DE10128262A1 - Magnetoresistives Sensorsystem - Google Patents

Magnetoresistives Sensorsystem

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Abstract

Magnetoresistives Sensorsystem mit einem weichmagnetischen Messschichtsystem und mindestens einem hartmagnetischen, als AAF-System ausgebildeten Referenzschichtsystem, umfassend einen AAF-Schichtverbund sowie wenigstens eine Referenzschicht, wobei der AAF-Schichtverbund zwei Magnetschichten aufweist und wobei das Referenzschichtsystem wenigstens eine antiferromagnetische Schicht umfasst, die benachbart zu einer Magnetschicht des AAF-Schichtverbunds angeordnet ist, wobei die zur antiferromagnetischen Schicht (10) entfernt angeordnete Magnetschicht eine in eine erste Richtung weisende uniaxiale Anisotropie aufweist und wobei die Magnetisierung der antiferromagnetischen Schicht (10) in eine zweite Richtung weisend ausgerichtet ist, wobei die Anisotropierichtung der Magnetschicht (8) und die Magnetisierungsrichtung der antiferromagnetischen Schicht (10) unter einem Winkel (alpha) zueinander stehen.

Description

Die Erfindung betrifft ein magnetoresistives Sensorsystem mit einem weichmagnetischen Messschichtsystem und mindestens ei­ nem hartmagnetischen, als AAF-System ausgebildeten Referenz­ schichtsystem umfassend einen AAF-Schichtverbund sowie we­ nigstens eine Referenzschicht, wobei der AAF-Schichtverbund zwei Magnetschichten aufweist, und wobei das Referenzschicht­ system wenigstens eine antiferromagnetische Schicht umfasst, die benachbart zu einer Magnetschicht des AAF-Schichtverbunds angeordnet ist.
Derartige Sensorsysteme werden beispielsweise als Magnetfeld­ detektoren eingesetzt. Ein zentraler Bestandteil hierbei ist das Referenzschichtsystem, das als AAF-System (AAF = artifi­ cal anti ferromagnetic) ausgebildet ist. Ein derartiges AAF- System ist aufgrund seiner hohen magnetischen Steifigkeit und der relativ geringen Kopplung zum Messschichtsystem durch den sogenannten Orange-Peel-Effekt und/oder durch makroskopische magnetostatische Kopplungsfelder von Vorteil. Ein AAF-System besteht in der Regel aus einer ersten Magnetschicht oder ei­ nem Magnetschichtsystem, einer antiferromagnetischen Kopp­ lungsschicht und einer zweiten magnetischen Schicht oder ei­ nem magnetischen Schichtsystem, das mit seiner Magnetisierung über die antiferromagnetische Kopplungsschicht entgegenge­ setzt zur Magnetisierung der unteren Magnetschicht gekoppelt wird. Ein solches AAF-System kann z. B. aus zwei magnetischen Co-Schichten und einer antiferromagnetischen Kopplungsschicht aus Cu gebildet werden.
Um die Steifigkeit des AAF-Systems, also seine Resistenz ge­ gen externe äußere Felder zu verbessern ist es üblich, an der dem Messschichtsystem abgewandten Magnetschicht des AAF- Systems eine antiferromagnetische Schicht anzuordnen. Über diese antiferromagnetische Schicht wird die direkt benachbar­ te Magnetschicht in ihrer Magnetisierung zusätzlich gepinnt, so dass das AAF-System insgesamt härter wird (exchange pin­ ning oder exchange biasing).
Ein AAF-Schichtverbund besteht normalerweise aus zwei ferro­ magnetischen Magnetschichten, z. B. aus Co, die über eine an­ tiparallel koppelnde Zwischenschicht, z. B. aus Cu miteinander gekoppelt sind. Infolge der RKKY-Kopplung zwischen beiden Schichten stellt sich ein antiparalleler Zustand bei fehlen­ dem externen Magnetfeld ein, das heißt, die Magnetisierungen der beiden Magnetschichten stehen antiparallel zueinander. Die magnetische Steifigkeit des AAF-Systems korrespondiert mit der Amplitude des anliegenden externen Feldes, das erfor­ derlich ist, um die Magnetisierungen beider Schichten in die­ selbe Richtung, also parallel zueinanderstehend, zu drehen. Um den antiparallelen Zustand zu erzeugen, wird der AAF- Schichtverbund oder das AAF-System zunächst mit einem exter­ nen Magnetfeld, das zweckmäßiger Weise in die Richtung einer leichten Achse einer Magnetschicht liegt, aufmagnetisiert. Die dünnere Schicht, die weniger magnetische Momente aufweist als die dickere, dreht dann aufgrund der antiparallelen Kopp­ lung in die antiparallele Richtung. Ein Drehprozess findet in beiden Schichten statt, wobei die dickere Schicht nur leicht aus der ursprünglichen Ausrichtung heraus dreht und anschlie­ ßend wieder zurückdreht. Die dünnere Schicht dreht um über 180°, was jedoch nachteiliger Weise mitunter zur Bildung von Domänen bzw. Domänenwänden in dieser Schicht führt. Es können sich dann 360°-Wände ausbilden. Diese sind jedoch nachteilig bei etwaigen funktionsbedingten Drehprozessen des Systems.
Der Erfindung liegt damit das Problem zugrunde, ein Sensor­ system anzugeben, bei dem die Domänenbildung beim Aufmagneti­ sieren weitgehend unterbunden werden kann.
Zur Lösung dieses Problems ist bei einem magnetoresistiven Sensorsystem der eingangs genannten Art erfindungsgemäß vor­ gesehen, dass die zur antiferromagnetischen Schicht entfernt angeordnete Magnetschicht eine in eine erste Richtung weisen­ de uniaxiale Anisotropie aufweist, und dass die Magnetisie­ rung der antiferromagnetischen Schicht in eine zweite Rich­ tung weisend ausgerichtet ist, wobei die Anisotropierichtung der Magnetschicht und die Magnetisierungsrichtung der anti­ ferromagnetischen Schicht unter einem Winkel zueinander ste­ hen.
Beim erfindungsgemäßen Sensorsystem wird zum einen in die ei­ ne Magnetschicht eine in eine erste Richtung weisende uniaxi­ ale Anisotropie induziert, die unter einem Winkel zur Magne­ tisierung der antiferromagnetischen Schicht und damit auch zur Magnetisierung der an diese gekoppelten zweiten Magnet­ schicht, die über die antiferromagnetische Schicht gepinnt ist, steht. Im Endeffekt stehen also die Magnetisierungen der beiden Magnetschichten unter einem Winkel zueinander. Wird nun beispielsweise zum Aufmagnetisieren des Systems ein ex­ ternes Magnetfeld angelegt, das zwischen den beiden Richtun­ gen liegt, so werden zunächst aufgrund des externen Magnet­ feldes die beiden Magnetisierungen in Feldrichtung drehen. Wenn das externe Magnetfeld gesenkt wird, so wird aufgrund zweier unterschiedlicher Effekte die Drehrichtung der jewei­ ligen Magnetisierung in eine bestimmte Richtung induziert. Die Magnetisierung der zur antiferromagnetischen Schicht ent­ fernt liegenden Magnetschicht, in die die Anisotropie indu­ ziert wurde, wird in Richtung der Anisotropie drehen. Die Magnetisierung der anderen Magnetschicht hingegen wird auf Grund der einsetzenden Kopplung zur antiferromagnetischen Schicht in die entgegengesetzte Richtung drehen. Aufgrund der induzierten Anisotropie und der darunter unter einem Winkel stehenden Magnetisierung der antiferromagnetischen Schicht erhält folglich die jeweilige Schichtmagnetisierung einen anisotropie- bzw. kopplungsbedingten Drehimpuls in die jeweils ausgezeichnete Richtung. Bei hinreichend kleinem Feld ist ei­ ne hinreichende Kopplung zwischen der antiferromagnetischen Schicht, z. B. einem natürlichen Antiferromagneten und der darüber liegenden ferromagnetischen Magnetschicht erreicht, weshalb diese quasi ihre Endausrichtung erreicht hat. Mit der bei weiterem Absenken des externen Felds einsetzenden antipa­ rallelen Kopplung der zweiten Magnetschicht zur Ersten wird diese über die Anisotropierichtung hinaus in den im Idealfall antiparallelen Zustand eindrehen.
Aufgrund der durch die Anisotropie und die dazu unter einem Winkel stehende Magnetisierung der antiferromagnetischen Schicht und mit ihr der Magnetisierung der gekoppelten Mag­ netschicht wird also vorteilhaft in jede der Magnetschichten eine bestimmte Drehrichtung oder ein bestimmter Drehrich­ tungsbeitrag induziert, der vorteilhaft eine Domänenbildung oder eine Wandbildung während des Drehprozesses verhindert.
Die Anisotropierichtung und die Magnetisierungsrichtung soll­ te zweckmäßiger Weise unter einem Winkel ≦ 90°, insbesondere ≦ 60° zueinander stehen. Es kann hier jeder beliebige Zwi­ schenwinkel gewählt werden. Die Anisotropie der Magnetschicht kann zweckmäßiger Weise während ihrer Erzeugung durch Ab­ schalten der Magnetschicht in einem in die erste Richtung ausgerichteten Magnetfeld induziert sein. Selbstverständlich sind auch andere Induktionsverfahren denkbar, solange die A­ nisotropie unter einer definierten Richtung induziert werden kann. Die Ausrichtung der Magnetisierung der antiferromagne­ tischen Schicht erfolgt zweckmäßiger Weise in einem thermi­ schen Ausheilschritt bei Anliegen eines in die zweite Rich­ tung gerichteten Magnetfelds. Zum Ausrichten der antiferro­ magnetischen Schicht wird diese über die blocking-Temperatur erwärmt und während des Anliegens des Ausrichtfelds, das un­ ter einem Winkel zur bereits induzierten Anisotropie steht, abgekühlt.
Die beiden Magnetschichten können beim erfindungsgemäßen Sen­ sorsystem unterschiedlich dick sein. Daneben ist es aber auch denkbar, gleich dicke Schichten vorzusehen, so dass das Schichtsystem des AAF kein Nettomoment zeigt.
Weiterhin ist es zweckmäßig, wenn die erste und die zweite Richtung möglichst symmetrisch zu einer gegebenen Formaniso­ tropie des Sensorsystems stehen, das heißt, wenn die Forman­ isotropierichtung quasi im mittleren Zwischenwinkel zwischen beiden Richtungen verläuft. Wird ein externes Feld angelegt, ist es dann vorteilhaft, diese in der Formanisotropierichtung anzulegen.
Das Sensorsystem selbst ist zweckmäßiger Weise ein giant- magnetoresistive-, ein magnetic-tunnel-junction- oder ein spin-valve-transistor-System.
Neben dem Sensorsystem selbst betrifft die Erfindung ferner einen magnetoresistiven 360°-Winkelsensor, bestehend aus zwei auf einem gemeinsamen Substrat angeordneten Sensorbrücken, die jeweils vier Sensorelemente aufweisen, wobei vier Sensor­ systeme eine erste Anisotropie und vier Sensorsysteme eine zur ersten in einem Winkel von vorzugsweise 90° stehende zweite Anisotropie aufweisen. Dieser Winkelsensor zeichnet sich erfindungsgemäß dadurch aus, dass die Sensorsysteme ge­ mäß der vorbeschriebenen Art ausgebildet sind.
