CN214152876U - 用于封装八芯片的陶瓷外壳 - Google Patents
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Abstract
一种用于封装八芯片的陶瓷外壳，包括陶瓷，陶瓷是一个矩形板，陶瓷的下表面安装有8组电极，每组电极包括一个长电极和一个短电极，相邻两组电极中心对称；陶瓷的上表面的中线位置安装一排上电极，每个上电极通过导体穿过陶瓷3上的通孔连接长电极，上电极6的两侧布置两排铜钼铜，每个铜钼铜通过导体穿过陶瓷上的通孔连接短电极。本实用新型采用对称设计，可以在较小的零件尺寸内实现了多个芯片的集成，压丝区设计在中间陶瓷隔离区，中间陶瓷隔离区具备横向电隔离和纵向导电通路的双重作用，提高零件集成度，热层设计为铜钼铜结构，满足热容和热匹配的双重要求，同时尽量放大铜钼铜的表面积，对陶瓷表面积的利用率很高。
Description
技术领域
二极管阵列陶瓷零件应用于TVS、稳压、整流等二极管分立器件的集成，陶瓷零件需要将多个芯管整合在一起，因此如何在提高集成度是陶瓷零件设计的难点。
背景技术
二极管阵列陶瓷零件应用于TVS、稳压、整流等二极管分立器件的集成，陶瓷零件需要将多个芯管整合在一起，因此如何在提高集成度是陶瓷零件设计的难点。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是：针对现有陶瓷零件集成度不高的问题，提供了一种高集成度的陶瓷零件。
本实用新型的技术方案是：
一种用于封装八芯片的陶瓷外壳，包括陶瓷，陶瓷是一个矩形板，陶瓷的下表面安装有8组电极，每组电极包括一个长电极和一个短电极，相邻两组电极中心对称；陶瓷的上表面的中线位置安装一排上电极，每个上电极通过导体穿过陶瓷3上的通孔连接长电极，上电极6的两侧布置两排铜钼铜，每个铜钼铜通过导体穿过陶瓷上的通孔连接短电极。
所述导体为铜柱或者铜丝。
铜钼铜呈矩形片状，安装在陶瓷上表面的凹槽中。
每两个上电极的两侧各有一片铜钼铜，相邻两个上电极的宽度加上两者的间距小于铜钼铜的宽度。
所述凹槽的深度大于二分之一陶瓷厚度。
铜钼铜、长电极和短电极表面镀金，上电极表面镀镍。
陶瓷上表面的四周安装边框。
导体的直径小于陶瓷上通孔的直径，长电极、短电极、上电极和铜钼铜的数量均为8 个。
长电极、短电极、上电极和铜钼铜分别将其所覆盖的通孔端面密封。
每个铜钼铜通过两个导体连接短电极。
本实用新型的有益效果：
本实用新型采用对称设计，可以在较小的零件尺寸内实现了多个芯片的集成，压丝区设计在中间陶瓷隔离区，中间陶瓷隔离区具备横向电隔离和纵向导电通路的双重作用，提高零件集成度，热层设计为铜钼铜结构，满足热容和热匹配的双重要求，同时尽量放大铜钼铜的表面积，对陶瓷表面积的利用率很高。
每两个长电极8、短电极2、上电极6和铜钼铜4作为一个单元模块，当需要封装的芯片数量增加时，直接增加单元模块即可，减少后期改进的设计难度。
目前国内外普遍采用的钨浆料过孔工艺承受大电流冲击时易被烧毁，在本设计中采用了铜柱过孔设计替代钨浆料过孔设计，极大的提升了零件过孔的过电能力，提高了零件可靠性。
在零件不同位置上实现了不同镀层保护，即管芯焊接区与外表面采用镀金设计，压丝端采用镀镍设计，解决了陶瓷零件普遍存在的焊接与压焊对镀层要求的矛盾问题。引脚采用长短接错穿插设计，既作为焊接用引脚又起到通孔密封作用。
附图说明：
图1为实施例1陶瓷下表面的结构示意图。
图2为实施例1陶瓷上表面的结构示意图。
图3为图2的剖视图。
具体实施方式
实施例：
本实施例需要在在14.8mm*8.8mm的零件尺寸内实现了8颗600W TVS芯片的集成。
陶瓷3是一个矩形板结构，陶瓷3的下表面安装有8组电极，每组电极包括一个长电极8和一个短电极2，相邻两组电极中心对称；6组电极构成了两排电极，每排电极由长电极8和短电极2交错排布而成，第一排的短电极2对应第二排的长电极8。
陶瓷3的上表面的中线位置安装一排上电极6，上电极6下方的陶瓷3中开有通孔，每个上电极6通过长导体51穿过陶瓷3上的通孔连接长电极8，在陶瓷3的上表面挖设8 个矩形的凹槽，8个凹槽均布在上电极6的两侧，凹槽中安装矩形片状的铜钼铜4，每个铜钼铜4通过两个短导体52穿过通孔连接短电极2。所述导体为铜丝，长电极8、短电极2、上电极6和铜钼铜4分别将其所覆盖的通孔端面密封。陶瓷3上表面的四周安装边框1。
每两个上电极6的两侧各有一片铜钼铜4，相邻两个上电极6的宽度加上两者的间距小于铜钼铜4的宽度。所述凹槽的深度大于二分之一陶瓷3厚度。
铜钼铜4、长电极8和短电极2表面镀金，上电极6表面镀镍。
Claims (10)
