CN1794070A - 电光装置用基板及其检查方法、以及电光装置和电子设备 - Google Patents

Abstract

不必使来自外部的探针进行接触等而实现得到充分的测定精度的检查。本发明的电光装置用基板，其特征在于，具备：相互交叉的多条扫描线和多条信号线；与上述多条扫描线和上述多条信号线的交叉对应地配置成矩阵状的多个像素电极；放大器，该放大器具备与上述信号线电连接的输入被供给上述像素电极的第1电位信号的第1端子、以及输入作为参考电位的第2电位信号的第2端子，并且被设置成，比较上述第1电位信号和上述第2电位信号的电位，当上述第1电位信号低时则使上述第1端子的电位进一步降低、而当上述第1电位信号高时则使上述第1端子的电位进一步增高地输出，并且，使上述多条信号线之中的指定的多条信号线与上述第1和第2端子中的至少一方对应；选择上述对应的指定的多条信号线之中的1条信号线的选择单元；以及将该被选择的信号线电连接到上述放大器的上述第1和第2端子中的至少一方上的连接单元。

Description

电光装置用基板及其检查方法、以及电光装置和电子设备

技术领域

本发明涉及电光装置用基板及其检查方法以及电光装置和电子设备，具体是涉及具有分别设置在多个像素上的多个开关元件的电光装置用基板及其检查方法以及电光装置和电子设备。

背景技术

以往以来，液晶装置等的显示装置在移动电话、投影机等的设备上广泛地使用。使用TFT(Thin Film Transistor)等的液晶显示装置，其构成为将TFT基板和对置基板粘合并在两基板间封入液晶。通常，所制造的液晶装置是否正常动作的检查是对于制成品进行的。例如，通过作为显示数据向液晶装置输入指定的图像信号而使之进行投影、显示等，来进行是否显示正确的数据或有无缺陷像素的检查。

但是，在采用对于制成品进行检查的方法的情况下，就成为在基板的制造工序后发现不良品。因此，存在不良品的发现太迟而在制造工序的管理方面不理想的缺点。

例如，到发现不良的信息被反馈给工序管理为止的时间变长。其结果，成品率降低期间长期化而使制造成本升高。此外，在试制品的情况下，由于从试制品的评价到反馈给设计为止的期间长期化，所以将牵扯到开发期间的长期化、开发成本的升高。进而，在产品制成后，所谓的修理、即不良部位的修理是困难的。

因此，希望在基板制造工序内能够发现不良、特别是发现显示装置的缺陷像素。

作为这样的检查方法之一，提出了通过使检查用探针与液晶显示装置的电极焊盘接触而供给指定的电流来进行液晶显示装置的检查的技术(例如参看专利文献1)。同样，提出了根据像素的电容器电容特性给TFT基板的各个像素施加指定的电压，并根据放电电流和放电电压的波形来检查TFT的功能的技术(例如参看专利文献2)。

此外，还提出了通过使用与TFT基板的像素电极对应的检查用的对置电极对像素电极的电位变化量进行检测来进行各个像素电极的动作检查的技术(例如参看专利文献3)。

专利文献1：特开平5-341302号公报。

专利文献2：特开平7-333278号公报。

专利文献3：特开平10-104563号公报。

然而，在使用上述的专利文献1以及专利文献3所述的技术的情况下，在检查装置中要求用于从基板的外部使指定的探针等与电极焊盘等接触或接近的机械的位置精度。其结果，存在为了确保机械的定位精度而使检查时间变长的问题。进而，在高精细的液晶显示装置的情况下，必须相对于大量的电极焊盘对细的探针等进行机械控制以使之接触，因而往往无法应用这些方法。

此外，通常，与包括电极的附加电容在内的像素自身的电容相比，液晶显示装置与测定装置之间的各种电容成分，例如，源极线、图像信号线、电极焊盘端子等中的电容非常大。施加给像素电极的电压根据源极线等的电容与像素自身的电容的比来确定，其是微小的电压电平。因此，当想要从电极焊盘等取出保持在像素上的电压时，由于源极线等的电容所产生的影响会对微小的电平的像素电位重叠大电平的噪声，因而像素保持电压的测定精度非常差，从而无法获得充分的测定精度。

发明内容

本发明就是鉴于以上的问题而提出的，其目的在于提供不需要使来自外部的探针进行接触等而能够实现获得充分的测定精度的检查并且能够减小检查电路的占有面积的电光装置用基板及其检查方法以及电光装置和电子设备。

本发明的电光装置用基板，其特征在于，具备：相互交叉的多条扫描线和多条信号线；与上述多条扫描线和上述多条信号线的交叉对应地配置成矩阵状多个像素电极；放大器，该放大器具备与上述信号线电连接的输入被供给上述像素电极的第1电位信号的第1端子、以及输入作为参考电位的第2电位信号的第2端子，并且被设置成，比较上述第1电位信号和上述第2电位信号的电位，当上述第1电位信号低时则使上述第1端子的电位进一步降低、而当上述第1电位信号高时则使上述第1端子的电位进一步增高地输出，并且，使上述多条信号线之中的指定的多条信号线与上述第1和第2端子中的至少一方对应；选择上述对应的指定的多条信号线之中的1条信号线的选择单元；以及将该被选择的信号线电连接到上述放大器的上述第1和第2端子中的至少一方上的连接单元。

按照这样的结构，连接单元使多条信号线与放大器的第1和第2端子中的至少一方对应。选择单元选择多条信号线之中的1条使之连接到第1或第2端子上。由此，向放大器供给像素的电位。放大器通过比较第1信号和第2信号，例如，使连接到第1和第2端子之中的至少一方上的信号线的电位2值化。放大器的输出经由例如信号线被取出。利用放大器的输出能够判定像素的合格与不合格。使多条信号线与放大器的第1和第2端子之中的至少一方对应，能够用少的放大器进行经由全部信号线的像素的检查。这样，能够减小放大器的占有面积。或者说，由于能够增大放大器的占有面积而能够增大构成放大器的晶体管的栅极尺寸(长度·宽度)，所以能够改善对晶体管的对称性而得到高性能的放大器。

此外，本发明的电光装置用基板，其特征在于：上述放大器，上述第2端子也与上述信号线电连接；相互同等数量的信号线与上述第1和第2端子对应。

按照这样的结构，则能够使来自各条信号线的对第1和第2端子的影响变为均匀，从而能够提高检查精度。

此外，本发明的电光装置用基板，其特征在于：在上述放大单元中，在上述第2端子上电连接有用于供给上述第2电位信号的供给线。

此外，本发明的电光装置用基板，其特征在于：上述选择单元具有生成用于根据选择信息确定与上述放大器的第1或第2端子电连接的信号线的输出信号的解码电路。

按照这样的结构，则能够利用解码电路根据选择信息容易地确定连接到第1或第2端子上的信号线。

本发明的电光装置，其特征在于：在将电光物质挟持在一对基板间而构成电光装置中，在上述一对基板中的一方使用了上述电光装置用基板。

此外，本发明的电子设备，其特征在于：使用了上述电光装置。

按照这样的结构，则能够实现使用不必使来自外部的探针进行接触等而能够进行得到充分的测定精度的检查的电光装置用基板的电光装置或电子设备。

此外，本发明的电光装置用基板的检查方法，是具有相互交叉的多条扫描线和多条信号线、以及与上述多条扫描线和上述多条信号线的交叉对应地配置成矩阵状的多个像素的电光装置用基板的检查方法，其特征在于，包括：在具备与上述信号线电连接的输入被供给上述像素电极的第1电位信号的第1端子以及输入作为参考电位的第2电位信号的第2端子的、并被设置成使上述多条信号线之中的指定的多条信号线与上述第1和第2端子中的至少一方对应的放大器中，选择上述对应的指定的多条信号线之中的1条信号线的选择步骤；将该被选择的1条信号线电连接到对应的上述第1或第2端子上的步骤；向上述第1端子或第2端子中的一方供给经由电连接的信号线被供给像素的第1电位信号，而向另一方供给上述第2电位信号的步骤；以及比较上述第1电位信号和上述第2电位信号，当上述第1电位信号低时则使上述第1端子的电位进一步降低、而当上述第1电位信号高时则使上述第1端子的电位进一步增高地输出的步骤。

按照这样的结构，将指定的1条信号线连接到第1和第2端子上。通过连接到第1或第2端子上的信号线向放大器供给像素的电位。放大器比较被供给第1和第2端子的第1电位信号和第2电位信号，当第1电位信号低时使第1端子的电位进一步降低而当第1电位信号高时使第1端子的电位进一步增高地进行输出。由此，来进行像素的合格与不合格的判定。

附图说明

图1是作为具有检查电路的电光装置用基板的液晶显示装置的元件基板的电路图。

图2是图1中的像素2a的等效电路图。

图3是显示数据读出电路部4的差动放大器(差分放大器)的具体的电路图。

图4是检查***的构成图。

图5是说明检查的整体流程的流程图。

图6是用于说明检查方法的说明图。

图7是用于说明读出动作的定时图。

图8是用于说明有无HIGH固定不良的检查的定时图。

图9是用于说明在基准侧的像素上写HIGH和LOW的中间电位进行的检查的定时图。

图10是用于说明检查方法的说明图。

图11是表示图1所示的元件基板的电路的变形例的电路图。

图12是作为具有检查电路的电光装置用基板的液晶显示装置的元件基板的电路图。

图13是用于说明像素数据的读出动作的定时图。

图14是作为具有检查电路的电光装置用基板的液晶显示装置的元件基板的电路图。

图15是用于说明图14所示的电路的动作的定时图。

图16是表示改进图14的电路的连接门部17后的形态的电路图。

图17是表示应用于图14的基板的实施例1的电路图。

图18是表示门解码电路47的真值表的说明图。

图19是用于说明图17的电路的读出动作的定时图。

图20是表示本发明的实施例2的电路图。

图21是表示本发明的实施例3的电路图。

图22是表示显示数据读出电路部的另一个例子的电路图。

图23是表示变形例的电路图。

图24是表示变形例的电路图。

图25是表示变形例的电路图。

图26是作为应用本发明的电子设备的例子的个人计算机的外观图。

图27是作为应用本发明的电子设备的例子的移动电话的外观图。

图28是作为应用本发明的电子设备的例子的移动电话的外观图。

标号说明

40-元件基板，2-显示元件阵列部，4-显示数据读出电路部，4a-差动放大器，7-图像信号线，45-连接门部。

具体实施方式

下面，参看附图详细地对本发明的实施例进行说明。

在此，作为本发明的电光装置用基板的一个例子，以液晶显示装置所使用的有源矩阵型显示装置用基板为例进行说明。

(实施例1)

