, Inc. | Voltage-controlled oscillator and radar system |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4670722A (en) * | 1981-03-09 | 1987-06-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | FET oscillator having controllable reactance element-controlled two port feedback network |
FR2625051B1 (fr) | 1987-12-18 | 1990-04-20 | Thomson Hybrides Microondes | Oscillateur doubleur de frequence, accorde par varactors |
US5609059A (en) * | 1994-12-19 | 1997-03-11 | The Regents Of The University Of California | Electronic multi-purpose material level sensor |
EP1507133B1 (de) * | 2003-06-17 | 2016-06-29 | Endress + Hauser GmbH + Co. KG | Vorrichtung zur Überwachung eines Feldgeräts |
DE102005021358A1 (de) * | 2005-05-04 | 2006-11-09 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Laufzeitmessverfahren zur Ermittelung der Distanz |
DE102005044724A1 (de) * | 2005-09-19 | 2007-03-22 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Laufzeitmessverfahren zur Ermittlung der Distanz |
HUE038112T2 (hu) * | 2008-10-29 | 2018-09-28 | Grieshaber Vega Kg | Nagyfrekvenciás modul feltöltési szint méréséhez a W-sávban |
US8085187B2 (en) | 2009-01-27 | 2011-12-27 | Magnetrol International, Incorporated | Through air radar sensor |
DE102010028303A1 (de) * | 2010-04-28 | 2011-12-01 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Vorrichtung zur Bestimmung und/oder Überwachung einer Prozessgröße eines Mediums |
DE102010040833A1 (de) * | 2010-09-15 | 2012-03-15 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Elektrische oder elektronische Sicherheitsbaugruppe |
DE102012201226B4 (de) * | 2012-01-27 | 2020-06-04 | Ifm Electronic Gmbh | Sonde für einen kapazitiven Füllstandsensor, Admittanzmeßschaltung für einen kapazitiver Füllstandsensor mit einer solchen Sonde und Verwendung einer solchen Admittanzmeßschaltung |
DE102012104075A1 (de) * | 2012-05-09 | 2013-11-14 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Vorrichtung zur Bestimmung und/oder Überwachung mindestens einer Prozessgröße eines Mediums |
-
2011
- 2011-06-24 DE DE102011078060A patent/DE102011078060A1/de not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-05-21 US US14/126,561 patent/US9243948B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-21 WO PCT/EP2012/059356 patent/WO2012175257A1/de active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4596966A (en) * | 1984-03-09 | 1986-06-24 | Thomson-Csf | Variable capacitor-controlled transistorized ultra-high frequency oscillator |
EP1223667A2 (de) * | 2001-01-03 | 2002-07-17 | Motorola, Inc. | Spannungsgesteuerter Colpittoszillator |
DE10392903T5 (de) * | 2002-07-08 | 2005-08-11 | Saab Rosemount Tank Radar Ab | Schaltung für Mehrfrequenzbereichsradar-Füllstandsmeßgerät |
DE102006009467A1 (de) * | 2006-03-01 | 2007-09-06 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Oszillator mit mitgeführtem Verstärker |
WO2009138817A1 (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | Freescale Semiconductor, Inc. | Voltage-controlled oscillator and radar system |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015112543A1 (de) | 2015-07-30 | 2017-02-02 | Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg | Vorrichtung zur Bestimmung und/oder Überwachung zumindest einer Prozessgröße |
DE102016117920A1 (de) | 2016-09-22 | 2018-03-22 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Frequenzwandler-Schaltung für ein Radar-basiertes Messgerät |
WO2018054649A1 (de) | 2016-09-22 | 2018-03-29 | Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg | Frequenzwandler-schaltung für ein radar-basiertes messgerät |
