CN1766157B - 用于制作显示装置的设备 - Google Patents

用于制作显示装置的设备 Download PDF

Info

Publication number
CN1766157B
CN1766157B CN2005101095762A CN200510109576A CN1766157B CN 1766157 B CN1766157 B CN 1766157B CN 2005101095762 A CN2005101095762 A CN 2005101095762A CN 200510109576 A CN200510109576 A CN 200510109576A CN 1766157 B CN1766157 B CN 1766157B
Authority
CN
China
Prior art keywords
insufflator
equipment
evaporation
evaporation source
source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2005101095762A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1766157A (zh
Inventor
金宰湖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jusung Engineering Co Ltd
Original Assignee
Jusung Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jusung Engineering Co Ltd filed Critical Jusung Engineering Co Ltd
Publication of CN1766157A publication Critical patent/CN1766157A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1766157B publication Critical patent/CN1766157B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228Gas flow assisted PVD deposition
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/046Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明揭示一种用于形成一薄膜的设备,所述设备包括:一室;所述室内的一接受器;所述接受器上的一气体喷射器,所述气体喷射器具有复数个喷射孔;一连接至所述气体喷射器的轴,所述轴具有一连接至所述复数个喷射孔的流动路径;及一蒸发源材料并向所述气体喷射器供应所蒸发的源材料的蒸发源。

Description

用于制作显示装置的设备
本发明请求2004年10月28日于韩国提交的第2004-0086470号韩国专利中请案的权利,该专利申请案以引用方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种用于一显示装置的设备,更具体而言,涉及一种具有一气体喷射器的设备。
背景技术
具有便携性及低功率消耗的平板显示(FPD)装置在当今信息时代一直是一个越来越多研究的课题。在各种类型的FPD装置中,液晶显示(LCD)装置通常因其高分辨率、显示彩色图像的能力及高质量的图像显示而用于笔记本计算机和台式计算机中。然而,LCD装置不是一发射类型,而是一非发射类型。因此,LCD装置在亮度、对比度、视角及尺寸放大方面受到限制。
为了克服LCD装置的这些限制,已研究出了有机场致发光显示(OELD)装置。由于OELD装置为一发射类型,视角和对比度相对于LCD装置得到改善。另外,由于不需要背光单元,因此OELD装置具有便携性和低功率消耗。具体而言,可以一低成本和一简单的工艺制造OELD装置,尤其是,由于OELD装置的制造工艺相对于LCD装置或等离子显示板(PDP)而言非常简单,因此制造OELD装置只需要沉积和封装设备。
图1为一显示根据相关技术的一有机场致发光显示装置的示意性横截面图。在图1中,一有机场致发光显示装置10包括一阳极11、一阴极15及阳极11与阴极15之间的一发射层13。在阳极11与发射层13之间形成一空穴运送层13,而在阴极15与发射层13之间形成一电子运送层14。空穴运送层12、发射层13及电子运送层14可由一有机材料构成。另外,阳极11可由銦锡氧化物(ITO)构成,而阴极15可由铝(Al)构成。
在向阳极11和阴极15施加电压时,通过空穴运送层12将空穴从阳极11注入发射层13并通过电子运送层14将电子从阴极15注入发射层13。所述空穴和所述电子在发射层13中重新结合以生成激发子。所述激发子从激发状态过渡到接地状态,以便能够从发射层13辐照光来显示图像。所述发射层可包括多种在每一像素区里发射红、绿和蓝色光的有机材料。举例而言,所述有机材料可选自Alq3、CuPc、TDP和NPB其中之一。另外,在所述有机材料中添加掺杂剂以显示不同的颜色。举例而言,可添加DCJTB得到红色。同样,可添加香豆素衍生物或喹吖酮衍生物得到绿色,可添加DPA得到蓝色。可使用蒸发形成一包括有机材料的层。相应地,蒸发呈固态的源有机材料,并将所蒸发的源有机材料沉积在一衬底上。可将一具有一图形的荫罩设置于所述衬底上,并可通过所述荫罩部分曝光所述衬底。
