CN1937197A - 一种真空锁过渡腔室 - Google Patents

一种真空锁过渡腔室 Download PDF

Info

Publication number
CN1937197A
CN1937197A CN 200510126399 CN200510126399A CN1937197A CN 1937197 A CN1937197 A CN 1937197A CN 200510126399 CN200510126399 CN 200510126399 CN 200510126399 A CN200510126399 A CN 200510126399A CN 1937197 A CN1937197 A CN 1937197A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chamber
vacuum lock
wafer
transitional cavity
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN 200510126399
Other languages
English (en)
Other versions
CN100388456C (zh
Inventor
张之山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing North Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
BEIJING YUANHE ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BEIJING YUANHE ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical BEIJING YUANHE ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CNB2005101263999A priority Critical patent/CN100388456C/zh
Publication of CN1937197A publication Critical patent/CN1937197A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100388456C publication Critical patent/CN100388456C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明涉及微电子技术领域，具体涉及半导体晶片的传输与加工的真空锁过渡腔室。本发明公开的一种真空锁过渡腔室，包括：包括腔室、腔室上的充气***和抽气***、腔室端部的阀门，所述腔室内还设有晶片支撑装置、底座，其中，支撑装置底部与底座连接。本发明与已有技术相比，大大提高了传输***的产出率；同时保证了真空锁过渡腔室对于不同晶片尺寸、不同晶片装载高度、不同机械手前端结构具有良好的可调节性、灵活性和兼容性；而且，结构简单，对于真空锁过渡腔室内的洁净程度能做到很好的控制。

Description

一种真空锁过渡腔室
技术领域
本发明涉及微电子技术领域，具体涉及半导体晶片的传输与加工的真空锁过渡腔室。
背景技术
如图1所示，半导体晶片的传输与加工中，晶片从片舱到反应腔室做工艺，完成工艺后，再将晶片从反应腔室传递回片舱。真空锁过渡腔室为晶片传输过程中的重要一步。如图2、图3所示，是目前半导体300mm平台大多数所采用的两种结构。
如图4所示，当大气机械手持待工艺晶片准备传输到反应室时，阀门A、B关闭，对真空锁过渡腔室进行充气到大气压；A打开，大气端机械手将晶片传送到真空锁内；A关闭，对真空锁过渡腔室进行抽真空；当真空锁过渡腔室的真空度与真空传输腔室的真空度一致时，阀门B打开，真空机械手从真空锁过渡腔室中取出晶片，到反应室做工艺。做完工艺后晶片传输步骤相反。由此可见，真空锁过渡腔室的一开、一闭的交换循环对整个传输***的产出率有极大的影响。而腔室的大小、充抽气时间的长短起决定因素。
如图2所示，300mm平台方式一中的真空锁过渡腔室：可以装载25片或2片晶片，在承载25片晶片的情况下需要有升降装置以保证所要传输的晶片对准晶片传输端口。其缺点腔室体积较大，充抽气时间较长，影响整个传输***的产出率。另外因为有升降动作，所以对真空锁腔室的洁净程度控制能力较差。而承载两片的真空锁过渡腔室，虽然腔室体积较小，但是由于每次交换晶片的数量较少，所以交换次数较多，从另一个方面影响了产出率。
如图3所示，300mm平台方式二中的真空锁过渡腔室：没有真空传输腔室，晶片直接通过安装在真空锁内的真空机械手传输到反应室中，其缺点是腔室体积较大，而且每次交换晶片的个数为1～2个，所以依然存在产出率不高的现象。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明的目的是提供一种结构简单、产出率高、兼容性好的真空锁过渡腔室。
(二)技术方案
为了达到上述目的，本发明采取以下方案：
本发明的一种真空锁过渡腔室，包括腔室、腔室上的充气***和抽气***、腔室端部的阀门，所述腔室内还设有晶片支撑装置、底座，其中，支撑装置底部与底座连接。
其中，所述支撑装置包括支撑柱、支架，其中，支撑柱通过螺纹安装在底座上，支架固定在支撑柱上。
其中，所述腔室上方设有可视窗，该可视窗与真空锁腔室通过密封圈密封。
其中，所述支架为月牙形状。
其中，所述可视窗由透明树脂防静电材料制成。
(三)有益效果
1)与已有技术相比，由于采用以上方案，本发明大大提高了传输***的产出率；2)由于在真空锁过渡腔室内采用了支撑装置，因此，保证了真空锁过渡腔室对于不同晶片尺寸、不同晶片装载高度、不同机械手前端结构具有良好的可调节性、灵活性和兼容性；3)由于支撑装置取代了升降装置，因此，本发明结构简单，对于真空锁过渡腔室内的洁净程度能做到很好的控制。
附图说明
图1是现有半导体晶片的传输与加工流程图；
图2是现有300mm平台方式一的平面结构示意图；
图3是现有300mm平台方式二的平面结构示意图；
图4是现有真空锁过渡腔室结构示意图；
图5是本发明真空锁过渡腔室结构示意图。
图中：1、充气***；2、抽气***；3、大气机械手；4、真空机械手；5、腔室；A、阀门；B、阀门；6、底座；7、支撑装置；8、支撑柱；9支架；10、可视窗。
具体实施方式
以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
如图5所示，本发明实施时，包括腔室5、腔室上的充气***1和抽气***2、腔室端部的阀门A、B，所述腔室5内还设有晶片支撑装置7、底座6，其中，支撑装置7底部与底座6连接。
如图5所示，本发明采用四层的晶片支撑装置7，可以在真空锁过渡腔室的一次充抽过程中交换4片晶片。在SEMI标准(半导体行业标准)中规定，300mm晶片传输开口的高度为50mm，另规定每层晶片的间距为10mm。这样，真空锁过渡腔室中，4层晶片可同时对准晶片传输开口，也就是说，能在不采用升降装置的情况下，对各个层的晶片进行传输。一方面，依然保持了较小的腔室容积；另一方面，对晶片的传输在300mm晶片传输***中，大气机械手3与真空机械手4通常为双臂，也就是说，能同时抓取两片晶片。这样，在真空锁的一次晶片交换中，真空机械手4能事先将两片已做完工艺的晶片放入真空锁腔室中；充气；大气机械手3可以将两片待工艺的晶片放进真空锁腔室中，同时将取出已做完工艺的两片晶片放回片舱。这样，在一次交换中，可以单向交换两片晶片，双向交换四片晶片。
如图5所示，支撑柱8螺纹安装在底座6上，而底座6通过螺钉连接固定在真空锁腔室中，每层晶片支架9又逐层坐落在支撑柱8上。每层晶片支架9为两片月牙状结构，安装位置与晶片承载位置同心，180度分布。这样通过螺纹可以在一定范围内调节文架9的水平和与晶片传输平面的相对高度；也可以调整支架的数量，根据实际需要来改变真空锁腔室的实际装载晶片的数量；也可以针对不同机械手的前端形状来更替不同形状的晶片支架9，以保证其良好的兼容性。
真空锁腔室上方装有可视窗10，为透明树脂防静电材料制成，与真空锁腔室通过密封圈进行密封。

