CN117397159A - 逆变器电源模块 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种逆变器电源模块，包括陶瓷衬底(110)，设置成与陶瓷衬底(110)的上部间隔开的LTCC衬底(120)，以及半导体芯片(130)，其具有接合到陶瓷衬底(110)的上表面上的金属图案(112)的下表面和接合到LTCC衬底(120)的外部电极(123)的上表面。本公开的优点在于能够通过使用陶瓷衬底和LTCC衬底来提供具有更加改善的功能和操作可靠性的逆变器电源模块。

Description

逆变器电源模块
技术领域
本公开的实施方式涉及一种电源模块，并且更具体地，涉及一种改善功能和可靠性的逆变器电源模块。
背景技术
逆变器电源模块是用于控制电动车辆驱动设备的电机的逆变器的核心模块，用于将电池直流电转换为用于电机的交流电。逆变器电源模块通过将栅极控制电路和保护电路集成到包括各个功率半导体芯片的通用电源模块来更稳定地控制电机驱动***，以便改善对驱动***的控制。
然而，由于用于逆变器电源模块的功率半导体芯片的电流是相当高的功率，因此需要有效的散热，以防止可能由于热量而引起的功率半导体芯片的异常操作或破坏。
发明内容
技术问题
本公开的目的是提供一种逆变器电源模块，其通过使用具有改善的高温性能的衬底来改善工艺稳定性和高温可靠性，并且通过改善半导体芯片的接合结构和散热板结构来改善散热效率，从而进一步改善功能和操作可靠性。
技术方案
根据本公开的实施方式的逆变器电源模块包括陶瓷衬底，设置成与陶瓷衬底的上部间隔开的LTCC衬底，以及半导体芯片，其具有接合到陶瓷衬底的上表面上的金属图案的下表面和接合到LTCC衬底的外部电极的上表面。
陶瓷衬底是活性金属钎焊(AMB)衬底。
半导体芯片可以是SiC芯片。
逆变器电源模块还包括接合层和粘合层，所述接合层被构造为将所述半导体芯片的下表面上的表面电极接合到所述陶瓷衬底的所述上表面上的金属图案，所述粘合层被构造为将所述半导体芯片的上表面上的信号传输电极接合到所述LTCC衬底的下表面上的外部电极。
接合层由银纳米膏制成，并且所述粘合层由银纳米膏或焊料制成。
逆变器电源模块还包括接合到陶瓷衬底的下表面的散热板。
散热板可包括热界面材料(TIM)。
逆变器电源模块还包括安装在LTCC衬底的上表面上的电路保护元件(MLCC)，所述电路保护元件通过与所述LTCC衬底的内部电极连接的外部电极而与所述半导体芯片的上表面上的信号传输电极连接。
所述逆变器电源模块还包括引线框架，其接合到所述陶瓷衬底的所述上表面上的所述金属图案，并向外延伸；以及模制化合物，其被构造为包围并集成所述陶瓷衬底、所述LTCC衬底和所述半导体芯片，并将所述引线框架的端部暴露于外部。
一种逆变器电源模块，包括下陶瓷衬底，设置成与所述下陶瓷衬底的上部间隔开的上陶瓷衬底，接合到所述下陶瓷衬底的上表面上的金属图案的半导体芯片，以及导电间隔件，其安装在所述半导体芯片和所述上陶瓷衬底之间，用于连接所述半导体芯片的上表面上的信号传输电极和所述上陶瓷衬底的金属图案。
逆变器电源模块还包括接合到下陶瓷衬底的下表面的第一散热板和接合到上陶瓷衬底的上表面的第二散热板。
第一散热板和第二散热板可以各自包括热界面材料(TIM)。
上陶瓷衬底和下陶瓷衬底可以各自是活性金属钎焊(AMB)衬底。
半导体芯片为SiC芯片。
所述逆变器电源模块还包括：接合层，其被构造为将所述半导体芯片的表面电极接合到所述下陶瓷衬底的上表面上的金属图案；第一粘合层，其被构造为将所述半导体芯片的所述上表面上的所述信号传输电极接合到所述导电间隔件的下表面；和第二粘合层，其被构造为将所述导电间隔件的上表面接合到所述上陶瓷衬底的下表面上的金属图案。
所述接合层、所述第一粘合层和所述第二粘合层各自由银纳米膏制成。
所述逆变器电源模块还包括引线框架，其接合到所述下陶瓷衬底的所述上表面上的所述金属图案，并向外延伸；和模制化合物，其被构造为包围并集成所述下陶瓷衬底、所述上陶瓷衬底、所述半导体芯片和所述导电间隔件，并将所述引线框架的端部暴露于外部。
有益效果
根据本公开的实施方式，存在以下效果：通过使用SiC芯片作为半导体芯片来提高效率，通过使用AMB衬底来改善工艺稳定性和可靠性，通过使用LTCC衬底来提高高温耐受性并促进SiC芯片的信号传输，以及通过使用银纳米膏将半导体芯片稳定地接合到陶瓷衬底，从而即使在工作温度升高时也提高可靠性。
根据本公开的实施方式，存在以下效果：通过使用SiC芯片作为半导体芯片来提高效率，通过使用AMB衬底来改善工艺稳定性和可靠性，以及通过采用其中半导体芯片和导电间隔件垂直连接并设置在两个AMB衬底之间的结构来在顶侧和底侧上散发从半导体芯片产生的热量，从而提高散热效率并提高操作可靠性。
附图说明
图1是示出根据本公开的实施方式的逆变器电源模块的横截面结构的图。
图2是示出根据本公开的实施方式的逆变器电源模块的第一修改示例的横截面结构的图。
图3是示出根据本公开的实施方式的逆变器电源模块的第二修改示例的横截面结构的图。
图4是示出根据本公开的另一实施方式的逆变器电源模块的横截面结构的图。
图5是示出根据本公开的另一实施方式的逆变器电源模块的修改示例的横截面结构的图。
具体实施方式
在下文中，参考附图详细描述本公开的优选实施方式。
图1是示出根据本公开的实施方式的逆变器电源模块(inverter power module)100的横截面结构的图。
如图1所示，根据本公开的实施方式的逆变器电源模块100包括陶瓷衬底110，低温共烧陶瓷(LTCC)衬底120和半导体芯片130，并且陶瓷衬底110、LTCC衬底120和半导体芯片130被模制化合物140包围以形成封装单元。封装单元被金属地接合到散热板150。
具体地，逆变器电源模块100具有这样的结构，其中半导体芯片130设置在陶瓷衬底110和LTCC衬底120之间，并且散热板150接合到陶瓷衬底110的下表面。这种逆变器电源模块100通过使用陶瓷衬底110来增加高温下的结构稳定性，通过使用LTCC衬底120来增加高温耐受性并促进信号传输，并且通过使用散热板150来有效地散发从半导体芯片130产生的热量。
陶瓷衬底110具有安装半导体芯片130以形成功率转换电路(power conversioncircuit)、确保与地绝缘以及将从半导体芯片130产生的热量传递到散热板150的功能。
陶瓷衬底110使用活性金属钎焊(AMB)衬底以改善耐久性并提高散热效率。
陶瓷衬底110包括陶瓷基材111和分别钎焊到陶瓷基材111的上表面和下表面的金属层112和金属层113。陶瓷基材111可以是例如氧化铝(Al2O3)、AlN、SiN和Si3N4中的任何一种。金属层112和金属层113是钎焊到陶瓷基材111上的金属箔，并形成用于安装半导体芯片130的金属图案。作为示例，金属箔是铜箔或铝箔，其在陶瓷基材111上在780℃至1100℃下烧制并钎焊至陶瓷基材111。这种陶瓷衬底110被称为AMB衬底。可以将直接键合铜(DBC)衬底，厚印刷铜(TPC)衬底和DBA衬底用作陶瓷衬底，但是AMB衬底在耐久性和散热效率方面是最合适的。本发明的AMB衬底在制作逆变器电源模块时具有高耐久性，使得工艺稳定，并具有优异的高温稳定性和高散热效率，提高了制作的逆变器电源模块的可靠性。