本实施例是在基板上装载检查电路并且减少其占有面积的实施例。或者，是扩大构成该检查电路的每一个差动放大器的占有面积而实现检查电路的高性能化的实施例。为便于说明，首先对作为装载有应用本实施例的检查电路的基板的未考虑占有面积的电光装置用基板进行说明。

(基板的第1例)

图1表示作为具有这样的检查电路的电光装置用基板的液晶显示装置的元件基板的电路图。液晶显示装置的元件基板1是作为有源矩阵型显示装置用基板的TFT基板。元件基板1包括显示元件阵列部2、预充电电路部3、以及显示数据读出电路部4。成为显示部的显示元件阵列部2具有2维地配置成矩阵状的m行×n列的多个像素2a。其中，m、n分别为整数。元件基板1，为了驱动显示元件阵列部2的排列在X方向(横方向)和Y方向(纵方向)上的多个像素2a，其包括X驱动器部(X-Driver)5a、Y驱动器部(Y-Driver)5b、传输门部(transmission gate unit)6和图像信号线7。X驱动器部5a、Y驱动器部5b、传输门部6和图像信号线7构成数据写入单元和数据读出单元中的每一者。传输门部6根据来自X驱动器部5a的输出定时信号供给从图像信号线7输入的像素数据信号。图像信号线7具有向矩阵状的显示元件阵列部2的奇数列供给信号的信号线和向偶数列供给信号的信号线，并与各自的端子ino和ine连接。

显示元件阵列部2是从图1的右开始的第1列、第2列、…第n列以及从上开始的第1行、第2行、…第m行的矩阵，但在图1中，为了使说明简单，表示的是由4(行)×6(列)的矩阵的像素构成的电路的例子。

预充电电路部3，如后所述，是为了检查各种特性而给各条源极线施加预充电电压的电路部。另外，作为预充电电压可以选择各种电压，例如，可以是电源电压Vdd，也可以是接地电位，或者，也可以是它们的中间电位。

显示数据读出电路部4，相对于2维矩阵的奇数列的源极线S(odd)和偶数列的源极线S(even)的一组的源极线连接的1个差动放大器4a被设置多个。作为在检查时使用的测试电路的显示数据读出电路部4形成在有源矩阵驱动型的液晶显示面板的元件基板上。

下面，对作为显示元件阵列部2的单位显示元件的像素2a进行说明。图2是像素2a的等效电路图。

各个像素2a，包括作为开关元件的薄膜晶体管(以下称为TFT)11、由像素电极、共用电极和液晶构成的液晶电容Clc、并列地连接到液晶电容C1c上的附加电容Cs。在TFT11的漏极端子上连接有液晶电容Clc和附加电容Cs的各自的一端。附加电容Cs的另一端与共同固定电位CsCOM连接。TFT11的栅极端子g与来自Y驱动器5b的扫描线G连接。当TFT11的栅极端子g被输入指定的电压信号而使TFT11变为ON时，施加到连接到源极线S上的TFT11的源极端子s上的电压被施加到液晶电容Clc和附加电容Cs上并维持被供给的指定的电位。

图3是显示数据读出电路部4的差动放大器4a的具体的电路图。图3所示的差动放大器4a，相对于2维矩阵的一个方向、在此是相对于X方向上的n个像素(n是整数而且是偶数)设置有(n/2)个。因此，相对于n列的像素，(n/2)个的差动放大器4a于对应的多条源极线连接。

各个差动放大器4a包括2个P沟道型的晶体管21、22和2个N沟道型的晶体管23、24。晶体管21、23的栅极连接到端子so上，晶体管22、24的栅极则连接到端子se上。晶体管21、22的源极·漏极通路彼此串联连接，晶体管23、24的源极·漏极通路彼此也串联连接。在端子so、se相互间晶体管21、22彼此的源极·漏极通路与晶体管23、24彼此的源极·漏极通路并联连接。

端子so与奇数列的像素的源极线S1、S3、S5、…连接。端子se与偶数列的像素的源极线S2、S4、S6、…连接。各个差动放大器4a的晶体管21和22的端子sp与供给显示数据读出电路部4的第1驱动脉冲电源SAp-ch的端子4b连接。各个差动放大器4a的晶体管23和24的端子sn与供给显示数据读出电路部4的第2驱动脉冲电源SAn-ch的端子4c连接。

作为放大单元的交叉连接型放大器的差动放大器4a，如后所述，在连接到端子so、se上的2条源极线S、即奇数列源极线S(odd)和偶数列源极线S(even)中，在向一方供给高的电压而向另一方供给低的电压的情况下，差动放大器4a，根据在奇数列和偶数列这2条源极线S(odd)和S(even)上出现的各自的电压差，按照使低电压一方的源极线电压变得更低，使高电压一方的源极线电压变得更高的方式进行动作。

在图3所示的差动放大器4a中，与端子4b连接的端子sp是被输入使输出电平变为高电平的信号(以下简称为HIGH)的定时信号的端子。与端子4c连接的端子sn是被输入使输出电平变为低电平的信号(以下简称为LOW)的定时信号的端子。

在这样地构成的差动放大器4a中，向端子sn供给LOW，向端子sp供给HIGH。其中，例如，当使端子se与端子so相比为略高一点的电位时，则使晶体管24最初变为ON。由于晶体管24变为ON，所以端子so降到端子4c的低的接地电位。然后，由于端子so降到端子4c的低的接地电位，所以栅极端与端子so连接的晶体管21变为ON。其结果，端子se上升到端子4b的高的电源电压Vdd。

这样，差动放大器4a发挥使彼此相邻的2条源极线的高的电位的一方的源极线变得更高，使低的电位的一方的源极线的电位变得更低的作用。

另外，在图1中，在彼此相邻的2条源极线上设置了1个差动放大器4a。这是因为在元件基板1上易于形成差动放大器4a，并且因为在存在外来噪声的情况下对两方的源极线同样地产生影响的缘故，对于彼此不相邻的像素的源极线也可以设置1个差动放大器。

当在制造工序中制造以上那样地构成的作为有源矩阵型显示装置的液晶显示装置的元件基板时，能够对与对置基板粘合并封入液晶之前的元件基板自身的电气特性进行评价或检查。作为电气特性的检查对象的不良，有由于元件基板的各个像素的数据保持用的电容器(附加电容Cs)的漏泄产生的LOW固定不良、以及由于作为开关元件的TFT的源极·漏极间漏泄产生的HIGH固定不良等。

下面，对这样地构成的基板的检查和动作进行说明。在对制造工序中的元件基板1的检查方法进行说明之前，对图1所述的TFT基板与对置基板粘合并封入液晶而完成的液晶显示装置进行通常的图像显示时的动作进行说明。

首先，对2条图像信号线7，分别向图像信号线7的输入端子ine和ino输入作为奇数列和偶数列的像素信号的像素数据信号。各自的像素数据信号根据来自X驱动器5a的列选择信号经由传输门部6的各自的晶体管向各条源极线S进行供给。

被供给到各条源极线S上的像素信号被写入来自Y驱动器5b的扫描线G变为HIGH而被选择的行的各个像素2a。即，在所选择的扫描线G中，被供给源极线S的像素数据信号作为显示用的像素数据信号被供给对应的像素2a并被保持。通过以行顺序进行该动作，在液晶显示装置的显示元件阵列部2上显示所期望的图像。

预充电电路部3是用于在扫描线G变为HIGH之前向各条源极线S施加预充电电压Vpre的电路。预充电电压Vpre被供给预充电电路部3的端子3a。供给预充电电压Vpre的定时由提供给预充电栅极端子3b的电压决定。

因此，在作为制品或试制品的液晶显示装置进行图像显示时，元件基板1的显示数据读出电路部4不动作而不被使用。

下面，对在元件基板1中在利用半导体工艺的工序制造了图1所述的电路部分后，在元件基板1的状态下进行的检查的步骤进行说明。在该元件基板1的检查中，显示数据读出电路部4进行动作而被使用。

首先，对用于实现检查方法的检查***进行说明。图4是检查***的构成图。通过连接电缆32将元件基板1与能够进行像素数据的写入和读出的测试装置31连接。连接电缆32将元件基板1的数据线7的端子ino和ine、显示数据读出电路部4的信号线的端子4b和4c、以及预充电电路部3的端子3a和3b等电连接到测试装置31上。

通过从测试装置31按照后述的指定的顺序向各个端子供给指定的电压，能够进行元件基板1的电气特性的检查。以下，作为其检查内容，对进行上述的LOW固定不良和HIGH固定不良的有无的检查的步骤进行说明。

首先，说明检查的整体的流程。图5是表示该检查的流程的例子的流程图。

使显示数据读出电路部4的各个差动放大器4a变为非动作状态。具体地说，使第1驱动脉冲电源SAp-ch和第2驱动脉冲电源SAn-ch 分别变为电源电压Vdd与接地电位的中间电位(Vdd/2)。在该状态下，从图像信号线7的输入端子ino、ine向作为单元的各个像素输入指定的像素数据信号，即进行写入(步骤(以下简写为S)1)。具体地说，通过向奇数侧的源极线S(odd)供给HIGH而向偶数侧的源极线S(even)供给LOW，向所选择的行的第奇数个像素写入HIGH，向第偶数个像素写入LOW。该写入工序，对每行进行，对全行的像素进行写入。图6(a)是表示向4(行)×6(列)的各个像素写入的像素数据的LOW(L)和HIGH(H)的状态的图。如图6(a)所示，显示元件阵列部2的各个像素数据变为LOW(L)的列和HIGH(H)的列交替地出现的矩阵。

接着，一边使显示数据读出电路部4动作，一边以每行的方式读出所写入的像素数据(S2)。对于显示数据读出电路部4的动作将在后边叙述。如后所述，当显示数据读出电路部4动作时，使最初的预充电期间稍长，由此，在数据保持用电容器(Cs)中确实地显现出由于电流漏泄现象所产生的电压变化。即，显示数据读出电路部4，在读出像素数据时，执行放大并输出信号线上的信号输出的输出工序。

然后，测试装置31比较在读出工序中所读出的像素数据和在写入工序中所写入的像素数据(S3)。在该比较工序中，判断对于各个像素所写入的像素数据与所读出的像素数据是否一致。

测试装置31确定出所写入的像素数据与所读出的像素数据不一致的单元、即确定像素，并作为异常像素进行输出以使在未图示的监视器的画面上显示例如单元序号等的数据(S4)。

接着，使用图7的定时图说明图5的S2的像素数据的读出动作。图7是用于说明图1的电路中的读出动作的定时图。像素的检查通过对于成为基准的列判定检查对象的列是否是正常的列来进行。首先，设作为基准的列为偶数列，设作为检查对象的列为奇数列。用于图7所示的定时的信号利用测试装置31生成并供给各个端子。

首先，如图6(a)所示，将偶数列的像素作为基准数据写入用的像素，向偶数侧的像素写入LOW，向被检查用的奇数侧的像素写入HIGH来进行被检查对象的奇数列的各个像素的检查。

如图7所示，在对全部像素写入了上述的指定的像素数据后，被供给预充电电路部3的端子3b的预充电栅极电压PCG变为HIGH而进行预充电。在预充电状态下经过了指定时间后，开始进行读出动作。另外，设各条源极线S的预充电电位(施加到预充电电压施加端子3a上的电压)Vrpe为HIGH与LOW的中间电位，则图2所示的CsCOM电位为(LOW电位-ΔV)。之所以使CsCOM电位为(LOW电位-ΔV)，是因为在数据保持用电容器Cs为漏泄不良的情况下，由于漏泄目标的CsCOM电位变为(LOW电位-ΔV)，所以要使读出电位变得比基准侧的电位还低的缘故。因此，预先将最初的预充电期间设定为略微长一点的时间，使由漏泄不良所产生的电压变化出现。

在第1行的读出动作中，首先，使预充电栅极电压PCG变为LOW而使预充电停止，接着，使扫描线G1的电位变为HIGH而使作为第1行的像素晶体管的各个TFT11变为ON。连接到扫描线G1上的所有像素的TFT将一齐变为ON。其结果，已经写入到电容器Cs内的电荷向源极线S移动。被写入HIGH的奇数侧源极线(S(odd))从中间电位附近的高的一侧的电位略微上升，而基准侧的偶数侧源极线(S(evevn))的电位则从中间电位附近略微降低。通过使SAn-ch驱动脉冲电源变为LOW，接着使SAp-ch驱动脉冲电源变为HIGH来启动显示数据读出电路部4。

但是，在已经产生了奇数侧的像素的数据保持电容器Cs的漏泄的情况下，如图7中虚线L1所示，比起偶数侧源极线(S(evevn))的电位来奇数侧源极线(S(odd))的电位这一方进一步降低。其结果，如虚线L2所示，偶数侧的电位升高。

通过SAn-ch驱动脉冲电源变为LOW使比中间电位稍低的一侧的电位变化为LOW，接着通过SAp-ch驱动脉冲电源变为HIGH而使比中间电位稍高的一侧的电位变化为HIGH。这是因为如上所述，由于显示数据读出电路部4的各个差动放大器4a的动作，使在2条源极线S上出现的高低2个电位电平分别变化到sp、np的电压而变得明确的缘故。该动作在连接到扫描线G1上的所有的像素中一齐进行。

然后，将传输门部6的各个晶体管的从栅极TG1到TGn依次地打开(变为HIGH)，从而依次地从图像信号线7读出第1行的各个像素的像素数据。

直到最后的传输门TGn打开后，再次转移到预充电动作。该预充电动作，即第2次以后的预充电时间不需要象初次那么长。

因此，如上所述，比较所写入的像素数据和所读出的像素数据(S3)，当所写入的检查对象的奇数侧的像素HIGH在读出时变为LOW时，则能够将奇数侧的该像素判断为LOW固定不良。这样的LOW固定不良的像素、即异常单元，在检查装置31中向未图示的显示装置等输出(S4)。

在停止了该预充电动作后，通过使第2扫描线G2的电位变为HIGH，使第2行的各个像素的TFT11变为ON。以后直到连接到最后的扫描线Gm上的像素、即直到第m行的各个像素的像素数据为止进行同样的动作而读出。

比较所读出的各个像素数据与所写入的各个像素数据，能够对被检查对象的奇数列的各个像素进行是否有LOW固定不良的检查。

接着，使偶数列和奇数列的关系颠倒，即将奇数侧的像素作为基准数据写入用的像素，向奇数侧的像素写入LOW，向被检查用的偶数侧的像素写入HIGH，并通过进行与图5所述的处理同样的处理，相对于成为基准的奇数侧的像素检查在偶数侧的像素中是否有LOW固定不良。

如上所述，通过以奇数和偶数的列中的任何一方为基准对奇数和偶数的两列进行在另一方的像素内有否LOW固定不良的检查，能够对全部像素检查是否有LOW固定不良。

下面，参看图8对HIGH固定不良的有无的检查进行说明。图8是用于说明HIGH固定不良的有无的检查中的读出动作的定时图。

与上述的LOW固定不良的情况同样，虽然最初将偶数侧的像素作为基准数据写入用的像素，但在像素数据的写入中，向偶数侧的像素写入HIGH，向被检查用的奇数侧像素写入LOW。

在进行了向全部像素的图6(b)所示的那样的像素数据(使图6(a)的H和L的关系颠倒的状态的像素数据)的写入后，在预充电状态下经过了指定时间后开始进行读出动作。这时，使各条源极线S的预充电电位(施加到预充电电压施加端3a上的电压)Vpre变为(HIGH+ΔV)电位。之所以使预充电电位Vpre变为(HIGH+ΔV)电位，是因为在TFT11的源极·漏极间发生了漏泄的情况下，由于漏泄目标的源极线S的电位是(HIGH+ΔV)，所以使读出电位变为比基准侧的电位更高的缘故。

在读出动作中，首先停止预充电，接着使扫描线G1的电位变为HIGH以使各个TFT11变为ON。在连接到扫描线G1上的第1行的全部像素中各个TFT11一齐变为ON。被写入了HIGH的基准侧的偶数侧源极线S(even)的电位从预充电电位Vpre略微降低(变化成HIGH电位)，被写入了LOW的奇数侧源极线S(odd)则从预充电电位Vpre进一步降低。因此，差动放大器4a使被写入了LOW的奇数侧源极线S(odd)的电位进一步降低，使被写入了HIGH的偶数侧源极线S(even)的电位维持HIGH电位。

但是，在产生了检查对象的奇数侧的像素TFT11的源极·漏极间的漏泄的情况下，漏泄目标的像素的电容器Cs的电位变为预充电电位(HIGH电位+ΔV)，变得比基准侧的偶数侧的像素的电位更高。因此，在像素数据的读出时，如图8的虚线L3所示，奇数侧的源极线S(odd)的电位保持预充电电位(HIGH电位+ΔV)的原状不变地几乎没有变化。即，奇数侧源极线S(odd)的电位变得比偶数侧的源极线S(even)的电位更高。通过SAn-ch驱动脉冲电源变为LOW而使低的一侧的电位变化成LOW，接着通过SAp-ch驱动脉冲电源变为HIGH而使高的一侧的电位变化成HIGH。其结果，如虚线L4所示，偶数侧的源极线S(even)的电位变为LOW，奇数侧的源极线S(odd)的电位变为HIGH。

因此，在检查对象的像素的单元中，由于所写入的像素数据与所读出的像素数据不同，所以能够检测出异常单元。

以后的差动放大器的动作，与上述的LOW固定不良检测时是同样的。接下来通过将基准侧作为奇数侧，将检查对象作为偶数侧进行以上的动作，能够对所有的像素进行HIGH固定不良的检查。

如上所述，通过将基准侧交换偶数列和奇数列进行LOW固定不良的检查，同样，将基准侧交换偶数列和奇数列进行HIGH固定不良的检查，能够对于所有的像素进行LOW固定不良和HIGH固定不良的有无的检查。

另外，在上述的例子中，虽然是对基准侧的像素作为HIGH或LOW进行检查，但也可以做成为向基准侧的像素写入中间电位的信号。

使用图9对向基准侧的像素写入HIGH与LOW的中间电位来进行检查的方法进行说明，

与上述的LOW固定不良的检测的情况同样，最初将偶数侧的像素作为基准数据写入用的像素，向偶数侧的像素写入HIGH与LOW的中间电位，向被检查用的奇数侧像素写入HIGH或LOW。例如，如图10所示，先向奇数侧的像素写入HIGH，向偶数侧的像素写入HIGH与LOW的中间电位(M)。

在向全部像素写入后，在预充电状态下经过了指定时间后，开始进行读出动作。这时，使源极线S的预充电电位(施加到预充电电压施加端子3a上的电压)变为HIGH与LOW的中间电位。

在读出动作中，首先停止预充电，接着使扫描线G1的电位变为HIGH而使各个TFT11变为ON。在与扫描线G1连接的所有像素中使TFT11一齐变为ON。基准侧的偶数侧源极线的电位保持预充电电位的中间电位不变。奇数侧的源极线S的电位，由于被写入了HIGH而从中间电位略微上升。因此，由于利用差动放大器4a使偶数侧变为LOW而使奇数侧变为HIGH，所以被写入到奇数侧的像素数据为HIGH不变化。

