CN214152876U - 用于封装八芯片的陶瓷外壳 - Google Patents
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Abstract
一种用于封装八芯片的陶瓷外壳,包括陶瓷,陶瓷是一个矩形板,陶瓷的下表面安装有8组电极,每组电极包括一个长电极和一个短电极,相邻两组电极中心对称;陶瓷的上表面的中线位置安装一排上电极,每个上电极通过导体穿过陶瓷3上的通孔连接长电极,上电极6的两侧布置两排铜钼铜,每个铜钼铜通过导体穿过陶瓷上的通孔连接短电极。本实用新型采用对称设计,可以在较小的零件尺寸内实现了多个芯片的集成,压丝区设计在中间陶瓷隔离区,中间陶瓷隔离区具备横向电隔离和纵向导电通路的双重作用,提高零件集成度,热层设计为铜钼铜结构,满足热容和热匹配的双重要求,同时尽量放大铜钼铜的表面积,对陶瓷表面积的利用率很高。
Description
技术领域
二极管阵列陶瓷零件应用于TVS、稳压、整流等二极管分立器件的集成,陶瓷零件需要将多个芯管整合在一起,因此如何在提高集成度是陶瓷零件设计的难点。
背景技术
二极管阵列陶瓷零件应用于TVS、稳压、整流等二极管分立器件的集成,陶瓷零件需要将多个芯管整合在一起,因此如何在提高集成度是陶瓷零件设计的难点。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是:针对现有陶瓷零件集成度不高的问题,提供了一种高集成度的陶瓷零件。
本实用新型的技术方案是:
一种用于封装八芯片的陶瓷外壳,包括陶瓷,陶瓷是一个矩形板,陶瓷的下表面安装有8组电极,每组电极包括一个长电极和一个短电极,相邻两组电极中心对称;陶瓷的上表面的中线位置安装一排上电极,每个上电极通过导体穿过陶瓷3上的通孔连接长电极,上电极6的两侧布置两排铜钼铜,每个铜钼铜通过导体穿过陶瓷上的通孔连接短电极。
所述导体为铜柱或者铜丝。
铜钼铜呈矩形片状,安装在陶瓷上表面的凹槽中。
每两个上电极的两侧各有一片铜钼铜,相邻两个上电极的宽度加上两者的间距小于铜钼铜的宽度。
所述凹槽的深度大于二分之一陶瓷厚度。
铜钼铜、长电极和短电极表面镀金,上电极表面镀镍。
陶瓷上表面的四周安装边框。
导体的直径小于陶瓷上通孔的直径,长电极、短电极、上电极和铜钼铜的数量均为8 个。
长电极、短电极、上电极和铜钼铜分别将其所覆盖的通孔端面密封。
每个铜钼铜通过两个导体连接短电极。
本实用新型的有益效果:
本实用新型采用对称设计,可以在较小的零件尺寸内实现了多个芯片的集成,压丝区设计在中间陶瓷隔离区,中间陶瓷隔离区具备横向电隔离和纵向导电通路的双重作用,提高零件集成度,热层设计为铜钼铜结构,满足热容和热匹配的双重要求,同时尽量放大铜钼铜的表面积,对陶瓷表面积的利用率很高。
每两个长电极8、短电极2、上电极6和铜钼铜4作为一个单元模块,当需要封装的芯片数量增加时,直接增加单元模块即可,减少后期改进的设计难度。
目前国内外普遍采用的钨浆料过孔工艺承受大电流冲击时易被烧毁,在本设计中采用了铜柱过孔设计替代钨浆料过孔设计,极大的提升了零件过孔的过电能力,提高了零件可靠性。
在零件不同位置上实现了不同镀层保护,即管芯焊接区与外表面采用镀金设计,压丝端采用镀镍设计,解决了陶瓷零件普遍存在的焊接与压焊对镀层要求的矛盾问题。引脚采用长短接错穿插设计,既作为焊接用引脚又起到通孔密封作用。
附图说明:
图1为实施例1陶瓷下表面的结构示意图。
图2为实施例1陶瓷上表面的结构示意图。
图3为图2的剖视图。
具体实施方式
实施例:
本实施例需要在在14.8mm*8.8mm的零件尺寸内实现了8颗600W TVS芯片的集成。
陶瓷3是一个矩形板结构,陶瓷3的下表面安装有8组电极,每组电极包括一个长电极8和一个短电极2,相邻两组电极中心对称;6组电极构成了两排电极,每排电极由长电极8和短电极2交错排布而成,第一排的短电极2对应第二排的长电极8。
陶瓷3的上表面的中线位置安装一排上电极6,上电极6下方的陶瓷3中开有通孔,每个上电极6通过长导体51穿过陶瓷3上的通孔连接长电极8,在陶瓷3的上表面挖设8 个矩形的凹槽,8个凹槽均布在上电极6的两侧,凹槽中安装矩形片状的铜钼铜4,每个铜钼铜4通过两个短导体52穿过通孔连接短电极2。所述导体为铜丝,长电极8、短电极2、上电极6和铜钼铜4分别将其所覆盖的通孔端面密封。陶瓷3上表面的四周安装边框1。
每两个上电极6的两侧各有一片铜钼铜4,相邻两个上电极6的宽度加上两者的间距小于铜钼铜4的宽度。所述凹槽的深度大于二分之一陶瓷3厚度。