DE102016117920B4 (de) | 2016-09-22 | 2018-04-05 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Frequenzwandler-Schaltung für ein Radar-basiertes Messgerät |
US11054512B2 (en) | 2016-09-22 | 2021-07-06 | Endress+Hauser SE+Co. KG | Frequency converter circuit for a radar-based measuring device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140109666A1 (en) | 2014-04-24 |
WO2012175257A1 (de) | 2012-12-27 |
US9243948B2 (en) | 2016-01-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2847553B1 (de) | Vorrichtung zur bestimmung und/oder überwachung des füllstandes und der dielektrizitätszahl eines medium | |
EP1877738B1 (de) | Laufzeitmessverfahren zur ermittlung einer distanz | |
DE102005044724A1 (de) | Laufzeitmessverfahren zur Ermittlung der Distanz | |
DE10360711A1 (de) | Füllstandsmeßgerät und Verfahren zur Füllstandsmessung und -überwachung | |
DE102008048582A1 (de) | Mit Mikrowellen arbeitendes Füllstandsmessgerät | |
DE4345242A1 (de) | Frequenzumsetzungsschaltung für ein Radar-Abstandsmeßgerät | |
WO2002031450A1 (de) | Füllstandsmessgerät | |
EP0848829A2 (de) | Vorrichtung zur abstandsmessung | |
DE3334453C2 (de) | ||
DE102015106204A1 (de) | Frequenzgenerator mit zwei spannungsgesteuerten Oszillatoren | |
DE10393009T5 (de) | Stabilisierung von Oszillatoren für einen leistungsarmen Radar-Füllstandtransmitter | |
DE102011078060A1 (de) | Vorrichtung zur Bestimmung oder Überwachung des Füllstandes eines Füllguts in einem Behälter | |
EP0320442B1 (de) | Verwendung eines dielektrischen Mikrowellen-Resonators und Sensorschaltung | |
DE102005049500B4 (de) | Verfahren zur Bestimmung des Füllstands anhand der Laufzeit eines hochfrequenten Messsignals | |
WO2015176889A1 (de) | Verfahren zur überwachung der funktionstüchtigkeit einer radarvorrichtung | |
EP0848830B1 (de) | Vorrichtung zur abstandsmessung | |
DE4331353C2 (de) | Radar-Abstandsmeßgerät | |
EP1360523B1 (de) | Vorrichtung zur bestimmung des füllstands eines füllguts in einem behälter | |
EP3256824B1 (de) | Vorrichtung mit zwei koppelelementen zur ermittlung und überwachung eines füllstands | |
EP1072871A2 (de) | Vorrichtung zur Bestimmung des Füllstands eines Füllguts in einem Behälter | |
DE102005013647B3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Messung der Materialfeuchte eines Meßgutes | |
EP0123189B1 (de) | Einrichtung zur Meldung des Füllstandes an dem Ort eines Sensors | |
DE20016962U1 (de) | Zeitbereichsreflektometer für den Einsatz als Grenzwertschalter zur Erfassung des Grenzstandes eines Gutes | |
EP0224606A1 (de) | Verfahren zur Abstandsmessung und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
WO2021052706A1 (de) | Messgerät zur bestimmung eines dielektrizitätswertes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: G01F0023284000 Ipc: H03B0005120000 |
|
R163 | Identified publications notified | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: ENDRESS+HAUSER SE+CO. KG, DE Free format text: FORMER OWNER: ENDRESS + HAUSER GMBH + CO. KG, 79689 MAULBURG, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: ANDRES, ANGELIKA, DE Representative=s name: ANDRES, ANGELIKA, DIPL.-PHYS., DE |
|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: KOSLOWSKI, CHRISTINE, DR., DE Representative=s name: KOSLOWSKI, CHRISTINE, DIPL.-CHEM. DR. RER. NAT, DE Representative=s name: ANDRES, ANGELIKA, DIPL.-PHYS., DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: KOSLOWSKI, CHRISTINE, DR., DE Representative=s name: KOSLOWSKI, CHRISTINE, DIPL.-CHEM. DR. RER. NAT, DE |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |