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Bei der Herstellung mikroelektronischer oder mikrosystemischer Bauteile werden Strukturen in Schichten oder Substraten durch lithographische Schritte erzeugt, wobei gewöhnlicherweise zunächst Strukturen in geeigneten Resistmaterialien erzeugt werden, welche dann mit entsprechenden Verfahren in eine Schicht oder ein Substrat übertragen werden. Als lithographische Prozesse kommen unter anderem photolithographische Belichtungsprozesse und Elektronenstrahlbelichtungsprozesse zum Einsatz. Bei photolithographischen Prozessen werden Strukturen einer Maske in das Resistmaterial abgebildet, während bei der Elektronenstrahlbelichtung einzelne Strukturen durch das Auftreffen des Elektronenstrahls direkt in das Resistmaterial geschrieben werden. Da die Elektronenstrahlbelichtung sehr zeitintensiv ist, kommt diese Technik vor allem bei der Herstellung von Masken für photolithographische Belichtungsprozesse sowie bei der Erzeugung von sehr kleinen Strukturen in geringer Stückzahl direkt in einem Resistmaterial auf einem zu strukturierenden Substrat zum Einsatz.
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Verschiedene Elektronenstrahlanlagen werden verwendet, bei denen sowohl die Form und Größe des auf das Resistmaterial auftreffenden Elektronenstrahls als auch die Art und Weise der Erzeugung von zusammenhängenden Strukturen verschieden sein kann. Dabei können Spot beam- und (Variabel) Shaped beam-Anlagen einerseits sowie Rasterscan- und Vectorscan-Anlagen andererseits unterschieden werden. Ein bei allen Anlagen auftretendes Problem ist, dass die Erzeugung von Strukturen mit einer Orientierung, die von denen eines Referenzkoordinatensystems der Elektronenstrahlanlage verschieden ist, nur eingeschränkt möglich ist. So wird beispielsweise die Kantenrauhigkeit und der Winkel der abgebildeten Struktur durch die Form und Größe des Elektronenstrahls bestimmt. So sind zwar bei Spot beam-Anlagen mit sehr kleinem Strahldurch-Strahldurchmesser Strukturen mit einer Vielzahl von Winkeln und einer guten Kantenrauhigkeit abbildbar, jedoch ist die benötigte Schreibzeit für eine Vielzahl von Strukturen im Resistmaterial sehr hoch. Bei Variabel shaped beam-Anlagen wird der Elektronenstrahl mittels Blenden so geformt, dass Strukturen im Resistmaterial aus mehreren großen Elementen, die mit dem Elektronenstrahl abgebildet werden, zusammengesetzt werden. Damit verkürzt sich die Schreibzeit, jedoch sind nur Elemente mit einer eingeschränkten Form, beispielsweise Rechtecke und rechtwinklige Dreiecke, abbildbar. Dadurch können nur Strukturen, die eine Orientierung aufweisen, die ein ganzzahliges Vielfaches von 45° bezüglich des Referenzkoordinatensystems der Anlage ist, mit einer guten Kantenrauhigkeit abgebildet werden. Strukturen mit anderen Orientierungen sind nur über eine Verkleinerung der abgebildeten Elemente mit einer vergleichbaren Kantenrauhigkeit abbildbar, was aber wiederum zu einer Erhöhung der Schreibzeit führt. Die Orientierung der Struktur entspricht dabei der Richtung, in die sich eine Kante der Struktur erstreckt, wobei die Kante die größte Abmessung aller Kanten der Struktur aufweist.
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In der
US 5 311 026 A sind eine Elektronenstrahlbelichtungsanlage und ein Elektronenstrahlbelichtungsverfahren beschrieben, bei dem der Elektronenstrahl mit Hilfe von Rotationslinsen gedreht wird.
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In der
EP 0 654 813 A1 sind eine Elektronenstrahlbelichtungsanlage und ein Elektronenstrahlbelichtungsverfahren beschrieben, bei denen der Substrathalter oder der gesamte Aufbau zum Erzeugen, Formen und Lenken des Elektronenstrahls oder beide Formblenden gedreht werden, um schräge Strukturen zu erzeugen.
