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Bei
der Entwicklung von Gehäusen
für Halbleiterchips,
die bewegliche Elemente enthalten, müssen besondere Anforderungen
beachtet werden. Beispielsweise reagieren bewegliche Elemente empfindlich
auf mechanische Verspannungen, die während der Gehäusefertigung
auftreten können
oder die durch bestimmte Eigenschaften der Gehäuse verursacht werden können.
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Vor
diesem Hintergrund wird ein Modul gemäß der unabhängigen Ansprüche 1, 15
und 26 sowie ein Verfahren gemäß der unabhängigen Ansprüche 11,
21 und 31 angegeben. Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen
sind in den Unteransprüchen
angegeben.
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Gemäß einer
Ausgestaltung umfasst ein Modul einen Halbleiterchip mit mindestens
einem beweglichen Element, ein erstes Substrat und ein zweites Substrat.
Die beiden Substrate sind aus einem Glas- oder Halbleitermaterial
gefertigt. Das erste Substrat bedeckt eine erste Hauptoberfläche des Halbleiterchips,
und das zweite Substrat bedeckt eine zweite Hauptoberfläche des
Halbleiterchips. Ein Teil zumindest des Halbleiterchips oder des
ersten Substrats oder des zweiten Substrats liegt offen.
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Gemäß einer
weiteren Ausgestaltung umfasst ein Modul einen Halbleiterchip mit
mindestens einem beweglichen Element, ein erstes Substrat und ein
zweites Substrat. Die beiden Substrate weisen jeweils einen thermischen
Ausdehnungskoeffizienten im Bereich von 0,3·10–6/K
bis 8,2·10–6/K
auf. Das erste Substrat bedeckt eine erste Hauptoberfläche des Halbleiterchips,
und das zweite Substrat bedeckt eine zweite Hauptoberfläche des
Halbleiterchips. Ein Teil zumindest des Halbleiterchips oder des
ersten Substrats oder des zweiten Substrats liegt offen.
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Gemäß einer
weiteren Ausgestaltung umfasst ein Modul einen Halbleiterchip mit
mindestens einem beweglichen Element, ein erstes Substrat und ein
zweites Substrat. Das erste Substrat bedeckt eine erste Hauptoberfläche des
Halbleiterchips. Das zweite Substrat bedeckt eine zweite Hauptoberfläche des Halbleiterchips
und weist eine dem mindestens einen beweglichen Element zugewandte
Ausnehmung auf. Ein Teil zumindest des Halbleiterchips oder des
ersten Substrats oder des zweiten Substrats liegt offen.
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Gemäß einer
weiteren Ausgestaltung wird ein Halbleitersubstrat, das mindestens
zwei bewegliche Elemente aufweist, bereitgestellt. Ein erstes Substrat
wird auf eine erste Hauptoberfläche
des Halbleitersubstrats aufgebracht. Nach dem Aufbringen des ersten
Substrats auf die erste Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats
wird das Halbleitersubstrat zu mindestens zwei Halbleitermodulen
mit jeweils mindestens einem beweglichen Element getrennt.
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Die
Erfindung wird nachfolgend in beispielhafter Weise unter Bezugnahme
auf die Zeichnungen näher
erläutert.
In diesen zeigen:
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1 eine
schematische Darstellung eines Moduls 100 als Ausführungsbeispiel;
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2 eine
schematische Darstellung eines Moduls 200 als weiteres
Ausführungsbeispiel;
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3 eine
schematische Darstellung eines Moduls 300 als weiteres
Ausführungsbeispiel;
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4 eine
schematische Darstellung eines Verfahrens zur Herstellung des Moduls 300 als
weiteres Ausführungsbeispiel;
und
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5 eine
schematische Darstellung eines Verfahrens zur Herstellung des Moduls 100 als
weiteres Ausführungsbeispiel.
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Im
Folgenden werden Module, die Halbleiterchips mit beweglichen Elementen
umfassen, sowie Verfahren zur Herstellung der Module beschrieben. Die
Erfindung ist unabhängig
von der Art der Halbleiterchips und der beweglichen Elemente. Die
beweglichen Elemente können
beispielsweise mechanische Elemente, Sensoren oder Aktoren sein
und können
beispielsweise als Drucksensoren, Beschleunigungssensoren, Rotationssensoren
oder Mikrofone ausgestaltet sein. Die Halbleiterchips, in welche
die beweglichen Elemente eingebettet sind, umfassen elektronische
Schaltungen, die beispielsweise die beweglichen Elemente ansteuern
oder Signale, die von den beweglichen Elementen erzeugt werden, weiterverarbeiten.
