CN1994878A - 一种硅的提纯方法 - Google Patents
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Abstract
一种高纯硅的提炼方法，为解决目前硅提纯过程中消耗电力巨大，产量都有很大限制，而且生产成本居高不下的问题，本发明采用陶瓷窑内使用氩气密封的钨炉熔融高纯二氧化硅进行初步提纯，再采用高温氢气化合后得到硅烷再次采用临界液化方式再次提纯，然后进行还原得到高纯硅，这样就可以使高纯度硅的生产成本大幅度降低，适合太阳能发电及半导体工业。
Description
技术领域
本发明涉及一种冶金技术，尤其是高纯硅的提炼方法。
背景技术
目前的高纯硅基本是采用西门子法，通过电弧初步提纯至98％，然后通过制作成化学气体三氯氢硅，再使用氢气进行还原。这种方式消耗电力巨大，产量都有很大限制，而且生产成本居高不下。
发明内容
本发明的任务是设计出经济的、能耗小的硅的提纯方法。
本发明是采用密封的钨炉中将高纯二氧化硅和焦炭在电炉中强热制得碳化硅，然后再与高温氢气化合后得到甲硅烷，再次采用临界液化和碱洗方式再次提纯，然后进行高温裂解得到高纯硅。
采用熔融提纯和气化提纯，可以大量减少能源消耗，降低成本。
具体实施方式
具体制作中，首先在1650摄氏度将石英砂敞开烧除杂质，再密封在1750摄氏度熔融进行初步提纯，得到液态二氧化硅，再将焦碳加入化合得到碳化硅。
然后将高温氢气与炽热的碳化硅反应，得到的气体为氢气，水蒸汽、硅烷和碳氢化合物。再通过临界液化法进行提纯，再在氢氧化钠溶液中清洗得到比较纯的甲硅烷，然后将低硅烷在温度高于500℃情况下裂解得到高纯硅。
Claims (3)
1.一种高纯硅的提炼方法，其特征是采用密封的钨炉中将高纯二氧化硅和焦炭在电炉中强热制得碳化硅，然后再与高温氢气化合后得到甲硅烷，再次采用临界液化和碱洗方式再次提纯，然后进行高温裂解得到高纯硅。
2.如权利要求1所述，其特征是在1650摄氏度将石英砂敞开烧除杂质，再密封在1750摄氏度熔融进行初步提纯，得到液态二氧化硅，再将焦碳加入化合得到碳化硅。
3.如权利要求1所述，其特征是通过临界液化法进行提纯，再在氢氧化钠溶液中清洗得到比较纯的甲硅烷。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200610166374 CN1994878A (zh) | 2006-12-25 | 2006-12-25 | 一种硅的提纯方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN 200610166374 CN1994878A (zh) | 2006-12-25 | 2006-12-25 | 一种硅的提纯方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN1994878A true CN1994878A (zh) | 2007-07-11 |
Family
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Family Applications (1)
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| CN 200610166374 Pending CN1994878A (zh) | 2006-12-25 | 2006-12-25 | 一种硅的提纯方法 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN1994878A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105818287A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-08-03 | 上海纳晶科技有限公司 | 一种批量化制备高纯亚微米水合硅和硅微粒的方法 |
| CN107467064A (zh) * | 2017-08-16 | 2017-12-15 | 广州韩能大健康产品有限公司 | 一种新型的抗菌去异味的护理液喷剂的制备和应用 |
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2006
- 2006-12-25 CN CN 200610166374 patent/CN1994878A/zh active Pending
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| CN105818287A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-08-03 | 上海纳晶科技有限公司 | 一种批量化制备高纯亚微米水合硅和硅微粒的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20070711 |