DE102007036147A1 - Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers mit einer Rekombinationszone, Halbleiterbauelement mit einer Rekombinationszone und Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiterbauelements - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 187
- 230000006798 recombination Effects 0.000 title claims abstract description 88
- 238000005215 recombination Methods 0.000 title claims abstract description 88
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 20
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 13
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
- H01L29/0623—Buried supplementary region, e.g. buried guard ring
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/221—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities of killers
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/063—Reduced surface field [RESURF] pn-junction structures
- H01L29/0634—Multiple reduced surface field (multi-RESURF) structures, e.g. double RESURF, charge compensation, cool, superjunction (SJ), 3D-RESURF, composite buffer (CB) structures
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
- H01L29/0834—Anode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices, e.g. supplementary regions surrounding anode regions
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- H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
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- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
- H01L29/66333—Vertical insulated gate bipolar transistors
- H01L29/66348—Vertical insulated gate bipolar transistors with a recessed gate
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- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
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- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
- H01L29/7396—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions
- H01L29/7397—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions and a gate structure lying on a slanted or vertical surface or formed in a groove, e.g. trench gate IGBT
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7811—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with an edge termination structure
-
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
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- H01L29/8611—Planar PN junction diodes
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Abstract
In einem Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers werden Fremdstoffe, die in dem Halbleiterkörper als Rekombinationszentren wirken und eine Rekombinationszone ausbilden, während des Herstellungsprozesses des Halbleiterkörpers in den Halbleiterkörper eingebracht. Bei einem Halbleiterbauelement, das einen Halbleiterkörper mit einer vorderen Oberfläche und einer gegenüberliegenden hinteren Oberfläche aufweist sowie eine durch Fremdstoffe gebildete Rekombinationszone zwischen der vorderen und der hinteren Oberfläche aufweist, wobei die Fremdstoffe als Rekombinationszentren wirken, ist die Oberflächenzustandsdichte an der vorderen und hinteren Oberfläche des Halbleiterkörpers genauso groß wie die Oberflächenzustandsdichte an der vorderen und hinteren Oberfläche eines gleichen Halbleiterkörpers ohne Rekombinationszone.
Description
- Ausführungsbeispiele der Erfindung beziehen sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers mit einer Rekombinationszone, auf ein Halbleiterbauelement mit einer Rekombinationszone und auf ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiterbauelements.
- Unter Rekombination versteht man die Wiedervereinigung von Elektron-Loch-Paaren. Im Silizium verlaufen Rekombinationen im Allgemeinen über Rekombinationszentren. Hierbei handelt es sich um Verunreinigungen des Halbleitermaterials, die eine Störstelle darstellen. Energetisch gesehen liegen diese Störstellen im verbotenen Band.
- Für manche schnell schaltende Anwendungen ist es wünschenswert, eine deutlich reduzierte Trägerlebensdauer im Halbleiterkörper, insbesondere in der Driftzone bei Leistungshalbleiterbauelementen, wie zum Beispiel einem IGBT oder einer schnellen Freilaufdiode, zu realisieren. Dies ermöglicht zum Beispiel eine Reduzierung des Rückstroms und der Abschaltverluste.
- Bisher bekannte Möglichkeiten die Trägerlebensdauer in solchen Halbleiterbauelementen zu reduzieren, bestehen darin, die Halbleiterbauelemente einer Bestrahlung mit hochenergetischen Teilchen, wie zum Beispiel Elektronen, auszusetzen, die eine Schädigung des Kristallgitters und damit die Erzeugung von Rekombinationszentren bewirken. Eine andere Möglichkeit ist die Eindiffusion von Schwermetallen, wie zum Beispiel Platin oder Gold, von der Scheibenvorderseite.
- Derartige Verfahren sind zum Beispiel in „Power Semiconductor Devices", B. J. Baliga, PWS Publishing Company, Boston (1995), Kapitel 2.3.4, Seite 55ff. beschrieben.
- In beiden Varianten wird jedoch die Vorderseite, insbesondere ein daran befindliches Gateoxid, durch die vorderseitige Bestrahlung bzw. durch die Diffusion von der Vorderseite aus negativ beeinflusst. So kann zum Beispiel eine unerwünschte Verschiebung der Einsatzspannung oder auch eine Instabilität der elektrischen Eigenschaften auftreten.
- Ausführungsbeispiele behandeln im Folgenden eine Rekombinationszone in einem Halbleiterkörper, die keine negativen Oberflächenbeeinflussungen aufweist.
- Ausführungsformen dazu beziehen sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers, bei dem Fremdstoffe, die in dem Halbleiterkörper als Rekombinationszentren wirken und eine Rekombinationszone ausbilden, während des Herstellungsprozesses des Halbleiterkörpers in den Halbleiterkörper eingebracht werden.
- Weiterhin beziehen sich Ausführungsformen auf ein Halbleiterbauelement, das einen Halbleiterkörper mit einer vorderen Oberfläche und einer gegenüberliegenden hinteren Oberfläche aufweist, sowie eine durch Fremdstoffe gebildete Rekombinationszone zwischen der vorderen und der hinteren Oberfläche, wobei die Fremdstoffe als Rekombinationszentren wirken und wobei die Oberflächenzustandsdichte an der vorderen und hinteren Oberfläche des Halbleiterkörpers genauso groß ist wie die Oberflächenzustandsdichte an einer vorderen und hinteren Oberfläche eines gleichen Halbleiterkörpers ohne Rekombinationszone.