Die beweglichen Elemente können
genauso wie die Halbleiterchips aus Halbleitermaterialien, aber
auch aus anderen Materialien, wie z. B. Kunststoffen, hergestellt
sein. In der Literatur werden Kombinationen von mechanischen Elementen,
Sensoren oder Aktoren mit elektronischen Schaltungen in einem Halbleiterchip
häufig
als MEMS (Micro-Electro-Mechanical System; mikroelektromechanisches
System) bezeichnet.
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In 1 ist
als Ausführungsbeispiel
ein Modul 100 im Querschnitt dargestellt. Das Modul 100 besteht
aus einem Substrat 10, einem auf dem Substrat 10 angeordneten
Halbleiterchip 11 mit einem beweglichen Element 12 und
einem auf dem Halbleiterchip 11 angeordneten Substrat 13.
Die Substrate 10 und 13 bilden zumindest einen
Teil eines Gehäuses
des Halbleiterchips 11. Die Substrate 10 und 13 sowie
der Halbleiterchip 11 sind so übereinander gestapelt, dass
die zwei Hauptoberflächen 14 und 15 des
Halbleiterchips 11 von jeweils einem der Substrate 10 und 13 bedeckt
werden. Die Substrate 10 und 13 dienen dazu, den
Halbleiterchip 11 und das bewegliche Element 12 vor
Umwelteinflüssen,
wie beispielsweise Schmutz, Nässe
oder auch mechanischen Stößen, zu
schützen.
Ein Teil des Halbleiterchips 11 und/oder des Substrats 10 und/oder
des Substrats 13 liegt offen. Beispielsweise kann es sich dabei
um eine Randfläche
des Halbleiterchips 11, des Substrats 10 oder
des Substrats 13 handeln.
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Das
bewegliche Element 12 kann beispielsweise eine Membran,
eine Brückenstruktur
oder eine Zungenstruktur sein und beispielsweise als Sensor oder
Aktor eingesetzt werden. Zusammen mit dem beweglichen Element 12 kann
der Halbleiterchip 11 beispielsweise ein MEMS bilden und
als Drucksensor, Beschleunigungssensor, Rotationssensor oder Mikrofon
ausgestaltet sein.
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Die
beiden Substrate 10 und 13 können z. B. aus einem Glas- oder Halbleitermaterial
hergestellt sein. Die Verwendung von Glas- oder Halbleitermaterialien
für die
Substrate 10 und 13 bringt mehrere Vorteile mit
sich. Ein erster Vorteil dieser Maßnahme ist, dass eine verspannungsfreie
Montage des Halbleiterchips 11 zwischen den Substraten 10 und 13 ermöglicht wird.
Es ist nicht erforderlich, den Halbleiterchip 11 bei der
Gehäusefertigung
mit einer Vergussmasse, z. B. einem Kunststoffmaterial oder Glob-Top oder
anderen polymerhaltigen Vergussmaterialien, zu umspritzen. Das Umspritzen
mit einer Vergussmasse verursacht häufig mechanische Verspannungen
in dem Halbleiterchip 11 und insbesondere in dem beweglichen
Element 12, wodurch deren Funktionsfähigkeit eingeschränkt werden
kann. Ferner besteht beim Umspritzen mit einer Vergussmasse das Risiko,
dass das bewegliche Element 12 mit der Vergussmasse direkt
in Kontakt kommt. Bereits ein Benetzen des beweglichen Elements 12 mit
der Vergussmasse würde
zu einem Funktionsausfall führen.
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Ein
weiterer Vorteil, den die Verwendung von Glas- oder Halbleitermaterialien
für die
Substrate 10 und 13 mit sich bringt, ist dadurch
begründet,
dass die das Gehäuse
des Halbleiterchips 11 bildenden Substrate 10 und 13 die
gleichen oder zumindest ähnliche
thermomechanische Eigenschaften wie der Halbleiterchip 11,
der z. B. zu einem überwiegenden Teil
aus Silizium besteht, aufweisen. Bei Temperaturveränderungen
verhalten sich der Halbleiterchip 10 sowie die Substrate 10 und 13 beispielsweise
hinsichtlich ihrer Ausdehnung daher gleich oder zumindest ähnlich.
Dadurch ist eine spannungsfreie Lagerung des Halbleiterchips 10 in
dem ihn umgebenden Gehäuse
gewährleistet.
Eine solche spannungsfreie Lagerung ist insbesondere für die Funktionsfähigkeit des
beweglichen Elements 12 vorteilhaft, da viele bewegliche
Elemente 12, die in MEMS eingesetzt werden, sehr empfindlich
auf mechanische Verspannungen reagieren.
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Als
Halbleitermaterial für
die Substrate 10 und 13 kommt beispielsweise Silizium
infrage. Sofern auch der Halbleiterchip 11 auf Silizium-Basis
hergestellt worden ist, sind die thermomechanischen Eigenschaften,
z. B. der thermische Ausdehnungskoeffizient, des Halbleiterchips 11 und
der Substrate 10 sowie 13 sehr ähnlich.
Es können
aber auch andere Halbleiter- sowie
Glasmaterialien für
die Herstellung der Substrate 10 und 13 eingesetzt
werden, da das thermomechanische Verhalten dieser Materialien dem
des Halbleiterchips 11 sehr ähnlich ist.
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Als
Alternative zu Glas- oder Halbleitermaterialien können andere
Materialien für
die Herstellung der beiden Substrate 10 und 13 verwendet
werden, sofern der thermische Ausdehnungskoeffizient dieser Materialien
im Wesentlichen dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Halbleitermaterials entspricht,
aus dem der Halbleiterchip 11 gefertigt wurde. Der thermische
Ausdehnungskoeffizient bestimmt, wie sich ein Material bei einer
Temperaturänderung
ausdehnt. Eine ausreichende Anpassung des thermomechanischen Verhaltens
der das Gehäuse bildenden
Substrate 10 und 13 an das thermomechanische Verhalten
des Halbleiterchips 11 ist gewährleistet, falls die Substrate 10 und 13 einen
thermischen Ausdehnungskoeffizienten im Bereich von 0,3·10–6/K
bis 8,2·10–6/K
aufweisen. Insbesondere können
die Substrate 10 und 13 einen ther mischen Ausdehnungskoeffizienten
im Bereich von 4,0·10–6/K bis
4,5·10–6/K
aufweisen. Ferner kann beispielsweise ein Material für die Substrate 10 und 13 gewählt werden,
dass in etwa den gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten wie
Silizium von ca. 4,2·10–6/K aufweist.
Durch die Verwendung von Substraten 10 und 13 mit
den genannten Ausdehnungskoeffizienten werden mechanische Verspannungen
in dem beweglichen Element 12 weitestgehend minimiert.
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Zur
Herstellung des Moduls 100 wird der Halbleiterchip 11 bereitgestellt
und die Substrate 10 und 13 werden auf die Hauptoberflächen 14 und 15 des
Halbleiterchips 11 aufgebracht. Nach dem Aufbringen der
beiden Substrate 10 und 13 auf die Hauptoberflächen 14 und 15 des
Halbleiterchips 11 liegt ein Teil zumindest des Halbleiterchips 11 oder des
Substrats 10 oder des Substrats 13 offen.
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In 2 ist
als weiteres Ausführungsbeispiel ein
Modul 200 im Querschnitt dargestellt. Der Aufbau des Moduls 200 ist ähnlich zu
dem Aufbau des Moduls 100. Das Modul 200 besteht
aus einem Substrat 10, einem auf dem Substrat 10 angeordneten
Halbleiterchip 11 mit einem beweglichen Element 12 und einem
auf dem Halbleiterchip 11 angeordneten Substrat 13.
Die Substrate 10 und 13 bilden zumindest einen
Teil eines Gehäuses
des Halbleiterchips 11. Das Substrat 13 weist
eine dem beweglichen Element 12 zugewandte Ausnehmung 16 auf.
Die Ausnehmung 16 bildet im zusammengebauten Zustand des
Moduls 200 einen Hohlraum, der für die Beweglichkeit und/oder
Funktionsfähigkeit
des beweglichen Elements 12 erforderlich sein kann. Ein
Teil des Halbleiterchips 11 und/oder des Substrats 10 und/oder
des Substrats 13 liegt offen. Beispielsweise kann es sich dabei
um eine Randfläche
des Halbleiterchips 11, des Substrats 10 oder
des Substrats 13 handeln.