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Auch die
US 2007/0102651 A1 offenbart eine Elektronenstrahlbelichtungsanlage sowie ein Elektronenstrahlbelichtungsverfahren, bei dem der Substrathalter oder entsprechende Formblenden gedreht werden, um schräge Strukturen zu erzeugen.
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In der
DE 27 39 502 C3 sind eine Elektronenstrahlbelichtungsanlage und ein Elektronenstrahlbelichtungsverfahren beschrieben, bei dem schräge Strukturen durch die Abbildung von schrägen Öffnungen in einer Maske erzeugt werden.
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Es ist daher Aufgabe der Erfindung, Verfahren und eine Vorrichtung zur Erzeugung von Strukturen in einem Resistmaterial oder in einer zu strukturierenden Schicht, bei denen weder die Orientierung, noch die Kantenrauhigkeit der Strukturen beschränkt ist, bereitzustellen.
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Diese Aufgabe wird gelöst durch Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 7 und durch eine Vorrichtung nach Anspruch 9. Geeignete Weiterbildungen finden sich in den Unteransprüchen.
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Die erfindungsgemäßen Verfahren und Vorrichtungen werden im Folgenden anhand der Figuren näher erläutert, wobei
- 1 eine Ausführungsform eines Substrates mit verschieden orientierten Strukturen;
- 2 ein Flussdiagramm eines erfindungsgemäßen Verfahrens darstellt;
- 3 eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung darstellt;
- 4 ein Flussdiagramm eines anderen erfindungsgemäßen Verfahrens darstellt;
- 5A eine Ausführungsform eines Substrates nach einem Schritt entsprechend des Verfahrens aus 4 darstellt;
- 5B ein Detail aus 5A darstellt; und
- 5C das Substrat aus 5A nach einem weiteren Schritt entsprechend des Verfahrens aus 4 darstellt.
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1 zeigt eine Ausführungsform eines Substrates 23 mit in einem Resistmaterial auf der Oberfläche des Substrates 23 erzeugten Strukturen 231 bis 234. Die Strukturen 231 bis 234 wurden mittels einer Elektronenstrahlbelichtungsanlage in dem Resistmaterial erzeugt, wobei die Elektronenstrahlbelichtungsanlage ein Referenzkoordinatensystem mit den Koordinaten 101 und 102 aufweist. Die Referenzkoordinaten 101 und 102 sind senkrecht zueinander angeordnet, und können beispielsweise eine x- und eine y-Richtung bezeichnen. Das Substrat 23 kann beispielsweise eine Maske für eine photolithographische Belichtungsanlage (ein Reticle) oder ein Halbleiter-Substrat (ein Wafer) sein und mehrere Schichten und/oder mehrere Materialien umfassen. Beispielsweise kann das Substrat 23 einen Glaskörper, ein Keramiksubstrat oder einen anderen geeigneten Maskenschichtträger umfassen, auf dem verschiedene Schichten, wie beispielsweise opake, semitransparente, phasenschiebende oder reflektierende Schichten, wie beispielsweise Cr oder ein Schichtstapel aus einer Vielzahl von Molybdän- und Silizium-Schichten, angeordnet sein können. Das Substrat 23 kann auch ein beliebiges anderes Substrat sein, wie beispielsweise ein Träger, der Halbleiter-Materialien, isolierende oder leitende Materialien umfassen kann. Beispielsweise kann das Substrat 23 ein Halbleiter-Substrat, beispielsweise aus Silizium, ein silicon-on-insulator (SOI)-Substrat, ein silicon-on sapphire (SOS)-Substrat sowie dotierte und undotierte Halbleiter-Schichten oder epitaktische Schichten umfassen. Als Halbleiter-Materialien können auch SiGe, Ge oder GaAs zum Einsatz kommen. Das Substrat 23 kann bereits Strukturen oder Vorrichtungen, wie beispielsweise Transistoren, umfassen.