- Im Speziellen beziehen sich Ausführungsformen auf Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, bei dem ein Halbleiterkörper nach dem oben genannten Verfahren hergestellt wird, eine Vielzahl von Halbleiterbauelementstrukturen in dem Halbleiterkörper ausgebildet werden und der Halbleiterkörper so durchtrennt wird, dass einzelne Halbleiterbauelemente entstehen.
- Durch die Einbringung der Fremdstoffe während des Herstellungsprozesses des Halbleiterkörpers wird eine negative Beeinflussung der Oberflächen vermieden, weil die Fremdstoffe mit den Oberflächen des Halbleiterkörpers nicht in Berührung kommen. Als Maß für eine unbeeinflusste Oberfläche eignet sich die Oberflächenzustandsdichte, die bei vorhandener Rekombinationszone in einem Halbleiterbauelement nicht höher sein sollte, als bei einem Halbleiterbauelement, bei dem keine Rekombinationszone vorhanden ist.
- In der Regel werden viele Halbleiterbauelemente mit einer Halbleiterscheibe, einem sogenannten Wafer, gefertigt. Wird die Rekombinationszone großflächig in einem solchen Wafer ausgebildet, können durch Vereinzelungen dieses Halbleiterwafers in effektiver Form eine große Anzahl von Halbleiterbauelementen mit Rekombinationszonen gefertigt werden, ohne dass die Rekombinationszonen einen negativen Einfluss auf die kritischen Oberflächen der Halbleiterbauelemente ausüben.
- Kurze Beschreibung der Figuren
- Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend, bezugnehmend auf die beiliegenden Figuren, näher erläutert. Die Erfindung ist jedoch nicht auf die konkret beschriebenen Ausführungsformen beschränkt, sondern kann in geeigneter Weise modifiziert und abgewandelt werden. Es liegt im Rahmen der Erfindung, einzelne Merkmale und Merkmalskombinationen einer Ausführungsform mit Merkmalen und Merkmalskombinationen einer anderen Ausführungsform geeignet zu kombinieren, um zu weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsformen zu gelangen.
- Bevor im Folgenden die Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung anhand der Figuren näher erläutert werden, wird darauf hingewiesen, dass gleiche Elemente in den Figuren mit den gleichen oder ähnlichen Bezugszeichen versehen sind und dass eine wiederholte Beschreibung dieser Elemente weggelassen wird. Es zeigt:
-
1 Schematische Querschnittsansicht eines Halbleiterkörpers mit Rekombinationszone. -
2 Schematische Querschnittsansicht eines zweistufig hergestellten Halbleiterkörpers mit Rekombinationszone. -
3 Schematische Querschnittsansicht eines Halbleiterkörpers mit zwei Rekombinationszonen. -
4 Schematische Querschnittsansicht eines IGBT mit Rekombinationszone. -
5 Schematische Querschnittsansicht eines IGBT mit Feldstoppschicht und Rekombinationszone. -
6 Schematische Querschnittsansicht einer Leistungsdiode mit Rekombinationszone. -
7 Schematische Querschnittsansicht eines IGBT mit rückwärtsleitender Diode und einer Rekombinationszone. -
8 Schematische Querschnittsansicht einer Superjunction-MOSFET mit zwei Rekombinationszonen. -
9 Schematische Querschnittsansicht eines Halbleiterbauteils mit zwei Halbleiterbauelementen und einer Rekombinationszone. -
10 Schematische Querschnittsansicht eines Herstellungsschrittes von lateral beabstandeten Rekombinationszonen in einem Halbleiterkörper. -
11 Schematische Querschnittsansicht eines Halbleiterkörpers mit zwei Rekombinationszonen, die unterschiedliche Trägerlebensdauer aufweisen. - In
1 ist in einer allgemeinen Form ein Halbleiterkörper1 dargestellt, bei dem Fremdstoffe2 , die in dem Halbleiterkörper1 als Rekombinationszentren wirken und eine Rekombinationszone3 ausbilden, eingebracht sind. Die Fremdstoffe werden während des Herstellungsprozesses des Halbleiterkörpers1 eingebracht. - Die Fremdstoffe
2 sind lokal begrenzt in dem Halbleiterkörper2 eingebracht. Außerdem sind die Fremdstoffe2 derart in den Halbleiterkörper1 eingebracht, dass eine Ausdiffusion der Fremdstoffe aus dem Halbleiterkörper in nachfolgenden Prozessschritten unterbleibt. Dadurch wird eine störende Kontamination von Fertigungseinrichtungen mit den Fremdstoffen2 vermieden. Dies kann beispielsweise dadurch erreicht werden, dass die Fremdstoffe2 von den Oberflächen4 des Halbleiterkörpers1 beabstandet in den Halbleiterkörper1 eingebracht werden. - Als Fremdstoffe