Weiterhin betrifft die Erfindung ferner ein Verfahren zur Herstellung eines magnetoresistiven Sensorsystems mit einem weichmagnetischen Messschichtsystem und mindestens einem hartmagnetischen, als AAF-System ausgebildeten Referenz­ schichtsystem umfassend einen AAF-Schichtverbund sowie we­ nigstens eine Referenzschicht, wobei der AAF-Schichtverbund zwei Magnetschichten aufweist, und wobei das Referenzschicht­ system wenigstens eine antiferromagnetische Schicht umfasst, die benachbart zu einer Magnetschicht des AAF-Schichtverbunds angeordnet ist. Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass in der zur antiferromagnetischen Schicht entfernt angeordneten Magnetschicht eine in eine erste Rich­ tung weisende uniaxiale Anisotropie induziert wird, was zweckmäßiger Weise durch Abscheiden der Magnetschicht in ei­ nem in die erste Richtung ausgerichteten Magnetschicht er­ folgt, und dass anschließend die Magnetisierung der antifer­ romagnetischen Schicht in eine zweite Richtung weisend ausge­ richtet wird, was zweckmäßiger Weise in einem thermischen Ausheilschritt bei Anliegen eines in die zweite Richtung ge­ richteten Magnetfelds erfolgt, wobei die Anisotropierichtung der Magnetschicht und die Magnetisierungsrichtung der anti­ ferromagnetischen Schicht unter einem Winkel zueinander ste­ hen.
Weitere Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens sind den abhängigen Unteransprüchen zu entnehmen.
Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung er­ geben sich aus dem im folgenden beschriebenen Ausführungsbei­ spiel sowie anhand der Zeichnungen. Dabei zeigen:
Fig. 1 eine Prinzipsskizze eines erfindungsgemäßen Sensor­ systems in einer Schnittansicht,
Fig. 2 eine Prinzipsskizze zur Darstellung der unter­ schiedlichen Richtungen der Anisotropie bzw. der Magnetisierung der antiferromagnetischen Schicht,
Fig. 3 eine Prinzipsskizze zur Darstellung des Richtungs­ verlaufs bezogen auf eine Formanisotropie des Sys­ tems und
Fig. 4 einen 360°-Winkelsensor.
Fig. 1 zeigt ein erfindungsgemäßes Sensorsystem 1. Dieses be­ steht aus einem Referenzschichtsystem 2, das über eine Ent­ kopplungsschicht 3 von einem weichmagnetischen Messschicht­ system 4 entkoppelt ist. Das Referenzschichtsystem 2 selbst ist auf einem Substrat 5 angeordnet. Das Referenzschichtsys­ tem 2 besteht aus einem AAF-Schichtverbund (AAF = artifical anti ferromagnetic), bestehend aus einer unteren ferromagne­ tischen Schicht 7, einer oberen ferromagnetischen Schicht 8 und einer zwischen diesen angeordneten, die Magnetisierungen beider Schichten antiparallel koppelnden Kopplungsschicht 9. Der Aufbau und die Funktionsweise eines derartigen AAF- Schichtverbunds oder Systems ist hinreichend bekannt.
Unterhalb der unteren ferromagnetischen Schicht 7 ist eine antiferromagnetische Schicht 10 angeordnet. Diese kann aus den üblichen bekannten Schichtmaterialien wie z. B. NiO, FeMn, TbCo, NiMn, IrMn, PtMn, CrPtMn, RhMn oder PdMn bestehen und bis z. B. ca. 30 nm dick sein. Diese auch Austauschkopplungs­ schicht oder exchange biasing-Schicht genannte antiferro­ magnetische Schicht 10 dient zum Pinnen der Magnetisierung der ferromagnetischen Magnetschicht 7. Diese richtet sich wie Fig. 1 zeigt parallel zur Magnetisierung der obersten Schicht der antiferromagnetischen Schicht aus.
Fig. 2 zeigt in Form einer Prinzipsskizze die Erzeugung der Anisotropie sowie die Einstellung der Magnetisierung der un­ teren weichmagnetischen Schicht bzw. der antiferromagneti­ schen Schicht.
Zunächst werden im Schritt I, nachdem bereits die antiferro­ magnetische Schicht 10 abgeschieden wurde, die Schichten 7 und 8 (unter dazwischen selbstverständlich die antiparallel koppelnde Kopplungsschicht) abgeschieden. Die Abscheidung er­ folgt bei Anliegen eines Magnetfelds HI, das in eine bestimm­ te, von dem zugeordneten Pfeil angegebene Richtung ausgerich­ tet ist. Hierdurch wird sowohl in der Schicht 7 wie auch in der Schicht 8 eine Anisotropie induziert, wie durch die bei­ den Pfeile dargestellt ist. Nach erfolgtem Aufbringen der Schichten wird das Anisotropie-Magnetfeld HI auf Null redu­ ziert. Neben der Induzierung einer Anisotropie in beiden Schichten 7, 8 ist es aber auch denkbar, lediglich in der oberen Schicht 8 eine Anisotropie zu induzieren.
Im Schritt II erfolgt nun die Einstellung der Magnetisierung der antiferromagnetischen Schicht 10. Hierzu wird die System­ temperatur auf eine Temperatur oberhalb der blocking- Temperatur der antiferromagnetischen Schicht 10 erhöht und gleichzeitig ein Einstell-Magnetfeld angelegt, das in Fig. 2 mit HII gekennzeichnet ist. Die Richtung des Magnetfelds ist ebenfalls durch den zugeordneten Pfeil angegeben und steht unter einem Winkel α zur Richtung des im Schritt I wirkenden Magnetfeldes HI. Dies führt dazu, dass die vorher wahllos ge­ richteten magnetischen Momente der antiferromagnetischen Schicht 10 (siehe Fig. 1) ausgerichtet werden und sich in Richtung des externen Einstellmagnetfelds ausrichten. Wird nun die Temperatur und das Feld HII reduziert, so setzt die Austauschkopplung zwischen der Schicht 10 und der Schicht 7 ein, was dazu führt, dass die Magnetisierung der Schicht 7, wie durch den Pfeil angedeutet, parallel zur Magnetisierung der obersten Schicht der antiferromagnetischen Schicht 10 dreht.
Soll nun das Sensorsystem aufmagnetisiert werden, so wird ein externes Aufmagnetisierungsfeld HIII angelegt, das im gezeig­ ten Beispiel im mittigen Zwischenwinkel zwischen der einge­ stellten Anisotropie der Schicht 8 und der gekoppelten Magne­ tisierung der Schicht 7 liegt. Bei hinreichend hohem Feld HIII drehen die Magnetisierungen der Schicht 8 und der Schicht 7 parallel zur Feldrichtung. Wird nun das Aufmagnetisierungs­ feld HIII reduziert, so setzt zunächst die Austauschkopplung zwischen der antiferromagnetischen Schicht 10 und der Magnet­ schicht 7 ein, das heißt, die Magnetisierung der Schicht 7 dreht parallel zur Magnetisierung der Schicht 10. Da die Richtung des Aufmagnetisierungsfelds HIII zwischen den beiden die jeweilige Richtung der Magnetisierung der Schichten 7, 8 beeinflussenden Komponenten, nämlich einmal der Anisotropie der Schicht 8 und zum anderen der Ausrichtung des natürlichen Antiferromagneten der Schicht 10 liegt, erfährt die Magneti­ sierung der Schicht 8 eine bevorzugte Drehkomponente in Rich­ tung der Anisotropie der Schicht 8. Sie dreht sich also be­ vorzugt in diese Richtung. Bei weiterem Absenken des externen Feldes dreht die Magnetisierung der Schicht 8 aufgrund der einsetzenden antiparallelen Kopplung zwischen den Schichten 7 und 8 weiter und stellt sich im Idealfall antiparallel zur Magnetisierung der Schicht 7.
Da aufgrund der unterschiedlichen Richtungen der Anisotropie der Schicht 8 und der Magnetisierung der Schicht 10 nach An­ legen eines externen Einstellfelds die Magnetisierungen der Schichten 7 und 8 jeweils eine in die entgegengesetzte Bewe­ gungskomponente oder einen Bewegungsimpuls in der jeweils be­ vorzugten Richtung erhalten, wird vorteilhaft vermieden, dass sich bei den Drehprozessen irgendwelche Domänen oder Domänen­ wände ausbilden.
Fig. 3 zeigt als Prinzipsskizze, dass die jeweiligen relevan­ ten Richtungen der Anisotropie bzw. der Magnetisierung am zweckmäßigsten abhängig von einer etwaigen gegebenen Forman­ isotropie gelegt werden, also bevorzugt symmetrisch dazu. Auf diese Weise wird vermieden, dass die Formanisotropie den auf­ grund der Positionierung der jeweiligen Richtung unter einem Winkel zueinander erzielbaren Effekt stört.
Schließlich zeigt Fig. 4 einen erfindungsgemäßen magnetore­ sistiven 360°-Winkelsensor 19. Gezeigt ist in Form einer Prinzipskizze die Anordnung verschiedener Sensorsysteme auf einem insoweit nicht näher gezeigten gemeinsamen Sensor­ subtrat mit zwei Typen von Sensorbrücken, die zur Bildung ei­ nes 360°-Winkelsensors benötigt werden und um 90° verschobene Signale liefern. Gezeigt sind zwei Sensorbrücken 20, 21, wo­ bei auf einem Substrat natürlich mehrere Sensorbrücken, von denen jeweils zwei einen Winkelsensor bilden, erzeugt werden. Jede Brücke 20, 21 besteht aus jeweils vier Sensorelementen 22a, b, c, d bzw. 23a, b, c, d. Ersichtlich sind die Sensor­ systeme in parallelen, geradlinigen Reihen, die in x- und y- Richtung verlaufen, angeordnet. Dies führt zu einer optimalen Ausnutzung der Substratfläche. Jedes Sensorsystem ist ent­ sprechend einer der vorbeschriebenen Ausführungsformen aufge­ baut, das heißt, es ist in jedem Fall ein Biasschichtsystem mit einer ferrimagnetischen Schicht vorgesehen. Die induzier­ te Anisotropie des Biasschichtsystems bzw. des gesamten Bias­ schichtsystems ist durch die Doppelpfeile 24, 25 dargestellt. Die Doppelpfeile 24, 25 und damit die leichten Achsen stehen unter einem Winkel von 90° zueinander. Bedingt durch die in­ duzierte Anisotropie dreht sich die Magnetisierung der ferri­ magnetischen Schicht und infolge der Kopplung mit ihr die Magnetisierung des Magnetschichtsystems in Abhängigkeit eines äußeren Einstell-Magnetfelds in Richtung der leichten Achse. In Fig. 4 sind die jeweiligen Magnetisierungsrichtungen durch die Pfeile innerhalb der jeweiligen Sensorsysteme angegeben. Wie Fig. 4 zu entnehmen ist weisen jeweils zwei Sensorsysteme einer jeweiligen Sensor-Vollbrücke zwei gleiche Anisotropien auf, die im gezeigten Beispiel jeweils senkrecht zueinander stehen. Da jeweils zwei Sensorbrücken 20, 21 jeweils einen 360°-Winkelsensor ergeben sind folglich pro Winkelsensor acht Sensorsysteme mit insgesamt vier unterschiedlichen Magneti­ sierungsrichtungen vorhanden.

Claims (11)

1. Magnetoresistives Sensorsystem mit einem weichmagneti­ schen Messschichtsystem und mindestens einem hartmagneti­ schen, als AAF-System ausgebildeten Referenzschichtsystem um­ fassend einen AAF-Schichtverbund sowie wenigstens eine Refe­ renzschicht, wobei der AAF-Schichtverbund zwei Magnetschich­ ten aufweist, und wobei das Referenzschichtsystem wenigstens eine antiferromagnetische Schicht umfasst, die benachbart zu einer Magnetschicht des AAF-Schichtverbunds angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die zur antiferromagnetischen Schicht (10) entfernt angeordnete Magnetschicht (8) eine in eine erste Richtung weisende unia­ xiale Anisotropie aufweist, und dass die Magnetisierung der antiferromagnetischen Schicht (10) in eine zweite Richtung weisend ausgerichtet ist, wobei die Anisotropierichtung der Magnetschicht (8) und die Magnetisierungsrichtung der anti­ ferromagnetischen Schicht (10) unter einem Winkel (α) zuein­ ander stehen.
2. Sensorsystem nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, dass die Anisotropierichtung und die Magnetisierungsrichtung unter einem Winkel α ≦ 90°, insbesondere α ≦ 60° zueinander stehen.
3. Sensorsystem nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Anisotropie der Magnetschicht (10) während ihrer Erzeugung durch Abscheiden der Magnetschicht (10) in einem in die erste Richtung ausge­ richteten Magnetfeld (HI) induziert und die Magnetisierung der antiferromagnetischen Schicht (10) in einem thermischen Ausheilschritt bei Anliegen eines in die zweite Richtung ge­ richteten Magnetfelds (HII) eingestellt ist.
4. Sensorsystem nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Magnetschichten (7, 8) unterschiedlich dick oder gleich dick sind.
5. Sensorsystem nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste und die zweite Richtung möglichst symmetrisch zu einer gegebene Formanisotropie des Sensorsystems (1) stehen.
6. Sensorsystem nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es ein giant-magnetosresistive-, ein magnetic-tunnel-junction- oder ein spin-valve-transistor-System ist.
7. Magnetoresistiver 360°-Winkelsensor, bestehend aus zwei auf einem gemeinsamen Substrat angeordneten Sensorbrücken, die jeweils vier Sensorsysteme aufweisen, wobei vier Sensor­ systeme eine erste Anisotropie und vier Sensorsysteme eine zur ersten in einem Winkel von vorzugsweise 90° stehende zweite Anisotropie aufweisen, dadurch gekenn­ zeichnet, dass die Sensorsysteme nach einem der Ansprüche 1 bis 6 ausgebildet sind.
8. Verfahren zur Herstellung eines magnetoresistiven Sen­ sorsystems mit einem weichmagnetischen Messschichtsystem und mindestens einem hartmagnetischen, als AAF-System ausgebilde­ ten Referenzschichtsystem umfassend einen AAF-Schichtverbund sowie wenigstens eine Referenzschicht, wobei der AAF-Schicht­ verbund zwei Magnetschichten aufweist, und wobei das Refe­ renzschichtsystem wenigstens eine antiferromagnetische Schicht umfasst, die benachbart zu einer Magnetschicht des AAF-Schichtverbunds angeordnet ist, dadurch ge­ kennzeichnet, dass in der zur antiferro­ magnetischen Schicht entfernt angeordneten Magnetschicht eine in eine erste Richtung weisende uniaxiale Anisotropie indu­ ziert wird, und dass anschließend die Magnetisierung der an­ tiferromagnetischen Schicht in eine zweite Richtung weisend ausgerichtet wird, wobei die Anisortopierichtung der Magnet­ schicht und die Magnetisierungsrichtung der antiferromagneti­ schen Schicht unter einem Winkel zueinander stehen.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch ge­ kennzeichnet, dass die Anisotropierichtung und die Magnetisierungsrichtung unter einem Winkel 90°, insbesondere ≦ 60° zueinander stehend eingestellt werden.
10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Anisotropie der Magnetschicht während ihrer Erzeugung durch Abscheiden der Magnetschicht in einem in die erste Richtung ausgerichteten Magnetfeld induziert und die Magnetisierung der antiferro­ magnetischen Schicht in einem thermischen Ausheilschritt bei Anliegen eines in die zweite Richtung gerichteten Magnetfelds eingestellt wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, da­ durch gekennzeichnet, dass die erste und die zweite Richtung möglichst symmetrisch in Bezug auf eine gegebene Formanisotropie des Sensorsystems gewählt werden.
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