但是，在检查对象的像素的电容器Cs中产生了漏泄的情况下，奇数侧的源极线S(odd)的电位将从中间电位略微降低。因此，由于利用差动放大器4a，如图9的虚线L5所示，使奇数侧变为LOW，如虚线L6所示，使偶数侧变为HIGH，所以被写入到奇数侧的像素数据将变为LOW而不是HIGH。

以后的动作，与上述的LOW固定不良的检测时是同样的。以下同样对所有的行读出像素数据。

接着，向奇数侧写入LOW(将图10中的H变更为L的状态)，对成为基准的偶数侧写入中间电位。然后，对所有的像素按行顺序进行与上述的向奇数侧写入HIGH以读出像素数据时的动作相同的动作。

其结果，测试装置31能够得到向基准侧写入中间电位、向检查对象侧写入HIGH和LOW并读出各自的情况下的像素数据的数据。比较写入了HIGH和LOW的像素数据和在各自的情况下所读出的像素数据。这时，即使在向某一像素写入了LOW的情况和写入了HIGH的情况中的任何一种情况下，当读出LOW时，首先考虑该像素在电容器Cs中具有漏泄不良。进而，由于电容器或TFT的高电阻、或者TFT的源极·漏极间漏泄而使检查对象侧的源极线电位总是变为预充电电位，即读出放大动作变为预充电电位彼此的电位比较，从而能够判断为由于电路的固有特性而存在检查对象侧总是趋向于LOW的可能性。

此外，无论在哪种情况下，当读出HIGH时，只有排除了在电容器Cs中存在漏泄不良的可能性的情况下才可以考虑与上述LOW的情况相同的问题的可能性。即，通过向基准侧写入中间电位，向检查对象侧写入LOW和HIGH(也可以先进行LOW和HIGH中的任何一方)，将各自的情况下的像素数据读出并进行比较，就能够检测单元的电容器Cs和TFT的不良。

并且，当接着将奇数列作为基准侧，将偶数侧作为检查对象侧进行同样的检查后，就能够对于所有的像素检查电容器Cs和TFT的不良的有无。

如上所述，按照图9所示的动作，在写入了HIGH和LOW的数据在读出时已经固定为LOW或HIGH的情况下，就能够判断为在电容器Cs或TFT中存在某种不良。

图11是表示图1所示的元件基板的电路的变形例的电路图。在图1中，元件基板1A的显示数据读出电路部4被设置在从预充电电路部3输出的源极线S和传输门部7之间。在图11中，显示数据读出电路部4通过连接门部9与从预充电电路部3输出的源极线S连接。

按照图11所示的结构，则传输门部9的各个晶体管9a的栅极端子通过信号线9c分别连接到连接门端子9b上。通常，连接门端子9b的电位，由于晶体管9d的栅极端子变为HIGH，所以信号线9c变为LOW，显示数据读出电路部4被从源极线分离。因此，按照图11的结构，则具有能够在不使用显示数据读出电路部44时完全地分离而不会受差动放大器4a的不稳定动作状态的影响的优点。

在进行上述的读出动作时，通过控制连接门端子9b的电位以使信号线9c变为HIGH，能够使显示数据读出电路部4动作。

此外，在图像信号线7上设置有包括电流镜放大器在内的差动放大器10。其目的在于防止HIGH·LOW信号之差因图像信号线7自身所具有的电容成分等而减小，从而能够使HIGH、LOW信号变得更加明确而能够高速地精度良好地将输出信号outo、oute输出。

另外，虽然显示数据读出电路部对于显示元件阵列部的所有的像素设置，但也可以做成为仅在作为显示部使用的一部分的像素上设置而不是全部地设置。

如上所述，由于能够在制品或试制品的元件基板工序结束后检测元件基板的不良，所以能够缩短成品率降低期间，从而能够减少组装不合格品的情况而降低成本。特别是在试制品的情况下，能够缩短开发期间和降低开发成本。

此外，由于能够在元件基板阶段检测不良，所以所谓的修理也将变得容易。

进而，由于利用显示数据读出电路部能够使作为模拟信息的电容器的充电电荷变换成数字信息(电压逻辑)，所以检查中的检测灵敏度高。

进而，在上述的例子中，虽然做成为将差动放大器连接到彼此相邻的源极线上以使得不易受到外部噪声等的影响，但也可以做成为设置与相互不相邻的源极线彼此连接的差动放大器。这样的话，就能够排除相邻的源极线彼此的漏泄可能性的影响。

(基板的第2例)

下面，对应用实施例1的基板的另一例子进行说明。

图12表示作为具有这样的检查电路的电光装置用基板的液晶显示装置的元件基板的电路图。在图12中，对于与图1或图11相同的构成要素附加相同的标号而省略说明。

图12的元件基板1B也包括显示元件阵列部2、显示数据读出电路部4、X驱动器部5a、Y驱动器部5b(在图12中未图示)、传输门部6、图像信号线7和差动放大器10。进而，元件基板1B具有预充电电路部13、连接门部14和参考电压供给部15。

预充电电路部13在各列上、即在各条源极线上具有晶体管13b。各个晶体管13b的源极和漏极分别地通过源极线S与各个差动放大器4a的端子se、通过参考电压供给部线REF与端子so连接。此外，各个晶体管13b的栅极连接到预充电用的门端子13a上。

在连接门部14中，如图12所，各个差动放大器4a的一方的端子so与连接门部14的一方的晶体管14b通过参考电压供给线REF连接到了参考电压供给部15的端子15a上。向端子15a供给参考电压Vref。各个差动放大器4a的另一方的端子se则通过连接门部14的另一方的晶体管14c连接到了源极线S上。晶体管14b和14c的栅极连接到测试电路连接用的门端子14a上。向门端子14a供给后述的测试电路连接信号TE。

连接到参考电压供给部15的端子15a上的参考电压供给线REF通过预充电用的晶体管13b的源极·漏极通路连接到了源极线S上。因此，通过控制晶体管13b的栅极电压，能够使晶体管13b变为ON，而通过晶体管13b将参考电压Vref施加到各条源极线S上。

下面，使用图13的定时图说明图5的S2的像素数据的读出动作。图13是用于说明图12的电路的读出动作的定时图。像素的检查通过判定各列是否正常来进行。用于图13所示的定时的信号，由图4所示的测试装置31生成并供给各个端子。

首先，使元件阵列部2的所有的扫描线G变为ON，向所有的像素写入HIGH。另外，其中，虽然用将HIGH写入到各个像素的情况进行说明，但也可以是写入LOW。另外，以下虽然说明的是向全部像素写入HIGH进行基板1B的检查的例子，但也可以做成为仅对一部分像素进行检查。在写入后，扫描线G的门变为OFF。

如图13所示，在进行了向全部像素的上述指定的像素数据(在此是HIGH)的写入后，为了确保数据保持时间t1，被供给预充电电路部13的端子13a的预充电栅极电压PCG变为HIGH，而晶体管13b只在指定时间变为ON。进而，测试电路连接用的门端子14a的测试电路连接信号TE也变为HIGH。在经过了数据保持时间t1后，开始进行像素数据的读出。

另外，由于通过使晶体管13b只在指定时间变为ON使得在各条源极线S和参考电压供给线REF两方出现参考电压Vref，所以如果预先使栅极线G变为OFF，则就不一定需要变为预充电状态。即，只要使各条源极线S与参考电压供给线REF变成为同电位即可。此外，当使晶体管13b变为ON时，测试电路连接用的门端子14a的测试电路连接信号TE也可以不是HIGH。因此，在经过了数据保持时间t1后，在预充电栅极电压PCG为LOW的情况下，使其变为HIGH来进行预充电。

从参考电压供给部15向端子15a作为进行预充电的电位施加HIGH和LOW的中间电位的预充电电压(参考电压Vref)。因此，在指定的像素数据写入后，源极线S、端子se和端子so变为中间电位的状态。

然后，在经过了数据保持时间t1后，为了解除预充电状态而使预充电栅极电压PCG变为LOW，这时测试电路连接信号TE为HIGH，而且通过预先使第1驱动脉冲电源SAp-ch和第2驱动脉冲电源SAn-ch的电位变为中间电位，而使各个差动放大器4a变为不动作的状态。

另外，做成为在使预充电栅极电压PCG变为LOW之后，直到差动放大器4a开始动作之前为止，停止向端子15a进行的预充电栅极电压的供给。

在使预充电栅极电压PCG变为LOW之后，当使栅极线G1变为ON时，则从连接到栅极线G1上的各个像素一齐输出数据。具体地说，被写入并保持在电容器Cs中的电荷一齐地向对应的源极线S移动。如图13所示，各条源极线S的电位将略微上升。当存在电容器Cs的漏泄而使各个像素的数据向LOW变化时，则各条源极线S的电位如虚线所示地将略微下降。

在打开栅极线G1后，在经过了指定时间之后，为了使各个差动放大器4a动作，首先使第2驱动脉冲电源SAn-ch的电位从中间电位向LOW变化。通过与第2驱动脉冲电源SAn-ch的电位向LOW变化的瞬间同时或在该瞬间的前后使测试电路连接信号TE变为LOW，并使连接门部14的晶体管14b、14c只在指定时间t2变为OFF，能够将略微上升的源极线电位的信息封闭在差动放大器4a内。

即，预先做成为直到差动放大器4a的端子so、se的电位确定为LOW或HIGH为止，使晶体管14b、14c变为OFF以不会对差动放大器4a的端子so、se的电位造成影响。在差动放大器4a的端子so、se的电位确定为LOW或HIGH后，为了输出该电位而使晶体管14b、14c变为ON。

通过SAn-ch驱动脉冲电源变为LOW，而使比中间电位略微低的一侧的电位就变化成LOW。这样，各个差动放大器4a比较作为从外部施加的中间电位的参考电压Vref和各条源极线S的电压。如果像素是正常的，通过源极线S的电位比中间电位略高，使各个差动放大器4a的端子so这一方将变为电位比端子se低的一侧。因此，如图13所示，端子so的电位将降低。这时，端子se的电位保持原状不变。

接着，通过使SAp-ch驱动脉冲电源变为HIGH而使差动放大器4a的P沟道型晶体管21、22动作。即，比中间电位略高的一侧的电位因SAp-ch驱动脉冲电源变为HIGH而变化成HIGH。如果像素是正常的，由于源极线S的电位比中间电位略高，所以各个差动放大器4a的端子se这一方将变为比端子so电位高的一侧。因此，如图13所示，端子se的电位将上升。

如果像素存在不良，则当存在电容器Cs的漏泄而各个像素的数据变化成LOW时，则各条源极线S的电位如图13的虚线所示地会略微地下降。在这种情况下，当San-ch驱动脉冲电源变为LOW后，如图13的虚线所示，端子se的电位下降。进而，当SAp-ch驱动脉冲电源变为HIGH后，如图13的虚线所示，端子so的电位上升。

在这种情况下，由于使测试电路连接信号TE变为OFF，所以就不会受到成为负载的源极线S的电容的影响，从而能够进行高速动作。此外，由于参考电压Vref不是写入电位，所以某一像素的不良被检测为该像素的不良，从而能够进行不良特性的详细分类。

当差动放大器4a的端子se与端子so的逻辑确定为HIGH与LOW中的任何一方后，使测试电路连接信号TE变为HIGH，将所确定的逻辑数据写回到源极线S上。由于连接到栅极线G1上的各个像素的电位被读出到对应的源极线S上，所以依次地打开传输门部6的各个晶体管的栅极TG1到TGn(变为HIGH)，从图像信号线7依次地读出第1行的各个像素的像素数据而向输出端子outo和oute输出。

当读出了连接到栅极线G1上的所有的像素的数据后，使栅极线G1变为LOW，使SAn-ch驱动脉冲电源和SAp-ch驱动脉冲电源变为中间电位以使差动放大器4a停止动作。接着，使预充电栅极电压PCG变为HIGH来对全部源极线S进行预充电。

以后，通过对于从栅极线G1到Gm的各行反复进行上述的动作而依次地进行基板上的像素的检查。

当对于全部像素写入HIGH的数据而进行检查的动作结束后，接着，通过对全部像素写入LOW的数据来施行相同的检查而结束全部检查。因此，由于对于全部像素只进行2次检查即可，所以与图1的装置相比缩短了检查时间。

如上所述，在图12的装置中，也能够对于检查对象的各个像素检查不良的有无。

(基板的第3例)

下面，对应用实施例1的基板的另一例子进行说明。

图14表示作为具有这样的检查电路的电光装置用基板的液晶显示装置的元件基板的电路图。在图14中，对于与图1或图11相同的构成要素附加相同的标号而省略说明。

图14的元件基板1C也包括显示元件阵列部2、显示数据读出电路部4、X驱动器部5a、Y驱动器部5b(在图14中未图示)、传输门部6、图像信号线7和差动放大器10。进而，元件基板1C具有预充电电路部16、连接门部17和参考电压供给部18。

预充电电路部16相对于奇数列的源极线S(odd)和偶数列的源极线S(even)的一组的源极线具有一对晶体管16b、16c。连接了源极和漏极而构成的串联连接的晶体管16b和16c的源极和漏极，分别通过奇数列的源极线S(odd)和偶数列的源极线S(even)连接到各个差动放大器4a的端子so和端子se上。此外，各个晶体管16b、16c的栅极连接到预充电用的门端子16a上。另外，在门端子16a上连接有下拉(pull down)电路16d。在图14的例子中，下拉电路16d，由源极连接到门端子16a上且漏极连接到基准电位点上，并向栅极施加电源Vdd的晶体管构成。晶体管16b和16c的连接点被连接到参考电压供给部18的端子18a上。向端子18a供给参考电压Vref。因此，通过控制晶体管16b、16c的栅极电压，能够使晶体管16b、16c同时ON，并通过晶体管16b、16c向各条源极线S施加从外部供给的参考电压Vref。参考电压Vref是HIGH和LOW的中间电位的电压。

在连接门部17中，如图14所示，各个差动放大器4a的一方的端子so通过连接门部17的一方的晶体管17b连接到奇数列源极线S(odd)上。各个差动放大器4a的另一方的端子se，则通过连接门部17的另一方的晶体管17c连接到偶数列源极线S(even)上。晶体管17b、17c的栅极分别连接到奇数列测试电路连接用的门端子17a1和偶数列测试电路用的门端子17a2上。向各个门端子17a1、17a2分别供给后述的测试电路连接信号TEo、TEe。

因此，通过使测试电路连接信号Teo和TEe中的任意一方变为HIGH，能够用1个差动放大器4a只读出奇数列源极线S(odd)的像素和偶数列源极线S(even)的像素中的任意一方的数据。然后，在源极线S上出现并被读出的电位(微小电位变化)通过晶体管17b和17c中的任意一方的晶体管传递给差动放大器4a。该电位，在暂时使变为ON而打开的晶体管关闭后，在差动放大器4a内部被放大，然后使一端关闭的晶体管再次打开而将其写回到源极线并通过图像信号线7进行输出。

下面，一边参看图15的定时图一边说明图14所述的电路的动作的详细情况。说明图5的S2的像素数据的读出动作。图15是用于说明图14的电路中的读出动作的定时图。像素的检查通过以每列的方式，其中分成奇数列和偶数列而判定是否正常来进行。用于图15所示的定时的信号由测试装置31生成并供给各个端子。

首先，使元件阵列部2的所有的扫描线G变为ON，而向奇数列的所有的像素写入HIGH。另外，也可以向全部像素写入HIGH。在图14的例子中，奇数列源极线S(odd)的像素的检查与偶数列S(even)的像素的检查分开地进行。此外，虽然其中用向各个像素写入HIGH的情况进行说明，但也可以写入LOW。另外，以下虽然说明向奇数列的全部像素写入HIGH进行基板1C的检查的例子，但也可以做成为仅对一部分的像素进行检查。在写入后，使扫描线G的门被OFF。偶数列源极线S(even)，通过使测试电路连接信号TEe变为LOW，而使得对偶数列源极线S(even)来自显示元件阵列部2的电位的影响不会传递给差动放大器4a。

如图15所示，在向奇数列的像素写入上述的指定的像素数据(在此是HIGH)后，为了确保数据保持时间t1，被供给预充电电路部16的端子16a的预充电栅极电压PCG变为HIGH，而晶体管16b、16c只在指定时间变为ON。进而，测试电路连接用的门端子17a1的测试电路连接信号TEo也变为HIGH。在经过了数据保持时间T1后，开始进行像素数据的读出。

另外，由于通过使晶体管16b、16c只在指定时间变为ON而使得在各个差动放大器4a的端子so和端子se两方出现参考电压Vref，所以只要预先使栅极线G变为OFF，就不一定需要使其变为预充电状态。进而，当使晶体管16b、16c变为ON时，测试电路连接用的门端子17a1的测试电路连接信号Teo也可以不是HIGH。因此，在经过了数据保持时间t1后，在预充电栅极电压PCG为LOW的情况下，作为HIGH进行预充电。

从参考电压供给部18向端子18a作为进行预充电的电位施加了HIGH和LOW的中间电位的参考电压Vref。因此，在指定的像素数据写入后，源极线S(odd)、端子se和端子so变为中间电位的状态。

然后，在经过了数据保持时间t1后，为了解除预充电状态而要使预充电栅极电压PCG变为LOW，这时测试电路连接信号TEo为HIGH，而且通过预先使第1驱动脉冲电源SAp-ch和第2驱动脉冲电源SAn-ch的电位变为中间电位，使各个差动放大器4a变为不进行动作的状态。

在使预充电栅极电压PCG变为LOW之后，当使栅极线G1变为ON时，数据从连接到栅极线G1上的各个像素一齐地输出。具体地说，被写入并保持在电容器Cs中的电荷一齐地向对应的源极线S(odd)移动。如图15所示，各条源极线S(odd)的电位略微上升。当存在电容器Cs的漏泄而各个像素的数据变化成LOW时，则各条源极线S(odd)的电位，如虚线所示，将略微地下降。这时，由于测试电路连接信号TEe是LOW，所以偶数列源极线S(even)的电位能够忽视。

在打开栅极线G1后，在经过了指定时间后，为了使各个差动放大器4a动作，首先使第1驱动脉冲电源SAn-ch的电位从中间电位向LOW变化。通过与第2驱动脉冲电源SAn-ch的电位向LOW变化的瞬间同时或在该瞬间的前后使测试电路连接信号TEo变为LOW，而使连接门部17的晶体管17b变为OFF，能够使略微上升的奇数列源极线S(odd)的电位的信息封闭在差动放大器4a内。

通过SAn-ch驱动脉冲电源变为LOW，而使端子so和端子se之中略低的一侧的电位变成LOW。因此，各个差动放大器4a比较作为从外部施加上的中间电位的参考电压Vref与各个奇数列源极线S(odd)的电压。如果像素是正常的，由于奇数列源极线S(odd)的电位比中间电位略高，所以各个差动放大器4a的端子se这一方将变为电位比端子so低的一侧。因此，如图15所示，端子se的电位将降低。这时，端子so的电位则将保持原状。

接着，通过使SAp-ch驱动脉冲电源变为HIGH，而使差动放大器4a的P沟道型晶体管21、22动作。即，通过SAp-ch驱动脉冲电源变为HIGH，而使端子so和端子se之中略高的一侧的电位变成HIGH。如果像素是正常的，由于奇数列源极线S(odd)的电位比中间电位略高，所以各个差动放大器4a的端子so这一方将变为电位比端子se高的一侧。因此，如图15所示，端子so的电位将上升。

如果在像素存在不良，例如，当存在电容器Cs的漏泄而各个像素的数据变化成LOW时，则各个奇数列源极线S(odd)的电位，如图15的虚线所示，将略微地下降。在这种情况下，当SAn-ch驱动脉冲电源变为LOW时，如图15的虚线所示，端子so的电位将下降。进而，当SAp-ch驱动脉冲电源变为HIGH时，如图15的虚线所示，端子se的电位将上升。