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Auf der Oberfläche des Substrates 23 ist das Resistmaterial angeordnet, in dem die Strukturen 231 bis 234 ausgebildet sind. Die Strukturen 231 bis 234 können beispielsweise Leiterbahnstrukturen sein. Die Strukturen 231 und 232 weisen nur Kanten auf, die sich entlang der Koordinaten 101 und 102 erstrecken. Die Strukturen 233 und 234 weisen Kanten auf, die einen Winkel α bzw. β zur Koordinate 101 aufweisen. Die Winkel α bzw. β können beispielsweise von ganzzahligen Vielfachen von 45° verschieden sein. Im Resistmaterial kann auch eine Vielzahl von Strukturen 233 und 234 ausgebildet sein, beispielsweise ein Linienfeld, wie dies für die Struktur 234 beispielhaft dargestellt ist. Jedoch können auch andere Strukturen, wie beispielsweise dreieckige Strukturen, im Resistmaterial ausgebildet sein, von denen beispielsweise eine Kante einen von ganzzahligen Vielfachen von 45° verschiedenen Winkel zu den Referenzkoordinaten aufweist.
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2 stellt ein Flussdiagramm eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Erzeugung von Strukturen in einem Resistmaterial mittels einer Elektronenstrahlbelichtungsanlage dar. Dabei wird ein erster Winkel einer zu erzeugenden ersten Struktur bezüglich eines Referenzkoordinatensystems der Elektronenstrahlbelichtungsanlage vorgegeben (S21). Aus diesem Winkel wird eine erste Höhe einer Substratoberfläche, auf der das Resistmaterial angeordnet ist, in der Elektronenstrahlbelichtungsanlage und in Bezug auf eine Referenzhöhe bestimmt und eingestellt (S22). Die Referenzhöhe ist beispielsweise die Höhe der Substratoberfläche, bei der im Resistmaterial Strukturen erzeugt werden, deren Kanten einen Winkel bezüglich des Referenzkoordinatensystems aufweisen, der ein ganzzahliges Vielfaches von 45° ist. Danach wird die erste Struktur im Resistmaterial abgebildet, wobei die erzeugte Struktur eine Orientierung aufweist, die den vorgegebenen ersten Winkel zum Referenzkoordinatensystem aufweist (S23).
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In einer Elektronenstrahlbelichtungsanlage, wie sie beispielsweise in 3 dargestellt ist, wird ein Elektronenstrahl von einer Elektronenstrahlquelle 14 ausgesandt. Der Elektronenstrahl wird mittels Ablenkspulen 18A, 18B, 21A, 21B abgelenkt und mittels Linsen 17 und 22a, 22b auf ein Substrat 23 projiziert. Auf der Substratoberfläche des Substrates 23 ist ein elektronenempfindliches Resistmaterial angeordnet, in dem Strukturen abgebildet werden. Dabei verursachen Elemente der Elektronenstrahlbelichtungsanlage, beispielsweise die elektromagnetischen Linsen, eine Rotation des Elektronenstrahls. Wird beispielsweise mittels Blenden eine nicht-runde Form des auf das Substrat auftreffenden Elektronenstrahls erzeugt, so ist die Orientierung des auf das Substrat auftreffenden Elektronenstrahls von der Höhe der Substratoberfläche in Bezug auf diese Elemente abhängig.
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Wird beispielsweise ein rechtwinkliger Elektronenstrahl, wie in 3 gezeigt, mittels einer ersten und einer zweiten Blende 15 und 19 erzeugt, so ist die Orientierung des im Resistmaterial des Substrates 23 erzeugten Rechteckes eine andere als die des rechtwinkligen Elektronenstrahls nach Durchdringen der ersten Blende 15. Üblicherweise wird die Höhe der Substratoberfläche so eingestellt, dass die im Resistmaterial abgebildeten Strukturen Kanten aufweisen, die sich entlang der Referenzkoordinaten 101 und 102 der Elektronenstrahlbelichtungsanlage erstrecken. Die Referenzkoordinaten 101, 102 können beispielsweise eine X- und eine Y-Richtung sein, in die der Elektronenstrahl durch die Ablenkspulen 21A, 21B abgelenkt werden kann. Dabei sind die X- und die Y-Richtung üblicherweise senkrecht zueinander definiert. Üblicherweise kann ein Substrathalter 24, auf dem das Substrat 23 in der Elektronenstrahlbelichtungsanlage angeordnet ist, in die selben Richtungen, das heißt in die X- und die Y-Richtung, mittels Motoren 29a, 29b verschoben werden. Damit können rechtwinklige Strukturen, deren Kanten sich entlang der X- oder der Y-Richtung erstrecken, erzeugt werden.