图2A至2C为显示用于形成根据相关技术的一有机材料薄膜的一蒸发设备的示意性横截面图。在图2A中,一接受器22和一点蒸发源24a分别设置在蒸发设备20的室21内的上部和下部处。一衬底“S”被粘附于接受器22的一底表面上,且一具有敞开式图形的荫罩23设置于所述衬底与点蒸发源24a之间。阴罩23可邻近衬底“S”设置。源有机材料在点蒸发源24a中蒸发,且所蒸发的源有机材料通过荫罩23的敞开式图形沉积到衬底“S”上。举例而言,可使用一由一热线加热的陶瓷坩埚作为点蒸发源24a。为了提高形成于衬底“S”上的薄膜的均匀性,将衬底“S”设置得远离点蒸发源24a,以便能够充分扩散所蒸发的有机材料。另外,具有衬底“S”的接受器22可围绕一旋转轴线25旋转。
在图2B中,一接受器22和一线蒸发源24b分别设置于一蒸发设备20的一室21内的上部和下部处。线蒸发源24b沿着一传送线26水平移动并具有一垂直于所述传送线26的杆形状。一衬底“S”粘附于接受器22的一底表面,且一具有敞开式图形的荫罩23设置在所述衬底与所述线蒸发源24b之间。由于线蒸发源24b移动,衬底“S”可不旋转。荫罩23可邻近衬底“S”设置。源有机材料在线蒸发源24b中蒸发,且所蒸发的源有机材料通过荫罩23的敞开式图形沉积到衬底“S”上。
在图2C中,一接受器22和一线喷射器27分别设置在一蒸发设备20的一室21内的上部和下部处。有机材料在室21外的一外部蒸发源30中蒸发并被供应至线喷射器27。载运气体通过一载运气体进口33被供应至外部蒸发源30以载运所蒸发的有机材料。相应地,在外部蒸发源30中经混合的蒸发有机材料和载运气体通过一源气体进口32被供应至线喷射器27。一衬底“S”设置于一接受器22上及一具有敞开式图形的荫罩23设置于线喷射器27与衬底“S”之间。另外,线喷射器27沿着传送线28水平移动并具有一垂直于运送线28的杆形状。
因此,室21内的线喷射器27通过荫罩23的敞开式图形将在室21外蒸发的有机材料喷射到衬底“S”上。当线喷射器27沿着传送线28移动时,通过源气体进口32连接到线喷射器27的外部蒸发源30沿着一外部传送线31移动。一波纹管形成于室21与源气体进口32之间的一边界区域内以实现气密。
然而,根据相关技术的蒸发设备中存在几个缺点。为了在图2A所示的一蒸发设备中获得优异的均匀性,应将室21保持在高真空状态下以增加所述有机材料的蒸发压力。另外,应使衬底“S”与点蒸发源24a之间的距离最大化。因此,所述有机材料的效率极低,而且薄膜的均匀性随着所述衬底尺寸的增大而降低。此外,由于荫罩23设置于衬底“S”的下面,因此荫罩23可能会翘曲。另外,随着衬底“S”尺寸的增加,图2B所示蒸发设备的线蒸发源24b延长。结果,所述有机材料的量也增加。另外,由于应使衬底“S”与线蒸发源24b之间的距离最大化以实现优异的均匀性,因此所述有机材料的效率降低。此外,由于荫罩23设置在衬底“S”的下面,荫罩23可能会如图2A所示出现翘曲。在图2C所示的一蒸发设备中,由于荫罩23设置在衬底“S”的上面,从而避免了荫罩23的翘曲。然而,随着所述衬底尺寸的增加,用于通过其向线喷射器27供应所蒸发的有机材料的源气体进口32延长。另外,由于外部蒸发源30对应于线喷射器27移动,所述蒸发设备的占用面积增大。此外,由于应将所述源气体进口保持在高温状态下,例如100℃至500℃,以防止所蒸发的有机材料在传送期间再冷凝,所述蒸发设备变得复杂。上述缺点不仅限于使用有机材料的蒸发设备,而且也可能出现在蒸发用于显示装置的源材料的设备中。
发明内容
因此,本发明是针对一种用于制造显示装置的设备,所述显示装置基本上避免了由相关技术的限制和缺点而引起的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供一种具有优异的薄膜均匀性、占用面积最小的设备。
本发明的其他特征和优点将在下文的说明中加以陈述,并且通过本说明即将部分地了解所述其他特征和优点,或可通过实施本发明而知晓。本发明的目的及其他优点可通过本书面说明书、其权利要求书以及附图中特别指出的结构而实现和获得。
为了实现这些及其他优点及根据本发明的目的,如所具体实施及概述的那样,一用于形成薄膜的设备包括:一室;所述室内的一接受器;所述接受器上方的一气体喷射器,所述气体喷射器具有复数个喷射孔;一连接至所述气体喷射器的轴,所述轴具有一连接至所述复数个喷射孔的流动路径;及一蒸发源材料并向所述气体喷射器供应所蒸发的源材料的蒸发源。
在另一方面中,一用于形成薄膜的设备包括:一室;所述室内的一接受器;所述接受器上方的一气体喷射器,所述气体喷射器具有复数个喷射孔;一连接至所述气体喷射器的轴,所述轴具有一连接至所述复数个喷射孔的流动路径;复数个蒸发源材料并向所述气体喷射器供应所蒸发的源材料的蒸发源;及一向所述流动路径供应所述源材料的源材料供给器。
应了解,上文的概述及下文的详细说明均为例示性和说明性,并旨在提供对所申请的本发明的进一步说明。
附图说明
所包括的附图意在提供对本发明的进一步了解且并入并构成本说明书的一部分。附图本发明的实施例并与本说明书一起用来阐述本发明的原理。图式中:
图1为一显示根据相关技术的一有机场致发光显示装置的示意性横截面图;
图2A至2C为显示根据相关技术的用于形成一有机材料薄膜的蒸发设备的示意性横截面图;
图3为一显示根据本发明的一实施例的用于形成一有机材料薄膜的一蒸发设备的示意性横截面图;
图4为一沿图3的线“IV-IV”截取的横截面图;
图5A和5B为显示根据本发明一实施例的用于形成一有机材料薄膜的一蒸发设备的气体喷射器的透视图;
图6为一显示图3的一部分“A”的放大示意图;
图7为一显示根据本发明另一实施例的用于形成一有机材料薄膜的蒸发设备的示意性横截面图;
图8为一显示根据本发明另一实施例的用于形成一有机薄膜的一蒸发设备的示意性横截面图;
图9A和9B为分别显示根据本发明另一实施例的用于形成一有机材料薄膜的一蒸发设备的第一和第二蒸发源的示意性平面图;及,