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Beispielsweise
kann das bewegliche Element 12 als Membran ausgebildet
sein, und der durch die Ausnehmung 16 gebildete Hohlraum
bildet ein Rückvolumen
der Membran 12. Ein Rückvolu men ist
ein eingeschlossener Luftraum, der bei jeder Auslenkung der Membran 12 eine
Rückstellkraft
zusätzlich
zu der durch die elastischen Eigenschaften der Membran 12 verursachten
Rückstellkraft
bewirkt.
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Der
Halbleiterchip 11 kann ferner eine Ausnehmung 17 aufweisen,
in der das bewegliche Element 12 angeordnet ist oder die
von dem beweglichen Element 12 begrenzt ist. Auch die Ausnehmung 17,
die im zusammengebauten Zustand des Moduls 200 einen Hohlraum
ausbilden kann, kann für
die Beweglichkeit und/oder Funktionsfähigkeit des beweglichen Elements 12 erforderlich
sein.
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Die
Ausnehmungen 16 und 17 können beispielsweise durch Ätzschritte,
aber auch durch mechanische Bearbeitungen, wie z. B. Fräsen oder
Bohren, in das Substrat 13 bzw. den Halbleiterchip 11 eingebracht
werden.
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Das
bewegliche Element 12 des Moduls 200 kann genauso
wie das oben beschriebene bewegliche Element 12 des Moduls 100 ausgestaltet
sein. Die Substrate 10 und 13 des Moduls 200 können aus einem
Glas- oder Halbleitermaterial oder aus einem Material mit einem
thermischen Ausdehnungskoeffizienten im Bereich von 0,3·10–6/K
bis 8,2·10–6/K
und insbesondere im Bereich von 4,0·10–6/K
bis 4,5·10–6/K
hergestellt sein, sie können
aber auch aus anderen Materialien hergestellt sein.
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Zur
Herstellung des Moduls 200 wird der Halbleiterchip 11 bereitgestellt
und die Substrate 10 und 13 werden auf die Hauptoberflächen 14 und 15 des
Halbleiterchips 11 aufgebracht. Dabei wird das Substrat 13 mit
der Seite, welche die Ausnehmung 16 aufweist, auf den Halbleiterchip 11 aufgebracht. Nach
dem Aufbringen der beiden Substrate 10 und 13 auf
die Hauptoberflächen 14 und 15 des
Halbleiterchips 11 liegt ein Teil zumindest des Halbleiterchips 11 oder
des Substrats 10 oder des Substrats 13 offen.
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In 3 ist
ein Modul 300 gezeigt, das eine Weiterbildung sowohl des
Moduls 100 als auch des Moduls 200 darstellt.
Bei dem Modul 300 sind die Substrate 10 und 13 aus
einem Glas- oder
Halbleitermaterial oder aus einem Material mit einem thermischen
Ausdehnungskoeffizienten im Bereich von 0,3·10–6/K
bis 8,2·10–6/K
und insbesondere im Bereich von 4,0·10–6/K
bis 4,5·10–6/K
gefertigt. Der Halbleiterchip 11 des Moduls 300 enthält als bewegliche Elemente
eine Zungenstruktur 18 und eine Membranstruktur 19.
Die Zungenstruktur 18 und die Membranstruktur 19 sind
in Hohlräumen,
die durch die Ausnehmungen 16 und 17 gebildet
sind, angeordnet. Das Substrat 10 weist eine Öffnung 20 auf,
die zu der Ausnehmung 17, die an die Membranstruktur 19 angrenzt,
führt.
Zusammen mit den in dem Halbleiterchip 11 integrierten
Schaltungen ist die Zungenstruktur 18 beispielsweise als
Beschleunigungssensor und die Membranstruktur 19 beispielsweise
als Drucksensor ausgebildet. In diesem Fall gewährleistet die Öffnung 20,
dass der Luftdruck in dem durch die Ausnehmung 17 gebildeten
Hohlraum dem Luftdruck außerhalb
des Moduls 300 entspricht.
