CN117761514A - 一种高压封装极性测试电路及其测试方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种高压封装极性测试电路及其测试方法，包括用于极性测试防高压击穿的高压电路、用于极性判断的高压极性判断传感器、驱动稳定电路和用于极性判断信号输出的输出电路；以及测试工序中的方向判断测试工位控制电路、旋转机构控制电路和电参数测试电路，通过与测试电路中高压电路的极性判断探针连接，判断芯片脚位是正确或相反，并进行对应的调整后进行电参数测试，本发明能够满足芯片产品在测试过程中的防高压检测需求，同时控制好流过产品的电流，以免损伤产品；此外能够一体化地完成芯片测试的整套流程，减少了多次返测的操作，提高良品率，提高了此测试电路的适应度和检测效率。

Description

一种高压封装极性测试电路及其测试方法

技术领域

本发明涉及芯片测试技术领域，特别是一种高压封装极性测试电路及其测试方法。

背景技术

芯片测试工序是指对芯片进行各种检测和测试，以确保其质量和性能。其脚位对称产品电参数测试前，有极性判断，分辨出产品的方向。分辨原理是：找出产品中，具有唯一等效PN结的脚位，加电压测试击穿。根据找出等效PN结的正反向击穿电压不同，给出不同的信号控制旋转机构，使产品全部以正确，统一的方向进到电参测试工位，避免反方向产品的进入，造成电参测试不良，从而保证测试良率。现市面上的一些产品芯片较特殊，芯片产品脚位两边对称，无法通过外形判断方向，现阶段常规极性判断，不能分辨出方向，其正反向击穿电压分别是10-40V和100多V。现少量的工程批产品只有通过多次返测，提高良率，但频繁返测，效率太低，且产品的引脚镀层会发黑，有损伤，产生废品报废，达不到良品率的要求，无法完成交付要求。

发明内容

鉴于上述现有的芯片测试中存在的问题，提出了本发明。

因此，本发明其中的一个目的是提供一种高压封装极性测试电路及其测试方法，其通过在测试电路中增加高压电路，能够防止特殊芯片产品在测试过程中的击穿，电压可上百伏至几百伏，可分出产品方向，可以适用于多种封装、不同脚位的对称产品，同时改善了在芯片测试中的测试判断、调整方法与对应的电路，提高了此测试电路的适应度和效率。

为解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：

一方面，本发明提供一种高压封装极性测试电路，包括测试电路，所述测试电路包括用于极性测试防高压击穿的高压电路、用于极性判断的高压极性判断传感器、驱动稳定电路和用于极性判断信号输出的输出电路；

所述高压电路包括电源U1、电源U2、电阻R7、电阻R8、电感L2和场效应晶体管Q3，所述电源U1和电源U2串联，电源U2的正极接地，电源U1的负极连接开关S1的输出端，所述电阻R7串联电阻R8，且电阻R7的输入端连接开关S2的输出端，所述开关S1与开关S2的输入端组成极性判断探针，所述场效应晶体管Q3的源极连接电感L2的输出端，场效应晶体管Q3的栅极接地，且场效应晶体管Q3的基极连接高压极性判断传感器的输入端VCCA，所述电感L2的输入端连接所述高压极性判断传感器的输出端VCCB，所述高压极性判断传感器的输出端VCCB接入驱动稳定电路；

所述驱动稳定电路包括放大器A1、电阻R5和电阻R6，所述电阻R5和电阻R6串联，且电阻R5的输入端连接所述电源U1的负极，所述放大器A1的正极连接电阻R7的输出端，且放大器A1的负极连接电阻R5的输出端，所述放大器A1的输出端连接二极管D3的负极，所述二极管D3的正极连接二极管D4的负极，所述二极管D4的正极连接电阻R3的输出端，所述电阻R3和电阻R5的输入端并联至所述高压极性判断传感器的输出端VCCB，且所述电阻R3的输入端连接场效应晶体管Q2的源极，所述场效应晶体管Q2的栅极连接电阻R2的输入端，所述电阻R2的输出端连接场效应晶体管Q1的基极，所述场效应晶体管Q1的栅极接地，且所述场效应晶体管Q1的源极连接电感L1的输出端，所述电感L1的输入端连接场效应晶体管Q2的源极；

所述输出电路包括二极管D1、二极管D2以及双开开关S3，所述二极管D1和二极管D2之间并联，且二极管D1的负极连接二极管D2的正极，二极管D2的负极以及二极管D1的正极均对应地连接双开开关S3的输入端，所述双开开关S3的输出端与所述二极管D1的负极连接外部的极性判断显示电路。

作为本发明的一种优选方案，其中：所述电源U1和电源U2串联后的正反向击穿电压设为10-40V；或

大于100V。

作为本发明的一种优选方案，其中：所述电感L2的输出端串连接电阻R4，所述电阻R4的输出端并连至所述场效应晶体管Q3的基极。

作为本发明的一种优选方案，其中：所述电阻R8的输出端接地，所述电阻R6的输出端接地。

作为本发明的一种优选方案，其中：所述电阻R3的输出端接地，所述电阻R2的输出端串联连接电阻R1，所述电阻R1的输出端接地。

作为本发明的一种优选方案，其中：所述场效应晶体管Q2的源极串联连接电容C1并接地，所述高压极性判断传感器的输出端VCCB串联连接电容C2并接地。

作为本发明的一种优选方案，其中：所述电感L1和电感L2均设为铁芯电感。

作为本发明的一种优选方案，其中：还包括：

用于判断芯片脚位是正确或相反，生成不同信号的方向判断测试工位控制电路；

用于根据方向判定生成的相应的信号，正转或反转90度对芯片进行调节的旋转机构控制电路；以及

用于对调节后芯片进行电参数测试的电参数测试电路。

一方面，本发明提供一种高压封装极性测试电路的测试方法，包括：

步骤S101，设置待测试芯片，将待测试芯片设置在方向判断测试工位上；

步骤S102，测试待测试芯片的极性，通过与测试电路中高压电路的极性判断探针连接，判断芯片脚位是正确或相反，从而生成相应的调整信号；

步骤S103，测试芯片调整，旋转机构控制电路响应所述调整信号，控制旋转机构进行正转或反转90度的调节工作；

步骤S104，测试芯片电参数测试，完成测试芯片的调节工作后，将测试芯片换装到电参数测试电路上进行电参数测试；

步骤S105，记录结果并激光标识，电参数测试合格后，通过激光向芯片的外壳和脚位处进行标识印字并记录结果，进行下一待测试芯片的测试。

本发明的有益效果：本发明通过在测试电路中增加用于极性测试防高压击穿的高压电路，能够施加足够高的电压，防止特殊芯片产品在测试过程中的击穿电压，满足并适用于多种封装、不同脚位的对称产品，电压可上百伏至几百伏，同时控制好流过产品的电流，以免损伤产品；此外在测试电路的基础上改善了在芯片测试中的测试判断、调整方法，能够一体化地完成芯片测试的整套流程，满足绝大多数的需求，提高了此测试电路的适应度和检测效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中：

图1为本发明实施例1中测试电路的电路图；

图2为本发明实施例1高压封装极性测试电路的模块化结构示意图；

图3为本发明实施例2高压封装极性测试电路的测试方法流程图；

图4为本发明实施例2高压封装极性测试电路的测试方法的另一个流程图；

图中标号：10、测试电路；20、方向判断测试工位控制电路；30、旋转机构控制电路；40、电参数测试电路。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1，参照图1和图2，为本发明的一个实施例，该实施例提供了一种高压封装极性测试电路，包括测试电路10，测试电路10包括用于极性测试防高压击穿的高压电路、用于极性判断的高压极性判断传感器、驱动稳定电路和用于极性判断信号输出的输出电路；本实施例通过在测试电路中增加高压电路，能够高于芯片产品的击穿，电压可上百伏至几百伏，可分出产品方向，可以适用于多种封装、不同脚位的对称产品，具体如下：

其中本实施例的高压电路包括电源U1、电源U2、电阻R7、电阻R8、电感L2和场效应晶体管Q3，电源U1和电源U2串联，电源U1和电源U2串联后的正反向击穿电压设为10-40V，或大于100V，电源U2的正极接地，电源U1的负极连接开关S1的输出端，电阻R7串联电阻R8，且电阻R7的输入端连接开关S2的输出端，开关S1与开关S2的输入端组成极性判断探针，需要提醒地是通过极性判断探针上会有持续高压，确保操作过程中安全；场效应晶体管Q3的源极连接电感L2的输出端，电感L2的输出端串连接电阻R4，电阻R4的输出端并连至场效应晶体管Q3的基极，场效应晶体管Q3的栅极接地，且场效应晶体管Q3的基极连接高压极性判断传感器的输入端VCCA，电感L2的输入端连接高压极性判断传感器的输出端VCCB，高压极性判断传感器的输出端VCCB接入驱动稳定电路；

本实施例的驱动稳定电路包括放大器A1、电阻R5和电阻R6，电阻R5和电阻R6串联，且电阻R5的输入端连接电源U1的负极，放大器A1的正极连接电阻R7的输出端，且放大器A1的负极连接电阻R5的输出端，放大器A1的输出端连接二极管D3的负极，二极管D3的正极连接二极管D4的负极，二极管D4的正极连接电阻R3的输出端，电阻R3和电阻R5的输入端并联至高压极性判断传感器的输出端VCCB，且电阻R3的输入端连接场效应晶体管Q2的源极，场效应晶体管Q2的栅极连接电阻R2的输入端，电阻R2的输出端连接场效应晶体管Q1的基极，场效应晶体管Q1的栅极接地，且场效应晶体管Q1的源极连接电感L1的输出端，电感L1的输入端连接场效应晶体管Q2的源极；

本实施例的输出电路包括二极管D1、二极管D2以及双开开关S3，二极管D1和二极管D2之间并联，且二极管D1的负极连接二极管D2的正极，二极管D2的负极以及二极管D1的正极均对应地连接双开开关S3的输入端，双开开关S3的输出端与二极管D1的负极连接外部的极性判断显示电路。

进一步地，本实施例的电阻R8的输出端接地，电阻R6的输出端接地。电阻R3的输出端接地，电阻R2的输出端串联连接电阻R1，电阻R1的输出端接地。场效应晶体管Q2的源极串联连接电容C1并接地，高压极性判断传感器的输出端VCCB串联连接电容C2并接地。此外，电感L1和电感L2均设为铁芯电感，电感量更大。

为了在芯片测试中能够一体化地完成芯片测试的整套流程，满足绝大多数的需求，增加了对应的电路，以提高此测试电路的适应度，具体如下：还包括：

用于判断芯片脚位是正确或相反，生成不同信号的方向判断测试工位控制电路20；

用于根据方向判定生成的相应的信号，正转或反转90度对芯片进行调节的旋转机构控制电路30；以及

用于对调节后芯片进行电参数测试的电参数测试电路40。

基于上述，本实施例的测试电路在上机使用时，具有效果良好，满足生产要求，能够施加足够高的电压，满足并适用于多种封装、不同脚位的对称产品，电压可上百伏至几百伏，进而满足了高压封装极性测试电路的检测需求，提高了检测效果。

实施例2，参照图3和图4，为本发明的一个实施例，本实施例基于上述实施例中的测试电路10、方向判断测试工位控制电路20、旋转机构控制电路30，以及电参数测试电路40，提供一种高压封装极性测试电路的测试方法，包括：

步骤S101，设置待测试芯片，将待测试芯片设置在方向判断测试工位上；

步骤S102，测试待测试芯片的极性，通过与测试电路10中高压电路的极性判断探针连接，判断芯片脚位是正确或相反，从而生成相应的调整信号；

步骤S103，测试芯片调整，旋转机构控制电路30响应调整信号，控制旋转机构进行正转或反转90度的调节工作；

步骤S104，测试芯片电参数测试，完成测试芯片的调节工作后，将测试芯片换装到电参数测试电路上进行电参数测试；

步骤S105，记录结果并激光标识，电参数测试合格后，通过激光向芯片的外壳和脚位处进行标识印字并记录结果，进行下一待测试芯片的测试，如图4所示。

综上所述，本发明通过在测试电路中增加用于极性测试防高压击穿的高压电路，能够施加足够高的电压，满足并适用于多种封装、不同脚位的对称产品，电压可上百伏至几百伏，同时控制好流过产品的电流，以免损伤产品；此外在测试电路的基础上改善了在芯片测试中的测试判断、调整方法，能够一体化地完成芯片测试的整套流程，减少了多次返测的操作，提高良品率，且提高了效率满足绝大多数的需求，提高了此测试电路的适应度和检测效率。

在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本申请的流程或功能。计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包括于本申请的至少一个实施例或示例中。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分。并且本申请的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能。

在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行***、装置或设备(如基于计算机的***、包括处理器的***或其他可以从指令执行***、装置或设备取指令并执行指令的***)使用，或结合这些指令执行***、装置或设备而使用。

应理解的是，本申请的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行***执行的软件或固件来实现。上述实施例方法的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件完成，该程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，该程序在执行时，包括方法实施例的步骤之一或其组合。

此外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理模块中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。上述集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，也可以存储在一个计算机可读存储介质中。该存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。

以上，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种高压封装极性测试电路，其特征在于，包括测试电路（10），所述测试电路（10）包括用于极性测试防高压击穿的高压电路、用于极性判断的高压极性判断传感器、驱动稳定电路和用于极性判断信号输出的输出电路；

所述高压电路包括电源U1、电源U2、电阻R7、电阻R8、电感L2和场效应晶体管Q3，所述电源U1和电源U2串联，电源U2的正极接地，电源U1的负极连接开关S1的输出端，所述电阻R7串联电阻R8，且电阻R7的输入端连接开关S2的输出端，所述开关S1与开关S2的输入端组成极性判断探针，所述场效应晶体管Q3的源极连接电感L2的输出端，场效应晶体管Q3的栅极接地，且场效应晶体管Q3的基极连接高压极性判断传感器的输入端VCCA，所述电感L2的输入端连接所述高压极性判断传感器的输出端VCCB，所述高压极性判断传感器的输出端VCCB接入驱动稳定电路；

所述驱动稳定电路包括放大器A1、电阻R5和电阻R6，所述电阻R5和电阻R6串联，且电阻R5的输入端连接所述电源U1的负极，所述放大器A1的正极连接电阻R7的输出端，且放大器A1的负极连接电阻R5的输出端，所述放大器A1的输出端连接二极管D3的负极，所述二极管D3的正极连接二极管D4的负极，所述二极管D4的正极连接电阻R3的输出端，所述电阻R3和电阻R5的输入端并联至所述高压极性判断传感器的输出端VCCB，且所述电阻R3的输入端连接场效应晶体管Q2的源极，所述场效应晶体管Q2的栅极连接电阻R2的输入端，所述电阻R2的输出端连接场效应晶体管Q1的基极，所述场效应晶体管Q1的栅极接地，且所述场效应晶体管Q1的源极连接电感L1的输出端，所述电感L1的输入端连接场效应晶体管Q2的源极；

所述输出电路包括二极管D1、二极管D2以及双开开关S3，所述二极管D1和二极管D2之间并联，且二极管D1的负极连接二极管D2的正极，二极管D2的负极以及二极管D1的正极均对应地连接双开开关S3的输入端，所述双开开关S3的输出端与所述二极管D1的负极连接外部的极性判断显示电路。

2.如权利要求1所述的一种高压封装极性测试电路，其特征在于，所述电源U1和电源U2串联后的正反向击穿电压设为10-40V；或

大于100V。

3.如权利要求1所述的一种高压封装极性测试电路，其特征在于，所述电感L2的输出端串连接电阻R4，所述电阻R4的输出端并连至所述场效应晶体管Q3的基极。

4.如权利要求1所述的一种高压封装极性测试电路，其特征在于，所述电阻R8的输出端接地，所述电阻R6的输出端接地。

5.如权利要求1所述的一种高压封装极性测试电路，其特征在于，所述电阻R3的输出端接地，所述电阻R2的输出端串联连接电阻R1，所述电阻R1的输出端接地。

6.如权利要求1所述的一种高压封装极性测试电路，其特征在于，所述场效应晶体管Q2的源极串联连接电容C1并接地，所述高压极性判断传感器的输出端VCCB串联连接电容C2并接地。

7.如权利要求1所述的一种高压封装极性测试电路，其特征在于，所述电感L1和电感L2均设为铁芯电感。

8.如权利要求1所述的一种高压封装极性测试电路，其特征在于，还包括：

用于判断芯片脚位是正确或相反，生成不同信号的方向判断测试工位控制电路（20）；

用于根据方向判定生成的相应的信号，正转或反转90度对芯片进行调节的旋转机构控制电路（30）；以及

用于对调节后芯片进行电参数测试的电参数测试电路（40）。

9.一种应用于如权利要求8所述的一种高压封装极性测试电路的测试方法，其特征在于，包括：

步骤S101，设置待测试芯片，将待测试芯片设置在方向判断测试工位上；

步骤S102，测试待测试芯片的极性，通过与测试电路（10）中高压电路的极性判断探针连接，判断芯片脚位是正确或相反，从而生成相应的调整信号；

步骤S103，测试芯片调整，旋转机构控制电路（30）响应所述调整信号，控制旋转机构进行正转或反转90度的调节工作；

步骤S104，测试芯片电参数测试，完成测试芯片的调节工作后，将测试芯片换装到电参数测试电路上进行电参数测试；

步骤S105，记录结果并激光标识，电参数测试合格后，通过激光向芯片的外壳和脚位处进行标识印字并记录结果，进行下一待测试芯片的测试。