CN1592512A - 有机发光元件的制造方法及其结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有机发光元件的制造方法,首先形成一平坦层于一基底上,以覆盖一薄膜晶体管。然后,于该平坦层中形成一第二接触孔以及一凹槽,其中该第二接触孔露出该薄膜晶体管的源/漏极电极层,该凹槽位于该接触孔上方且对应于一预定阳极层的图案。接着,形成一阳极层于该平坦层上,以填满该接触孔以及该凹槽,再将该凹槽之外的该阳极层去除。最后,进行一平坦化处理,以使该阳极层与该平坦层的表面高度平齐。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机发光元件技术,特别地涉及一种有机电致发光元件的阳极层的工艺,可以提高阳极层的表面平坦度并防止边缘漏电的问题。
背景技术
有机电致发光元件(Organic Electroluminescence Device;Organic LightEmitting Diode,以下简称OLED),依照其驱动方法可以区分成主动式(activematrix)与被动式两种,其中主动式有机电致发光元件(以下简称AM-OLED)是以电流驱动,每一个象素至少要有一开关薄膜晶体管(switch TFT),作为影像资料进入储存开关及寻址之用;另外需要一个驱动薄膜晶体管(drivingTFT),根据电容储存电压的不同来调节驱动电流的大小,即控制象素亮度和灰度的变化。目前的主动式驱动方法有使用两个TFT的驱动方法及四个TFT的驱动方法。一般而言,AM-OLED的发光原理为在特定的有机薄膜层上加上电流以使电能转换成光能,其具有面发光的薄而轻的特征以及自发光的高发光效率、低驱动电压等优点,且具有广视角、高对比度、高应答速度、全彩色及可挠曲化的特性。
请参阅图1,其显示了公知的OLED的阳极层的剖视图。公知的OLED的制作方法为首先在玻璃衬底10上定义形成一阳极层12的图案,再依序沉积一有机发光层14以及一阴极层16。阳极层12的制作方法为首先沉积一铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO)层,再利用光刻刻蚀方法定义ITO层的图案,用以作为一透明导电层。但是,在刻蚀ITO层图案的过程中,ITO层的边缘处18常发生边缘陡峭或转角尖锐的问题,很容易造成边缘尖端放电效应,因此ITO层与有机发光层14在此边缘处18会产生漏电流过大的现象,不但会减少OLED的使用寿命,也容易导致画面的暗点缺陷而影响显示品质。
为了解决这个问题,目前已经发展出一种新的工艺,可利用一绝缘层包覆ITO层的尖角,以防止ITO层边缘与有机发光层之间形成一漏电路径。请参阅图2,其显示公知的OLED的TFT结构和阳极层的剖视图。公知的OLED的TFT结构的制作方法为首先在一玻璃衬底20上定义形成一多晶硅层22的图案,然后依序制作一栅极绝缘层24以及一栅极层26。而后,利用栅极层26作为掩模进行离子注入工艺,可以在栅极层26两侧的多晶硅层22中形成一源/漏极扩散区域22a、22b,而栅极层26下方的多晶硅层22成为一沟道区域22c。随后,沉积一第一绝缘层28,并于第一绝缘层28中制作接触孔,用以露出源/漏极扩散区域22a、22b。然后,在第一绝缘层28上沉积一金属层并填入接触孔中,再将金属层定义成为源/漏极电极层30a、30b的图案。接着,沉积一第二绝缘层32,并于第二绝缘层32中制作一接触孔,用以露出源/漏极电极层30b。而后,在第二绝缘层32上沉积一ITO层34并填入接触孔中,再将ITO层34定义成为一阳极层图案。最后,沉积一保护层36以覆盖ITO层34的边缘处35,再以刻蚀方法去除部分保护层36,以露出ITO层34的阳极区域。
上述方法可以利用保护层36来包覆ITO层的斜边或尖角,且比较容易控制保护层36的边缘刻蚀角度,以避免ITO层34边缘与后续制作的有机发光层之间形成漏电路径。但是,现有的方法必须采用干刻工艺去除保护层36,以露出ITO层34的阳极区域,而干刻工艺所使用的等离子体会损伤ITO层34的材料特性,使得ITO层34无法达到所需的电性表现。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种有机发光元件的制造方法及其结构,以改善阳极层的边缘角度过大的问题,并可以避免后续刻蚀工艺对阳极层造成的任何损害。
为了实现上述目的,本发明提供一种有机发光元件的制造方法,首先形成一平坦层于一基底上,以覆盖一薄膜晶体管。然后,该平坦层中形成一第二接触孔以及一凹槽,其中该第二接触孔露出该薄膜晶体管的源/漏极电极层,该凹槽位于该接触孔上方且对应于一预定阳极层的图案。随后,形成一阳极层于该平坦层上,以填满该接触孔以及该凹槽,再将该凹槽以外的该阳极层去除。最后,进行平坦化处理,以使该阳极层与该平坦层表面高度平齐。
本发明还提供一种有机发光元件的结构,其包括:一基底;一薄膜晶体管,形成于该基底上且包括一源/漏极电极层;一平坦层,形成于该基底上且覆盖该薄膜晶体管;一第二接触孔,形成于该平坦层中且露出该源/漏极电极层;一凹槽,形成于该平坦层中且位于该接触孔上方,并对应于一预定阳极层的图案;一阳极层,形成于该平坦层上,且填满该接触孔以及该凹槽,且该阳极层与该平坦层的表面高度平齐。
附图说明
图1示出的是公知的OLED的阳极层的剖视图;
图2示出的是公知的OLED的TFT结构和阳极层的剖视图;
图3A至3D示出的是本发明的OLED的TFT结构和阳极层的制造方法的剖视图。
附图标记说明:
公知的技术
玻璃衬底~10;阳极层~12;有机发光层~14;阴极层~16;边缘处~18;玻璃衬底~20;多晶硅层~22;源/漏极扩散区域~22a、22b;沟道区域~22c;栅极绝缘层~24;栅极层~26;第一绝缘层~28;源/漏极电极层~30a、30b;第二绝缘层~32; ITO层~34;边缘处~35;保护层~36。
本发明的技术
玻璃衬底~40;半导体硅层~42;源/漏极扩散区域~42a、42b;沟道区域~42c;栅极绝缘层~44;栅极层~46;第一绝缘层~48;第一接触孔~49;源/漏极电极层~50a、50b;第二绝缘层~52;平坦层~54;第二接触孔~56;凹槽~57;透明导电层~58;有机发光层~60;阴极层~62。
具体实施方式
为了让本发明的上述的和其它的目的、特征、和优点能更加明显易懂,特举一优选实施例,并配合附图,作详细说明如下:
请参阅图3A至3D,其显示了本发明OLED的TFT结构和阳极层的制造方法的剖视图。
如图3A所示,首先在一衬底40的一预定区域上形成一半导体硅层42的图案,然后沉积一栅极绝缘层44以覆盖半导体硅层42以及衬底40的表面,再在栅极绝缘层44上定义形成一栅极层46的图案。而后,利用栅极层46作为掩模进行一离子注入工艺,以于栅极层46两侧的半导体硅层42中形成源/漏极扩散区域42a、42b,而栅极层46下方的半导体硅层42的未掺杂区成为一沟道区域42c。随后,沉积一第一绝缘层48以覆盖栅极层46和栅极绝缘层44,再利用光刻刻蚀方法在第一绝缘层48中制作第一接触孔49,用以露出源/漏极扩散区域42a、42b。然后,于第一绝缘层48上沉积一导电层并填入第一接触孔49,再将该导电层定义成为源/漏极电极层50a、50b的图案。接着,沉积一第二绝缘层52以覆盖第二绝缘层48以及源/漏极电极层50a、50b,再于第二绝缘层52上沉积一平坦层54。
基底40优选地为一透明绝缘基底,如:一玻璃基底。半导体硅层42优选地为一多晶硅层。栅极绝缘层44优选地为氧化硅层。栅极层46优选地为一导电层,例如:一金属层或一多晶硅层。第一绝缘层48优选地为氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层或其组合。源/漏极电极层50a、50b优选地为一导电层,例如:一金属层。第二绝缘层52优选地为氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层或其组合。平坦层54优选地为一具有感光性的光致抗蚀剂层或有机层,可利用旋镀方法涂布于第二绝缘层52上,以填补第二绝缘层52的凹凸起伏轮廓,进而达到平坦表面的效果,其厚度范围为1~3μm。
如图3B所示,利用平坦层54的感光特性进行一黄光工艺,可制作一第二接触孔56以及一凹槽57。第二接触孔56贯穿平坦层54及第二绝缘层52,直至露出漏极电极层50b的部分区域。凹槽57形成于平坦层54顶部,其位置与轮廓对应于一预定阳极层的图案,且凹槽57连通于下方的第二接触孔56。第二接触孔56优选地为,深度范围为2~3μm,开口口径为5~6μm。凹槽57优选地为,深度范围为750。
如图3C所示,在平坦层54上沉积一透明导电层58,优选地为一ITO层,以填满第二接触孔56及凹槽57,再利用光刻刻蚀方法将透明导电层58定义成为一预定阳极层的图案。而后,利用一平坦化处理,优选地为一化学机械研磨(chemical mechanical polishing,CMP)工艺,使透明导电层58与平坦层54的表面高度平齐,以研磨去除透明导电层58的斜边或尖角,并实现表面平整度的要求。
如图3D所示,利用薄膜蒸镀方法,于上述的平坦表面上沉积一有机发光层60,再于有机发光层60上制作一阴极层62,至此大致完成OLED的电极结构。
上述的制作方法和结构,为应用于一顶部栅极(top gate)结构的TFT,本发明也可以应用于一底部栅极(bottom gate)结构的TFT。
本发明的OLED制作方法及其阳极层具有以下优点:
第一,本发明将透明导电层58镶嵌于平坦层54中,且研磨方法实现表面平整度的要求,故可有效防止透明导电层58的边缘处发生边缘陡峭或转角尖锐的问题,进而避免透明导电层58边缘与有机发光层60之间形成漏电路径,或避免透明导电层58边缘与阴极层62之间发生短路问题。如此可延长OLED的使用寿命,并可遏制画面的暗点缺陷。
第二,本发明不需额外制作一绝缘层来包覆透明导电层58的斜边或尖角,故可避免透明导电层58遭受干刻工艺的等离子体损伤,进而可以确保透明导电层58的材料特性和电性特性。
虽然本发明已以优选实施例描述如上,然而其并非用以限定本发明,任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,应当可以作出某些更动和润饰,因此本发明的保护范围应当以所附的权利要求所界定的为准。
Claims (27)
1.一种有机发光元件的制造方法,包括下列步骤:
提供一基底;
形成一薄膜晶体管于该基底上,其中该薄膜晶体管至少包括一源/漏极电极层;
形成一平坦层于该基底上,以覆盖该薄膜晶体管;
形成一第二接触孔以及一凹槽于该平坦层中,其中该第二接触孔露出该源/漏极电极层,该凹槽位于该接触孔上方且对应于一预定阳极层的图案;
形成一阳极层于该平坦层上,以填满该接触孔以及该凹槽;
将该凹槽以外的该阳极层去除;以及
进行一平坦化处理,以使该阳极层与该平坦层的表面高度平齐。
2.如权利要求1所述的有机发光元件的制造方法,其中该平坦层包括一有机材料层或一光致抗蚀剂层。
3.如权利要求1所述的有机发光元件的制造方法,其中该平坦层为一具有感光性的材料层。
4.如权利要求1所述的有机发光元件的制造方法,其中该阳极层包括一透明导电层或一铟锡氧化物层。
5.如权利要求1所述的有机发光元件的制造方法,其中该平坦化处理使用一化学机械研磨工艺。
6.如权利要求1所述的有机发光元件的制造方法,其中该薄膜晶体管的制作方法包括:
形成一半导体硅层于该基底上;
形成一栅极绝缘层于该基底上,以覆盖该半导体硅层;
形成一栅极层于该栅极绝缘层上;
使用该栅极层作为掩模以进行一离子注入工艺,以于该半导体硅层中形成一源/漏极扩散区域;
形成一第一绝缘层于该栅极层和该栅极绝缘层上;
形成一第一接触孔以贯穿该第一绝缘层及该栅极绝缘层,直至露出该源/漏极扩散区域;
形成一导电层于该第一绝缘层上,以填满该第一接触孔;以及
将该导电层定义成为该源/漏极电极层的图案。
7.如权利要求6所述的有机发光元件的制造方法,其中该半导体硅层包括一多晶硅层。
8.如权利要求6所述的有机发光元件的制造方法,其中该栅极绝缘层包括氧化硅层。
9.如权利要求6所述的有机发光元件的制造方法,其中该栅极层包括一金属层或一多晶硅层。
10.如权利要求6所述的有机发光元件的制造方法,其中该第一绝缘层包括氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层或其组合。
11.如权利要求6所述的有机发光元件的制造方法,还包括下列步骤:
形成一第二绝缘层于该基底上,以覆盖该源/漏极电极层以及该第一绝缘层;
形成该平坦层于该第二绝缘层上;以及
形成该第二接触孔以贯穿该平坦层以及该第二绝缘层中,直至露出该源/漏极电极层。
12.如权利要求11所述的有机发光元件的制造方法,其中该第二绝缘层包括氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层或其组合。
13.如权利要求1所述的有机发光元件的制造方法,还包括下列步骤:
形成一有机发光层于该基底上,以覆盖该阳极层与该平坦层;以及
形成一阴极层于该有机发光层上。
14.如权利要求11所述的有机发光元件的制造方法,其中该基底包括一透明绝缘基底或一玻璃基底。
15.一种有机发光元件的结构,包括:
一基底;
一薄膜晶体管,形成于该基底上,且包括一源/漏极电极层;
一平坦层,形成于该基底上且覆盖该薄膜晶体管;
一第二接触孔,形成于该平坦层中,且露出该源/漏极电极层;
一凹槽,形成于该平坦层中,且位于该接触孔上方,并对应于一预定阳极层的图案;
一阳极层,形成于该平坦层上,且填满该接触孔以及该凹槽,且该阳极层与该平坦层的表面高度平齐。
16.如权利要求15所述的有机发光元件的结构,其中该平坦层包括一有机材料层或一光致抗蚀剂层。
17.如权利要求15所述的有机发光元件的结构,其中该平坦层包括一具有感光性的材料层。
18.如权利要求15所述的有机发光元件的结构,其中该阳极层包括一透明导电层或一铟锡氧化物层。
19.如权利要求15所述的有机发光元件的结构,其中该薄膜晶体管包括:
一半导体硅层,形成于该基底上,且包括一沟道区域以及一源/漏极扩散区域;
一栅极绝缘层,形成于该基底上,且覆盖该半导体硅层;
一栅极层,形成于该栅极绝缘层上,且对应于该沟道区域的位置;
一第一绝缘层,形成于该栅极层与该栅极绝缘层上;以及
一第一接触孔,其贯穿该第一绝缘层以及该栅极绝缘层,以露出该源/漏极扩散区域;
其中,该源/漏极电极层形成于该第一绝缘层上,且填满该第一接触孔。
20.如权利要求19所述的有机发光元件的结构,其中该半导体硅层包括一多晶硅层。
21.如权利要求19所述的有机发光元件的结构,其中该栅极绝缘层包括氧化硅层。
22.如权利要求19所述的有机发光元件的结构,其中该栅极层包括一金属层或一多晶硅层。
23.如权利要求19所述的有机发光元件的结构,其中该第一绝缘层包括氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层或其组合。
24.如权利要求15所述的有机发光元件的结构,还包括:
一第二绝缘层,其覆盖该源/漏极电极层以及该第一绝缘层;
其中,该平坦层形成于该第二绝缘层上;
其中,该第二接触孔贯穿该平坦层以及该第二绝缘层,以露出该源/漏极电极层。
25.如权利要求24所述的有机发光元件的结构,其中该第二绝缘层包括氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层或其组合。
26.如权利要求15所述的有机发光元件的结构,还包括:
一有机发光层,其覆盖该阳极层与该平坦层;以及
一阴极层,形成于该有机发光层上。
27.如权利要求15所述的有机发光元件的结构,其中该基底包括一透明绝缘基底或一玻璃基底。
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