图10为一显示根据本发明另一实施例的用于形成一有机薄膜的一蒸发设备的一有机材料供给器的示意性横截面图。
具体实施方式
现在将详细参考各较佳实施例,所述较佳实施例的实例在附图中加以图解说明。
由于本发明涉及一诸如一等离子体增强型化学蒸发沉积(PECVD)设备的离子体设备和一其中工艺气体在一室内被激发到等离子体态并接触一衬底的蚀刻机,所述等离子设备可以是一用于液晶显示装置(LCD)或半导体装置的制造设备。另外,所述衬底可以是一用于LCD装置的玻璃衬底或一用于半导体装置的晶圆片。
图3为一显示根据本发明一实施例的用于形成一有机材料薄膜的一蒸发设备的示意性横截面图。
在图3中,一接受器111和一气体喷射器113分别设置于一蒸发设备100的一室110内的下部和上部处。气体喷射器113连接至一设置于室110的中心顶部的旋转轴121,且一蒸发源140设置于旋转轴121中。另外,有机材料在蒸发源140中蒸发,且所蒸发的有机材料被供应至气体喷射器113。一载运气体进口127连接至旋转轴121的上部,而气体喷射器113连接至旋转轴121的下部。一流动路径124和一延伸空腔128形成在旋转轴121中,且来自一载运气体供给器150的载运气体流过流动路径124。延伸空腔128连接至流动路径124并具有一比流动路径124的直径大的直径以容纳蒸发源140。此外,延伸空腔128连接至气体喷射器113的一内部空间。
旋转轴121由一旋转单元(未显示)旋转。由于气体喷射器113随旋转轴121一起旋转并将所蒸发的有机材料喷射到衬底“S”上,从而均匀地形成一薄膜。此外,由于旋转轴121连接至室110内的气体喷射器113,从而一外壳120经形成以围绕旋转轴121实现与外部环境的气密。一磁性密封件123形成于固定外壳120与移动旋转轴121之间以实现真空密封。磁性密封件123为一使用磁性流体用于密封一旋转轴线的构件。当磁性密封件123受到所述有机材料的热损坏或氧化时,磁性密封件123的密封能力会突然下降。因此,一吹扫气体进125连接至外壳120,并通过经吹扫气体进口125喷射的吹扫气体阻止所述有机材料朝磁性密封件123方向扩散。所述吹扫气体包括氮(N2)、氩(Ar)及其他惰性气体。此外,由于磁性密封件123的密封能力在高于150℃的温度下会突然下降,一冷却构件(未显示)连接至外壳120以冷却磁性密封件123。虽然在图中未显示,由于移动旋转轴121连接至固定载运气体进口127,在旋转轴121与载运气体进口127之间形成一额外的磁性密封件以实现真空密封。
气体喷射器113具有一在其底表面上包括复数个喷射孔114的管形状。图4为一沿图3的线“IV-IV”截取的横截面图。虽然气体喷射器113在图4中具有一矩形横截面形状,但气体喷射器113可在另一实施例中具有一圆形或多角形横截面形状。另外,气体喷射器113在另一实施例中可具有一在其底表面上包括复数个喷射孔的板形状。
重新参看图3,喷射孔114的浓度随着距气体喷射器113中心的距离而变化以补偿喷射压力。由于所述喷射压力随着距气体喷射器113中心的距离而减小,喷射孔114的浓度在气体喷射器113的中心处具有一最小值并随着距气体喷射器113中心的距离而逐渐增大。
图5A和5B为显示根据本发明一实施例的用于形成有机材料薄膜的一蒸发装置的气体喷射器的透视图。气体喷射器113在图5A中具有一杆形管形状并在图5B中具有一包括第一和第二杆形喷射器113a和113b的十字形管形状。另外,所述气体喷射器可包括三个以上杆形喷射器,或在另一实施例中可具有一具有一内部空腔的板形状。在所有实施例中,所述气体喷射器包括复数个喷射孔,且喷射孔的浓度在所述气体喷射器的中心处具有一最小值并随着距所述气体喷射器中心的距离而逐渐增大。此外,一板形状的气体喷射器在能够获得一均匀的薄膜时可不旋转。
重新参看图3,可在气体喷射器113中形成一加热器130以防止所蒸发的有机材料的再冷凝并最大限度减小所述有机材料中因所述载运气体而引起的温度变化。加热器130可将所蒸发的有机材料加热到高达与蒸发源140相同的温度。加热器130的加热温度可由所述有机材料的类型来决定。举例而言,所述加热器可在一约100℃与约600℃的范围内加热。通过旋转轴121内的一第一电源线122a给加热器130供电。一具有一诸如热线的内部加热器(未显示)的陶瓷坩埚可用作蒸发源140。根据所述有机材料的类型,将蒸发源140加热到一预定的温度。举例而言,可将蒸发源140加热到高达一约500℃至约600℃的范围。通过旋转轴121内的所述第一电源线122a给所述内部加热器供电。第一电源线122a可为连接至各所述加热器130和蒸发源140的一单线或一多线。虽然在图3中未显示,但加热器130和蒸发源140的温度可由一诸如热电偶的温度感测单元来测量。所述温度感测单元可在旋转轴121中形成为第一电源线122a并连接至一外部电源。
由于第一电源线122a随着旋转轴121一起旋转,因此使用一例如一滑环160的连接构件来连接旋转的第一电源线122a与一固定的第二电源线122b。第二电源线122b连接至外部电源。滑环160可用于一旋转轴线与一固定轴线之间或多个旋转轴线之间的电连接。图6为一显示图3的一部分“A”的放大示意图。在图6中,滑环160包括一旋转轴线连接构件162、一固定轴线连接构件161及一轴承163。第一电源线122a结合到连接至一旋转轴线的旋转轴线连接构件162,而第二电源线122b结合到连接至一固定轴线的固定轴线连接构件161。旋转轴线连接构件162和固定轴线连接构件161通过其中间的轴承162彼此连通。旋转轴线连接构件162包括一接触第一电源线122a的第一接触表面164,而固定轴线连接构件161包括一接触第二电源线122b的第二接触表面165。第一和第二接触表面164和165可具有一环的形状。具有弹性的一接触端子167设置于第一和第二接触表面164和165之间。举例而言,可将一弹簧用作接触端子167。因此,甚至在旋转轴线连接构件162旋转时,第一和第二接触表面164和165也彼此电连接。结果,在旋转轴121旋转时,第一和第二电源线122a和122b连续不断地连接。
重新参看图3,一百叶窗116设置在气体喷射器113与接受器111之间,以在薄膜形成工艺后遮挡被喷射的有机材料。因此,当在衬底“S”上形成薄膜时,百叶窗116打开,且随后在装/卸衬底“S”时关闭。虽然图3所示的旋转轴121包括一个蒸发源140和一个加热器130,但在另一实施例中可在所述旋转轴内形成至少两个蒸发源和至少两个加热器。所述至少两个蒸发源可彼此分开设置并可分别连接至至少两个气体喷射器。
下文将举例说明一使用图3蒸发装置形成薄膜的工艺。在将衬底“S”装载到接受器111上之后,将具有敞开式图形的荫罩112对准在衬底“S”上方。向加热器130和蒸发源140供电以获得一预定温度。在装载衬底“S”及供电期间,关闭气体喷射器113与接受器111之间的百叶窗116以遮挡所述有机材料。在使用一真空泵(未显示)对室110进行抽空以获得一高真空状态后,百叶窗116打开,且旋转轴121和气体喷射器113旋转。加热器130加热通过载运气体进口127供应的载运气体并将蒸发源140中所蒸发的有机材料载运至气体喷射器113。所述载运气体和所蒸发的有机材料扩散在一气体喷射器113的气体扩散部分115中并通过复数个喷射孔114喷射。所喷射的有机材料通过荫罩112的敞开式图形沉积到衬底“S”上以形成一有机材料的薄膜图形。
当获得具有一预定厚度的薄膜图形时,关闭百叶窗116以遮挡所喷射的有机材料,且旋转轴121停止旋转。所述载运气体的量增加以减小室110的压力。因此,所述有机材料的蒸发压力降低以减少所述有机材料的蒸发量。为了供应大量的载运气体,可形成一额外的载运气体存储器。在衬底“S”上移除荫罩112后,将衬底“S”从室110中卸下并移出。
图7为一显示根据本发明另一实施例的用于形成一有机材料薄膜的一蒸发设备的示意性横截面图。由于图7的蒸发设备与图3的蒸发设备相似,因此将省略有关相等部分的说明。
在图7中,一加热器130和一蒸发源140形成在一气体喷射器113中以最大限度减小对磁性密封件123的热量传递。连接至一旋转轴121的气体喷射器113包括一含纳部分129,且加热器130和蒸发源140设置于含纳部分129中。含纳部分129从气体喷射器113的一中心顶表面突出并连接至旋转轴121。因此,旋转轴121包括一流动路径124,但与图3的蒸发设备相反,并未在旋转轴121中形成一延伸空腔。在图3中形成一冷却构件以保护所述磁性密封件免受加热器和蒸发源的热量的损害。然而,由于在图7中加热器130和蒸发源140形成于气体喷射器113中远离磁性密封件123,因此省却了一用于磁性密封件123的附加冷却构件。
在图3和图7的蒸发设备中,加热器130对所述载运气体进行预加热并且所述载运气体将蒸发源140中所蒸发的有机材料载运到气体喷射器113。所述气体喷射器喷射所蒸发的有机材料。在另一实施例中,可从外部向所述室供应粉末型有机材料,并随后可在所述气体喷射器中蒸发所述粉末型有机材料。
图8为一显示根据本发明另一实施例的用于形成一有机薄膜的蒸发设备的示意性横截面图。
在图8中,一气体喷射器113连接至一旋转轴121。一流动路径124形成于旋转轴121中。第一和第二蒸发源180和190形成于气体喷射器113中以水平分割气体喷射器113的内部空间。来自一载运气体供给器的载运气体与来自一有机材料粉末供给器的粉末型有机材料通过旋转轴121的流动路径124一起被供应至气体喷射器113。所述第一和第二蒸发源180和190具有一内部加热器(未显示)并且通过旋转轴121中的一第一电源线122a给所述内部加热器供电。所述粉末型有机材料由气体喷射器113中的所述第一和第二蒸发源180和190扩散并蒸发。
图9A和图9B为分别显示根据本发明另一实施例的用于形成有机材料薄膜的一蒸发设备的第一和第二蒸发源的示意性平面图。
在图9A和图9B中,第一和第二蒸发源180和190的每一个均接触气体喷射器113的一内部侧壁,以防止所述有机材料穿过所述蒸发源与所述侧壁之间的间隙。因此,第一和第二蒸发源180和190的每一个均紧密无间地接触气体喷射器113的所述侧壁。另外,第一蒸发源180在一边界部分包括复数个第一通孔181,而所述第二蒸发源190在一中心部分包括复数个第二通孔191,以延长所述粉末型有机材料的一流动路径。由于旋转轴121连接至气体喷射器113的一中心顶表面,因此所述粉末型有机材料被供应至所述第一蒸发源180上方的一中心部分。接下来,所述中心部分处的粉末型有机材料朝所述边界部分的所述复数个第一通孔扩散,并随后朝所述中心部分的所述复数个第二通孔扩散。所述粉末型有机材料被第一和第二蒸发源180和190蒸发。因此,由于所述粉末型有机材料具有一较长的流动路径,所述粉末型有机材料被蒸发得更彻底。通过交替设置旋转轴121、第一通孔181和第二通孔191便可延长所述粉末型有机材料的流动路径并获得所述粉末型有机材料的充分蒸发。虽然图9A和图9B中显示两个圆形第一通孔和一个圆形第二通孔,但在另一实施例中可形成复数个第一通孔和复数个第二通孔。另外,在另一实施例中,所述通孔可具有一多角形形状。
有机材料供给器170(图3)可包括一螺杆以均匀地供应所述粉末型有机材料。
图10为一显示根据本发明另一实施例的用于形成一有机薄膜的一蒸发设备的有机材料供给器的示意性横截面图。在图10中,有机材料供给器170包括一存储箱171、一有机粉末进口174及一螺杆173。螺杆173形成于存储箱171中并由存储箱171外的一螺杆旋转构件172驱动。有机粉末进口174连接至载运气体进口127(图3)。粉末型有机材料的数量通过螺杆173的一圈旋转来精确调整。因此,通过以一恒速旋转螺杆173来均匀地供应所述粉末型有机材料。另外,一再充填箱175可连接至存储箱171以连续不断地供应所述粉末型有机材料。存储箱171可通过一传感器自动再充填。