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Erfindungsgemäß wird die Höhe der Substratoberfläche nun so bestimmt und eingestellt, dass die Kanten des auf das Resistmaterial auftreffenden rechtwinkligen Elektronenstrahls einen vorbestimmten Winkel zu den Referenzkoordinaten 101, 102 aufweisen. Der Winkel kann von ganzzahligen Vielfachen von 45° verschieden sein.
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Des Weiteren ist es möglich, eine oder mehrere weitere Höhen der Substratoberfläche entsprechend vorgegebenen Winkeln von weiteren zu erzeugenden Strukturen zu bestimmen und einzustellen und, während sich die Substratoberfläche auf diesen Höhen befindet, weitere Strukturen im Resistmaterial zu erzeugen. Damit ist es möglich, Strukturen mit verschiedenen Winkeln bezüglich der Referenzkoordinaten in einer Belichtungsanlage zu erzeugen.
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Eine zu erzeugende Struktur kann aus einer Vielzahl gegeneinander versetzter, einzeln abgebildeter Elemente bestehen. So kann beispielsweise eine lange Linienstruktur, die sich entlang der Richtung 102 erstreckt, aus einer Vielzahl von hintereinander angeordneten und in der Richtung 102 aneinander grenzenden rechteckigen Elementen zusammengesetzt werden. Da die einzelnen Elemente einer Struktur erfindungsgemäß mit einem vorbestimmten Winkel in das Resistmateeinem vorbestimmten Winkel in das Resistmaterial abgebildet werden, wird die Ablenkung des Elektronenstrahls zur Abbildung eines benachbarten Elementes an den Winkel der zu erzeugenden Struktur angepasst. Beispielsweise erfolgt nun die Ablenkung des Elektronenstrahls nicht nur in der Richtung 102, sondern auch in der Richtung 101, damit die einzelnen Elemente aneinander angrenzen und eine durchgängige Struktur mit geraden Kanten bilden.
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Die zur Erzeugung einer Struktur mit einem vorgegebenen Winkel einzustellende Höhe der Substratoberfläche kann beispielsweise mittels einer Zuordnungstabelle bestimmt werden. Die Zuordnungstabelle enthält dabei Datensets, die jeweils einen Winkel und eine zugeordnete Höhe der Substratoberfläche umfassen. Die für einen vorgegebenen Winkel bestimmte Höhe kann unter Berücksichtigung der Dicke des Substrates mit Hilfe einer Vorrichtung, beispielsweise eines Motors, der einen Substrathalter bewegt, eingestellt werden.
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Eine andere Möglichkeit, die einzustellende Höhe der Substratoberfläche zu bestimmen, besteht darin, einen Detektor in der Elektronenstrahlbelichtungsanlage anzuordnen, der die Rotation des Elektronenstrahls auf einer vorgegebenen Höhe anhand einer Referenzstruktur, beispielsweise eines Rechteckes, bestimmt. Dazu kann der Elektronenstrahl so abgelenkt werden, dass er auf den Detektor und nicht auf das Resistmaterial auftrifft. Dann wird die vorgegebene Höhe solange variiert, bis die mittels des Detektors bestimmte Rotation des Elektronenstrahls den für die zu erzeugende Struktur vorgegebenen Winkel aufweist. Die dabei ermittelte Höhe wird als einzustellende Höhe der Substratoberfläche festgehalten und kann wiederum mit Hilfe einer Vorrichtung wie vorstehend beschrieben eingestellt werden. Es ist möglich, den Detektor auf der Höhe der Substratoberfläche auf dem Substrathalter anzuordnen. Dann kann die ermittelte Höhe bereits während der Bestimmung der dem Winkel entsprechenden Höhe eingestellt werden.