在这种情况下，由于使测试电路连接信号TEo和TEe变为OFF，所以就不会受到成为负载的源极线S的电容的影响而能够进行高速动作。此外，由于参考电压Vref不是被写入像素的电位，所以某一像素的不良被检测为该像素的不良，从而能够进行不良特性的详细分类。

当差动放大器4a的端子se与端子so的逻辑确定为HIGH与LOW中的任何一方后，则使测试电路连接信号TEo变为HIGH，并将所确定的逻辑数据写回到奇数列源极线S(odd)上。由于与栅极线G1连接的各个像素的电位被读出到对应的奇数列源极线S(odd)上，所以按照TG1·TG3·TG5的顺序直到最后的TGn(或TGn-1)为止打开(变为HIGH)传输门部6的各个晶体管的odd侧栅极，从图像信号线7依次地读出第1行的各个像素的像素数据而向输出端子outo(在该情况下不进行向oute的数据输出)输出。

当读出了连接到栅极线G1上的所有的像素的数据后，使栅极线G1变为LOW，使SAn-ch驱动脉冲电源和SAp-ch驱动脉冲电源变为中间电位以使差动放大器4a停止动作。接着，使预充电栅极电压PCG变为HIGH，对全部源极线S进行预充电。

以后，通过反复进行上述的动作，对于从栅极线G2到Gm的各行依次地进行检查。

当对奇数列的全部像素写入HIGH的数据进行的检查动作结束后，接着，通过对奇数列的全部像素写入LOW的数据以施行相同的检查，而对奇数列的全部像素的检查就全部结束。

接着，将检查对象像素变更为偶数列。即，将测试电路连接信号TEo固定为LOW，一边使测试电路连接信号TEe变化一边在向偶数列的像素写入HIGH的数据的情况下和写入LOW的数据的情况下进行与对奇数列的像素所进行的检查相同的检查。

图12的装置虽然对于1条源极线需要1个差动放大器4a，但在图14的装置中，由于对于2条源极线使用1个差动放大器4a即可，而基板上的电路规模变小，所以能够增大差动放大器4a内的晶体管的尺寸。其结果，由于能够实现差动放大器4a内的晶体管的非对称性的降低、以及驱动能力的提高等，所以能够实现稳定的灵敏度高的差动放大器4a。

进而，图16是表示改进图14的连接门部17的形态的电路图。在连接门部17中，如图14所示，各个差动放大器4a的一方的端子so通过连接门部17的一方的晶体管17b连接到奇数列源极线S(odd)上。各个差动放大器4a的另一方的端子se则通过连接门部17的另一方的晶体管17c连接到偶数列源极线S(even)上。在图16中，晶体管17b的栅极在连接到测试电路连接用的门选择端子17a11上的同时，还通过栅极与反相器和门使能端子17a21连接的晶体管17d连接到了晶体管17c的栅极上。向门选择端子17a11供给测试电路连接门选择信号TGS(Test Gate Select)，向门使能端子17a21供给测试电路连接信号TE(Test Enable)。

因此，通过使门使能端子17a21变为HIGH，能够使晶体管17b和17c中的某一方变为ON，从而能够用1个差动放大器4a仅读出奇数列源极线S(odd)的像素和偶数列源极线S(even)的像素中的任何一方的数据。在测试电路连接门选择信号TGS为HIGH时，使晶体管17b变为ON，使晶体管17c变为OFF，从而能够读出奇数列源极线S(odd)的像素的数据。另一方面，在测试电路连接门选择信号TGS为LOW时，使晶体管17c变为ON，使晶体管17b变为OFF，从而能够读出偶数列源极线S(even)的像素的数据。在未给门选择端子17a11和门使能端子17a21施加电压信号的状态下，即在浮置状态下，晶体管17b和17c都为OFF，测试电路变为被分离状态。

这样，通过在晶体管17b和17c的栅极之间***反相器，能够防止奇数列源极线S(odd)和偶数列源极线S(even)同时地与差动放大器4a连接，从而能够防患于未然地防止误动作。

(实施例1中的基板结构)

图17表示应用于图14的基板的第3例的实施例1。本实施例是减少图14所示的电光装置用基板的检查电路的占有面积的例子。或者，是扩大构成检查电路的每一个差动放大器的占有面积而实现检查电路的高性能化的例子。在图17中，对于与图14相同的构成要素附加相同的标号而省略说明。

在图14的装置中，与奇数列和偶数列的2条源极线分别对应地配置了差动放大器4a。但是，通常，为了构成差动放大器而在半导体基板上需要比较宽的面积。因此，在本实施例中，通过使多条源极线与1个差动放大器4a对应，来减少基板上的差动放大器4a的数量，从而确保了每一个差动放大器的基板占有面积。

作为本实施例的电光装置用基板的元件基板40，在使3条或3条以上的源极线与1个差动放大器4a对应并且代替连接门部17而采用作为连接单元的连接门部45这一点上，与图14的电光装置用基板不同。

在图14的例子中，差动放大器4a的端子so、se通过连接门部17的各个晶体管17b、17c分别连接到了1条源极线上。本实施例，使用3个或3个以上的晶体管将差动放大器4a的端子so、se连接到了3条或3条以上的源极线上。另外，在图17中，表示的是将端子so、se分别连接到2条源极线上的例子。

在图17的例子中，以每4条源极线的方式设置差动放大器4a。连接到差动放大器4a的端子so上的信号线被分枝为2组，通过晶体管46a、46b分别连接到第(4u+1)(u＝0、1、2、…)列的源极线或第(4u+2)列的源极线上。同样，连接到差动放大器4a的端子se上的信号线被分枝为2组，通过晶体管46c、46d分别连接到第(4u+3)列的源极线或第(4u+4)列的源极线上。

另外，晶体管46a～46d被配置为距差动放大器4a的端子so、se的距离相等。

每隔4条源极线设置的晶体管46a的栅极，与连接到传送门(transfergate)52a的输出端上的栅极信号线共同连接。在该栅极信号线的另一端上连接有下拉电路55a。同样，每隔4条源极线设置的晶体管46b的栅极，与连接到传送门52b的输出端上的栅极信号线共同连接，在该栅极信号线的另一端上连接有下拉电路55b。此外，晶体管46c的栅极，与连接到传送门52c的输出端上的栅极信号线共同连接，在该栅极信号线的另一端上连接有下拉电路55c。此外，晶体管46d的栅极，与连接到传送门52d的输出端上的栅极信号线共同连接，在该栅极信号线的另一端上连接有下拉电路55d。

传送门52a～52d构成为互补地连接n沟道型晶体管和p沟道型晶体管，向输入端分别供给门解码电路47的输出TE1～TE4。传送门52a～52d向n沟道型晶体管的栅极输入来自测试电路连接门端子54的信号。反相器53使测试电路连接门端子54的输出反转后供给传送门52a～52d的p沟道型晶体管的栅极。在测试电路连接门端子54上连接有下拉电路。利用该下拉电路，在对测试电路连接门端子没有输入的情况下使反相器53的输入侧变为LOW，使传送门52a～52d变为非导通状态。传送门52a～52d构成为，通过向测试电路连接门端子54输入HIGH的连接门信号TE，将来自门解码电路47的测试电路连接信号TE1～TE4传递给对应的栅极信号线。

门解码电路47具有输入被输入到端子48a、48b的选择信息A0、A1的反相器49a、49b。反相器49a、49b使被输入的选择信息A0、A1反转。NAND电路50a进行对于反相器49a、49b的输出的与非运算。NAND电路50b进行反相器49a的输出与选择信息A1的与非运算。NAND电路50c进行反相器49b的输出与选择信息A0的与非运算。NAND电路50d进行选择信息A0、A1的与非运算。NAND电路50a～50d的输出分别被供给反相器51a～51d。反相器51a～51d的输出，作为测试电路连接信号TE1～TE4分别被输出到传送门52a～52d。

图18表示门解码电路47的真值表。如图18所示，通过适当地设定选择信息A0、A1，能够有选择地使测试电路连接信号TE1～TE4中的任何一者变为HIGH。

另外，在图14中，表示共用预充电用的晶体管和均等用的晶体管的例子。与此相对，在本实施例中，分别地设置了均等用的晶体管42和预充电用的晶体管16b、16c。由此，能够独立地控制预充电期间和均等期间。

下面，参看图19的定时图对这样地构成的实施例的检查方法进行说明。图19是用于说明图17的电路中的读出动作的定时图。像素的检查以每4条的每条源极线的方式进行。图19的例子表示仅对连接到源极线S1、S5、…上的像素的检查。检查的方法，只有利用连接门部45选择进行检查的源极线的方法与图15不同。用于图19所示的定时的信号，由测试装置41生成并被供给各个端子。

首先，使元件阵列部2的所有的扫描线G变为ON，向每4列的所有的像素写入HIGH。另外，也可以向全部像素写入HIGH。另外，虽然说明的是向各个像素写入HIGH的情况，但即使写入LOW也同样地能够进行检查。在写入后，扫描线G的门被OFF。

接着，选择进行检查的像素的列(源极线)。例如，选择源极线S1、S5、…。在这种情况下，作为选择信息A0、A1向端子48a、48b供给(0，0)。如图18所示，门解码电路47根据选择信息(0，0)仅使测试电路连接信号TE1变为HIGH，而使其它的测试电路连接信号TE2～TE4变为LOW。另一方面，在测试时，已向端子54输入了HIGH的连接门信号TE，传送门52a～52d向各条栅极信号线传递门解码47的输出。

由此，晶体管46a的栅极被供给HIGH的信号而变为ON，每隔4条的源极线S1、S5、…与连接到差动放大器4a的端子so上的信号线进行连接。

由于测试电路连接信号TE2～TE4为LOW，所以其它晶体管46b～46d为OFF，其它源极线S2～S4、S6～S8、…不会连接到差动放大器4a的端子so、se上，经由这些源极线的来自显示元件阵列部2的电位的影响就不会传递给差动放大器4a。