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Das
Substrat 10 ist in 3 auf seiner
Unterseite mit Außenkontaktelementen 21 versehen,
die über
Verbindungsleitungen 22 mit Kontaktflächen 23 des Halbleiterchips 11 elektrisch
verbunden sind. Über
die Außenkontaktelemente 21 kann
der Halbleiterchip 11 von außen elektrisch kontaktiert
werden. Die Verbindungsleitungen 22 führen in 3 durch Durchlässe 24 in
dem Substrat und sind als sogenannte Via(Vertical Interconnect Access)-Verbindungen
ausgestaltet. Alternativ können
die Verbindungsleitungen 22 von den Außenkontaktelementen 21 des
Substrats 10 entlang der Oberfläche und über einen Randbereich 25 des
Substrats 10 zu den Kontaktflächen 23 des Halbleiterchips 11 führen.
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Die
Verbindungsleitungen 22 können mittels üblicher
Wafer-Prozesse auf
dem Substrat 10 erzeugt werden. Beispielsweise werden Metallschichten
auf das Substrat 10 gesputtert, die anschließend photolithografisch
strukturiert werden. Sofern dickere Schichten benötigt werden,
können
die aufgebrachten Metallschichten galvanisch verstärkt werden (sog.
Elektroplating). Es kann auch vorgesehen sein, dass beide Seiten
des Substrats 10 beschichtet werden. In diesem Fall weist
das Substrat 10 metallische Beschichtungen auf, die dem
Halbleiterchip 11 zugewandt sind und eine zuverlässige elektrische
Kontaktierung mit dem Halbleiterchip 11 gewährleisten.
Beispielhaft ist sind derartige Beschichtungen 28 in 4 dargestellt.
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Die
Außenkontaktelemente 21 und
die Verbindungsleitungen 22 können aus einem Metall, wie z.
B. Aluminium, Gold oder Kupfer, oder einer Legierung hergestellt
sein. Die Kontaktflächen 23 des Halbleiterchips 11 können mit
einer Metallisierungsschicht, z. B. aus Aluminium, Gold, Kupfer
oder einer Legierung, beschichtet sein.
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Wie
in 3 gezeigt ist, kann das Substrat 10 im
Bereich der Kontaktelemente 21 Erhebungen 26 aufweisen.
Bei einer Montage des Moduls 300 auf eine Leiterplatte
erleichtern die Erhebungen 26 die Kontaktierung der Außenkontaktelemente 21 mit
den entsprechenden Kontaktelementen der Leiterplatte. Zusätzlich können auf
den Außenkontaktelementen 21 Lotdepots
bzw. Lotkugeln 27 aufgebracht sein, die zum Verlöten des
Moduls 300 mit den Kontaktelementen einer Leiterplatte
dienen.
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Aufgrund
der thermomechanischen Eigenschaften der Substrate 10 und 13 werden
die bei der Montage des Moduls 300 auf eine Leiterplatte
auftretenden mechanischen Spannungen von den Substraten 10 und 13 aufgenommen,
sodass die Montage für
den Halbleiterchip 11 sowie insbesondere die Zungenstruktur 18 bzw.
die Membranstruktur 19 besonders spannungsarm ist. Besonders
gute Ergebnisse werden erzielt, wenn auch die Leiterplatte, auf die
das Modul 300 montiert wird, in ihren thermomechanischen
Eigenschaften an das für
die Substrate 10 und 13 verwendete Material angepasst
ist. Beispielsweise ist dies für
eine aus einer Keramik gefertigte Leiterplatte der Fall.
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Die
aktive Hauptoberfläche
des Halbleiterchips 11, auf der sich elektrisch betreibbare
Strukturen bzw. Schaltungen befinden, kann eine der beiden Hauptoberflächen 14 und 15 sein.
Folglich kann der Halbleiterchip 11 sowohl derart ausgerichtet
sein, dass seine aktive Hauptoberfläche dem Substrat 10 zugewandt
ist, als auch derart, dass die aktive Hauptoberfläche an das
Substrat 13 angrenzt. Sofern die Hauptoberfläche 15 die
aktive Hauptoberfläche
des Halbleiterchips 11 ist, müssen Verbindungsleitungen von
den Kontaktflächen
der aktiven Hauptoberfläche
zu den Kontaktflächen 23 vorgesehen
sein. Beispielsweise können
zu diesem Zweck Durchkontaktierungen (Via-Verbindungen) durch vertikale
Durchlässe
in dem Halbleiterchip 11 führen.
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Die
aktive Hauptoberfläche
des Halbleiterchips 11 kann mit einer Umverdrahtungslage
versehen sein, in welcher Leiterbahnen von Kontaktflächen des
Halbleiterchips 11 zu den Kontaktflächen 23 geführt sind.