2 werden beispielsweise Schwermetalle, insbesondere Wolfram oder Tantal, verwendet. Die Diffusionskonstante dieser Fremdstoffe wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren insbesondere so gewählt, dass die Diffusion in vertikaler Wafer-Richtung langsamer ist als die Wachstumsgeschwindigkeit der Epitaxieschicht bzw. dass die Diffusion dieser Fremdstoffe so langsam ist, dass die Diffusion dieser Fremdstoffe bis an die Halbleiteroberfläche vermieden wird. Die verwendeten Fremdstoffe2 weisen beispielsweise eine Diffusionskonstante < 10–13 cm2/s, insbesondere eine Diffusionskon stante < 10–14 cm2/s bei einer Temperatur von 1000°C in dem Halbleiterkörper auf. - In
2 ist ein spezielles Verfahren zu Herstellung des Halbleiterkörpers1 in einem zweistufigen Prozess dargestellt. Dabei umfasst der Herstellprozess, wie in2a dargestellt, das Bereitstellen eines ersten Teils1' des Halbleiterkörpers1 . In diesem ersten Teil1' werden die Fremdstoffe2 eingebracht. Dies geschieht beispielsweise durch maskierte Implantation der Fremdstoffe2 , insbesondere durch eine derart tiefe Implantation, dass eine Freisetzung der Fremdstoffe2 durch Ausdiffusion aus dem Halbleiterkörper1 während des nachfolgenden Schrittes des Erzeugens eines zweiten Teils1'' des Halbleiterkörpers unterbleibt. Die Maskierung der Implantation kann z. B. mittels einer strukturierten Lackschicht erfolgen. -
2b zeigt den auf dem ersten Teil1' erzeugten zweiten Teil1'' , wobei der erste Teil1' und der zweite Teil1'' zusammen den Halbleiterkörper1 ausbilden. - Der zweite Teil
1'' wird beispielsweise epitaktisch auf dem ersten Teil1' des Halbleiterkörpers1 erzeugt. Dabei können in einer Ausführungsform die Fremdstoffe2 auch während der Erzeugung des zweiten Teils1'' des Halbleiterkörpers1 in den Teil1'' durch Diffusion aus dem Teil1' eingebracht werden. - Die Fremdstoffe
2 diffundieren aufgrund von hohen Temperaturen in nachfolgenden Prozessschritten in dem Halbleiterkörper1 und bilden eine Rekombinationszone3 aus. - Wie in
2b gezeigt, ist die Rekombinationszone gegenüber der ursprünglichen Einbringungszone der Fremdstoffe2 vergrößert. Durch geeignete Wahl der Fremdstoffe, insbesondere hinsichtlich der Diffusionskonstante, bleibt die Rekombinationszone aber jederzeit von den Oberflächen4 des Halb leiterkörpers1 beabstandet, wodurch eine Ausdiffusion aus dem Halbleiterkörper1 und eine Beeinflussung der Oberflächen4 des Halbleiterkörpers1 unterbleibt. Insbesondere sollten Fremdstoffe mit einer während des Epitaxieprozesses geringeren Diffusionsgeschwindigkeit wie die Wachstumsgeschwindigkeit der epitaktischen Schicht gewählt werden. - In
3 ist eine Weiterbildung des zu1 und2 beschriebenen Herstellprozesses dargestellt. Dabei werden die Verfahrensschritte der Halbleiterkörperherstellung mindestens einmal wiederholt. Den ersten Teil1' bildet somit eine bereits einmal durchlaufene Prozessfolge, wie sie zu2 beschrieben ist, aus. Der zu2 beschriebene Halbleiterkörper1 mit der Rekombinationszone3 ist somit erster Teil1' des Halbleiterkörpers beim Wiederholen der Verfahrensschritte. Auf die Oberfläche5 dieses neuen ersten Teils1' des Halbleiterkörpers wird dann der zweite Teil1'' des Halbleiterkörpers und eine weitere Rekombinationszone3 erzeugt. Dies kann sooft wiederholt werden, bis die gewünschte Dicke des Halbleiterkörpers1 und die gewünschte Anzahl der Rekombinationszonen3 erreicht ist. Dadurch lässt sich eine lokale Verteilung der Rekombinationszonen3 und somit auch der Trägerlebensdauer in Vertikalrichtung des Halbleiterkörpers1 einstellen. - Halbleiterbauelemente werden normalerweise in einer Vielzahl in einer Halbleiterscheibe, einem sogenannten Wafer, hergestellt, um somit möglichst effektiv viele Halbleiterbauelemente in einer Prozessfolge erzeugen zu können.
- Halbleiterbauelemente mit einer Rekombinationszone können unter Verwendung des vorher beschriebenen Verfahrens hergestellt werden, in dem als Halbleiterkörper
1 ein Wafer verwendet wird. - Der Wafer wird also mit den Verfahrensschritten des anhand der
1 bis3 näher erläuterten Verfahrens mit einer Rekombinationszone3 erzeugt. Außerdem werden in und an dem Wafer eine Vielzahl von Halbleiterbauelementstrukturen ausgebildet und schließlich der Wafer so durchtrennt, dass einzelne Halbleiterbauelemente entstehen. Desweiteren kann die Implantation der Fremdstoffe (2 ) im Randbereich der Halbleiterscheibe derart maskiert werden, dass der laterale Abstand der implantierten Schicht zum Rand der Halbleiterscheibe so bemessen ist, dass die implantierten Fremdstoffe (2 ) während den der Implantation nachfolgenden Hochtemperaturschritten nicht bis zum Scheibenrand hin diffundieren können. - Halbleiterbauelemente die nach dieser Methode erzeugt wurden, werden im Folgenden beispielhaft beschrieben.
- Allen Halbleiterbauelementen gemein ist dabei, dass ein Halbleiterkörper
10 eine vordere Oberfläche40 und eine gegenüberliegende hintere Oberfläche41 aufweist. Außerdem weist der Halbleiterkörper10 eine durch Fremdstoffe2 gebildete Rekombinationszone3 zwischen der vorderen und der hinteren Oberfläche40 ,41 auf, wobei die Fremdstoffe2 als Rekombinationszentren wirken und wobei die Oberflächenzustandsdichte an der vorderen und hinteren Oberfläche40 ,41 des Halbleiterkörpers10 genauso groß ist, als die Oberflächenzustandsdichte an einer vorderen und hinteren Oberfläche eines gleichen Halbleiterkörpers ohne Rekombinationszone3 . - Dies bedeutet, dass die Rekombinationszone
3 keinen Einfluss auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers hat. - In
4 ist in schematischer Weise ein IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) als Beispiel eines Halbleiterbauelements dargestellt. - Der IGBT
30 weist einen Halbleiterkörper10 auf, der aus einem ersten Teil10' und einem zweiten Teil10'' zusammengesetzt ist. - Der erste Teil
10' des Halbleiterkörpers10 wird durch ein hochdotiertes p+-Substat15 gebildet, der zweite Teil10'' ist eine auf dem p+-Substrat15 erzeugte Epitaxieschicht16 . - Eine Rekombinationszone
3 erstreckt sich über eine Oberfläche5 des ersten Teils10' hinweg in den zweiten Teil10'' des Halbleiterkörpers10 , wobei sich ein kleinerer Teil der Rekombinationszone3 in dem ersten Teil10' und ein größerer Teil der Rekombinationszone3 in dem zweiten Teil10'' des Halbleiterkörpers10 befindet. Diese Verteilung lässt sich z. B. mittels der in3 beschriebenen mehrstufigen Epitaxie und Fremdstoffeinbringung erzeugen, wobei die Rekombinationszonen3 durch Diffusionsprozesse in eine in vertikaler Richtung ausgedehntere Rekombinationszone umgewandelt werden. Bei einem zweistufigen Prozeß gemäß2 ist die vertikale Ausdehnung der Rekombinationszone3 in dem ersten Teil10' gemäß der Implantationstiefe um etwa die doppelte Implantationstiefe größer als in der Zone10'' . - Die Epitaxieschicht
16 weist an einer vorderen Oberfläche40 des Halbleiterkörpers10 erste Dotierstoffgebiete20 als Source und zweite Dotierstoffgebiete21 als Body eines Feldeffekttransistors auf. Angrenzend zu dem p-dotierten Bodygebiet21 und von der Epitaxieschicht16 durch ein Gateoxid23 isoliert, befindet sich in einem Graben, der sich von einer Oberfläche40 des Halbleiterkörpers10 in den Halbleiterkörper10 hineinerstreckt, eine Gateelektrode22 . - Die Gateelektrode
22 erlaubt die Ausbildung eines leitenden Kanals in dem Bodygebiet21 zwischen dem n+-dotierten Sourcegebiet20 und einer niedrig n-dotierten Driftstrecke6 der Epitaxieschicht16 . - An der vorderen Oberfläche
40 des Halbleiterkörpers10 befindet sich eine Isolationsschicht24 , die Ausnehmungen für eine erste Elektrode7 zur Kontaktierung der Source- und Bodygebiete20 ,21 aufweist. Die Bodygebiete21 werden dabei über eine hochdotierte Bodyanschlusszone21' in dem Bodygebiet21 kontaktiert. - An einer hinteren Oberfläche
41 des Halbleiterkörpers10 ist eine zweite Elektrode zum elektrischen Anschluss des p+-Substrats15 angebracht. - Die Rekombinationszone
3 des IGBT30 ist von der vorderen Oberfläche40 und insbesondere auch von der Oberfläche des Halbleiterkörpers10 zum Gateoxid23 beabstandet, so dass eine negative Beeinflussung bezüglich der Einsatzspannung des Feldeffekttransistors vermieden wird. -
5 zeigt einen zu4 leicht abgeänderten IGBT31 , der zusätzlich eine Feldstoppzone9 aufweist. Der erste Teil10' des Halbleiterkörpers10 wird in diesem Ausführungsbeispiel durch das p+-Substrat15 und die Feldstoppzone9 gebildet. Die Feldstoppzone9 ist dabei eine auf dem p+-Substrat15 epitaktisch erzeugte n-dotierte Schicht. Die Rekombinationszone3 erstreckt sich über die Oberfläche5 des ersten Teils10' des Halbleiterkörpers10 hinweg in den zweiten Teil10'' des Halbleiterkörpers10 . Ansonsten entspricht der Aufbau des IGBTs31 dem Ausführungsbeispiel des IGBT30 aus4 . - Die Rekombinationszone
3 wird in dem Ausführungsbeispiel zu5 durch Implantation von Fremdstoffen2 in die Feldstoppzone9 mit nachfolgender Diffusion erzeugt. Die Diffusion findet dabei zumindest teilweise während der weiteren epitaktischen Abscheidung des zweiten Teils10'' des Halbleiterkörpers10 in Richtung zum p+-Substrat15 als auch in den zweiten Teil10'' des Halbleiterkörpers10 statt. - Die Feldstoppzone