如图19所示，在向每隔4列的像素写入了上述的指定的像素数据(在此为HIGH)后，为了确保数据保持时间t1，被供给预充电电路部16的端子16a的预充电栅极电压PCG变为HIGH，晶体管16b、16c只在指定时间变为ON。由此，向差动放大器4a的端子so、se供给来自参考电压供给部18的端子18a的预充电电压Vpre。另外，在该情况下，使施加到端子41上的均等栅极电压EQ变为高电平，使端子so、se变为同电位。其中，由于PCG与EQ是同一波形，所以在图19中表示其中1个的波形图。

从参考电压供给部18向端子18a作为预充电电位施加HIGH和LOW的中间电位的预充电电压Vpre。因此，在指定的像素数据写入后，端子se和端子so变为中间电位的状态。

在经过了数据保持时间t1后，开始进行像素数据的读出。即，在经过了数据保持时间t1后，为了解除预充电状态，使预充电栅极电压PCG变为LOW。这时，测试电路连接信号TE1为HIGH，而且通过预先使第1驱动脉冲电源SAp-ch和第2驱动脉冲电源SAn-ch的电位变为中间电位，使各个差动放大器4a变为不进行动作的状态。

在使预充电栅极电压PCG变为LOW之后，当使栅极线G1变为ON时，数据从连接到栅极线G1上的各个像素一齐地输出。具体地说，被写并保持在电容器Cs中的电荷一齐地向对应的源极线S1、S5、…移动。如图19所示，各条源极线S1、S5、…的电位将略微上升。当存在电容器Cs的漏泄而各个像素的数据变化为LOW时，则各条源极线S1、S5、…的电位，如虚线所示将略微下降。这时，由于测试电路连接信号TE2～TE4为LOW，晶体管46b～46d为OFF，所以其它源极线S2～S4、S6～S8、…的电位就能够忽视。

在打开栅极线G1后，在经过了指定时间之后，为了使各个差动放大器4a动作，首先，使第2驱动脉冲电源SAn-ch的电位从中间电位向LOW变化。通过与第2驱动脉冲电源SAn-ch的电位向LOW变化的瞬间同时或在该瞬间的前后使测试电路连接信号TE1变为LOW，使连接门部17的晶体管46a变为OFF，将略微上升的源极线S1、S5、…的电位的信息封闭在各个差动放大器4a内。

通过SAn-ch驱动脉冲电源变为LOW，使在端子so和端子se之中略微低的一侧的电位变化成LOW。因此，各个差动放大器4a比较作为从外部施加的中间电位的参考电压Vpre和源极线S1、S5、…的电压。如果像素是正常的，由于各条源极线S1、S5、…的电位比中间电位略高，所以各个差动放大器4a的端子se这一方将变为电位比端子so低的一侧。因此，如图19所示，端子se的电位将降低。这时，端子so的电位保持原状不变。

接着，通过SAp-ch驱动脉冲电源变为HIGH使差动放大器4a的P沟道型晶体管21、22动作。即，通过SAp-ch驱动脉冲电源变为HIGH而使端子so和端子se之中略微高的一侧的电位变化为HIGH。如果像素是正常的，由于源极线S1、S5、…的电位比中间电位略高，所以各个差动放大器4a的端子so这一方将变为比端子se电位高的一侧。因此，如图19所示，端子so的电位将上升。

如果在像素存在不良，例如当存在电容器Cs的漏泄而各个像素的数据变化成LOW时，则各条源极线S1、S5、…的电位，如图19的虚线所示，就会略微地下降。在该情况下，当San-ch驱动脉冲电源变为LOW后，如图19的虚线所示，端子so的电位将下降。进而，当SAp-ch驱动脉冲电源变为HIGH后，如图19的虚线所示，端子se的电位将上升。

在该情况下，由于使测试电路连接信号TE1～TE4变为LOW而使晶体管46a～46d变为OFF，所以就不会受到成为负载的源极线S的电容的影响而能够进行高速动作。此外，由于预充电电压Vpre不是利用向像素的写入电位得到的，所以某一像素的不良被检测为该像素的不良，从而能够进行不良特性的详细分类。

当差动放大器4a的端子se与端子so的逻辑确定为HIGH与LOW中的任何一方后，使测试电路连接信号TE1变为HIGH，将所确定的逻辑数据写回到各条源极线S1、S5、…上。由于连接到栅极线G1上的各个像素的电位被读出到对应的源极线S1、S5、…上，所以按照TGI·TG5·TG9的顺序直到最后的TGn(或TGn-1)为止打开(变为HIGH)传输门部6的各个晶体管的栅极，从图像信号线7依次地读出第1行的各个像素的像素数据而向输出端子outo输出。

当读出连接到栅极线G1上的所有的像素的数据后，使栅极线G1变为LOW，使SAn-ch驱动脉冲电源和SAp-ch驱动脉冲电源变为中间电位以使差动放大器4a停止动作。接着，使预充电栅极电压PCG变为HIGH，对全部源极线S进行预充电。

以后，通过反复进行上述的动作，对于栅极线G2到Gm的各行依次地进行检查。

当向每隔4条的第1列的全部像素写入HIGH的数据而进行的检查的动作结束后，接着，通过向每隔4条的第2列的全部像素写入LOW的数据来实施相同的检查，进行对每隔4条的第2列的全部像素的检查。即，在该情况下，通过使测试电路连接信号TE2变为HIGH或LOW，使其它测试电路连接信号TE1、TE3、TE4变为LOW，进行对每隔4条的第2列的全部像素的检查。

接着，将检查对象像素变更为差动放大器4a的端子se侧。即，首先，通过使测试电路连接信号TE1、TE2、TE4固定为LOW，使测试电路连接信号TE3变为HIGH或LOW，对每隔4条的第3列的像素进行检查。接着，通过使测试电路连接信号TE1～TE3固定为LOW，使测试电路连接信号TE4变为HIGH或LOW，对每隔4条的第4列的像素进行检查。这样，结束全部像素的检查。

这样，在本实施例中，虽然图14的装置相对于偶数列和奇数列2条的源极线需要1个差动放大器4a，但在图17的装置中，由于对于4条源极线使用1个差动放大器4a即可，所以能够减少差动放大器4a的总数所占的基板上的面积。由此，由于能够增大基板上的各个差动放大器4a的晶体管的尺寸，而能够实现差动放大器4a内的晶体管的非对称性的减少、以及驱动能力的提高等，所以能够实现稳定的灵敏度高的差动放大器4a。

图20是表示本发明的实施例2的电路图。在图20中，对于与图17相同的构成要素附加相同的标号而省略说明。

本实施例在代替连接门部45而使用连接门部45’这一点上与实施例1不同。连接门部45’在代替传送门52a～52d而采用传送门61a～61d这一点上与连接门部45不同。

传送门61a～61d都由p沟道型晶体管构成，成为向各个p沟道型晶体管的栅极供给反相器53的输出。反相器53使来自端子54的连接门信号TE反转后供给传送门61a～61d的门。传送门61a～61d构成为通过向端子54输入HIGH的连接门信号TE而导通，并向各条栅极信号线供给门解码47的输出。

在这样地构成的实施例中，来自门解码47的测试电路连接信号TE1～TE4分别通过传送门61a～61d被传递给对应的各条栅极信号线。其它的作用与实施例1是同样的。

在本实施例中，用于使晶体管46a～46d变为ON的测试电路连接信号TE1～TE4为HIGH。用由p沟道晶体管构成的传送门61a～61d传递该HIGH信号。用于使一方的传送门46a～46d变为OFF的Low信号的传递，通过当HIGH信号没有被传递时，传送门46a～46b的栅极电位被下拉电路55a～55d保持为Low来实现。因此，不必使用互补型的传送门，而能够利用由p沟道构成的传送门61a～61d可靠地将测试电路连接信号TE1～TE4传递给晶体管46a～46d。

图21是表示本发明的实施例3的电路图。在图21中，对于与图20相同的构成要素附加相同的标号而省略说明。

如上所述，能够使3条或3条以上的源极线与1个差动放大器4a对应。本实施例表示使8条源极线与1个差动放大器4a对应的例子。

作为本实施例的电光装置用基板的元件基板70，在代替连接门部45而采用连接门部71这一点上与图20的电光装置用基板不同。

本实施例，使用8个的晶体管46a～46h将差动放大器4a的端子so、se连接到8条源极线上。即，以每8条源极线的方式设置差动放大器4a。连接到差动放大器4a的端子so上的信号线被分枝为4组，通过晶体管46a～46d分别连接到第(8u+1)列的源极线、第(8u+2)列的源极线、第(8u+3)列的源极线或第(8u+4)列的源极线上。同样，连接到差动放大器4a的端子se上的信号线也被分枝为4组，通过晶体管46e～46h分别连接到第(8u+5)列的源极线、第(8u+6)列的源极线、第(8u+7)列的源极线或第(8u+8)列的源极线上。

每隔8条源极线地设置的晶体管46a的栅极被共同地连接到与传送门61a的输出端连接的栅极信号线上。在该栅极信号线的另一端连接有下拉电路55a。同样，传送门61b～61h的输出端被连接到7条栅极信号线上，在这些7条栅极信号线上分别共同地连接了每隔8条源极线地设置的晶体管46b～46h的栅极。此外，在这些的7条栅极信号线的另一端分别连接有下拉电路55b～55h。

传送门61a～61h由p沟道晶体管构成，向输入端分别供给门解码72的输出TE1～TE8。传送门61a～61h，p沟道晶体管的栅极被供给反相器53的输出。传送门61a～61h，通过向测试电路连接门端子54输入HIGH的连接门信号TE，而将来自门解码电路72的测试电路连接信号TE1～TE8传递给对应的栅极信号线。

门解码电路72，根据向端子48a～48c输入的选择信息A0～A2生成测试电路连接信号TE1～TE8。另外，门解码电路72所生成的测试电路连接信号TE1～TE8形成为任何一方有选择性地变为HIGH，而其它则变为LOW。

