CN116986993A - 一种氘代组合物、氘代化合物、中间体、有机电致发光器件和显示装置 - Google Patents

一种氘代组合物、氘代化合物、中间体、有机电致发光器件和显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种氘代组合物、氘代化合物、中间体、有机电致发光器件和显示装置。所述氘代组合物包括至少两种均具有如式I所示结构的化合物；所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及设置于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层，所述有机薄膜层的材料包括上述氘代组合物。本发明提供的有机电致发光器件具有较低的驱动电压、较高的电流效率和较长的使用寿命。

Description

一种氘代组合物、氘代化合物、中间体、有机电致发光器件和 显示装置
技术领域
本发明属于有机电致发光材料技术领域，具体涉及一种氘代组合物、氘代化合物、中间体、有机电致发光器件和显示装置。
背景技术
有机电致发光元件作为一种新型的显示技术，具有自发光、宽视角、低能耗、效率高、薄、色彩丰富、响应速度快，适用温度范围广、低驱动电压、可制作柔性可弯曲与透明的显示面板以及环境友好等独特优点，可以应用在平板显示器和新一代照明上，也可以作为LCD的背光源，与液晶器件相比更明亮、可视性优异、能够进行清晰的显示，因此，引起了人们的广泛关注。
自20世纪80年代以来，有机电致发光器件已经在产业上有所应用，比如手机等显示屏幕，但目前的OLED器件由于效率低，使用寿命短等因素制约其更广泛的应用，特别是大屏幕显示器。开发更多种类、性能更加完善的空穴类材料，以满足其在高性能OLED器件的使用需求，是本领域的研究重点。
在显示技术领域，三芳胺类化合物常被用作空穴类材料，用于制备有机电致发光器件，但是由此制备得到的有机电致发光器件的各项性能尚待提高，尤其在效率、寿命、电压等方面。因此，如何提供一种有空穴类材料，以此来提高有机电致发光器件的各项性能，成为目前亟待解决的技术问题。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种氘代组合物、氘代化合物、中间体、有机电致发光器件和显示装置。本发明中通过对化合物结构的设计，并采用特定组成的氘代组合物作为OLED发光器件主体材料，使得OLED发光器件具有较低的驱动电压、较高的电流效率和较长的寿命。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
第一方面，本发明提供一种氘代组合物，所述氘代组合物包括至少两种均具有如式I所示结构的化合物；
其中，Ar11、Ar12、Ar21、Ar22、Ar各自独立地选自取代或未取代的C6～C40芳基、取代或未取代的C12～C20的杂芳基；
Ar11、Ar12之间可以通过单键连接，Ar21、Ar22之间可以通过单键连接；Ar、Ar12之间可以通过单键连接，Ar、Ar11之间可以通过单键连接，Ar、Ar21之间可以通过单键连接，Ar、Ar22之间可以通过单键连接；
n选自0或1；
Ar11、Ar12、Ar21、Ar22、Ar中所述取代的取代基各自独立地选自C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、C6～C12芳基中的至少一种；
所述式I化合物符合如下条件中的至少一个：
(1)式I化合物中不含氘原子；
(2)Ar11、Ar12、Ar21、Ar22或Ar中所述取代的取代基中的至少一个的氢原子全部被氘原子取代；
(3)Ar11、Ar12、Ar21、Ar22或Ar中至少一个的氢原子全部被氘原子取代；
所述氘代组合物包括符合条件(2)或(3)的式I化合物。
本发明中，通过对氘代化合物结构的设计，并采用特定组成的氘代组合物作为OLED发光器件主体材料，使得OLED发光器件具有较低的驱动电压、较高的电流效率和较长的寿命。
在显示技术领域，三芳胺类化合物常被用作空穴层的材料，用于制备有机电致发光器件，但是由此制备得到的有机电致发光器件的各项性能尚待提高，尤其在效率、寿命、电压等方面。本发明中通过包括至少两种具有特定结构式的氘代化合物的共同使用，并以此氘代组合物作为OLED发光器件空穴层材料(包括空穴注入层材料、空穴传输层材料和电子阻挡层材料)，其结晶性能较差，成膜性更好，进而使制备得到的OLED发光器件具有较低的驱动电压、较高的电流效率和较长的使用寿命。