Claims (5)

1、一种真空锁过渡腔室，包括腔室(5)、设置在腔室上的充气***(1)和抽气***(2)、腔室端部的阀门(A、B)，其特征在于：所述腔室(5)内设有晶片支撑装置(7)、底座(6)，其中，支撑装置(7)底部与底座(6)连接。
2、如权利要求1所述的一种真空锁过渡腔室，其特征在于：所述支撑装置(7)包括支撑柱(8)、支架(9)，其中，支撑柱(8)通过螺纹安装在底座(6)上，支架(9)固定在支撑柱(8)上。
3、如权利要求1所述的一种真空锁过渡腔室，其特征在于：所述腔室(5)上方设有可视窗(10)，该可视窗与真空锁腔室(5)通过密封圈密封。
4、如权利要求1所述的一种真空锁过渡腔室，其特征在于：所述支架(9)为月牙形状。
5、如权利要求3所述的一种真空锁过渡腔室，其特征在于：所述可视窗(10)由透明树脂防静电材料制成。
CNB2005101263999A 2005-12-08 2005-12-08 一种真空锁过渡腔室 Active CN100388456C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005101263999A CN100388456C (zh) 2005-12-08 2005-12-08 一种真空锁过渡腔室

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005101263999A CN100388456C (zh) 2005-12-08 2005-12-08 一种真空锁过渡腔室

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1937197A true CN1937197A (zh) 2007-03-28
CN100388456C CN100388456C (zh) 2008-05-14

Family

ID=37954603

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005101263999A Active CN100388456C (zh) 2005-12-08 2005-12-08 一种真空锁过渡腔室

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100388456C (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101677076B (zh) * 2008-09-16 2011-04-06 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种半导体传输***中的真空锁
WO2011137692A1 (zh) * 2010-05-06 2011-11-10 东莞宏威数码机械有限公司 气体环境缓冲装置
CN105977123A (zh) * 2016-06-29 2016-09-28 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种SiC注入机传片***及其传片方法
CN107275249A (zh) * 2016-04-08 2017-10-20 东方晶源微电子科技（北京）有限公司 真空腔体装置和处理硅片的方法
CN112151431A (zh) * 2020-09-25 2020-12-29 北京北方华创微电子装备有限公司 预装载腔室及半导体工艺平台
CN112768381A (zh) * 2021-01-19 2021-05-07 上海广川科技有限公司 半导体真空设备
CN117457559A (zh) * 2023-12-22 2024-01-26 上海谙邦半导体设备有限公司 一种晶圆搬运方法、装置、真空反应腔及工艺腔室

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4727993A (en) * 1984-03-09 1988-03-01 Tegal Corporation Wafer cassette having multi-directional access
US5909994A (en) * 1996-11-18 1999-06-08 Applied Materials, Inc. Vertical dual loadlock chamber
TW543080B (en) * 1999-10-26 2003-07-21 Fab Solutions Inc Semiconductor device
US6558509B2 (en) * 1999-11-30 2003-05-06 Applied Materials, Inc. Dual wafer load lock

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101677076B (zh) * 2008-09-16 2011-04-06 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种半导体传输***中的真空锁
WO2011137692A1 (zh) * 2010-05-06 2011-11-10 东莞宏威数码机械有限公司 气体环境缓冲装置
CN107275249A (zh) * 2016-04-08 2017-10-20 东方晶源微电子科技（北京）有限公司 真空腔体装置和处理硅片的方法
CN107275249B (zh) * 2016-04-08 2020-05-05 东方晶源微电子科技（北京）有限公司 真空腔体装置和处理硅片的方法
CN105977123A (zh) * 2016-06-29 2016-09-28 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种SiC注入机传片***及其传片方法
CN105977123B (zh) * 2016-06-29 2018-07-24 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种SiC注入机传片***及其传片方法
CN112151431A (zh) * 2020-09-25 2020-12-29 北京北方华创微电子装备有限公司 预装载腔室及半导体工艺平台
WO2022063052A1 (zh) * 2020-09-25 2022-03-31 北京北方华创微电子装备有限公司 预装载腔室及半导体工艺平台
TWI798838B (zh) * 2020-09-25 2023-04-11 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司 預裝載腔室及半導體製程平臺
CN112151431B (zh) * 2020-09-25 2023-07-11 北京北方华创微电子装备有限公司 预装载腔室及半导体工艺平台
CN112768381A (zh) * 2021-01-19 2021-05-07 上海广川科技有限公司 半导体真空设备
CN117457559A (zh) * 2023-12-22 2024-01-26 上海谙邦半导体设备有限公司 一种晶圆搬运方法、装置、真空反应腔及工艺腔室
CN117457559B (zh) * 2023-12-22 2024-03-15 上海谙邦半导体设备有限公司 一种晶圆搬运方法、装置、真空反应腔及工艺腔室

Also Published As

Publication number Publication date
CN100388456C (zh) 2008-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100388456C (zh) 一种真空锁过渡腔室
CN101136349B (zh) 衬底传送装置、衬底处理装置和传送衬底的方法
US6053980A (en) Substrate processing apparatus
EP0206180B1 (en) A means for loading or unloading workpiece into or from a vacuum processing chamber
CN100543957C (zh) 基板处理***和方法
WO2006031975A3 (en) Improved systems and methods for wafer translation
TWI508216B (zh) 半導體處理裝置及半導體處理方法
CN104347460B (zh) 晶圆传递腔室
CN104249898A (zh) 物品保管设备的检查装置
TWM618058U (zh) 半導體加工設備
CN101801646B (zh) 粘合基板制造装置和粘合基板制造方法
CN103137509A (zh) 用于晶圆键合的装置及晶圆键合方法
CN100411126C (zh) 用来对晶片层面封装件进行流体填充的***和方法
CN201171044Y (zh) 吸附底座装置
CN108063107A (zh) 一种高产能链式传输真空刻蚀和镀膜设备
CN101434069A (zh) 传送手臂
CN208903985U (zh) 晶片传送装置
CN209029348U (zh) 一种用于湿制程设备的花篮及晶圆全自动转运传输机构
CN104846347B (zh) 双层式负载腔室的回填及抽气结构
CN2795158Y (zh) 半导体处理设备中的出入口结构
CN101310044A (zh) 与ald反应器有关的装置
CN109273392A (zh) 一种晶片传送装置
CN109860091A (zh) 硅片舟转移机构及转移方法
CN107978544A (zh) 用于处理晶片的装置和方法
CN207637892U (zh) 注液装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: BEIFANG MICROELECTRONIC BASE EQUIPMENT PROCES RESE

Free format text: FORMER OWNER: BEIJING YUANHE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20110311

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 100016 NO. 1, JIUXIANQIAO EAST ROAD, CHAOYANG DISTRICT, BEIJING TO: 100015 NO. 1, JIUXIANQIAO EAST ROAD, CHAOYANG DISTRICT, BEIJING

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20110311

Address after: 100015 No. 1 East Jiuxianqiao Road, Beijing, Chaoyang District

Patentee after: Beifang Microelectronic Base Equipment Proces Research Center Co., Ltd., Beijing

Address before: 100016 Jiuxianqiao East Road, Beijing, No. 1, No.

Patentee before: Beijing Yuanhe Electronic Technology Co., Ltd.

CP03 Change of name, title or address

Address after: 100176 8 Wenchang Avenue, Beijing economic and Technological Development Zone, Beijing

Patentee after: Beijing North China microelectronics equipment Co Ltd

Address before: 100015 Jiuxianqiao East Road, Chaoyang District, Chaoyang District, Beijing

Patentee before: Beifang Microelectronic Base Equipment Proces Research Center Co., Ltd., Beijing

CP03 Change of name, title or address