9 hat gegenüber der niedrig n-dotierten Driftstrecke6 eine höhere Dotierung. Die Dotierstoffkonzentration der Feldstoppzone9 liegt im Bereich von einmal 1015 cm–3 bis einmal 1018 cm–3. Die Feldstoppzone9 hat eine Dicke im Bereich von 1 μm bis 30 μm. -
6 stellt eine Diode32 als weiteres Beispiel eines Halbleiterbauelements mit Rekombinationszone dar. Die Diode32 weist einen Halbleiterkörper10 auf, der sich aus einer hochdotierten n+-Schicht25 , einer darauf angebrachten n-dotierten Feldstoppzone9 und einer darauf angebrachten schwach n-dotierten Epitaxieschicht16 mit einer darauf angebrachten weiteren Epitaxieschicht16' zusammensetzt. An einer vorderen Oberfläche40 der Diode ist in der weiteren schwach n-dotierten Epitaxieschicht16' eine p-Wanne26 eingebracht, die zusammen mit der n-dotierten weiteren Epitaxieschicht16' einen pn-Übergang27 bildet und somit eine Diode darstellt. - Die p-Wanne
26 wird durch eine erste Elektrode7 (Anode) angeschlossen. Die erste Elektrode7 ist auf einer Isolationsschicht24 auf der vorderen Oberfläche40 des Halbleiterkörpers10 angebracht, wobei die Isolationsschicht24 eine Ausnehmung über der p-Wanne26 aufweist, und somit die erste Elektrode7 (Anode) die p-Wanne26 kontaktieren kann. - Auf einer hinteren Oberfläche
41 des Halbleiterkörpers10 ist eine zweite Elektrode8 (Kathode) zum elektrischen Anschluss der n+-Schicht25 angebracht. - Die Rekombinationszone
3 befindet sich näher zur vorderen Oberfläche40 als zur hinteren Oberfläche41 , ist aber von der vorderen Oberfläche40 beabstandet. - Der pn-Übergang
27 befindet sich zumindest teilweise innerhalb der Rekombinationszone3 und die Rekombinationszone3 ist an dem Übergang zwischen Epitaxieschicht16 und der weiteren Epitaxieschicht16' angeordnet. -
7 zeigt einen rückwärtsleitenden IGBT34 , das heißt einen IGBT, in dem eine in entgegengesetzter Stromrichtung des IGBTs leitende Diode integriert ist, mit einer Rekombinati onszone3 als weiterem Beispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements. - Der rückwärtsleitende IGBT
34 ist ähnlich aufgebaut wie der zu5 beschriebene IGBT32 . Im Unterschied zum IGBT32 in5 weist der rückwärtsleitende IGBT34 jedoch einen Halbleiterkörper10 auf, der an der hinteren Oberfläche41 zumindest ein zum p+-Substrat15 entgegengesetzt dotiertes n+-Gebiet28 in dem p+-Substrat15 aufweist. Über diesen abwechselnd angeordneten p+ und n+-Gebieten an der hinteren Oberfläche41 des Halbleiterkörpers10 sind eine Feldstoppzone9 , eine Driftstrecke6 , sowie MOS-Feldeffekttransistorenstrukturen20 ,21 ,22 ,23 in üblicher Weise angebracht. Die in entgegengesetzter Stromrichtung des IGBTs leitende Diode wird durch den pn-Übergang28 des Bodygebiets21 mit der n-dotierten Driftstrecke6 ausgebildet. Die Rekombinationszone3 des rückwärtsleitenden IGBTs34 ist an dem pn-Übergang28 angeordnet, wobei die Rekombinationszone3 beabstandet zum Gateoxid angeordnet ist. -
8 stellt als weiteres Ausführungsbeispiel eines Halbleiterbauelements mit Rekombinationszone3 ein Leistungshalbleiterbauelement mit Kompensationsstrukturen dar. Solch ein Bauelement wird auch als Superjunction-MOSFET bezeichnet. Der Superjunction-MOSFET36 in8 weist einen Halbleiterkörper10 auf, der aus einem mit n-Dotierstoff hochdotierten Substrat45 , einer darauf angebrachten n-dotierten Feldstoppzone9 und einer auf der Feldstoppzone9 angebrachten n-dotierten Epitaxieschicht16 zusammengesetzt ist. Der Superjunction-MOSFET36 ist in ein Zellenfeld50 und in einen angrenzenden Randbereich51 aufgeteilt. In dem Zellenfeld50 befinden sich MOSFET Strukturen, wie zum Beispiel Source-Gebiete20 und Bodygebiete21 . - Die n-dotierte Epitaxieschicht
16 ist mit p-dotierten Säulen29 durchzogen. Im Randbereich51 erstrecken sich diese Säulen29 von der vorderen Oberfläche40 des Halbleiterkörpers10 bis zur Feldstoppzone9 , während im Zellenfeld50 die Säulen sich vom Bodygebiet21 zur Feldstoppzone9 durch die Epitaxieschicht hindurch erstrecken. - Auf der vorderen Oberfläche
40 des Halbleiterkörpers10 sind im Zellenfeld50 in Isolationsgebieten55 Gateelektroden56 angeordnet, die zur Ausbildung eines Kanalgebiets in den Bodygebieten21 zwischen den Source-Gebieten20 und der Epitaxieschicht16 geeignet sind. - Im Randbereich
51 ist eine Isolationsstruktur57 mit darin angeordneten Feldplatten58 auf der vorderen Oberfläche40 des Halbleiterkörpers10 angebracht. - Die Body-Gebiete