本发明中，Ar11、Ar12、Ar21、Ar22、Ar各自独立地选自取代或未取代的C6～C40(例如可以是C6、C8、C10、C12、C16、C20、C24、C28、C30、C32、C36或C40等)芳基、取代或未取代的C12～C20(例如可以是C6、C8、C10、C12、C16、C20、C24、C28、C30、C32、C36或C40等)的杂芳基。
Ar11、Ar12、Ar21、Ar22、Ar中所述取代的取代基各自独立地选自C1～C12(例如可以是C1、C2、C5、C6、C8、C10或C12等)烷基、C1～C12(例如可以是C1、C2、C5、C6、C8、C10或C12等)烷氧基、C6～C12(例如可以是C6、C7、C8、C9、C10、C11或C12)芳基中的至少一种。
以下作为本发明的优选技术方案，但不作为对本发明提供的技术方案的限制，通过以下优选的技术方案，可以更好的达到和实现本发明的目的和有益效果。
作为本发明的优选技术方案，所述Ar11、Ar12、Ar21、Ar22、Ar各自独立选自下述取代或未取代基团中的任意一种：苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、菲基、蒽基、芴基、苯并芴基、二苯并芴基、三亚苯基、荧蒽基、芘基、苝基、螺芴基、茚并芴基、氢化的苯并蒽基、二苯并呋喃、二苯并噻吩、萘并苯并呋喃、萘并苯并噻吩、二萘并噻吩、二萘并呋喃、二苯并呋喃并苯并呋喃；
所述取代的取代基各自独立地选自(例如可以是C1、C2、C5、C6、C8、C10或C12等)烷基、C1～C12(例如可以是C1、C2、C5、C6、C8、C10或C12等)烷氧基、C6～C12(例如可以是C6、C7、C8、C9、C10、C11或C12)芳基中的至少一种。
需要说明的是，若式I化合物中，n为0，则Ar为上述基团的一取代基团；若n为1，则Ar为上述基团的二取代基团。
作为本发明的优选技术方案，所述Ar11、Ar12、Ar21、Ar22、Ar中所述取代的取代基各自独立地选自甲基、乙基、叔丁基、金刚烷基、环己基、环戊基、1-甲基环戊基、1-甲基环己基、甲氧基、苯基、联苯基、9,9-二甲基芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或萘基中的至少一种。
作为本发明的优选技术方案，所述Ar选自下述取代或未取代基团中的任意一种：苯基、联苯基、萘基、菲基、蒽基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、三亚苯基、芴基、苯并芴基；
所述取代的取代基选自甲基、乙基、叔丁基、金刚烷基、环己基、环戊基、1-甲基环戊基、1-甲基环己基、甲氧基、苯基、联苯基、9,9-二甲基芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或萘基中的至少一种。
本发明中，所述Ar选自如下取代或未取代基团中的任意一种：
所述取代是指上述基团中的氢原子部分被氘原子取代或上述基团中的氢原子全部被氘原子取代。由于上述基团中部分基团含有取代基，因此，所述氢原子部分被氘原子取代是指，仅仅取代基上的氢原子全部被氘原子取代，例如，若Ar为代表Ar选自金刚烷基取代的9,9-二苯基芴基，则该基团中的氢原子部分被氘原子取代是指金刚烷基上的氢原子全部被氘原子取代，而9,9-二苯基芴基上的氢原子未被氘原子取代。
优选地，所述Ar11、Ar12、Ar21、Ar22各自独立选自下述取代或未取代基团中的任意一种：苯基、联苯基、萘基、三亚苯基、荧蒽基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基基芴基、螺芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基；
所述取代的取代基各自独立地选自甲基、乙基、叔丁基、金刚烷基、环己基、环戊基、1-甲基环戊基、1-甲基环己基、甲氧基、苯基、联苯基9,9-二甲基芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或萘基中的至少一种。
本发明中，所述Ar11、Ar12、Ar21、Ar22各自独立选自如下取代或未取代基团中的任意一种：
所述取代是指上述基团中的氢原子部分被氘原子取代或上述基团中的氢原子全部被氘原子取代。由于上述基团中部分基团含有取代基，因此，所述氢原子部分被氘原子取代是指，取代基上的氢原子全部被氘原子取代，例如，若Ar11为代表Ar11选自甲基取代的二联苯基，则该基团中的氢原子部分被氢原子取代是指甲基上的氢原子全部被氘原子取代，而二联苯基上的氢原子未被氘原子取代。
作为本发明的优选技术方案，所述式I化合物选自下述取代或未取代化合物中的任意一种：
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