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In 4 ist
als weiteres Ausführungsbeispiel ein
Verfahren zum Herstellen des Moduls 300 schematisch dargestellt.
Bei dem Verfahren werden, wie in 4 gezeigt
ist, das Substrat 10, der Halbleiterchip 11 und
das Substrat 13 übereinander
gestapelt. Während
des Stapelns sind sowohl die Substrate 10 und 13 als
auch der Halbleiterchip 11 vorzugsweise noch Teil eines
jeweiligen Wafers. Folglich werden zur Herstellung des Moduls 300 nicht
bereits vereinzelte Substrate 10 und 13 und ein
vereinzelter Halbleiterchip 11 übereinander gestapelt, sondern
es werden drei Wafer oder zumindest Teile von drei Wafern, welche
die in 4 gezeigten Strukturen enthalten, übereinander
gestapelt. Das Stapeln auf Wafer-Ebene ermöglicht eine kostengünstige Herstellung,
die mit dem sogenannten „Wafer-Level-Packaging"-Verfahren kompatibel
ist.
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Die
Wafer können
beispielsweise durch Löten,
Kleben, anodisches Bonden oder Glas-Frit-Bonden miteinander verbunden
wer den. Beim anodischen Bonden wird ein elektrisches Feld an den
aus den übereinander
geschichteten Wafer gebildeten Stapel angelegt. Der dadurch hervorgerufene
Strom durch den Waferstapel führt
zu einem Verschmelzen der Wafer in den Kontaktbereichen. Beim Glas-Frit-Bonden
wird zwischen die Wafer ein Glaslot oder Glaspulver eingebracht.
Anschließend
wird der Waferstapel bis zum Schmelzpunkt des Glaslots oder Glaspulvers
erhitzt, wodurch sich eine feste Verbindung zwischen den Wafern
ergibt.
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Die
Module 300 werden anschließend, beispielsweise durch
Sägen,
vereinzelt.
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Die
Außenkontaktelemente 21 und
die Verbindungsleitungen 22 können entweder vor dem Stapeln
der Wafer oder danach auf das Substrat 10 aufgebracht werden.
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In 5 ist
als weiteres Ausführungsbeispiel ein
Verfahren zur Herstellung des Moduls 100 dargestellt. Dazu
wird ein Halbleitersubstrat 30 bereitgestellt, das mindestens
zwei bewegliche Elemente 12, z. B. zwei offen liegende
Membrane, enthält.
Beispielsweise kann das Halbleitersubstrat 30 ein Halbleiterwafer
sein, der mindestens zwei Halbleiterchips enthält. Auf eine Hauptoberfläche 14 des
Halbleitersubstrats 30 wird ein Substrat 31 aufgebracht.
Auf eine Hauptoberfläche 15 des
Halbleitersubstrats 30 kann ferner beispielsweise ein Substrat 32 aufgebracht
werden. Nach dem Aufbringen des Substrats 31 auf die Hauptoberfläche 14 des
Halbleitersubstrats 30 und insbesondere nach dem Aufbringen
des Substrats 32 auf die Hauptoberfläche 15 des Halbleitersubstrats 30 wird
das Halbleitersubstrat 30 zu mindestens zwei Modulen 100 mit
jeweils mindestens einem beweglichen Element 12 getrennt.
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Nach
dem Trennen der Halbleitersubstrats 30, beispielsweise
durch Sägen,
liegen beispielsweise Randbereiche der Module 100 offen.
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Durch
das in 5 gezeigte Verfahren können beispielsweise auch die
Module 200 und 300 hergestellt werden.
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Die
Substrate 31 und 32 können mit dem Halbleitersubstrat 30 beispielsweise
durch Löten, Kleben,
anodisches Bonden oder Glas-Frit-Bonden verbunden werden.
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Die
Substrate 31 und 32 können aus einem Glas- oder Halbleitermaterial
oder aus einem Material mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten im
Bereich von 0,3·10–6/K
bis 8,2·10–6/K
und insbesondere im Bereich von 4,0·10–6/K
bis 4,5·10–6/K
hergestellt sein.
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Das
Substrat 31 oder 31 kann eine oder mehrere den
beweglichen Elementen 12 zugewandte Ausnehmungen aufweisen,
die ähnlich
wie die Ausnehmungen 16 der Module 200 und 300 ausgestaltet
sein können.