下文将说明使用图8的蒸发设备形成一有机薄膜的工艺。在将衬底“S”装载到接受器111上之后,将具有所述敞开式图形的荫罩112对准在衬底“S”的上方。给第一和第二蒸发源180和190供电以获得一预定温度。在装载衬底“S”及供电期间,关闭气体喷射器113与接受器111之间的一百叶窗(未显示)以遮挡所述有机材料。在使用一真空泵(未显示)对室110进行抽空以获得一高真空状态后,所述百叶窗打开,且旋转轴121和气体喷射器113旋转。有机材料粉末供给器170的螺杆旋转构件171驱动螺杆173,且螺杆173的旋转通过有机粉末进口174供应所述粉末型有机材料。流过有机粉末进口174的粉末型有机材料与所述载运气体相结合。所述粉末型有机材料通过旋转轴121中的流动路径124由所述载运气体传送到气体喷射器113。所述粉末型有机材料由所述第一和第二蒸发源180和190蒸发,而所蒸发的有机材料通过所述复数个第一和第二通孔181和191喷射出来。所喷射的有机材料通过荫罩112的所述敞开式图形沉积到衬底“S”上以形成有机材料的一薄膜图形。
在获得具有一预定厚度的薄膜图形时,关闭所述百叶窗以遮挡所喷射的有机材料,且旋转轴121停止旋转。所述载运气体的量增加以减小室110的压力。因此,所述有机材料的蒸发压力下降以减少所述有机材料的蒸发量。为了供应大量的载运气体,可形成一额外载运气体存储器。在从衬底“S”上移除荫罩112后,从室110中卸下并移出衬底“S”。由于所述粉末型有机材料的量经过精确调整,因此可省却大量载运气体的喷射和所述百叶窗的关闭。
在本发明中,由于所述接受器设置于所述室的下部,从而避免了所述荫罩的翘曲。另外,由于使用所述旋转式气体喷射器喷射所述室中蒸发的有机材料,因此减少了所述蒸发设备的占用面积并且提高了有机薄膜的均匀性。
所属领域的技术人员易知,在不背离本发明的精神或范围的情况下可对具有一气体喷射器的设备做各种修改和变动。因此,只要本发明的此等修改和变动属于随附权利要求书及其等效内容的范围内,则本发明意欲涵盖所有此等修改和变动。

Claims (18)

1.一种用于形成一薄膜的设备,其包括:
一室;
所述室内的一接受器;
所述接受器上方的一气体喷射器,所述气体喷射器具有复数个喷射孔和一内部空间;
一连接至所述气体喷射器的轴,所述轴具有一连接至所述内部空间的延伸空腔和一连接至所述延伸空腔的流动路径;
一蒸发源,所述蒸发源蒸发源材料并向所述气体喷射器供应所蒸发的源材料;
一供应载运气体的载运气体供给器;以及
预加热所述载运气体的加热器,
其中所述蒸发源和所述加热器设置在所述外延空腔中。
2.如权利要求1所述的设备,其中所述轴随所述气体喷射器一起旋转。
3.如权利要求2所述的设备,其进一步包括所述轴内的一第一电源线,其中所述第一电源线的一端连接至所述蒸发源。
4.如权利要求3所述的设备,其进一步包括一连接至所述第一电源线的另一端的滑环和连接至所述滑环的一第二电源线。
5.如权利要求1所述的设备,其中所述载运气体供给器连接至所述流动路径,所述载运气体和所述蒸发的源材料自所述气体喷射器喷射。
6.如权利要求5所述的设备,其中所述加热器设置于所述蒸发源上。
7.如权利要求1所述的设备,其中所述延伸空腔具有大于所述流动路径的直径的直径。
8.如权利要求1所述的设备,其中所述流动路径连接至所述气体喷射器的一中心部分。
9.如权利要求1所述的设备,其中所述源材料包括一有机材料。
10.如权利要求1所述的设备,其进一步包括一围绕所述轴的外壳及所述外壳与所述轴之间的一磁性密封件。
11.如权利要求10所述的设备,其进一步包括一连接至所述外壳的吹扫气体进口。
12.如权利要求10所述的设备,其进一步包括一连接至所述外壳的用于所述磁性密封件的冷却构件。
13.一种用于形成一薄膜的设备,其包括:
一室;
所述室内的一接受器;
所述接受器上方的一气体喷射器,所述气体喷射器具有复数个喷射孔和从其中突出的容纳部分;
一连接至所述气体喷射器的轴,所述轴具有一连接至所述容纳部分的流动路径;
一蒸发源,所述蒸发源蒸发源材料并向所述气体喷射器供应所蒸发的源材料;
一供应载运气体的载运气体供给器;以及
预加热所述载运气体的加热器,
其中所述蒸发源和所述加热器设置在所述容纳部分中。
14.如权利要求13所述的设备,其中喷射孔的密度在所述气体喷射器的所述中心部分处具有一最小值并随着距所述气体喷射器的所述中心部分的距离的增加而逐渐增加。
15.一种用于形成一薄膜的设备,其包括:
一室;
所述室内的一接受器;
所述接受器上方的一气体喷射器,所述气体喷射器具有复数个喷射孔;
一连接至所述气体喷射器的轴,所述轴具有一连接至所述复数个喷射孔的流动路径;
复数个蒸发源材料并向所述气体喷射器供应所蒸发的源材料的蒸发源,其中所述复数个蒸发源形成于所述气体喷射器中;及
一给所述流动路径供应所述源材料的源材料供给器。
16.如权利要求15所述的设备,其中所述源材料供给器包括:
一存储粉末型的所述源材料的存储箱;
一连接所述存储箱和所述流动路径的源材料进口;
所述存储箱中的一螺杆;及,
一驱动所述螺杆的螺杆旋转构件。
17.如权利要求15所述的设备,其中所述复数个蒸发源包括水平分割所述气体喷射器的一内部空间的第一和第二蒸发源。
18.如权利要求17所述的设备,其中所述第一蒸发源包括在一边界部分处的复数个第一通孔,且所述第二蒸发源包括在一中心部分处的复数个第二通孔。
CN2005101095762A 2004-10-28 2005-10-26 用于制作显示装置的设备 Expired - Fee Related CN1766157B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2004-0086470 2004-10-28