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3 stellt eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Elektronenstrahlbelichtungsanlage dar. Die Elektronenstrahlbelichtungsanlage 10 umfasst eine Elektronenstrahlquelle 14, die einen Elektronenstrahl aussendet, Vorrichtungen zur Fokussierung, Ausblendung und Ablenkung des Elektronenstrahls, Blenden 15, 19, die geeignet sind, den Elektronenstrahl zu formen, einen Substrathalter 24, Vorrichtungen zur Bewegung des Substrathalters 24 entlang von Koordinaten 101, 102 eines Referenzkoordinatensystems der Anlage 10 sowie eine Vorrichtung, die aus einem vorgegebenen Winkel einer abzubildenden Struktur bezüglich des Referenzkoordinatensystems eine Höhe des Substrathalters 24 bestimmt und einstellt.
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Wie in 3 zu sehen ist, umfassen die Vorrichtungen zur Fokussierung, Ausblendung und Ablenkung des Elektronenstrahls beispielsweise Ablenkspulen 18A, 18B, 21A, 21B, Projektionslinsen 17 und 22a, 22b, Kondensorlinsen 25a, 25b, eine Ausblendelektrode 26, eine Ausblendvorrichtung 27 und einen Stigmator 30. Die Vorrichtungen zum Bewegen des Substrathalters 24, auf dem ein Substrat 23 angeordnet ist, umfassen beispielsweise Interferometer 28a, 28b, die die Position des Substrathalters 24 bezüglich des Referenzkoordinatensystems bestimmen, und Motoren 29a, 29b, die die Position des Substrathalters verändern. Jedoch sind auch andere Ausführungsformen oder räumliche Anordnungen der genannten Vorrichtungen möglich. Die Vorrichtungen zur Erzeugung, Fokussierung, Ausblendung, Ablenkung und Formung des Elektronenstrahls und zur Bewegung des Substrathalters 24 bilden eine abbildende Einrichtung 100.
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Wie in 3 zu sehen ist, werden einige Elemente und Vorrichtungen der abbildenden Einrichtung 100 nachfolgend vereinfacht dargestellt. So werden beispielsweise die Elektronenstrahlquelle 14, die Kondenserlinsen 25a, 25b sowie die Vorrichtungen zum Ausblenden des Elektronenstrahls 26 und 27 als erster Vorrichtungsbereich 11 bezeichnet. Die Projektionslinse 17 und die Ablenkspulen 18A, 18B werden nachfolgend als zweiter Vorrichtungsbereich 12 bezeichnet. Die Verkleinerungslinsen 22a, 22b, der Stigmator 30 sowie die Ablenkspulen 21A, 21B werden nachfolgend als dritter Vorrichtungsbereich 13 bezeichnet.
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Die Elektronenstrahlbelichtungsanlage 10 umfasst in der in 3 dargestellten Ausführungsform weiterhin eine Dateneingabevorrichtung 31, die beispielsweise ein Computer sein kann, sowie eine Steuervorrichtung 32. Die Steuervorrichtung 32 steuert die einzelnen Vorrichtungen der abbildenden Einrichtung 100 entsprechend eines von der Dateneingabevorrichtung 31 bereitgestellten Datensets 31a. Das Datenset 31a umfasst dabei neben den Abmessungen der durch die abbildende Einrichtung 100 zu erzeugenden Strukturen auch deren Winkel bezüglich des Referenzkoordinatensystems der Anlage 10.
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Die Vorrichtung zum Bestimmen und Einstellen einer Höhe des Substrathalters umfasst beispielsweise einen Motor 29c, der eine bestimmte Höhe des Substrathalters 24 einstellen kann. Die Vorrichtung zum Bestimmen einer Höhe des Substrathalters kann beispielsweise eine Zuordnungstabelle umfassen, in der jeweils einem vorgegebenen Winkel einer zu erzeugenden Struktur eine bestimmte Höhe des Substrathalters 24 zugeordnet ist. Eine solche Zuordnungstabelle kann beispielsweise in der Steuervorrichtung 32 enthalten sein.
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Eine andere Ausführungsform der Vorrichtung zum Bestimmen und Einstellen einer Höhe des Substrathalters 24 kann beispielsweise neben dem Motor 29c einen Detektor umfassen, der die Rotation des Elektronenstrahls auf einer vorgegebenen Höhe anhand einer Referenzstruktur, beispielsweise eines Rechtekkes, bestimmt. Der Detektor kann auf dem Substrathalter auf der Höhe der Substratoberfläche angeordnet sein.
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Die Höhe des Substrathalters 24 kann um einige mm entsprechend den vorgegebenen Winkeln der zu erzeugenden Strukturen verändert werden. Die Fokussierung des Elektronenstrahls kann auf die jeweils eingestellte Höhe der Substratoberfläche nachgeregelt werden.
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4 stellt ein Flussdiagramm einer Ausführungsform eines Verfahrens zur Erzeugung von Strukturen in einem auf einem Substrat angeordneten Resistmaterial dar. Zunächst wird mindestens eine erste Struktur in dem Resistmaterial mittels einer Elektronenstrahlbelichtungsanlage erzeugt, wobei die erste Struktur eine Orientierung bezüglich eines Referenzkoordinatensystems der Elektronenstrahlbelichtungsanlage aufweist (S161). Der Winkel zwischen dieser Orientierung und den Koordinaten des Referenzkoordinatensystems kann ein ganzzahliges Vielfaches von 45° sein. In der selben Elektronenstrahlbelichtungsanlage wird mindestens eine Justiermarke in dem Resistmaterial erzeugt, die gedreht mit Bezug auf die Koordinaten des ersten Referenzkoordinatensystems mit einem vorbestimmten Winkel angeordnet ist (S162). Die Justiermarke kann aus mehreren Elementen zusammengesetzt sein, wobei die Winkel zwischen den Kanten der Elemente und den Koordinaten des Referenzkoordinatensystems ganzzahlige Vielfache von 45° sein können. Danach wird mindestens eine zweite Struktur in dem Resistmaterial mittels einer weiteren Belichtungsanlage erzeugt (S163). Die zweite Struktur kann mittels einer Elektronenstrahlbelichtungsanlage unter Verwendung eines mit Bezug auf die 2 beschriebenen Verfahrens erzeugt werden. Die zweite Struktur weist dabei eine Orientierung bezüglich der ersten Struktur auf, wobei der Winkel zwischen dieser Orientierung und der Orientierung der ersten Struktur von ganzzahligen Vielfachen von 45° verschieden ist. Beim Erzeugen der zweiten Struktur wird das Substrat bezüglich der ersten Struktur mit Hilfe der mindestens einen Justiermarke justiert.
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Anhand der 5A bis 5C wird das in 4 dargestellte Verfahren näher erläutert. 5A zeigt ein Substrat 23, das zwei erste Strukturen 231 und 232 umfasst, die mittels einer Elektronenstrahlbelichtungsanlage in einem Resistmaterial 80 auf der Oberfläche des Substrates 23 erzeugt wurden. Die ersten Strukturen 231 und 232 weisen Orientierungen bezüglich der Koordinaten 101, 102 des Referenzkoordinatensystems der Elektronenstrahlbelichtungsanlage auf. Wie in 5A dargestellt, können die Winkel zwischen diesen Orientierungen und den Koordinaten 101 oder 102 ganzzahlige Vielfache von 45° sein. Die Strukturen 231 und 232 weisen eine gewünschte geringe Kantenrauhigkeit auf. Weiterhin umfasst das Substrat 23 mindestens eine Justiermarke 235, die ebenfalls mittels der Elektronenstrahlbelichtungsanlage in dem Resistmaterial 80 erzeugt wurde. Die Justiermarke 235 ist gedreht bezüglich des Referenzkoordinatensystems angeordnet.
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5B zeigt eine Ausführungsform der Justiermarke 235 im Detail. Die Justiermarke 235 kann aus mehreren Elementen, beispielsweise gleichgroßen Rechtecken, zusammengesetzt sein, die versetzt zueinander angeordnet sind. Die Winkel zwischen den Kanten der Elemente und den Referenzkoordinaten 101, 102 können ganzzahlige Vielfache von 45° sein. Damit weist beispielsweise die sich ergebende Teilstruktur 235a der Justiermarke 235 eine Orientierung bezüglich des Referenzkoordinatensystems auf, die durch den Winkel α bezüglich der Referenzkoordinate 101 beschrieben werden kann. Andere Teilstrukturen der Justiermarke 235, beispielsweise die in 5B dargestellte Teilstruktur 235b, können beliebige Orientierungen zu der Teilstruktur 235a aufweisen. Beispielsweise kann die Teilstruktur 235b senkrecht zur Teilstruktur 235a angeordnet sein. Die Justiermarke 235 kann eine hohe Kantenrauhigkeit verglichen mit den Strukturen 231 und 232 aufweisen.
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Die Justiermarke 235 kann jedoch auch anders erzeugt werden. Beispielsweise kann die Justiermarke 235 aus anderen Elementen zusammengesetzt oder durch andere Verfahren erzeugt werden. Die Justiermarke kann beispielsweise mit einer geringen Kantenrauhigkeit bei erhöhter Schreibzeit erzeugt werden.
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Nachfolgend wird mindestens eine zweite Struktur 233 mittels einer weiteren Belichtungsanlage in dem Resistmaterial 80 erzeugt. Die zweite Struktur 233 kann beispielsweise mittels einer Elektronenstrahlbelichtungsanlage unter Verwendung eines mit Bezug auf die 2 beschriebenen Verfahrens erzeugt werden. Dabei wird das Substrat 23 bezüglich der ersten Strukturen 231, 232 mit Hilfe der Justiermarke 235 justiert. Die Struktur 233 weist eine Orientierung bezüglich der ersten Strukturen 231, 232 auf, wobei der Winkel zwischen der Orientierung der Struktur 233 und der Orientierung der Struktur 231 oder 232 von ganzzahligen Vielfachen von 45° verschieden ist. Beispielsweise kann die Struktur 233 einen Winkel β zur ersten Struktur 232 aufweisen. Der Winkel β kann beispielsweise gleich dem Winkel α der Justiermarke 235 sein. Das resultierende Substrat 23 ist in 5C dargestellt.
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Die weitere Belichtungsanlage kann die selbe wie die Elektronenstrahlbelichtungsanlage oder eine andere sein. Die ersten Strukturen 231, 232 und die Justiermarke 235 können dabei beispielsweise nur latent im Resistmaterial 80 erzeugt worden sein, das heißt die Strukturen wurden abgebildet, aber noch nicht entwickelt.
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Jedoch können die Strukturen 231, 232 und die Justiermarke 235 auch im Resistmaterial 80 entwickelt und in eine zu strukturierende Schicht unterhalb des Resistmaterials 80 übertragen worden sein. Die zweite Struktur 233 wird dann in ein neues Resistmaterial abgebildet, das das Resistmaterial 80 ersetzen kann. Das neue Resistmaterial kann entwickelt und die Struktur 233 in die zu strukturierende Schicht übertragen werden.
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Die vorstehend beschriebenen erfindungsgemäßen Verfahren ermöglichen das Erzeugen einer Struktur mittels einer Elektronenstrahlbelichtungsanlage, wobei die Struktur eine Orientierung aufweist, die vom Referenzkoordinatensystem der Elektronenstrahlbelichtungsanlage verschieden ist. Insbesondere kann der Winkel zwischen dieser Orientierung und den Referenzkoordinaten von ganzzahligen Vielfachen von 45° verschieden sein. Die erzeugte Struktur weist dabei eine Rauhigkeit der Strukturkanten auf, die der von Strukturen, die mittels bekannter Verfahren in einer Elektronenstrahlbelichtungsanlage erzeugt wurden, gleicht oder zumindest sehr nahe kommt. Damit können die gleichen Anforderungen bezüglich der Gleichförmigkeit der Strukturgrößen, der Strukturkantenrauhigkeit und der Strukturfehler sowohl für Strukturen, die eine Orientierung aufweisen, bei denen der Winkel zwischen dieser Orientierung und den Referenzkoordinaten ein ganzzahliges Vielfaches von 45° ist, als auch für Strukturen, die eine Orientierung aufweisen, bei denen der Winkel zwischen dieser Orientierung und den Referenzkoordinaten von ganzzahligen Vielfachen von 45° verschieden ist, erfüllt werden. Insbesondere kann bei Verwendung von shaped-beam Elektronenstrahlbelichtungsanlagen eine gegenüber spot-beam Anlagen erhöhte Schreibgeschwindigkeit erreicht werden, die für beide Arten von Strukturen gleich ist.