铜钼铜4、长电极8和短电极2表面镀金,上电极6表面镀镍。
Claims (10)
1.一种用于封装八芯片的陶瓷外壳,包括陶瓷(3),其特征在于:陶瓷(3)是一个矩形板,陶瓷(3)的下表面安装有8组电极,每组电极包括一个长电极(8)和一个短电极(2),相邻两组电极中心对称;陶瓷(3)的上表面的中线位置安装一排上电极(6),每个上电极(6)通过导体穿过陶瓷(3)上的通孔连接长电极(8),上电极(6)的两侧布置两排铜钼铜(4),每个铜钼铜(4)通过导体穿过陶瓷(3)上的通孔连接短电极(2)。
2.根据权利要求1所述用于封装八芯片的陶瓷外壳,其特征在于:所述导体为铜丝。
3.根据权利要求2所述用于封装八芯片的陶瓷外壳,其特征在于:铜钼铜(4)呈矩形片状,安装在陶瓷(3)上表面的凹槽中。
4.根据权利要求2所述用于封装八芯片的陶瓷外壳,其特征在于:每两个上电极(6)的两侧各有一片铜钼铜(4),相邻两个上电极(6)的宽度加上两者的间距小于铜钼铜(4)的宽度。
5.根据权利要求3所述用于封装八芯片的陶瓷外壳,其特征在于:所述凹槽的深度大于二分之一陶瓷(3)厚度。
6.根据权利要求1-5任一项所述用于封装八芯片的陶瓷外壳,其特征在于:铜钼铜(4)、长电极(8)和短电极(2)表面镀金,上电极(6)表面镀镍。
7.根据权利要求6所述用于封装八芯片的陶瓷外壳,其特征在于:陶瓷(3)上表面的四周安装边框(1)。
8.根据权利要求6所述用于封装八芯片的陶瓷外壳,其特征在于:导体的直径小于陶瓷(3)上通孔的直径,长电极(8)、短电极(2)、上电极(6)和铜钼铜(4)的数量均为6个。
9.根据权利要求6所述用于封装八芯片的陶瓷外壳,其特征在于:长电极(8)、短电极(2)、上电极(6)和铜钼铜(4)分别将其所覆盖的通孔端面密封。
10.根据权利要求6所述用于封装八芯片的陶瓷外壳,其特征在于:每个铜钼铜(4)通过两个导体连接短电极(2)。
Priority Applications (1)
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CN202023219747.6U CN214152876U (zh) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 用于封装八芯片的陶瓷外壳 |
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Publications (1)
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CN214152876U true CN214152876U (zh) | 2021-09-07 |
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Family Applications (1)
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CN202023219747.6U Active CN214152876U (zh) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 用于封装八芯片的陶瓷外壳 |
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CN112490196A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-03-12 | 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) | 用于封装的陶瓷外壳 |
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2020
- 2020-12-28 CN CN202023219747.6U patent/CN214152876U/zh active Active
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CN112490196B (zh) * | 2020-12-28 | 2024-06-25 | 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) | 用于封装的陶瓷外壳 |
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