陶瓷衬底110的上表面上的金属层112形成具有半导体芯片130的功率转换电路，并且陶瓷衬底110的下表面上的金属层113将从半导体芯片130产生的热量快速传递到散热板150。中间的陶瓷基材111提高了散热效率，并且使上表面上的金属层112与下表面上的金属层113绝缘，以使散热板150与半导体芯片130绝缘，从而防止短路。
LTCC衬底120被设置成与陶瓷衬底110的上部间隔开。LTCC衬底120用作输出用于切换半导体芯片130的信号的栅极板。LTCC衬底120的上表面可包括栅极驱动IC125，其输出用于切换半导体芯片130的信号，从而允许半导体芯片130被切换。
LTCC衬底120是指通过在1000℃或更低的温度下同时烧制金属电极和陶瓷基材而制造的衬底，该1000℃或更低的温度比烧制陶瓷时通常施加的烧制温度低200℃以上。如上所述制造的衬底120具有形成在陶瓷基材121内的内部电极122和形成在陶瓷基材111的上表面和下表面中的至少一个上以连接到内部电极122的外部电极123。栅极驱动IC125可以通过LTCC衬底120的内部电极122和外部电极123连接到半导体芯片130，并且可以控制半导体芯片130的操作。
电路保护元件(多层陶瓷电容器(MLCC))127还安装在LTCC衬底120的上表面上。由于电路保护元件127具有非常小的温度变化率，因此当电路保护元件127被用于温度变化严重的逆变器电源模块时，电路保护元件127执行增强对高温的耐受性和稳定地处理信号而无衰减的功能。多个电路保护元件127可以安装在LTCC衬底120上，以便匹配容量。
电路保护元件127的尺寸很小并代替了大的电容器，因此它有利于使逆变器电源模块100小型化，并具有优良的高温稳定性，因此它可以使半导体芯片130和LTCC衬底120之间的绝缘距离最小化。
半导体芯片130使用SiC芯片。SiC的带隙是Si的带隙的三倍，击穿场强是Si的击穿场强的10倍或更多，并且具有在高温下工作的特性。特别地，当应用于功率转换设备时，可以显著降低功率损耗。通过这种方式，由于SiC具有高电压和低损耗的特性，能够在高温下工作，并且具有优异的效率和功率密度，因此可以有助于使逆变器电源模块小型化，提高效率，并且减小***的重量。
半导体芯片130设置在陶瓷衬底110和LTCC衬底120之间，使得其下表面接合到陶瓷衬底110的上表面上的金属图案112，并且其上表面接合到LTCC衬底120的外部电极123。
在半导体芯片130中，下表面上的表面电极通过接合层131接合到陶瓷衬底110的上表面上的金属图案112，并且上表面上的信号传输电极通过粘合层133接合到LTCC衬底120的下表面上的外部电极123。
接合层131可以由银纳米膏制成。银纳米膏具有比焊料更好的高温可靠性和更高的导热性，因此它可以稳定地保持安装在陶瓷衬底110上的半导体芯片130，并通过陶瓷衬底110将从半导体芯片130产生的热量快速地传递到散热板150。由银纳米膏制成的接合层131采用烧结接合方法，因此其具有比焊接接合层更高的强度，更好的耐热性和更低的热阻，并且即使在工作温度升高时也是高度可靠的，从而确保高散热。
粘合层133可以由银纳米膏或焊料制成。粘合层133用于连接LTCC衬底120的外部电极123和半导体芯片130。焊料可以使用具有高接合强度和优异的高温可靠性的SnPb基、SnAg基、SnAgCu基或Cu基焊锡膏。由于粘合层133优选地对LTCC衬底120具有较低的导热性，因此优选地使用具有比银纳米膏更低的导热性的焊料。