其它结构与图20是同样的。

在这样地构成的实施例中，也可以采用与实施例2同样的检查方法。即，在本实施例中，也根据图19同样的定时实施检查。即，本实施例的像素的检查以每隔8条的每一条源极线的方式进行。例如，最初仅进行对连接到源极线S1、S9、…上的像素的检查。在该情况下，通过适当地设定选择信息A0～A2，使来自门解码电路72的测试电路连接信号TE1变为HIGH或LOW，使其它的测试电路连接信号TE2～TE8变为LOW，进行对每隔8条的第1列的全部像素的检查。

当向每隔8条的第1列的全部像素写入HIGH的数据进行的检查的动作结束后，接着，通过向每隔8条的第2列的全部像素写入LOW的数据而实施相同的检查，来进行对每隔8条的第2列的全部像素的检查。即，在该情况下，使测试电路连接信号TE2变为HIGH或LOW，使其它测试电路连接信号TE1、TE3～TE8变为LOW。以后同样地通过依次使测试电路连接信号TE3～TE8变为HIGH，对每隔8条的第3列到第8列的全部像素进行检查。

其它作用与实施例2是同样的。

如上所述，在本实施例中，由于对于8条源极线使用1放大器4a即可，所以能够进一步扩大1个差动放大器4a所占有的面积。

另外，在上述各个实施例中，作为向差动放大器4a供给的第1驱动脉冲电源SAp-ch和第2驱动脉冲电源SAn-ch，使用了例如电源电压Vdd、接地电位。但是，在开关电源电压电平的驱动脉冲电源来驱动差动放大器4a的情况下，认为得不到充分的驱动力。因此，通常可以考虑采用图22所示的结构。

在图22中，显示数据读出电路部4’，通过端子4b’向晶体管4d的栅极供给第1驱动脉冲，通过端子4c’向晶体管4e的栅极供给第2驱动脉冲。由此，晶体管4d、4e进行ON、OFF。晶体管4d，源极被连接到电源端子Vdd上，漏极则连接到差动放大器4a的端子sp上。此外，晶体管4e，漏极被连接到差动放大器4a的端子sn上，源极则被连接到基准电位点上。

通过第2驱动脉冲变为HIGH而使差动放大器4a的端子sn的电位变为基准电位点的电位，通过第1驱动脉冲变为Low而使差动放大器4a的端子sp的电位变为电源电压Vdd。从而不必使电源电压Vdd和基准电位点的电位变化而能够可靠地驱动差动放大器4a。

图23到图25是表示变形例的电路图。在图23到图25中，对于与图17相同的构成要素附加相同的标号而省略说明。

在上述各个实施例中，说明的是使用相当于连接到差动放大器4a上的源极线的数量的传送门52a～52d的例子。与此相对，在图23的变形例中，表示使用2个***的传送门52a、52b的例子，

即，在图23中，对连接各个端子so、se与奇数列的各条源极线的晶体管46a通过共同的传送门52a进行控制，对连接各个端子so、se与偶数列的各条源极线的晶体管46a通过共同的传送门52b进行控制。

在这样地构成的变形例中，当利用传送门52a使栅极信号线变为HIGH时，则奇数列的源极线S1、S3、…就连接到差动放大器4a的端子so、se上。此外，当利用传送门52b使栅极信号线变为HIGH时，则偶数列的源极线S2、S4、…就连接到差动放大器4a的端子so、se上。这样，对应的源极线彼此分别连接到各个差动放大器的端子so、se上。

其它作用和效果与上述各个实施例是同样的。

此外，在上述各个实施例中，表示的是差动放大器4a的端子so、se都连接到源极线上的例子。与此相对，在图24的变形例中，做成为与基板的第2例相对应，仅将一方的端子so连接到源极线上。

即，在图24中，差动放大器4a的各个端子so通过晶体管46a～46d被连接到4条源极线上。另一方面，各个差动放大器4a的各个端子se则通过晶体管16c被连接到端子18a上。另外，也可以做成为将端子se连接到源极线上，将端子so连接到端子18a上。

在这样地构成的变形例中，也能够通过经由传送门52a～52d向栅极信号线供给HIGH的信号，而将每隔4条的源极线与差动放大器4a的端子so连接。

其它作用和效果与上述各个实施例是同样的。

进而，图25表示从图24的变形例中省略了均等用的晶体管的例子。

在图25中，在省略了晶体管46a、46b并且附加了晶体管18b这一点上与图24的变形例不同。晶体管18b构成为，被供给门端子16a的输出，并将差动放大器4a的端子se与端子18a连接。通过使晶体管42、18b同时变为ON，能够使连接到差动放大器4a的端子so、se上的信号线均等为端子18a的电平。即，能够通过晶体管18b向端子so传递施加到端子se上的参考电压，由此，与图24的变形例比较能够减少晶体管的数量。

其它作用和效果与上述各个实施例是同样的。

如上所述，在上述3个实施例中，以有源矩阵型显示装置用基板为例对本发明的电光装置用基板进行了说明，但本发明并不限定于上述的实施例，在不改变本发明的宗旨的范围内，能够进行各种变更、改进等。

例如，通过在显示部设置光学传感器，对具备输入功能的显示装置用基板也能够适用。此外，在上述各个实施例中，虽然说明的是将同等数量的源极线连接到差动放大器的2个端子上的例子，但也可以做成为连接相互不同数量的源极线。

此外，使用本发明的电光装置用基板的电光装置也包括在本发明范围内。

例如，是作为在将电光物质挟持在一对基板件之间的对一对基板中的一方使用本发明的电光装置用基板的电光装置。

此外，使用上述电光装置的电子设备也包括在本发明范围内。图26到图28是表示电子设备的例子的图。图26是其中一例的个人计算机的外观图。图27是其中一例的移动电话的外观图。

如图26所示，作为电子设备的个人计算机100的显示部，使用了上述的电光装置、例如液晶显示装置。如图27所示，作为电子设备的移动电话200的显示部201，使用了上述的电光装置、例如液晶显示装置。

图28是作为将上述的电光装置用做光阀的电子设备的一个例子的投影型彩色显示装置的说明图。

在图28中，作为本实施例的投影型彩色显示装置的一个例子的液晶投影机1100，构成为准备3个包括将驱动电路装载到了TFT阵列基板上的液晶装置的液晶模块，并分别作为RGB用的光阀100R、100G、100B使用的投影机。在液晶投影机1100中，当从金属卤化物灯等的白色光源的灯单元1102发出投影光后，由3块反射1106和2块分色镜1108分成与RGB这3原色对应的光成分R、G和B，并分别被导向与各色对应的光阀100R、100G、100B。这时，特别是B光，为了防止由于长的光路产生的光损耗，而通过由入射透镜1122、中继透镜1123和出射透镜1124构成的中继透镜***1121进行引导。然后，由光阀100R、100G和100B分别调制的与3原色对应的光成分，在由分色棱镜1112再次合成后，通过投影透镜1114作为彩色图像被投影到屏幕1120上。

进而，作为电子设备，除此之外，还可以举出电视机、取景器型·监视器直视型的视频磁带录像机、汽车导航装置、呼机、电子记事簿、计算器、文字处理机、工作站、可视电话、POS终端、数字照相机、具备触摸面板的设备等。并且，对于这些各种的电子设备，不用说当然能够应用本发明的显示装置。

工业上利用的可能性。

本发明不局限于以上所说明的包括TFT的液晶显示装置，而能够适用于有源矩阵驱动的显示装置。

Claims (7)

1.一种电光装置用基板，其特征在于，具备：

多条扫描线和多条信号线，该多条扫描线和多条信号线相互交叉；

多个像素电极，该多个像素电极与上述多条扫描线和上述多条信号线的交叉对应地配置成矩阵状；

放大器，该放大器具备与上述信号线电连接的输入被供给上述像素电极的第1电位信号的第1端子、以及输入作为参考电位的第2电位信号的第2端子，并且被设置成，比较上述第1电位信号和上述第2电位信号的电位，当上述第1电位信号低时则使上述第1端子的电位进一步降低、而当上述第1电位信号高时则使上述第1端子的电位进一步增高地输出，并且，使上述多条信号线之中的指定的多条信号线与上述第1和第2端子中的至少一方对应；

选择单元，该选择单元选择上述对应的指定的多条信号线之中的1条信号线；

连接单元，该连接单元将该被选择的信号线电连接到上述放大器的上述第1和第2端子中的至少一方上。

2.根据权利要求1所述的电光装置用基板，其特征在于：上述放大器的上述第2端子也与上述信号线电连接；相互同等数量的信号线与上述第1和第2端子对应。

3.根据权利要求1所述的电光装置用基板，其特征在于：在上述放大单元中，在上述第2端子上电连接有用于供给上述第2电位信号的供给线。

4.根据权利要求1所述的电光装置用基板，其特征在于：上述选择单元具有生成用于根据选择信息确定与上述放大器的第1或第2端子电连接的信号线的输出信号的解码电路。

5.一种电光装置，其特征在于：将电光物质挟持在一对基板间；在上述一对基板中的一方使用权利要求1～权利要求4中的任意一项所述的电光装置用基板。

6.一种电子设备，其特征在于：使用权利要求5所述的电光装置。

7.一种电光装置用基板的检查方法，是具有相互交叉的多条扫描线和多条信号线、以及与上述多条扫描线和上述多条信号线的交叉对应地配置成矩阵状的多个像素的电光装置用基板的检查方法，其特征在于，包括：

在具备与上述信号线电连接的输入被供给上述像素电极的第1电位信号的第1端子以及输入作为参考电位的第2电位信号的第2端子的、并被设置成使上述多条信号线之中的指定的多条信号线与上述第1和第2端子中的至少一方对应的放大器中，

选择上述对应的指定的多条信号线之中的1条信号线的选择步骤；

将该被选择的1条信号线电连接到对应的上述第1或第2端子上的步骤；

向上述第1端子或第2端子中的一方经由电连接的信号线供给被供给像素的第1电位信号，而向另一方供给上述第2电位信号的步骤；以及

比较上述第1电位信号和上述第2电位信号，当上述第1电位信号低时则使上述第1端子的电位进一步降低、而当上述第1电位信号高时则使上述第1端子的电位进一步增高并输出的步骤。

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