1.一种用于封装八芯片的陶瓷外壳，包括陶瓷（3），其特征在于：陶瓷（3）是一个矩形板，陶瓷（3）的下表面安装有8组电极，每组电极包括一个长电极（8）和一个短电极（2），相邻两组电极中心对称；陶瓷（3）的上表面的中线位置安装一排上电极（6），每个上电极（6）通过导体穿过陶瓷（3）上的通孔连接长电极（8），上电极（6）的两侧布置两排铜钼铜（4），每个铜钼铜（4）通过导体穿过陶瓷（3）上的通孔连接短电极（2）。
2.根据权利要求1所述用于封装八芯片的陶瓷外壳，其特征在于：所述导体为铜丝。
3.根据权利要求2所述用于封装八芯片的陶瓷外壳，其特征在于：铜钼铜（4）呈矩形片状，安装在陶瓷（3）上表面的凹槽中。
4.根据权利要求2所述用于封装八芯片的陶瓷外壳，其特征在于：每两个上电极（6）的两侧各有一片铜钼铜（4），相邻两个上电极（6）的宽度加上两者的间距小于铜钼铜（4）的宽度。
5.根据权利要求3所述用于封装八芯片的陶瓷外壳，其特征在于：所述凹槽的深度大于二分之一陶瓷（3）厚度。
6.根据权利要求1-5任一项所述用于封装八芯片的陶瓷外壳，其特征在于：铜钼铜（4）、长电极（8）和短电极（2）表面镀金，上电极（6）表面镀镍。
7.根据权利要求6所述用于封装八芯片的陶瓷外壳，其特征在于：陶瓷（3）上表面的四周安装边框（1）。
8.根据权利要求6所述用于封装八芯片的陶瓷外壳，其特征在于：导体的直径小于陶瓷（3）上通孔的直径，长电极（8）、短电极（2）、上电极（6）和铜钼铜（4）的数量均为6个。
9.根据权利要求6所述用于封装八芯片的陶瓷外壳，其特征在于：长电极（8）、短电极（2）、上电极（6）和铜钼铜（4）分别将其所覆盖的通孔端面密封。
10.根据权利要求6所述用于封装八芯片的陶瓷外壳，其特征在于：每个铜钼铜（4）通过两个导体连接短电极（2）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202023219747.6U CN214152876U (zh) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 用于封装八芯片的陶瓷外壳 |
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| CN202023219747.6U CN214152876U (zh) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 用于封装八芯片的陶瓷外壳 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN214152876U true CN214152876U (zh) | 2021-09-07 |
Family
ID=77543063
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN214152876U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112490196A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-03-12 | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） | 用于封装的陶瓷外壳 |
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2020
- 2020-12-28 CN CN202023219747.6U patent/CN214152876U/zh active Active
Cited By (2)
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| CN112490196A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-03-12 | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） | 用于封装的陶瓷外壳 |
| CN112490196B (zh) * | 2020-12-28 | 2024-06-25 | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） | 用于封装的陶瓷外壳 |
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