21 und Source-Gebiete22 in dem Zellenfeld sind durch eine metallische erste Elektrode7 elektrisch angeschlossen. - Auf der hinteren Oberfläche
41 des Halbleiterkörpers10 ist eine zweite metallische Elektrode8 angebracht. - Innerhalb des Superjunction-MOSFET sind zwei Rekombinationszonen
3 angeordnet, wobei sich eine Rekombinationszone3 näher zur vorderen Oberfläche40 des Halbleiterkörpers10 unterhalb der Body-Gebiete21 in der Epitaxieschicht16 befindet, während die andere Rekombinationszone3 sich näher zur hinteren Oberfläche41 des Halbleiterkörpers10 befindet und am Übergang zwischen Feldstoppzone9 und Epitaxieschicht16 angeordnet ist. Die Rekombinationszonen3 sind dabei geeignet, die Speicherladung der Inversdiode des Superjunction-MOSFET36 zu verringern. - In einem weiteren Ausführungsbeispiel zeigt
9 eine Rekombinationszone3 in einem Halbleiterbauelement in Smart-Power-Technologie, das heißt, das Halbleiterbauelement vereint mindestens zwei unterschiedliche Bauelementtypen, zum Beispiel einen Leistungstransistor60 und ein Logikbauelement70 . Dabei kann der Leistungstransistor60 beispielsweise ein DMOS sein, und das Logikbauelement70 kann in CMOS-Technologie ausgebildete Transistoren enthalten. - Beide Bauelementtypen sind auf einem gemeinsamen p-Substrat
62 , das sich aus einem hochdotierten ersten Teil65 und einem darauf erzeugten schwachdotierten Teil66 zusammensetzt, ausgebildet. - Die Rekombinationszone
3 ist innerhalb des p-Substrats62 am Übergang zwischen dem ersten Teil65 und dem zweiten Teil66 angeordnet und verringert die Auswirkungen von in das p-Substrat62 injizierten Ladungsträgern des einen Bauelements auf das andere Bauelement. - Ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung ist es, wenn die Rekombinationszone
3 lateral in mehrere Teilbereiche unterteilt ist, so dass die Rekombinationszone3 mit niedriger Trägerlebensdauer nur in Teilen eines Halbleiterbauelements vorhanden ist. Solche Anordnungen sind zum Beispiel in6 und8 dargestellt, bei denen die Rekombinationszonen3 so erzeugt wurden, dass sie eine lateral begrenzte Ausdehnung haben. So kann es zum Beispiel auch wünschenswert sein, wenn im Bereich des Randabschlusses eines sperrenden pn-Übergangs eines Halbleiterbauelements eine stärkere Absenkung der Ladungsträgerlebensdauer als im Zellenfeld vorzusehen, um somit im dynamischen Betrieb erzeugte Überhöhungen der elektrischen Feldstärke zu reduzieren. - Eine Möglichkeit, eine solche lateral lokal begrenzte Rekombinationszone
3 herzustellen, ist anhand von10 dargestellt. In einem ersten Teil100' eines Halbleiterkörpers100 werden durch eine lokal begrenzte Implantation der Fremdstoffe2 lateral abgegrenzte Rekombinationszonen3 erzeugt. Die lokal begrenzte Implantation erfolgt dabei durch eine Maske110 mit einer Breite, die größer als das doppelte der späteren lateralen Diffusion der Fremdstoffe2 ist. Die Fremdstoffe2 werden somit in mehrere Teilabschnitte des Halbleiterkörpers eingebracht, so dass zwischen den Teilabschnitten Gebiete ohne Fremdstoffe verbleiben. Anschließend wird die Maske110 entfernt, der Halbleiterkörper100 in bereits beschriebener Weise durch Aufbringen eines zweiten Teils102' fertig gestellt und die Rekombinationszone3 ausgebildet. - Durch Verwendung einer Maske
110 mit Breiten, die kleiner als das doppelte der späteren lateralen Diffusion der Fremdstoffe ist, können zusammenhängende Gebiete mit einer weniger starken Trägerlebensdauerabsenkung als in homogen implantierten Gebieten erzeugt werden. Insbesondere können auf diese Weise in einem Schritt mehrere Gebiete mit unterschiedlich hoher Trägerlebensdauer erzeugt werden. Die nach der Implantation noch getrennten Gebiete diffundieren dabei später zusammen. Der Flächenanteil der von der Maske110 maskierten Bereiche bestimmt die Ausdünnung der Konzentration der Fremdstoffe und damit der Trägerlebensdauerabsenkung. - Der in den jeweiligen Ausführungsbeispielen beschriebene Aufbau des Halbleiterkörpers und der darin ausgebildeten Dotierstoffgebiete soll nur exemplarisch zum Verständnis der Erfindung dienen und schränkt die Erfindung nicht ein. Insbesondere sind die gewählten Dotierstofftypen in den einzelnen Dotierstoffgebieten austauschbar. Außerdem können die Halbleiterbauelemente in lateraler, sowie in vertikaler Ausführungsform ohne Einschränkung der Erfindung ausgebildet werden.
