CN203205423U - 一种vdmos场效应晶体管优化结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种VDMOS场效应晶体管优化结构,其特征在于包括:第一金属电极,该第一金属电极作为该VDMOS场效应晶体管的漏极;N型衬底层,设置于所述第一金属电极上;N型外延层,设置于所述N型衬底层上;第一、二P型体硅,该第一、二P型体硅嵌设在所述N型外延层内,第一终端截止环,嵌设在所述第一P型体硅内;第二终端截止环,嵌设在所述第二P型体硅内;多晶栅,设置于所述N型外延层上方;第二金属电极;第三金属电极;以及一绝缘层,覆盖在所述N型外延层上,且包覆所述的多晶栅、第二、三金属电极。本实用新型通过改进VDMOS场效应晶体管的结构以及精确控制结构参数实现该VDMOS场效应晶体管具有低导通电阻,能有效提高漏源之间的击穿电压。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种VDMOS场效应晶体管优化结构。
背景技术
半导体技术的飞速发展,产生了VDMOS场效应晶体管功率器件,它具有输入阻抗高、开关速度快、稳定性好等特点,因此,在各种功率开关应用中越来越引起人们的重视。然而,为了减小器件本身的功率损耗和提高开关速度,希望器件的导通电阻越小越好,而VDMOS场效应晶体管的导通电阻基本是由VDMOS场效应晶体管结构决定,因此,设计一种具有低导通电阻的VDMOS场效应晶体管结构是非常必要的。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种VDMOS场效应晶体管优化结构,具有低导通电阻。
本实用新型采用以下方案实现:一种VDMOS场效应晶体管优化结构,其特征在于包括:
第一金属电极,该第一金属电极作为该VDMOS场效应晶体管的漏极;
N型衬底层,设置于所述第一金属电极上;
N型外延层,设置于所述N型衬底层上;
第一、二P型体硅,该第一、二P型体硅嵌设在所述N型外延层内,
第一终端截止环,嵌设在所述第一P型体硅内;
第二终端截止环,嵌设在所述第二P型体硅内;
多晶栅,设置于所述N型外延层上方;
第二金属电极,作为该VDMOS场效应晶体管的源极,该第二金属电极设置于所述N型外延层上,且靠近该N型外延层的一侧;
第三金属电极,作为该VDMOS场效应晶体管的源极,该第三金属电极设置于所述N型外延层上,且靠近该N型外延层的另一侧;以及绝缘层,覆盖在所述N型外延层上,且包覆所述的多晶栅、第二、三金属电极。
在本实用新型一实施例中,所述的N型外延层的厚度范围是50um~60um。
在本实用新型一实施例中,所述的N型外延层的厚度为50um。
本实用新型通过改进VDMOS场效应晶体管的结构以及精确控制结构参数实现该VDMOS场效应晶体管具有低导通电阻,能有效提高漏源之间的击穿电压。
附图说明
图1是本实用新型结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型做进一步说明。
如图1所示,本实施例提供一种VDMOS场效应晶体管优化结构,其特征在于包括:第一金属电极1,该第一金属电极1作为该VDMOS场效应晶体管的漏极;N型衬底层2,设置于所述第一金属电极1上;N型外延层3,设置于所述N型衬底层2上;第一、二P型体硅4、9,该第一、二P型体硅嵌设在所述N型外延层3内,第一终端截止环8,嵌设在所述第一P型体硅内4;第二终端截止环7,嵌设在所述第二P型体硅内9;多晶栅11,设置于所述N型外延层3上方;第二金属电极5,作为该VDMOS场效应晶体管的源极,该第二金属电极5设置于所述N型外延层上,且靠近该N型外延层的一侧;第三金属电极6,作为该VDMOS场效应晶体管的源极,该第三金属电极设置于所述N型外延层上,且靠近该N型外延层的另一侧;以及一绝缘层10,覆盖在所述N型外延层上,且包覆所述的多晶栅11、第二、三金属电极5、6。
本实施例中,所述的N型外延层的厚度范围是50um-60um。较佳的可以是50um。本实用新型结构采用两个P型体硅加截止环复合终端结构,充分考虑外延反扩散,提高了击穿电压,减小了泄露电流。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,凡依本实用新型申请专利范围所做的均等变化与修饰,皆应属本实用新型的涵盖范围。
Claims (3)
1.一种VDMOS场效应晶体管优化结构,其特征在于包括:
第一金属电极,该第一金属电极作为该VDMOS场效应晶体管的漏极;
N型衬底层,设置于所述第一金属电极上;
N型外延层,设置于所述N型衬底层上;
第一、二P型体硅,该第一、二P型体硅嵌设在所述N型外延层内,
第一终端截止环,嵌设在所述第一P型体硅内;
第二终端截止环,嵌设在所述第二P型体硅内;
多晶栅,设置于所述N型外延层上方;
第二金属电极,作为该VDMOS场效应晶体管的源极,该第二金属电极设置于所述N型外延层上,且靠近该N型外延层的一侧;
第三金属电极,作为该VDMOS场效应晶体管的源极,该第三金属电极设置于所述N型外延层上,且靠近该N型外延层的另一侧;以及绝缘层,覆盖在所述N型外延层上,且包覆所述的多晶栅、第二、三金属电极。
2.根据权利要求1所述的VDMOS场效应晶体管优化结构,其特征在于:所述的N型外延层的厚度范围是50um-60um。
3.根据权利要求1所述的VDMOS场效应晶体管优化结构,其特征在于:所述的N型外延层的厚度为50um。
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CN111952184B (zh) * | 2020-08-21 | 2024-04-12 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 基于图形化埋层介质层的环栅场效应晶体管的制备方法 |
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