模制化合物140用于保护设置在陶瓷衬底110和LTCC衬底120之间的半导体芯片130，并绝缘电路。模制化合物140可由高度耐热的硅基树脂或环氧基树脂制成。
散热板150接合到陶瓷衬底110的下表面。散热板150用于散发从半导体芯片130产生的热量。散热板150可以由具有高散热效率的金属制成，并且例如可以由铜，铜合金和铝制成。
散热板150可以焊接到陶瓷衬底110的下表面。因此，从半导体芯片130产生的热量可以通过接合层131、陶瓷衬底110和散热板150的路径被排放到外部。用于焊接接合的焊料可以使用SnAg、SnAgCu等。
散热板150可在其中形成有在垂直方向或水平方向上的多个空间，且热界面材料(TIM)151可施加到这些空间。作为热界面材料151的示例，可以使用散热油脂，并且散热油脂可以是硅基油脂或不包括硅氧烷的非硅基油脂。散热油脂可降低热阻并提高散热效率。
在上述逆变器电源模块100中，半导体芯片130的下表面可以通过使用银纳米膏被烧结并接合到陶瓷衬底110的上表面，接合到陶瓷衬底110的半导体芯片130的上表面可以通过粘合层133接合到LTCC衬底120的外部电极，并且半导体芯片130可以设置在陶瓷衬底110和LTCC衬底120之间。随后，可以通过用模制化合物140包围陶瓷衬底110、LTCC衬底120和半导体芯片130以形成封装单元并将散热板150接合到陶瓷衬底110的下表面来制造逆变器电源模块100。
在这种情况下，模制化合物140具有包围LTCC衬底120的上表面以及要暴露于外部的陶瓷衬底110的下表面的结构，并且在执行半导体芯片130的保护功能和绝缘功能的同时实现与其它器件的电连接和散热板150的接合。
逆变器电源模块100还包括引线框架135，其接合到陶瓷衬底110的上表面上的金属图案并向外延伸。向外延伸的引线框架135的端部连接到负责输入和输出电力的端子。具体地，向外延伸的引线框架135的端部暴露于包围并集成陶瓷衬底110、LTCC衬底120和半导体芯片130的模制化合物140的外部，并连接到负责输入和输出电力的端子。
由于上述逆变器电源模块100通过使用SiC芯片而具有高效率，通过使用AMB衬底而改善了工艺稳定性和可靠性，通过使用LTCC衬底而增加了高温耐受性并促进了SiC芯片的信号传输，并且通过使用银纳米膏将半导体芯片接合到陶瓷衬底，因此逆变器电源模块100即使在工作温度升高时也是高度可靠的。此外，通过使用电路保护元件127代替相关技术中的电容器，可以减小逆变器电源模块100的尺寸并执行增强对高温的耐受性和稳定地处理信号而不衰减的功能。
通过将热界面材料151施加到散热板150以降低热阻，本发明可进一步提高散热效率。
图2是示出根据本公开的实施方式的逆变器电源模块100a的第一修改示例的横截面结构的图。
如图2所示，作为本实施方式的第一修改示例的逆变器电源模块100a可以具有散热器形状的散热板150a。散热器形状的散热板150a在其表面上以规则的间隔设置有突起，并且增加了散热所通过的表面积，从而能够实现有效的散热。
图3是示出根据本公开的实施方式的逆变器电源模块100b的第二修改示例的横截面结构的图。
如图3所示，在作为本实施方式的第二修改示例的逆变器电源模块100b中，散热板150可以通过热界面材料151a接合到陶瓷衬底110的下表面。热界面材料151a可以是散热油脂。
尽管未示出，但是通过经由散热油脂将散热板150固定到陶瓷衬底110的下表面并通过焊接等将散热器接合到散热板150，也可以提高散热效率。
上述实施方式的逆变器电源模块具有这样的结构，其中使用接合到陶瓷衬底110的下表面的散热板150，向下散发从半导体芯片130产生的热量。
在另一个实施方式中，逆变器电源模块可以具有在垂直和水平两个方向上散发从半导体芯片产生的热量的结构。
图4是示出根据本公开的另一实施方式的逆变器电源模块200的横截面结构的图。
如图4所示，根据另一个实施方式的逆变器电源模块200包括下陶瓷衬底210、上陶瓷衬底220、半导体芯片230和导电间隔件240。下陶瓷衬底210、上陶瓷衬底220和半导体芯片230被模制化合物250包围以形成封装单元。封装单元金属地接合到第一散热板260和第二散热板270。
具体地，逆变器电源模块200具有这样的结构，在该结构中，半导体芯片230被接合到下陶瓷衬底210的上表面，导电间隔件240被设置在半导体芯片230和上陶瓷衬底220之间，第一散热板260被接合到下陶瓷衬底210的下表面，并且第二散热板270被接合到上陶瓷衬底220的上表面。在这种逆变器电源模块200中，从半导体芯片230产生的热量被排放到第一散热板260和第二散热板270，从而进一步提高散热效率。
下陶瓷衬底210具有安装半导体芯片230以形成功率转换电路、确保与地绝缘以及将从半导体芯片230产生的热量传递到第一散热板260的功能。上陶瓷衬底220具有通过导电间隔件240接收从半导体芯片230产生的热量并通过第二散热板270将热量散发到外部的功能。上陶瓷衬底220也可以电连接到衬底(未示出)，并且可以通过导电间隔件240将半导体芯片230的开关信号传送到半导体芯片230。
上陶瓷衬底220和下陶瓷衬底210各自使用具有优异导热性和散热特性的活性金属钎焊(AMB)。半导体芯片230使用能够在高温下工作的SiC芯片。半导体芯片230接合到下陶瓷衬底210的上表面上的金属图案211。
导电间隔件240安装在半导体芯片230和上陶瓷衬底220之间，以连接半导体芯片230的上表面上的信号传输电极和上陶瓷衬底220的金属图案223。金属图案223是上陶瓷衬底220的下表面上的金属层。
在半导体芯片230中，下表面上的表面电极通过接合层231接合到下陶瓷衬底210的上表面上的金属图案212，并且上表面上的信号传输电极通过第一粘合层233接合到导电间隔件240的下表面。导电间隔件240的下表面经由第一粘合层233接合到半导体芯片230的上表面，且导电间隔件240的上表面经由第二粘合层241接合到上陶瓷衬底220的下表面上的金属图案223。
接合层231、第一粘合层233和第二粘合层241各自由具有高的高温可靠性和高导热性的银纳米膏制成。当接合层231、第一粘合层233和第二粘合层241均由银纳米膏制成时，从半导体芯片230产生的热量可通过接合层231有效地传递到第一散热板260，并通过第一粘合层233和第二粘合层241有效地传递到第二散热板270，从而确保高散热。
模制化合物250用于保护设置在下陶瓷衬底210和上陶瓷衬底220之间的半导体芯片230并绝缘电路。模制化合物250可由高度耐热的硅基树脂或环氧基树脂制成。模制化合物250包围下陶瓷衬底210、上陶瓷衬底220、半导体芯片230和导电间隔件240，且不包围下陶瓷衬底210的下表面和上陶瓷衬底220的上表面。这用于使下陶瓷衬底210和上陶瓷衬底220能够接合到其它器件或散热板。
第一散热板260可以焊接到下陶瓷衬底110的下表面，并且第二散热板270可以焊接到上陶瓷衬底220的上表面。因此，从半导体芯片230产生的热量可以通过接合层231、下陶瓷衬底210和第一散热板260的路径被排放到外部。从半导体芯片230产生的热量可以通过第一粘合层233、导电间隔件240、第二粘合层241、上陶瓷衬底220和第二散热板270的路径被排放到外部。
第一散热板260和第二散热板270可以各自在其中形成有在垂直方向或水平方向上的多个空间，并且热界面材料(TIM)261和热界面材料271可以分别应用于这些空间。作为热界面材料261和热界面材料271的示例，可以使用散热油脂，并且散热油脂可以是硅基油脂或不包括硅氧烷的非硅基油脂。散热油脂可降低热阻并提高散热效率。
在上述逆变器电源模块200中，通过使用银纳米膏将半导体芯片230暂时接合到下陶瓷衬底210的上表面，通过使用银纳米膏将导电间隔件240暂时接合到半导体芯片230的上表面，将上陶瓷衬底220暂时接合到导电间隔件240的上表面，然后进行烧结工艺，使得半导体芯片230和导电间隔件240可以垂直连接并设置在下陶瓷衬底210和上陶瓷衬底220之间。随后，逆变器电源模块200可以通过以下方式制造：用模制化合物250包围下陶瓷衬底210、上陶瓷衬底220、半导体芯片230和导电间隔件240以形成封装单元，将第一散热板260接合到下陶瓷衬底210的下表面，以及将第二散热板270接合到上陶瓷衬底220的上表面。
逆变器电源模块200还包括引线框架245，引线框架245接合到下陶瓷衬底210的上表面上的金属图案212并向外延伸。向外延伸的引线框架245的端部连接到负责输入和输出电力的端子。具体地，向外延伸的引线框架245的端部暴露于围绕并集成下陶瓷衬底210、上陶瓷衬底220、半导体芯片230和导电间隔件240的模制化合物250的外部，并连接到负责输入和输出电力的端子。
上述另一个实施方式的逆变器电源模块200通过使用SiC芯片作为半导体芯片来提高效率，通过使用AMB衬底来改善工艺稳定性和可靠性，并且通过在两个AMB衬底之间垂直地设置半导体芯片和导电间隔件来在顶侧和底侧上散发从半导体芯片产生的热量，从而实现优异的散热效率和高可靠性。
另一实施方式的逆变器电源模块200可以通过将热界面材料261和热界面材料271施加到散热板260和散热板270以降低热阻来提高散热效率。
图5是示出根据本公开的另一实施方式的逆变器电源模块200a的修改示例的横截面结构的图。
如图5所示，在作为另一实施方式的修改示例的逆变器电源模块200a中，第一散热板260和第二散热板270可以形成为散热器的形状。散热器形状的第一散热板260和第二散热板270每个都在其表面上以规则的间隔设置有突起，并且增加了散热所通过的表面积，从而能够实现有效的散热。
第一散热板260和第二散热板270分别包括热传递材料261和热传递材料271，从而降低热阻以提高散热效率。
上述实施方式和其它实施方式的逆变器电源模块可以互换地使用，并且可以用于家用电器(例如空调和冰箱)的逆变器控制，或者用于在摩天大楼的电梯、铁路和混合电动车辆中的功率转换和控制。
特别地，本实施方式和其它实施方式的逆变器电源模块可以容易地应用于电动车辆的小型BLDC电机的逆变器。
在附图和说明书中公开了本公开的最佳实施方式。这里，使用了特定的术语，但是它们仅用于描述本公开的目的，而不用于限制权利要求中限定的本发明的含义或范围。因此，本领域技术人员将理解，本公开的各种修改和等效的其它实施方式也是可能的。因此，本公开的真实技术范围应该由所附权利要求的技术精神来确定。

Claims (17)

1.一种逆变器电源模块，其特征在于，包括：
陶瓷衬底；
低温共烧陶瓷衬底，其设置成与所述陶瓷衬底的上部间隔开；和
半导体芯片，其具有接合到所述陶瓷衬底的上表面上的金属图案的下表面和接合到所述低温共烧陶瓷衬底的外部电极的上表面。
2.根据权利要求1所述的逆变器电源模块，其特征在于，所述陶瓷衬底是活性金属钎焊衬底。
3.根据权利要求1所述的逆变器电源模块，其特征在于，所述半导体芯片是SiC芯片。
4.根据权利要求1所述的逆变器电源模块，其特征在于，还包括：
接合层，其被构造为将所述半导体芯片的下表面上的表面电极接合到所述陶瓷衬底的所述上表面上的金属图案；和
粘合层，其被构造为将所述半导体芯片的上表面上的信号传输电极接合到所述低温共烧陶瓷衬底的下表面上的外部电极。
5.根据权利要求4所述的逆变器电源模块，其特征在于，所述接合层由银纳米膏制成，
所述粘合层由银纳米膏或焊料制成。
6.根据权利要求1所述的逆变器电源模块，其特征在于，还包括：
散热板，其接合到所述陶瓷衬底的下表面。
7.根据权利要求6所述的逆变器电源模块，其特征在于，所述散热板包括热界面材料。
8.根据权利要求1所述的逆变器电源模块，其特征在于，还包括：
电路保护元件(MLCC)，其安装在所述低温共烧陶瓷衬底的上表面上，
所述电路保护元件通过与所述低温共烧陶瓷衬底的内部电极连接的外部电极而与所述半导体芯片的上表面上的信号传输电极连接。
9.根据权利要求1所述的逆变器电源模块，其特征在于，还包括：
引线框架，其接合到所述陶瓷衬底的所述上表面上的所述金属图案，并向外延伸；和
模制化合物，其被构造为包围并集成所述陶瓷衬底、所述低温共烧陶瓷衬底和所述半导体芯片，并将所述引线框架的端部暴露于外部。
10.一种逆变器电源模块，其特征在于，包括：
下陶瓷衬底；
上陶瓷衬底，其设置成与所述下陶瓷衬底的上部间隔开；
半导体芯片，其接合到所述下陶瓷衬底的上表面上的金属图案；和
导电间隔件，其安装在所述半导体芯片和所述上陶瓷衬底之间，用于连接所述半导体芯片的上表面上的信号传输电极和所述上陶瓷衬底的金属图案。
11.根据权利要求10所述的逆变器电源模块，其特征在于，还包括：
第一散热板，其接合到所述下陶瓷衬底的下表面；和
第二散热板，其接合到所述上陶瓷衬底的上表面。
12.根据权利要求11所述的逆变器电源模块，其特征在于，所述第一散热板和所述第二散热板各自包括热界面材料。
13.根据权利要求10所述的逆变器电源模块，其特征在于，所述上陶瓷衬底和所述下陶瓷衬底各自是活性金属钎焊衬底。
14.根据权利要求10所述的逆变器电源模块，其特征在于，所述半导体芯片是SiC芯片。
15.根据权利要求10所述的逆变器电源模块，其特征在于，还包括：
接合层，其被构造为将所述半导体芯片的表面电极接合到所述下陶瓷衬底的上表面上的金属图案；
第一粘合层，其被构造为将所述半导体芯片的所述上表面上的所述信号传输电极接合到所述导电间隔件的下表面；和
第二粘合层，其被构造为将所述导电间隔件的上表面接合到所述上陶瓷衬底的下表面上的金属图案。
16.根据权利要求15所述的逆变器电源模块，其特征在于，所述接合层、所述第一粘合层和所述第二粘合层各自由银纳米膏制成。
17.根据权利要求10所述的逆变器电源模块，其特征在于，还包括：
引线框架，其接合到所述下陶瓷衬底的所述上表面上的所述金属图案，并向外延伸；和
模制化合物，其被构造为包围并集成所述下陶瓷衬底、所述上陶瓷衬底、所述半导体芯片和所述导电间隔件，并将所述引线框架的端部暴露于外部。
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