-
- 1; 10; 100
- Halbleiterkörper
- 1'; 10'; 100'
- erster Teil des Halbleiterkörpers
- 1''; 10''; 100''
- zweiter Teil des Halbleiterkörpers
- 2
- Fremdstoffe
- 3
- Rekombinationszone
- 4
- Oberfläche des Halbleiterkörpers
- 5
- Oberfläche des ersten Teils des Halbleiterkörpers
- 6
- Driftstrecke
- 7
- erste Elektrode
- 8
- zweite Elektrode
- 9
- Feldstoppzone
- 15
- p+-Substrat
- 16; 16'
- Epitaxieschicht
- 25
- n+-Schicht
- 26
- p-Wanne
- 27, 28
- pn-Übergang
- 29
- Säulen
- 30, 31
- IGBT
- 32
- Diode
- 34
- rückwärtsleitender IGBT
- 36
- Superjunction FET
- 40
- vordere Oberfläche
- 41
- hintere Oberfläche
- 45
- n+-Substrat
- 62
- p-Substrat
- 65
- erster Teil
- 66
- zweiter Teil
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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- Zitierte Nicht-Patentliteratur
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- - „Power Semiconductor Devices", B. J. Baliga, PWS Publishing Company, Boston (1995), Kapitel 2.3.4, Seite 55ff. [0005]
Claims (29)
- Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers (
1 ,10 ,100 ), bei dem Fremdstoffe (2 ), die in dem Halbleiterkörper (1 ,10 ,100 ) als Rekombinationszentren wirken und eine Rekombinationszone (3 ) ausbilden, während des Herstellungsprozesses des Halbleiterkörpers (1 ,10 ,100 ) in den Halbleiterkörper (1 ,10 ,100 ) eingebracht werden. - Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Fremdstoffe (
2 ) lokal begrenzt in den Halbleiterkörper (1 ,10 ,100 ) eingebracht werden. - Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Fremdstoffe (
2 ) derart in den Halbleiterkörper (1 ,10 ,100 ) eingebracht werden, dass eine Ausdiffusion der Fremdstoffe (2 ) aus dem Halbleiterkörper (1 ,10 ,100 ) in nachfolgenden Verfahrensschritten unterbleibt. - Verfahren nach einem der vorhergenannten Ansprüche, bei dem die Fremdstoffe (
2 ) von den Oberflächen (4 ) des Halbleiterkörpers (1 ,10 ,100 ) beabstandet in den Halbleiterkörper eingebracht werden. - Verfahren nach einem der vorhergenannten Ansprüche, bei dem als Fremdstoffe (
2 ) Schwermetalle in den Halbleiterkörper (1 ,10 ,100 ) eingebracht werden. - Verfahren nach Anspruch 5, bei dem Wolfram oder Tantal verwendet werden.
- Verfahren nach einem der vorhergenannten Ansprüche, bei dem die Fremdstoffe (
2 ) eine Diffusionskonstante < 10–13 cm2/s bei 1000°C in dem Halbleiterkörper (1 ,10 ,100 ) aufweisen. - Verfahren nach einem der vorhergenannten Ansprüche, bei dem die Fremdstoffe (
2 ) eine Diffusionskonstante < 10–14 cm2/s bei 1000°C in dem Halbleiterkörper (1 ,10 ,100 ) aufweisen. - Verfahren nach einem der vorhergenannten Ansprüche, bei dem das Herstellungsverfahren ein Bereitstellen eines ersten Teils (
1' ,10' ,100' ) des Halbleiterkörpers und ein Erzeugen eines zweiten Teils (1'' ,10'' ,100'' ) des Halbleiterkörpers auf dem ersten Teil (1' ,10' ,100' ) umfasst. - Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die Fremdstoffe (
2 ) in den ersten Teil (1' ,10' ,100' ) des Halbleiterkörpers eingebracht werden. - Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, bei dem die Fremdstoffe (
2 ) implantiert werden. - Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, bei dem die Fremdstoffe (
2 ) derart tief in den ersten Teil (1' ,10' ,100' ) eingebracht werden, dass eine Freisetzung der Fremdstoffe durch Ausdiffusion aus dem Halbleiterkörper (1 ,10 ,100 ) während des nachfolgenden Schrittes des Erzeugens des zweiten Teils (1'' ,10'' ,100'' ) unterbleibt. - Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, bei dem der zweite Teil (
1'' ,10'' ,100'' ) des Halbleiterkörpers epitaktisch erzeugt wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 13, bei dem die Diffusionsgeschwindigkeit der eingebrachten Fremdstoffe (
2 ) während des Epitaxieprozesses geringer ist als die Wachstumsgeschwindigkeit der epitaktischen Schicht. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Implantation der Fremdstoffe (
2 ) im Randbereich der Halbleiterscheibe derart maskiert wird, dass der laterale Abstand der implantierten Schicht zum Rand der Halbleiterscheibe so bemessen ist, dass die implantierten Fremdstoffe (2 ) während den der Implantation nachfolgenden Hochtemperaturschritten nicht bis zum Scheibenrand hin diffundieren können. - Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 15, bei dem die Fremdstoffe (
2 ) in mehrere Teilabschnitte des Halbleiterkörpers eingebracht werden, so dass zwischen den Teilabschnitten Gebiete ohne Fremdstoffe (2 ) verbleiben. - Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 16, bei dem die Verfahrensschritte mindestens einmal wiederholt werden.