KR1020040086470 2004-10-28
KR1020040086470A KR101121417B1 (ko) 2004-10-28 2004-10-28 표시소자의 제조장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1766157A CN1766157A (zh) 2006-05-03
CN1766157B true CN1766157B (zh) 2010-08-25

Family

ID=36260374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005101095762A Expired - Fee Related CN1766157B (zh) 2004-10-28 2005-10-26 用于制作显示装置的设备

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8157916B2 (zh)
JP (1) JP4942985B2 (zh)
KR (1) KR101121417B1 (zh)
CN (1) CN1766157B (zh)
TW (1) TWI453800B (zh)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI341872B (en) * 2006-08-07 2011-05-11 Ind Tech Res Inst Plasma deposition apparatus and depositing method thereof
KR101301642B1 (ko) * 2007-03-07 2013-08-29 주성엔지니어링(주) 가열수단을 가지는 가스분사장치와 이를 포함하는기판처리장치
KR101394481B1 (ko) * 2007-10-30 2014-05-13 주성엔지니어링(주) 가스 분사 장치 및 이를 이용한 유기 박막 증착 장치
KR101363395B1 (ko) * 2007-10-31 2014-02-21 주성엔지니어링(주) 가스 분사 장치 및 이를 이용한 유기 박막 증착 장치와유기 박막 증착 방법
KR101173645B1 (ko) * 2007-12-31 2012-08-20 (주)에이디에스 가스 분사 유닛 및 이를 구비하는 박막 증착 장치
US20120090546A1 (en) * 2009-03-26 2012-04-19 Snu Precision Co., Ltd Source supplying unit, method for supplying source, and thin film depositing apparatus
JP5620146B2 (ja) 2009-05-22 2014-11-05 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置
TWI475124B (zh) * 2009-05-22 2015-03-01 Samsung Display Co Ltd 薄膜沉積設備
US8882920B2 (en) * 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882921B2 (en) * 2009-06-08 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101074792B1 (ko) * 2009-06-12 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101117719B1 (ko) * 2009-06-24 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101127575B1 (ko) * 2009-08-10 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US20110052795A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8696815B2 (en) * 2009-09-01 2014-04-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101174875B1 (ko) 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101193186B1 (ko) * 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101202348B1 (ko) 2010-04-06 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101673017B1 (ko) 2010-07-30 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
JP5718362B2 (ja) * 2010-12-14 2015-05-13 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
US20130269613A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for generating and delivering a process gas for processing a substrate
US9279185B2 (en) * 2012-06-14 2016-03-08 Asm Technology Singapore Pte Ltd Feed-through apparatus for a chemical vapour deposition device
US9388494B2 (en) * 2012-06-25 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region
KR102017744B1 (ko) 2012-12-12 2019-10-15 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101448046B1 (ko) * 2012-12-28 2014-10-15 엘아이지에이디피 주식회사 유기발광소자 제조장치
US9399228B2 (en) 2013-02-06 2016-07-26 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for purging and plasma suppression in a process chamber
JP5837962B1 (ja) * 2014-07-08 2015-12-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびガス整流部
US10954597B2 (en) * 2015-03-17 2021-03-23 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition apparatus
US9758868B1 (en) 2016-03-10 2017-09-12 Lam Research Corporation Plasma suppression behind a showerhead through the use of increased pressure
US11976356B2 (en) * 2019-09-19 2024-05-07 Fujikin Incorporated Vaporized feed device
CN116555733B (zh) * 2023-05-17 2024-07-05 拓荆科技(上海)有限公司 一种高温喷淋装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3914515A (en) * 1973-07-16 1975-10-21 Rca Corp Process for forming transition metal oxide films on a substrate and photomasks therefrom
US5948167A (en) * 1995-09-29 1999-09-07 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
CN1375575A (zh) * 2001-03-19 2002-10-23 株式会社Apex 化学气相沉积设备

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8328858D0 (en) * 1983-10-28 1983-11-30 Atomic Energy Authority Uk Metal vapour deposition
JPH0758036A (ja) * 1993-08-16 1995-03-03 Ebara Corp 薄膜形成装置
JP3452617B2 (ja) * 1993-12-10 2003-09-29 真空冶金株式会社 ガスデポジション装置
KR100492258B1 (ko) * 1996-10-11 2005-09-02 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 반응가스분출헤드
JP3579278B2 (ja) * 1999-01-26 2004-10-20 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及びシール装置
DE10007059A1 (de) * 2000-02-16 2001-08-23 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von beschichteten Substraten mittels Kondensationsbeschichtung
TW576873B (en) * 2000-04-14 2004-02-21 Asm Int Method of growing a thin film onto a substrate
US6572706B1 (en) * 2000-06-19 2003-06-03 Simplus Systems Corporation Integrated precursor delivery system
US6513451B2 (en) 2001-04-20 2003-02-04 Eastman Kodak Company Controlling the thickness of an organic layer in an organic light-emiting device
DE10128091C1 (de) * 2001-06-11 2002-10-02 Applied Films Gmbh & Co Kg Vorrichtung für die Beschichtung eines flächigen Substrats
US6619304B2 (en) * 2001-09-13 2003-09-16 Micell Technologies, Inc. Pressure chamber assembly including non-mechanical drive means
KR100358727B1 (ko) * 2002-04-01 2002-10-31 에이엔 에스 주식회사 기상유기물 증착방법과 이를 이용한 기상유기물 증착장치
US6749906B2 (en) * 2002-04-25 2004-06-15 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method
US6863736B2 (en) * 2002-05-29 2005-03-08 Ibis Technology Corporation Shaft cooling mechanisms
JP2004143521A (ja) * 2002-10-24 2004-05-20 Sony Corp 薄膜形成装置
KR100483834B1 (ko) * 2003-01-06 2005-04-20 삼성전자주식회사 회전식 가열부를 구비한 급속 열처리 장치
JP2005082880A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Shoka Kagi Kofun Yugenkoshi 有機el発光装置の成膜設備

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3914515A (en) * 1973-07-16 1975-10-21 Rca Corp Process for forming transition metal oxide films on a substrate and photomasks therefrom
US5948167A (en) * 1995-09-29 1999-09-07 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
CN1375575A (zh) * 2001-03-19 2002-10-23 株式会社Apex 化学气相沉积设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN1766157A (zh) 2006-05-03
US8157916B2 (en) 2012-04-17
TWI453800B (zh) 2014-09-21
JP2006124837A (ja) 2006-05-18
KR20060037513A (ko) 2006-05-03
KR101121417B1 (ko) 2012-03-15
TW200620421A (en) 2006-06-16
JP4942985B2 (ja) 2012-05-30
US20060090705A1 (en) 2006-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1766157B (zh) 用于制作显示装置的设备
TWI473893B (zh) 膜形成方法與製造發光裝置的方法
KR101004060B1 (ko) 제조 시스템, 발광 장치, 및 유기 화합물 함유 층의 제조방법
US6517996B1 (en) Method of manufacturing full-color organic electro-luminescent device
JP4463492B2 (ja) 製造装置
US7820231B2 (en) Manufacturing apparatus
JP5165452B2 (ja) 成膜方法及び発光装置の作製方法
US20100147220A1 (en) Evaporation container and vapor deposition apparatus
KR20080007820A (ko) 박막 증착용 회전 증착원 및 이를 이용하는 박막 증착 장치
KR20120041573A (ko) 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법
CN104233198A (zh) 线性蒸发源及具有所述线性蒸发源的用于平板显示器的玻璃沉积设备
JPH09256142A (ja) 成膜装置
KR100477546B1 (ko) 유기물질 증착방법 및 이를 적용한 장치
JP6185498B2 (ja) 蒸着用マスク
JP2004111386A (ja) 製造装置、発光装置、および有機化合物を含む層の作製方法
JP2010121215A (ja) 蒸着装置および蒸着方法
JP5568683B2 (ja) 蒸着用マスク、及び当該マスクを用いた蒸着方法
JP2004288463A (ja) 製造装置
KR100813199B1 (ko) 개구부의 각도가 상이한 증착원 및 이를 이용하는 박막증착 장치
JP2013067867A (ja) 容器
JP2017036512A (ja) 成膜装置
KR101363395B1 (ko) 가스 분사 장치 및 이를 이용한 유기 박막 증착 장치와유기 박막 증착 방법
JP2005019090A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置並びにその製造方法及び製造装置並びにその有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備えた電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100825

Termination date: 20201026