所述取代是指上述化合物中部分或者全部氢原子被氘原子取代。
本发明中，所述取代是指上述化合物中的氢原子部分或者全部被氘原子取代。其中，氢原子部分被氘原子取代是指在式I化合物中，相应Ar11、Ar12、Ar21、Ar22或Ar位置中所述取代的取代基中的至少一个的氢原子全部被氘原子取代或者Ar11、Ar12、Ar21、Ar22或Ar中的至少一个的氢原子全部被氘原子取代，且至少一个的氢原子未被氘原子取代。例如式I化合物为则可看作，n为0，Ar11为苯基，Ar12为二联苯基，Ar为叔丁基取代的螺芴基，该式I化合物中氢原子部分被氘原子取代是指叔丁基上的氢原子被氘原子取代，其他其氢原子未被取代，可称为式I化合物中氢原子部分被氘原子取代；或者叔丁基取代的螺芴基、苯基、二联苯基中任意一个或者任意两个的组合中的氢原子全部被氘原子取代，也可称为式I化合物中氢原子部分被氘原子取代。
优选地，所述式I化合物选自如下化合物中的任意一种：
/>
作为本发明的优选技术方案，所述氘代组合物的氘代率为1～70％(例如可以是1％、3％、5％、10％、20％、25％、30％、40％、50％、60％或70％等)，优选为1～25％。
需要说明的是，所述氘代率是指在组合物或化合物中氘原子(D)个数占氘原子个数和氢原子(H)个数总和的个数百分含量，即氘代率＝y/(x+y)*100％，其中y为组合物或化合物中氘原子的个数，x为组合物或化合物中氢原子的个数，假定组合物或化合物中全部为H，没有D，氘代率为0％，组合物或化合物中所有的H均被D替代，氘代率为100％。
第二方面，本发明提供一种氘代化合物，所述氘代化合物选自如下氘代化合物中的任意一种：
所述氘代化合物用于制备如第一方面所述的氘代组合物。
第三方面，本发明提供一种中间体，所述中间体为
所述中间体用于制备如第二方面所述的氘代化合物。
第四方面，本发明提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及设置于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层；
所述有机薄膜层的材料包括如第一方面所述的氘代组合物。
优选地，所述有机薄膜层包括空穴层；
所述空穴层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层；
所述空穴层的材料包括如第一方面所述的氘代组合物。
第五方面，本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括如第四方面所述的有机电致发光器件。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明中通过对氘代组合物组成的设计，进一步通过选用具有特定结构式的氘代化合物的共同使用，并以此氘代组合物作为OLED发光器件空穴层的材料，使得OLED发光器件具有较低的驱动电压、较高的电流效率和较长的寿命。
具体实施方式
为便于理解本发明，本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
下述实施例和对比例中提供的有机电致发光器件含有下述化合物中的任意一种或至少两种的组合：
上述化合物中部分化合物的制备方法如下：
(I)D8-HTSP2的合成：
在氮气保护下，向500mL三口瓶中，加入200mL干燥的甲苯、5.0g(0.0095mol)MA所示化合物、2.4g(0.0099mol)2-溴氘代联苯、0.0575g(0.0001mol)Pd(dba)2(双二亚苄基丙酮钯)、0.4g(0.0002mol)含有质量百分含量为10％的三叔丁基膦甲苯溶液和1.44g(0.015mol)叔丁醇钠，加热至回流，反应12h后，降温至室温后加水分液，然后将有机层水洗至中性，用硫酸镁干燥，过滤除去硫酸镁后，浓缩至干，用硅胶柱层析分离，用石油醚洗脱，得到5.1g化合物D8-HTSP2。
对化合物D8-HTSP2进行质谱检测：测得质荷比(m/z)为684.35。
(II)D8-HTSP3的合成：
参照D8-HTSP2的合成方法，将MA所示化合物替换等物质的量的得到D8-HTSP3。
对化合物D8-HTSP3进行质谱检测：测得质荷比(m/z)为684.35。
(III)D8-HTSP4的合成：
(1)中间体M-1的合成
在氮气保护下，向500mL三口瓶中，加入200mL干燥的甲苯、10g(0.048mol)2-氨基-9,9-二甲基芴、11.6g(0.048mol)2-溴氘代联苯、0.1725g(0.0003mol)Pd(dba)2(双二亚苄基丙酮钯)、1.2g(0.0006mol)含有质量百分含量为10％的三叔丁基膦甲苯溶液和5.76g(0.06mol)叔丁醇钠，加热至回流，反应12h后，降温至室温后加水分液，然后将有机层水洗至中性，用硫酸镁干燥，过滤除去硫酸镁后，浓缩至干，用硅胶柱层析分离，用石油醚：乙酸乙酯＝20：1(体积比)洗脱，得到6.9g中间体M-1。
对中间体M-1进行质谱检测：测得质荷比(m/z)为370.24，确定产品分子式为C27H14D9N。
(2)D8-HTSP4的合成：
参照D8-HTSP2的合成方法，将MA所示化合物替换为等物质的量的M-1所示化合物，并将2-溴氘代联苯替换为等物质的量的得到D8-HTSP4。
对化合物D8-HTSP4进行质谱检测：测得质荷比(m/z)为796.47。
(IV)D8-HTCZ1的合成：
参照D8-HTSP2的合成方法，将MA所示化合物替换为等物质的量的将2-溴氘代联苯替换为等物质的量的4-溴氘代联苯，得到8-HTCZ1。
对化合物D8-HTCZ1进行质谱检测：测得质荷比(m/z)为687.36
(V)D18-HTCZ2的合成：
参照D8-HTSP2的合成方法，将MA所示化合物替换为等物质的量的采用4-溴氘代联苯替换2-溴氘代联苯，并且4-溴氘代联苯的物质的量为/>的物质的量的2倍，叔丁醇钠的物质的量为/>的物质量的2.2倍，反应时间为36小时，得到D18-HTCZ2。
对化合物D18-HTCZ2进行质谱检测：测得质荷比(m/z)为654.37。
其他具体式I化合物的制备方法可参照上述方法进行制备，本发明中不再一一进行说明。
下述实施例中提供的氘代组合物的氘代率如下表1所示，所述氘代率是通过计算得到的，所述氘代率是指在组合物或化合物中氘原子(D)个数占氘原子个数和氢原子(H)个数总和的个数百分含量，即氘代率＝y/(x+y)*100％，其中y为组合物或化合物中氘原子的个数，x为组合物或化合物中氢原子的个数，假定组合物或化合物中全部为H，没有D，氘代率为0％，组合物或化合物中所有的H均被D替代，氘代率为100％。
表1
产物名称 单个分子中氢原子个数 单个分子中氘原子个数 氘代率
HTSP1 33 0 0
D4-HTSP1 28 5 15.2％
D8-HTSP1 23 10 30.3％
HTSP2 37 0 0
D8-HTSP2 28 9 24.3％
HTSP3 37 0 0
D8-HTSP3 28 9 24.3％
HTSP4 53 0 0
D8-HTSP4 44 9 17.0％
HTCZ1 38 0 0
D8-HTCZ1 29 9 23.7
HTCZ2 32 0 0
D18-HTCZ2 14 18 56.3％
下述实施例中所采用的其它化合物的具体结构如下所示：
应用例1
本应用例提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件结构为：ITO/HTL:HI-2(5％)(20nm)/HTL(50nm)/HTSP3(20nm)/BH266(30nm)/ETL-1(30nm)/EIL-1(1nm)/Al(150nm)；
具体制备过程如下：将各层材料置于真空腔内，抽真空至1×10-5～1×10-6Pa，依次真空蒸镀到清洁后的ITO基板上。其中，HTL:HI-2(5％)(20nm)指的是在该器件中，HTL和HI-2以95:5的体积比例共蒸发形成空穴注入层，其厚度为20nm。
本应用例中，HTL材料为D4-HTSP1和D8-HTSP1的混合物，通过将此两种不同的化合物分别放置于不同的蒸发源中，通过控制蒸发源的温度来控制两种化合物的蒸发速度，以得到期望体积比例的混合物，用作器件的HTL。
在本应用例提供的器件中，HTL:HI-2(5％)(20nm)为空穴注入层，HTL(50nm)为空穴传输层，HTSP3(20nm)为电子阻挡层。本应用例中，D4-HTSP1和D8-HTSP1的混合物在本器件中同时用作空穴注入材料和空穴传输材料，并且两者的体积比为5:5。
应用例2-6
应用例2-6与应用例1的区别仅在于，HTL材料不同(具体组成和体积比如下表2所述)，其它制备步骤与应用例1相同。
对比应用例1-3
对比应用例1-3与应用例1的区别仅在于，HTL材料为单一化合物(具体组成和体积比如下表2所述)，其它制备步骤与应用例1相同。
性能测试
测试方法：使用杭州远方生产的OLED-1000多通道加速老化寿命与光色性能分析***测试，测试项目包括有机电致发光器件的亮度、驱动电压、电流效率、LT80；其中，LT80是指保持器件初始亮度1000cd/m2的电流密度不变，器件效率降为初始亮度1000cd/m2对应的效率的80％所需要的时间。
具体测试结果如下表2所示：
需要说明的是，因材料密度大致相同，而且各个材料分子量差别不大，因此氘代率计算时，体积比直接折算成物质的量的比，然后计算出来氘代率，此氘代率只是一个计算值，并非严格意义上的氘代率。
表2
由表2的数据可知，本发明中通过对氘代组合物中氘代化合物的设计，并控制氘代组合物的氘代率在特定的范围内，利用其作为空穴层的材料，制备得到的有机电致发光器件的驱动电压较低，电流效率较高，寿命较长。
由应用例5-6的数据可知，其氘代率较低，使用较少的氘代化合物D4-HTSP1和D8-HTSP1就可以达到好的效果，成本更低。
同时根据对比应用例1-3的数据可知，若选用单一化合物作为空穴层的材料，则，制备得到的有机电致发光器件的电流效率较低，使用寿命较短。
应用例7-10
应用例7-10与应用例1的区别仅在于，HTL材料不同(具体组成和体积比如下表3所述)，其它制备步骤与应用例1相同。
对比应用例4-7
对比应用例4-7与应用例1的区别仅在于，HTL材料为单一化合物(具体组成和体积比如下表3所述)，其它制备步骤与应用例1相同。
性能测试
测试方法：使用杭州远方生产的OLED-1000多通道加速老化寿命与光色性能分析***测试，测试项目包括有机电致发光器件的亮度、驱动电压、电流效率、LT80；其中，LT80是指保持器件初始亮度1000cd/m2的电流密度不变，器件效率降为初始亮度1000cd/m2对应的效率的80％所需要的时间。
具体测试结果如下表3所示：
需要说明的是，因材料密度大致相同，而且各个材料分子量差别不大，因此氘代率计算时，体积比直接折算成物质的量的比，然后计算出来氘代率，此氘代率只是一个计算值，并非严格意义上的氘代率。
表3
由表3的数据可知，本发明中通过对氘代组合物中氘代化合物的设计，并控制氘代组合物的氘代率在特定的范围内，利用其作为空穴层的材料，制备得到的有机电致发光器件的驱动电压较低，电流效率较高，寿命较长。
由应用例9-10的数据可知，本发明中通过氘代化合物D8-HTSP1的使用，由其组成的氘代组合物的氘代率在较低的情况下，制备得到的有机电致发光器件具有较好的效果，成本更低。
同时根据对比应用例4-7的数据可知，若选用单一化合物作为空穴层的材料，则，制备得到的有机电致发光器件的电流效率较低，使用寿命较短。
应用例11-12
应用例11-12与应用例1的区别仅在于，HTL材料不同(具体组成和体积比如下表4所述)，其它制备步骤与应用例1相同。
对比应用例8-11
对比应用例8-11与应用例1的区别仅在于，HTL材料为单一化合物(具体组成和体积比如下表4所述)，其它制备步骤与应用例1相同。
性能测试
测试方法：使用杭州远方生产的OLED-1000多通道加速老化寿命与光色性能分析***测试，测试项目包括有机电致发光器件的亮度、驱动电压、电流效率、LT80；其中，LT80是指保持器件初始亮度1000cd/m2的电流密度不变，器件效率降为初始亮度1000cd/m2对应的效率的80％所需要的时间。
具体测试结果如下表4所示：
需要说明的是，因材料密度大致相同，而且各个材料分子量差别不大，因此氘代率计算时，体积比直接折算成物质的量的比，然后计算出来氘代率，此氘代率只是一个计算值，并非严格意义上的氘代率。
表4
由表4的数据可知，本发明中通过对氘代组合物中氘代化合物的设计，并控制氘代组合物的氘代率在特定的范围内，利用其作为空穴层的材料，制备得到的有机电致发光器件的驱动电压较低，电流效率较高，寿命较长。
由应用例11的数据可知，本发明中通过氘代化合物D8-HTSP1的使用，由其组成的氘代组合物的氘代率在较低的情况下，制备得到的有机电致发光器件具有较好的效果，成本更低。
同时根据对比应用例8-11的数据可知，若选用单一化合物作为空穴层的材料，则制备得到的有机电致发光器件的电流效率较低，使用寿命较短。
综上所述，本发明通过对氘代组合物中氘代化合物的设计，并控制氘代组合物的氘代率在特定的范围内，利用其作为空穴层的材料，制备得到的有机电致发光器件的驱动电压较低，电流效率较高，寿命较长。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺流程，但本发明并不局限于上述详细工艺流程，即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺流程才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种氘代组合物，其特征在于，所述氘代组合物包括至少两种均具有如式I所示结构的化合物；
其中，Ar11、Ar12、Ar21、Ar22、Ar各自独立地选自取代或未取代的C6～C40芳基、取代或未取代的C12～C20的杂芳基；
Ar11、Ar12之间可以通过单键连接，Ar21、Ar22之间可以通过单键连接；Ar、Ar12之间可以通过单键连接，Ar、Ar11之间可以通过单键连接，Ar、Ar21之间可以通过单键连接，Ar、Ar22之间可以通过单键连接；
n选自0或1；
Ar11、Ar12、Ar21、Ar22、Ar中所述取代的取代基各自独立地选自C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、C6～C12芳基中的至少一种；
所述式I化合物符合如下条件中的至少一个：
(1)式I化合物中不含氘原子；
(2)Ar11、Ar12、Ar21、Ar22或Ar中所述取代的取代基中的至少一个的氢原子全部被氘原子取代；
(3)Ar11、Ar12、Ar21、Ar22或Ar中的至少一个的氢原子全部被氘原子取代；
所述氘代组合物包括符合条件(2)或(3)的式I化合物。
2.根据权利要求1所述的氘代组合物，其特征在于，所述Ar11、Ar12、Ar21、Ar22、Ar各自独立选自下述取代或未取代基团中的任意一种：苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、菲基、蒽基、芴基、苯并芴基、二苯并芴基、三亚苯基、荧蒽基、芘基、苝基、螺芴基、茚并芴基、氢化的苯并蒽基、二苯并呋喃、二苯并噻吩、萘并苯并呋喃、萘并苯并噻吩、二萘并噻吩、二萘并呋喃、二苯并呋喃并苯并呋喃；
所述取代的取代基各自独立地选自C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、C6～C12芳基中的至少一种。
3.根据权利要求1或2所述的氘代组合物，其特征在于，所述Ar11、Ar12、Ar21、Ar22、Ar中所述取代的取代基各自独立地选自甲基、乙基、叔丁基、金刚烷基、环己基、环戊基、1-甲基环戊基、1-甲基环己基、甲氧基、苯基、联苯基、9,9-二甲基芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或萘基中的至少一种。
4.根据权利要求1-3任一项所述的氘代组合物，其特征在于，所述Ar选自下述取代或未取代基团中的任意一种：苯基、联苯基、萘基、菲基、蒽基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、三亚苯基、芴基、苯并芴基；
所述取代的取代基选自甲基、乙基、叔丁基、金刚烷基、环己基、环戊基、1-甲基环戊基、1-甲基环己基、甲氧基、苯基、联苯基、9,9-二甲基芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或萘基中的至少一种；
优选地，所述Ar11、Ar12、Ar21、Ar22各自独立选自下述取代或未取代基团中的任意一种：苯基、联苯基、萘基、三亚苯基、荧蒽基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基基芴基、螺芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基；
所述取代的取代基各自独立地选自甲基、乙基、叔丁基、金刚烷基、环己基、环戊基、1-甲基环戊基、1-甲基环己基、甲氧基、苯基、联苯基、9,9-二甲基芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或萘基中的至少一种。
5.根据权利要求1-4任一项所述的氘代组合物，其特征在于，所述式I化合物选自下述取代或未取代化合物中的任意一种：
/>
/>
/>
/>
所述取代是指上述化合物中的氢原子部分或者全部被氘原子取代。
6.根据权利要求1-5任一项所述的氘代组合物，其特征在于，所述氘代组合物的氘代率为1～70％，优选为1～25％。
7.一种氘代化合物，其特征在于，所述氘代化合物选自如下氘代化合物中的任意一种：
所述氘代化合物用于制备如权利要求1-6任一项所述的氘代组合物。
8.一种中间体，其特征在于，所述中间体为
所述中间体用于制备如权利要求7所述的氘代化合物。
9.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及设置于所述阳极和阴极之间的有机薄膜层；
所述有机薄膜层的材料包括如权利要求1-6任一项所述的氘代组合物；
优选地，所述有机薄膜层包括空穴层；
所述空穴层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层；
所述空穴层的材料包括如权利要求1-6任一项所述的氘代组合物。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求9所述的有机电致发光器件。
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