- Verfahren nach einem der vorhergenannten Ansprüche, bei dem in dem Halbleiterkörper (
1 ,10 ,100 ) Halbleiterbauelementstrukturen (9 ,20 ,21 ,27 ,28 ) mit einer Driftstrecke (6 ) zwischen einer ersten Elektrode (7 ) an einer ersten Oberfläche (40 ) des Halbleiterkörpers (1 ,10 ,100 ) und einer zweiten Elektrode (8 ) an einer zweiten Oberfläche (41 ) des Halbleiterkörpers (1 ,10 ,100 ) ausgebildet werden. - Verfahren nach Anspruch 18, bei dem die Rekombinationszone (
3 ) zumindest teilweise in der Driftstrecke (6 ) ausgebildet wird. - Verfahren nach Anspruch 18 oder 19, bei dem die Rekombinatinszone (
3 ) näher zur ersten Elektrode (7 ) als zur zweiten Elektrode (8 ) ausgebildet wird. - Verfahren nach Anspruch 18 oder 19, bei dem die Rekombinationszone (
3 ) näher zur zweiten Elektrode (8 ) als zur ersten Elektrode (7 ) ausgebildet wird. - Halbleiterbauelement (
30 ,31 ,32 ,34 ,36 ), aufweisend einen Halbleiterkörper (1 ,10 ,100 ) mit einer vorderen Oberfläche (40 ) und einer gegenüberliegenden hinteren Oberfläche (41 ), sowie eine durch Fremdstoffe (2 ) gebildete Rekombinationszone (3 ) zwischen der vorderen und der hinteren Oberfläche (40 ,41 ), wobei die Fremdstoffe (2 ) als Rekombinationszentren wirken, und wobei die Oberflächenzustandsdichte an der vorderen und hinteren Oberfläche (40 ,41 ) des Halbleiterkörpers (1 ,10 ,100 ) genauso groß ist wie die Oberflächenzustandsdichte an einer vorderen und hinteren Oberfläche eines gleichen Halbleiterkörpers ohne Rekombinationszone. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 22, bei dem die Oberflächenzustandsdichte kleiner als 2·1011 cm–2 ist.
- Halbleiterbauelement nach Anspruch 22 oder 23, bei dem an einer vorderen und/oder hinteren Oberfläche (
40 ,41 ) des Halbleiterkörpers (1 ,10 ,100 ) eine Nichthalbleiterschicht (23 ,24 ) angebracht ist. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 24, bei dem die Rekombinationszone (
3 ) von der Oberfläche mit der Nichthalbleiterschicht (23 ,24 ) beabstandet ist. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 24 oder 25, bei dem die Nichthalbleiterschicht (
23 ,24 ) eine Isolationsschicht ist. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 26, bei der die Isolationsschicht (
23 ,24 ) eine Oxidschicht ist. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 27, bei dem die Oxidschicht (
23 ) ein Gateoxid ist, das zwischen dem Halbleiterkörper (1 ,10 ,100 ) und einer Gateelektrode (22 ) angeordnet ist. - Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (
30 ,31 ,32 ,34 ,36 ), bei dem ein Halbleiterkörper (1 ,10 ,100 ) nach dem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 21 hergestellt wird, eine Vielzahl von Halbleiterbauelementstrukturen (20 ,21 ) in dem Halbleiterkörper (1 ,10 ,100 ) ausgebildet werden und der Halbleiterkörper (1 ,10 ,100 ) so durchtrennt wird, dass einzelne Halbleiterbauelemente (30 ,31 ,32 ,34 ,36 ) entstehen.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007036147.7A DE102007036147B4 (de) | 2007-08-02 | 2007-08-02 | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers mit einer Rekombinationszone |
US12/170,470 US9012311B2 (en) | 2007-08-02 | 2008-07-10 | Method for producing a semiconductor body having a recombination zone, semiconductor component having a recombination zone, and method for producing such a semiconductor component |
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US16/181,959 US10439025B2 (en) | 2007-08-02 | 2018-11-06 | Method for producing a semiconductor body having a recombination zone, semiconductor component having a recombination zone, and method for producing such a semiconductor component |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007036147.7A DE102007036147B4 (de) | 2007-08-02 | 2007-08-02 | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers mit einer Rekombinationszone |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102007036147A1 true DE102007036147A1 (de) | 2009-03-05 |
DE102007036147B4 DE102007036147B4 (de) | 2017-12-21 |
Family
ID=40298794
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102007036147.7A Expired - Fee Related DE102007036147B4 (de) | 2007-08-02 | 2007-08-02 | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers mit einer Rekombinationszone |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9012311B2 (de) |
DE (1) | DE102007036147B4 (de) |
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DE102013106055B4 (de) | 2012-06-14 | 2023-09-07 | Infineon Technologies Austria Ag | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einem Kontakteinsatz und einem metallischen Rekombinationselement sowie Halbleitervorrichtung |
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- 2008-07-10 US US12/170,470 patent/US9012311B2/en active Active
-
2015
- 2015-04-21 US US14/692,516 patent/US20150228716A1/en not_active Abandoned
-
2018
- 2018-11-06 US US16/181,959 patent/US10439025B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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US20090032851A1 (en) | 2009-02-05 |
US20150228716A1 (en) | 2015-08-13 |
US20190074352A1 (en) | 2019-03-07 |
US9012311B2 (en) | 2015-04-21 |
US10439025B2 (en) | 2019-10-08 |
DE102007036147B4 (de) | 2017-12-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R130 | Divisional application to |
Ref document number: 102007063836 Country of ref document: DE Effective date: 20130718 |
|
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |