CN116322134A

CN116322134A - 一种有机电致发光器件

Info

Publication number: CN116322134A
Application number: CN202310107232.6A
Authority: CN
Inventors: 陆影; 郭建华; 孙月; 刘小婷
Original assignee: Changchun Hyperions Technology Co Ltd
Current assignee: Changchun Hyperions Technology Co Ltd
Priority date: 2023-02-13
Filing date: 2023-02-13
Publication date: 2023-06-23

Abstract

本发明提供了一种有机电致发光器件，具体涉及有机电致发光技术领域。为了解决现有技术中覆盖层材料光取出效率低等问题，本发明提供了一种有机电致发光器件，该器件的覆盖层材料，是以中心苯或N杂苯为核心，连接至少含有一个苯并五元杂环和N杂桥连基团，其具有较强的刚性结构、较高的玻璃化转变温度、较好的热稳定性高温下不易分解，将其应用于有机电致发光器件中作为覆盖层，可有效提升光取出效果，减少器件内部光的全反射以及焦耳热的生成，从而增加器件的发光效率和使用寿命。

Description

一种有机电致发光器件

技术领域

本发明涉及有机电致发光技术领域，具体涉及一种有机电致发光器件。

背景技术

有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode,OLED)是指在外加电场的驱动下，有机半导体材料和发光材料通过载流子注入和复合导致发光的现象，它能够将电能直接转化为光能。由于其具有超轻薄、全固化、低耗电、自发光、响应速度快、色域宽、温度特性好和柔性显示等优点，在信息显示和固态照明领域得到广泛的应用。

OLED中，在外加电场的作用下，来自阴极的电子和阳极的空穴进入有机层进行复合释放能量，将能量传递给有机发光化合物，使其从基态跃迁到激发态，受激发的分子由激发态返回基态以光的形式释放能量，形成的发光现象。OLED是一种似三明治的夹心结构，通常由阳极、阴极以及在这两个电极之间形成的有机层组成。目前，OLED涉及的有机层包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层、覆盖层等。虽然OLED制作工艺不断地创新和改革，但其大规模的应用在商品化中还存在诸多问题，这是由于现阶段有机发光材料的发展还不够完善导致的。

对于覆盖层材料来说，传统上所用的覆盖层材料大多数为无机材料，存在一定的弊端，一方面，无机材料蒸镀温度较高，器件因高温而引起变形，使得覆盖层不能精准的进行蒸镀，另一方面，器件内部的光由于波导效应，增加光的全反射现象，降低其内部光的取出效率；此外，OLED器件的阴极多为化学性质较为活泼的金属，极易在含有氧气的环境中受到侵蚀，特别是在含有水汽的空气中发生电化学腐蚀，给器件带来非常大的危害，降低器件的使用寿命。为了改善有机发光器件的光取出效率以及提高器件的使用寿命，需要开发具有在可见光区具有较低吸收、折射率高、薄膜稳定性优异、耐久性良好的覆盖层材料是至关重要的。

发明内容

本发明为了解决现有技术中影响有机电致发光器件的发光效率和使用寿命的问题，提供了一种有机电致发光器件。

具体的，本发明提供一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极、有机物层，所述有机物层包含覆盖层，所述覆盖层具有如式I所示的结构，

在式I中，所述Ar₁～Ar₃彼此相同或不同，其中至少有一个选自式II所示基团，其余的彼此相同或不同，选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C6～C30的芳香族环与C3～C30的脂肪族环的稠环基中的任意一种；

在式II中，所述L₀选自如下所示基团及其组合中的任意一种；

所述Z彼此相同或不同，选自CH或N原子，且每个基团中至少一个Z选自N原子；当Z与其他基团键合时，所述Z选自C原子；

所述R₁彼此相同或不同，选自氢、氘、氰基、三氟甲基、卤素、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C2～C12的烯基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种；

所述a₁选自0、1、2或3，所述a₂选自0、1、2、3、4或5；当存在两个或多个R₁时，两个或多个R₁彼此相同或不同，或相邻的两个R₁之间可以相互连接形成取代或未取代的环；

所述x₁选自O、S、NR_a中的任意一种；所述R_a选自氢、氘、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C2～C12的烯基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种；

所述Y彼此相同或不同，选自CH或N原子；

所述R、R’彼此相同或不同，选自氢、氘、氰基、三氟甲基、卤素、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C2～C12的烯基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种；

所述m选自0、1、2、3或4；当存在两个或多个R时，两个或多个R彼此相同或不同，或相邻的两个R之间可以相互连接形成取代或未取代的环；

所述m’选自0、1或2；

所述x彼此相同或不同，选自CH或N原子，当x与其他基团键合时，所述x选自C原子；

所述R₂选自氢、氘、氰基、三氟甲基、卤素、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C2～C12的烯基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种；

所述n选自0、1、2或3；

所述L₁～L₃彼此相同或不同，选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基、取代或未取代的C2～C30亚杂芳基、二价的取代或未取代的C6～C30的芳香族环与C3～C30的脂肪族环的稠环基中的任意一种。

有益效果：本发明提供的式I化合物，是以中心苯或N杂苯为核心，连接至少含有一个苯并五元杂环和N杂桥连基团，其具有较强的刚性，材料成膜后，形成致密性高的膜层，从而使膜层具有较高的稳定性；同时，式I化合物具有较高的玻璃化转变温度、较好的热稳定性高温下不易分解，将其应用于有机电致发光器件中作为覆盖层，可有效提升光取出效果，减少器件内部光的全反射，降低器件内部的焦耳热的生成，从而增加器件的发光效率和使用寿命。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。

在本发明的化合物中，未指定为特定同位素的任何原子被包括作为该原子的任何稳定同位素，并且包含处于其天然同位素丰度与非天然丰度两者的原子。

在本发明中，“*”意指与另一取代基连接的部分。

在本发明中，当取代基在环上的位置不固定时，表示其可连接于所述环的相应可选位点中的任一个。例如，

可表示/>

等。以此类推。

在本说明书中，当取代基或连接位点所在键贯穿于两个或多个环时，表明其可连接于所述两个或两个环的任一个，具体可连接于所述环的相应可选位点中的任一个。例如，

可表示/>

可表示/>

以此类推。

本发明所述的卤素原子实例可包括氟、氯、溴或碘。

本发明所述的烷基是指烷烃分子中去掉一个氢原子后得到的一价基团，其可以为直链烷基或支链烷基，优选具有1至12个碳原子，更优选具有1至8个碳原子，特别优选具有1至6个碳原子。烷基可以是取代或未取代的。具体实例可包含甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、十一烷基、十二烷基等，但不限于此。

本发明所述的烯基是指烯烃分子中去掉一个氢原子后得到的一价基团，其可以为直链烯基或支链烯基，优选具有2至12个碳原子，更优选2至8个碳原子，特别优选2至6个碳原子。烯基可以是取代或未取代的。具体实例可包含乙烯基、1-丙烯基、异丙烯基、丁烯基、戊烯基、3-甲基-1-丁烯基、烯丙基、1-苯基乙烯基-1-基、苯乙烯基等，但不限于此。

本发明所述的环烷基是指环状烷烃分子中去掉一个氢原子后得到的一价基团，优选3至12个碳原子，特别优选3至6个碳原子。环烷基可以是取代或未取代的。所述环烷基包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、金刚烷基、降冰片烷基等，但不限于此。

本发明所述的芳基是指芳香族化合物分子的芳核碳上去掉一个氢原子后得到的一价基团，其可以为单环芳基、多环芳基或者稠环芳基，优选具有6至30个碳原子，更优选6至18个碳原子，最优选6至12个碳原子。芳基可以是取代或未取代的。所述单环芳基是指分子中只有一个芳香环的芳基，例如，苯基等，但不限于此；所述多环芳基是指分子中含有两个或者两个以上独立芳香环的芳基，例如，联苯基、三联苯基、四联苯基等，但不限于此；所述稠环芳基是指分子中含有两个或者多个芳香环且彼此间通过共用两个相邻碳原子稠合而成的芳基，例如，萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、

基、三亚苯基、荧蒽基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、9-甲基-9-苯基芴基、苯并芴基、9,9’-螺二芴基等，但不限于此。

本发明所述的杂芳基是指芳基中的一个或多个芳核碳原子被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于O、S、N、Si或者P原子，优选具有2至30个碳原子，更优选2至20个碳原子，进一步优选具有3至12个碳原子。所述杂芳基的连接位点可以位于成环碳原子上，也可以位于成环杂原子上，所述杂芳基可以为单环杂芳基、多环杂芳基或者稠环杂芳基。杂芳基可以是取代或未取代的。所述单环杂芳基包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、噁唑基、噻唑基、咪唑基等，但不限于此；所述多环杂芳基包括联吡啶基、联嘧啶基、苯基吡啶基、苯基嘧啶基等，但不限于此；所述稠环杂芳基包括喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、邻菲罗啉基、萘啶基、吲哚基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、N杂苯并噁唑基、N杂苯并咪唑基、N杂苯并噻唑基、二苯并呋喃基、苯并二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并二苯并噻吩基、二苯并噁唑基、二苯并咪唑基、二苯并噻唑基、咔唑基、苯并咔唑基、吖啶基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、吩噁噻基、螺芴氧杂蒽基、螺芴硫杂蒽基等，但不限于此。

本发明所述的脂肪族环是指具有脂肪族性质的环烃，分子中含有闭合的碳环，优选具有3至30个碳原子，更优选3至18个碳原子，进一步优选3至12个碳原子，更优选3至7个碳原子。其可形成单环烃或多环烃，可以是完全不饱和或者部分不饱和。脂肪族环可以是取代或未取代的。具体实例可包含环丙烷、环丁烷、环戊烷、环己烷、环庚烷、环丁烯、环戊烯、环己烯、环庚烯等，但不限于此。多个单环烃还可用多种方式连接：分子中两个环可以共用一个碳原子形成螺环；环上两个碳原子之间可以用碳桥连接形成桥环；几个环也可以互相连接形成笼状结构。

本发明所述的芳香族环与脂肪族环的稠和环是指分子中含有一个或多个芳香族环以及含有一个或多个脂肪族环彼此之间通过共用两个相邻碳原子稠合而成的环，芳香族环优选6至30个碳原子，更优选6至18个碳原子，最优选6至12个碳原子，脂肪族环优选3～30个碳原子，更优选C3～C18个碳原子，更优选3至12个碳原子，最优选3至7个碳原子。芳香族环与脂肪族环的稠和环可以是取代或未取代的。实例包括苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环丁烯基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并环庚烯基、萘并环丙烷基、萘并环丁烷基、萘并环戊烷基、萘并环己烷基、萘并环戊烯基、萘并环己烯基等，但不限于此。

本发明所述的亚芳基是指芳烃分子的芳核碳上去掉二个氢原子后，剩下二价基团的总称，可为单环亚芳基、多环亚芳基或稠环亚芳基，优选具有6至30个碳原子，更优选具有6至22个碳原子，再优选具有6至18个碳原子，最优选具有6至12个碳原子，关于上述亚芳基，作为单环亚芳基，可以为亚苯基等，但并不限于此。亚芳基可以是取代或未取代的。作为上述多环亚芳基，可以为亚联苯基、亚三联苯基、亚四联苯基等，但不限于此。作为上述稠环亚芳基，可以为亚萘基、亚蒽基、亚菲基、亚芘基、亚芴基、亚螺芴基、亚三亚苯基、亚苝基、亚荧蒽基、亚

基等，但并不限于此。

本发明所述的亚杂芳基是指由碳和杂原子构成的芳杂环的核碳上去掉二个氢原子，剩下二价基团的总称，所述杂原子可为N、O、S、Si、P中的一个或多个，可为单环亚杂芳基、多环亚杂芳基或稠环亚杂芳基，优选具有2至30个碳原子，更优选具有2至22个碳原子，再优选具有2至20个碳原子，最优选3至12个碳原子，亚杂芳基可以是取代或未取代的。实例可包括亚吡啶基、亚嘧啶基、亚吡嗪基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚噻吩基、亚吡咯基、亚呋喃基、亚吡喃基、亚噁唑基、亚噻唑基、亚咪唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并噻唑基、亚苯并咪唑基、亚咔唑基、亚苯并咔唑基、亚吖啶基、亚氧杂蒽基、亚硫杂蒽基、亚吩嗪基、亚吩噻嗪基、亚吩噁嗪基、亚吲哚基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并噻吩基、亚苯并呋喃基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚萘啶基、亚嘌呤基、亚邻菲罗啉基等，但不限于此。

本发明所述的二价的芳香族环与脂肪族环的稠环基是指芳香族环与脂肪族环的稠环基上有两个链接位置即二价基团。他们除了分别是二价基团以外，可以适用上述的芳香族环与脂肪族环的稠环基的说明。

本发明所述的“取代或未取代”中的“未取代”表示基团上的氢原子未被任何取代基取代；“取代”表示基团上的至少一个氢原子被取代基所取代，且取代的位置不受限制。当有多个氢被多个取代基取代时，所述多个取代基可以相同或者不同。

本发明所述的“取代或未取代的”中所述取代基可以彼此相同或不同，选自氘、氰基、硝基、三氟甲基、卤素原子、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C2～C12的烯基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C2～C12的杂环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基、取代或未取代的C6～C30的芳香族环与C3～C30的脂肪族环的稠环基中的任意一种，优选氘、氰基、卤素原子、三氟甲基、C1～C12的烷基、C3～C12的环烷基、C6～C30的芳基、C2～C30的杂芳基，具体实例可包括氘、氟、氯、溴、碘、氰基、三氟甲基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、甲苯基、五氘代苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、三亚苯基、

基、苝基、荧蒽基、芴基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、9-甲基-9-苯基芴基、螺芴基、咔唑基、9-苯基咔唑基、9,9’-螺二芴基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并环庚烷基、苯并环丁烯基、苯并环戊烯基、苯并环己烯基、苯并环庚烯基、萘并环戊烷基、萘并环己烷基、萘并环庚烷基、萘并环戊烯基、萘并环己烯基、萘并环庚烯基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基、噁唑基、噻唑基、咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并三氮唑基、苯并咪唑基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吖啶基等，但不限于此。

本发明所述的“连接形成环”是指两个基团通过化学键彼此连接并任选地进行芳构化。如下所示例：

本发明中，连接形成的环可以为芳香族环系、脂肪族环系或二者稠和而形成的环系，连接所形成的环可以为三元环、四元环、五元环、六元环或者稠合环，例如苯、萘、茚、环戊烯、环戊烷、环戊烷并苯、环己烯、环己烷、环己烷并苯、吡啶、喹啉、异喹啉、苯并呋喃、苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并噻吩、萘、菲或芘，但不限于此。

本发明提供了一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极、有机物层，所述有机物层包含覆盖层，所述覆盖层具有如式I所示的结构，

所述Y彼此相同或不同，选自CH或N原子；

所述m’选自0、1或2；

所述n选自0、1、2或3；

优选的，式I中Ar₁-L₁-*、Ar₂-L₂-*和Ar₃-L₃-*基团彼此以间位的形式连接在中心环上。

优选的，式I中的中心环上的x均选自CH，所述中心环选自苯环。

优选的，式I中的中心环上1、2或3个的x选自N原子，其余选自CH。更优选的，所述中心环选自吡啶环、嘧啶环、吡嗪环、哒嗪环、三嗪环中的任意一种。

优选的，Ar₁～Ar₃中的一个选自式II所示基团，更优选的，Ar₁、Ar₂或Ar₃选自式II所示基团。

优选的，Ar₁～Ar₃中的两个选自式II所示基团，更优选的，Ar₁和Ar₂，Ar₁和Ar₃或者Ar₂和Ar₃选自式II所示基团。

优选的，Ar₁～Ar₃均选自式II所示基团。

优选的，所述L₀选自如下所示基团中的任意一种；

所述R₁彼此相同或不同，选自氢、氘、氰基、三氟甲基、卤素或被一个或多个氘、C1～C12的烷基取代或未取代的如下基团中的任意一种：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基或嘧啶基；

所述a₁选自0、1、2或3，所述a₂选自0、1、2、3、4或5，所述a₃选自0、1、2、3或4，所述a₄选自0、1、2、3、4、5或6。

优选的，所述L₀选自如下所示基团中的任意一种；

优选的，所述

选自如下所示基团中的任意一种；

所述R、R’彼此相同或不同，选自氢、氘、氰基、三氟甲基、卤素或被一个或多个氘、C1～C12的烷基取代或未取代的如下基团中的任意一种：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基或喹喔啉基；

所述m₁选自0、1、2、3或4，所述m₂选自0、1、2或3，所述m₃选自0、1或2，所述m₄选自0或1，当存在两个或多个R时，两个或多个R彼此相同或不同，或相邻的两个R之间可以相互连接形成取代或未取代的环；

所述m’选自0、1或2，所述m”选自0或1。

优选的，所述

选自如下所示基团中的任意一种；

所述x₁彼此相同或不同，选自O、S或NR_a中的任意一种；

所述R_a选自氢、氘或被一个或多个氘、C1～C12的烷基取代或未取代的如下基团中的任意一种：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、吡啶基或嘧啶基；

所述b₁选自0、1、2、3、4或5，所述b₂选自0、1、2、3或4，所述b₃选自0、1、2、3、4、5、6或7。

优选的，所述Ar₁～Ar₃彼此相同或不同，其中至少有一个选自式II所示基团，其余的彼此相同或不同，选自如下所示基团中的任意一种；

所述R₃彼此相同或不同，选自氢、氘、氰基、三氟甲基、卤素、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种；

所述c₁选自0、1、2、3、4或5，所述c₂选自0、1、2、3、4、5、6或7，所述c₃选自0、1、2、3或4，所述c₄选自0、1、2、3、4、5或6；当存在两个或多个R₃时，两个或多个R₃彼此相同或不同，或相邻的两个R₃之间可以相互连接形成取代或未取代的环；

所述Q选自O、S、C(R_b)(R_c)、N(R_d)中的任意一种；

所述R_b、R_c、R_d彼此相同或不同，选自氢、氘、氰基、三氟甲基、卤素、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种，或R_b、R_c之间可以相互连接形成取代或未取代的环，或R_b、R_c、R_d可以与L₁～L₃中任意一者直接键合；

所述t彼此相同或不同，选自CH或N原子，且所述式III-4中1、2、3或4个t选自N原子，所述式III-5中1、2、3、4、5或6个t选自N原子；当t与其他基团键合时，所述t选自C原子；

所述z₁选自O、S或C(R_e)；所述z₂选自C(R_f)或N；

所述R_e、R_f彼此相同或不同，选自氢、氘、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C2～C12的烯基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种。

优选的，所述R₃彼此相同或不同，选自氢、氘或被一个或多个氘、C1～C12的烷基取代或未取代的如下基团中的任意一种：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、吡啶基或嘧啶基。

优选的，当存在两个或多个R₃时，两个或多个R₃彼此相同或不同，或相邻的两个R₃之间可以相互连接形成取代或未取代的三元环、四元环、五元环、六元环、苯环、萘环中的任意一种。

/>

所述R₄彼此相同或不同，选自氢、氘或被一个或多个氘、C1～C12的烷基取代或未取代的如下基团中的任意一种：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基、吡啶基或嘧啶基；

所述d₁选自0、1、2、3、4或5，所述d₂选自0、1、2、3或4，所述d₃选自0、1、2、3、4、5、6或7，所述d₄选自0、1、2、3、4、5、6、7、8或9，所述d₅选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11，所述d₆选自0、1、2、3、4、5、6、7或8，所述d₇选自0、1、2、3、4、5或6，所述d₈选自0、1、2或3；

所述R_b、R_c、R_d彼此相同或不同，选自氢、氘或被一个或多个氘、C1～C12的烷基取代或未取代的如下基团中的任意一种：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基、吡啶基或嘧啶基；

所述L_a、L_b彼此相同或不同，选自单键、取代或未取代的如下基团中的任意一种：亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚吡啶基或亚嘧啶基；

所述环A选自螺环结构，所述螺环结构选自下列基团中的任意一种：

所述R₅彼此相同或不同，选自氢、氘、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、萘基中的任意一种；

所述e₁选自0、1、2、3或4，所述e₂选自0、1、2、3、4、5或6，所述e₃独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7或8，所述e₄独立的选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10，所述e₅选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12，所述e₆选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13或14。

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优选的，所述L₁～L₃彼此相同或不同，选自单键或如下所示基团中的任意一种；

所述R₆彼此相同或不同，选自氢、氘或被一个或多个氘取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种；

所述s₁选自0、1、2、3或4，所述s₂选自0、1、2、3、4或5，所述s₃选自0、1、2或3，所述s₄选自0、1或2，所述s₅选自0、1、2、3、4、5或6；

所述R_x、R_y、R_z彼此相同或不同，选自氢、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基中的任意一种，或R_x、R_y之间可以相互连接形成取代或未取代的环；

所述V彼此相同或不同，选自CH或N原子，且每个基团中至少一个V选自N原子；当V与其他基团键合时，所述V选自C原子；

所述环B选自取代或未取代的C3～C7的脂肪族环。

优选的，所述环B选自取代或未取代的如下基团中的任意一种，

其中，“*”代表成环的连接位点；虚线表示单键或双键。

优选的，所述覆盖层选自如下所示结构中的任意一种；

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以上列举了本发明所述式I化合物的一些具体结构形式，但本发明并不局限于所列这些化学结构，凡是以化学式Ⅰ所示结构为基础，取代基为如上所限定的基团都应包含在内。

本发明提供了式I表示化合物的制备方法，但本发明的制备方法不限于此，具体合成路线如下所示：式I的制备：

1、当Ar₁-L₁-*、Ar₂-L₂-*、Ar₃-L₃-*彼此相同时，

2、当Ar₁-L₁-*、Ar₂-L₂-*彼此相同时，

3、当Ar₁-L₁-*、Ar₂-L₂-*、Ar₃-L₃-*彼此不同时，

式II的制备：

其中，X_a、X_b彼此相同或不同，选自Cl、Br、I中的任意一种；Ar₁～Ar₃、L₀～L₃、x、x₁、R、R’、R₂、Y、n、m、m’的限定与上述相同；上述制备路线中制备所用到的原料来源可以为市售产品，也可经本领域技术人员熟知的方法制备得到。

本发明所述的有机电致发光器件包含阳极、空穴传输区域、发光层、电子传输区域、阴极、覆盖层等功能层。每个功能层可以由单层、双层或多层薄膜构成，每个薄膜可以由一种材料或两种以上材料构成，然而，有机电致发光器件的结构并不仅限于此。

优选的，本发明所述的空穴传输区域包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少一层。

优选的，本发明所述的空穴传输层包含第一空穴传输层和/或第二空穴传输层。

优选的，本发明所述的电子传输区域包含电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的至少一层。

优选的，本发明所述的电子传输层包含第一电子传输层和/或第二电子传输层。

优选的，本发明所述覆盖层包含本发明所述的式I化合物中的任意一种或一种以上。

优选的，本发明所述的覆盖层包括第一覆盖层和/或第二覆盖层，所述第一覆盖层和/或第二覆盖层包含本发明所述的式I化合物中的任意一种或一种以上。

本发明的有机电致发光器件通常在基板上形成。上述基板只要在形成电极、形成有机物层时不发生变化即可，例如，玻璃、塑料、高分子薄膜、硅等的基板。

本发明所述的阳极材料优选使用具有高功能函数，提高空穴注入效率的材料。可用于本发明的阳极材料选自如下：氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或它们的任意组合、镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或它们的任意组合。阳极可以具有单层结构或者包括两层或更多层的多层结构，例如，阳极可以具有Al的单层结构或ITO/Ag/ITO的三层结构，但不限于此。

本发明所述的空穴注入层材料优选具有合适HOMO值的材料有利于空穴的注入和传输。可选自下列结构中的任意一种或一种以上：金属卟啉、低聚噻吩、芳基胺衍生物、六腈六氮杂苯并菲类化合物、酞菁类化合物、多氰基共轭有机材料、喹吖啶酮类化合物、蒽醌类化合物、以及基于聚苯胺和基于聚噻吩的导电聚合物等，但不限于此。

本发明所述的空穴传输层材料优选具有高空穴迁移率的材料。可选自下列结构中的任意一种或一种以上：咔唑衍生物、三芳胺衍生物、联苯二胺衍生物、芴衍生物、二苯乙烯衍生物、六腈六氮杂苯并菲类化合物、喹吖啶酮类化合物、蒽醌类化合物、聚苯胺、聚噻吩、聚乙烯咔唑等。所述空穴传输层材料的实例包括如下所述材料，N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4-[1-[4-[二(4-甲基苯基)氨基]苯基]环己基]-N-(3-甲基苯基)-N-(4-甲基苯基)苯胺(TAPC)、N,N,N',N'-四(3-甲基苯)-3,3'-二甲基联苯二胺(HMTPD)等，但不限于此。

本发明所述的发光层材料包括主体材料和掺杂材料，发光层主体材料可以选自4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9,10-二(1-萘基)蒽(α-AND)、N,N'-二-(1-萘基)-N,N'-二苯基-[1,1':4',1”:4”,1”'-四联苯]-4,4”'-二胺基(4PNPB)、1,3,5-三(9-咔唑基)苯(TCP)等。除了以上材料及其组合之外，发光层主体材料还可包括其他已知的适合做发光层的材料等，但不限于此。本发明的发光层掺杂材料分为蓝色发光材料、绿色发光材料以及红色发光材料。所述发光层掺杂材料可以选自(6-(4-(二苯基氨基(苯基)-N，N-二苯基芘-1-胺)(DPAP-DPPA)、2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)、4,4'-二[4-(二苯氨基)苯乙烯基]联苯(BDAVBi)、4,4'-二[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、二(2-羟基苯基吡啶)合铍(Bepp2)、二(4,6-二氟苯基吡啶-C2,N)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))、9,10-二[N-(对甲苯基)苯胺基]蒽(TPA)、4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)、三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III)(Ir(piq)3)、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(piq)2(acac))等，但不限于此。

本发明所述的发光层中主体材料和客体材料的掺杂比例，根据所用的材料而决定。掺杂材料的用量选择，优选0.1～70质量％，更优选为0.1～30质量％、进一步优选为1～30质量％、更进一步优选为1～20质量％、特别优选为1～10质量％。

本发明所述的空穴阻挡层材料，优选能够有效阻挡空穴传输，使激子在发光层而不是在电子传输层中复合的材料，除了可使用本发明提供的含氮杂环衍生物外，还可选自下列结构中的任意一种或几种：菲咯啉类衍生物、稀土类衍生物、咪唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、***衍生物、三嗪衍生物、喹啉衍生物、二氮杂菲衍生物、氮杂苯衍生物、蒽酮衍生物等，但不限于此。

本发明所述的电子传输层材料，优选具有高电子迁移率的材料。可选自下列结构中的任意一种或几种：2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(BCP)、1,3,5-三(N-苯基-2-苯并咪唑)苯(TPBi)、三(8-羟基喹啉)合铝(III)(Alq3)、8-羟基喹啉-锂(Liq)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)合铝(III)(BAlq)及3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***(TAZ)、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)等，但不限于此。

本发明所述的电子注入层材料，优选与临近有机物层材料的势垒相差较小的材料，具体实例可包含：碱金属化合物(例如氧化锂、氟化锂、碳酸铯、氟化铯、8-羟基喹啉铯、8-羟基喹啉铝)、有机金属盐(金属乙酸盐、金属苯酸盐或金属硬脂酸盐)、三氧化钼、金属铝等，但不限于此。

本发明所述的阴极材料，优选使用可以促进电子注入至有机层中的具有低功函数的材料，以降低电子注入势垒。可选自如下材料中的任意一种或几种：Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、包括它们的化合物或它们的混合物(例如，Ag和Mg的混合物)，但不限于此。

本发明所述的覆盖层，提供在阳极与阴极中任意一个以上的电极外侧，减少光的全反射损失以及提高光取出效率。可选自下列结构中的任意一种或一种以上：芳基胺衍生物、双咔唑衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物、三氮唑衍生物、苯并呋喃衍生物、双胺衍生物、卟啉衍生物、酞菁衍生物，Alq₃、TPBi或他们的混合物，但不限于此。优选本发明所述的式I化合物。

本发明对有机电致发光器件的各有机物层的厚度并没有特殊限制，采用本领域所常用的厚度即可。

本发明所述的有机电致发光器件可以通过依次层叠上述的结构而制造。制造方法可使用湿式成膜法、干式成膜法等公知方法。作为湿式成膜法的具体例：旋涂法、浸渍法、流延法、喷墨法等各种涂布法，作为干式成膜法的具体例：真空蒸镀法、溅射法、等离子体法、离子电镀法等，但不限于此。

本发明所述有机发光器件可广泛应用于面板显示、照明光源、柔性OLED、电子纸、有机太阳能电池、有机感光体或有机薄膜晶体管、指示牌、信号灯等领域。

通过以下实施例，更详尽地解释本发明，但不希望因此限制本发明。在该描述的基础上，本领域普通技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下，在所公开的整个范围内实施本发明和制备根据本发明的其他化合物和器件。

化合物的制备及表征

原料、试剂以及表征设备的说明：

本发明对以下实施例中所采用的原料来源没有特别的限制，可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。

质谱使用英国沃特斯G2-Si四极杆串联飞行时间高分辨质谱仪，氯仿为溶剂；

元素分析使用德国Elementar公司的Vario EL cube型有机元素分析仪，样品质量为5～10mg；

合成实施例1：中间体M-1的制备：

中间体M1-1的制备：

在氮气保护下，将原料m-1(34.64g，180.00mmol)、联硼酸频那醇酯(50.79g，200.00mmol)、K₂CO₃(74.63g，540.00mmol)、Pd(PPh₃)₄(6.24g，5.40mmol)加到DMF(850mL)中，将上述反应物的混合溶液加热回流6h，反应结束后，待反应混合物冷却至室温，加入蒸馏水，用二氯甲烷萃取，静置分液，收集有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压蒸馏浓缩滤液，将所得固体用乙酸乙酯重结晶，干燥得到中间体M1-1(37.94g，88％)；HPLC纯度≧98.81％。质谱m/z：239.0871(理论值：239.0884)。

中间体M2-1的制备：

在氮气保护下，将原料n-1(31.52g，160.00mmol)、中间体M1-1(35.93g，150.00mmol)、K₂CO₃(41.46g，300.00mmol)、Pd(PPh₃)₄(3.47g，3.00mmol)加入570mL甲苯、190mL乙醇、190mL水中，将上述反应物的混合溶液加热回流5h，反应结束后，冷却至室温，抽滤得滤饼，将滤饼用甲苯/乙醇＝4：1重结晶，干燥得到中间体M2-1(28.25g，82％)；HPLC纯度≧99.87％。质谱m/z：229.0284(理论值：229.0294)。

中间体M-1的制备：

在氮气保护下，将中间体M2-1(27.56g，120.00mmol)、联硼酸频那醇酯(33.52g，132.00mmol)、K₂CO₃(49.75g，360.00mmol)、Pd(PPh₃)₄(4.16g，3.60mmol)加到DMF(560mL)中，将上述反应物的混合溶液加热回流3.5h，反应结束后，待反应混合物冷却至室温，加入蒸馏水，用二氯甲烷萃取，静置分液，收集有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压蒸馏浓缩滤液，将所得固体用乙酸乙酯重结晶，干燥得到中间体M-1(33.15g，86％)；HPLC纯度≧98.83％。质谱m/z：321.1545(理论值：321.1536)。

将原料进行相应的替换，按照合成实施例1中间体M-1的制备方法，即可制备中间体M，原料如下表所示：

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合成实施例2：化合物1的制备：

在氮气保护下，将g-1(9.44g，30.00mmol)、M-1(30.51g，95.00mmol)、K₂CO₃(14.51g，105.00mmol)加入到240ml四氢呋喃和60ml蒸馏水中，搅拌下加入Pd(PPh₃)₄(0.52g，0.45mmol)，将上述反应物的混合溶液加热回流5h，反应结束后，冷却至室温，加入蒸馏水，用二氯甲烷萃取，静置分液，收集有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压蒸馏浓缩滤液，降温析晶，抽滤，将所得固体用甲苯重结晶，得到化合物1(15.00g，76％)，HPLC纯度≧99.97％。质谱m/z：657.2069(理论值：657.2052)。理论元素含量(％)C₄₅H₂₇N₃O₃：C,82.18；H,4.14；N,6.39。实测元素含量(％)：C,82.21；H,4.11；N,6.43。

合成实施例3：化合物89的制备：

中间体I-89的制备：

在氮气保护下，将g-89(11.29g，50.00mmol)、A-89(12.40g，50.00mmol)、KOAc(9.81g，100.00mmol)加入到400ml四氢呋喃和100ml蒸馏水中，搅拌下加入Pd(dppf)Cl₂(0.37g，0.50mmol)，将上述反应物的混合溶液加热回流3h，反应结束后，冷却至室温，加入蒸馏水，用二氯甲烷萃取，静置分液，收集有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压蒸馏浓缩滤液，降温析晶，抽滤，将所得固体用乙酸乙酯重结晶，得到中间体I-89(13.97g，80％)，HPLC纯度≧99.84％。质谱m/z：348.0465(理论值：348.0473)。

化合物89的制备：

在氮气保护下，将I-89(10.48g，30.00mmol)、M-1(20.23g，63.00mmol)、K₂CO₃(10.37g，75.00mmol)加入到240ml四氢呋喃和60ml蒸馏水中，搅拌下加入Pd(PPh₃)₄(0.35g，0.30mmol)，将上述反应物的混合溶液加热回流4.5h，反应结束后，冷却至室温，加入蒸馏水，用二氯甲烷萃取，静置分液，收集有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压蒸馏浓缩滤液，降温析晶，抽滤，将所得固体用甲苯重结晶，得到化合物89(15.60g，78％)，HPLC纯度≧99.92％。质谱m/z：666.2322(理论值：666.2307)。理论元素含量(％)C₄₈H₃₀N₂O₂：C,86.46；H,4.54；N,4.20。实测元素含量(％)：C,86.50；H,4.59；N,4.17。

合成实施例4：化合物96的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的A-96，M-1替换为等摩尔的M-96，得到化合物96(13.81g)，HPLC纯度≧99.95％。质谱m/z：597.2424(理论值：597.2434)。理论元素含量(％)C₄₂H₁₉D₇N₂O₂：C,84.40；H,5.56；N,4.69。实测元素含量(％)：C,84.37；H,5.59；N,4.73。

合成实施例5：化合物97的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的A-97，M-1替换为等摩尔的M-97，得到化合物97(14.60g)，HPLC纯度≧99.97％。质谱m/z：648.2538(理论值：648.2525)。理论元素含量(％)C₄₄H₃₂N₄O₂：C,81.46；H,4.97；N,8.64。实测元素含量(％)：C,81.50；H,4.94；N,8.66。

合成实施例6：化合物98的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的A-98，M-1替换为等摩尔的M-98，得到化合物98(15.91g)，HPLC纯度≧99.91％。质谱m/z：716.2450(理论值：716.2464)。理论元素含量(％)C₅₂H₃₂N₂O₂：C,87.13；H,4.50；N,3.91。实测元素含量(％)：C,87.09；H,4.47；N,3.96。

合成实施例7：化合物110的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的A-110，M-1替换为等摩尔的M-110，得到化合物110(15.48g)，HPLC纯度≧99.94％。质谱m/z：716.2479(理论值：716.2464)。理论元素含量(％)C₅₂H₃₂N₂O₂：C,87.13；H,4.50；N,3.91。实测元素含量(％)：C,87.16；H,4.55；N,3.88。

合成实施例8：化合物124的制备：

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中间体I-124的制备：

在氮气保护下，将g-124(25.39g，80.00mmol)、A-124(16.57g，80.00mmol)、KOAc(15.70g，160.00mmol)加入到640ml四氢呋喃和160ml蒸馏水中，搅拌下加入Pd(dppf)Cl₂(0.59g，0.80mmol)，将上述反应物的混合溶液加热回流3.5h，反应结束后，冷却至室温，加入蒸馏水，用二氯甲烷萃取，静置分液，收集有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压蒸馏浓缩滤液，降温析晶，抽滤，将所得固体用乙酸乙酯重结晶，得到中间体I-124(22.29g，79％)，HPLC纯度≧99.83％。质谱m/z：351.0366(理论值：351.0376)。

中间体II-124的制备：

在氮气保护下，将I-124(17.64g，50.00mmol)、M-1(16.06g，50.00mmol)、KOAc(9.81g，100mmol)加入到400ml四氢呋喃和100ml蒸馏水中，搅拌下加入Pd(OAc)₂(0.11g，0.50mmol)，将上述反应物的混合溶液加热回流3h，反应结束后，冷却至室温，加入蒸馏水，用二氯甲烷萃取，静置分液，收集有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压蒸馏浓缩滤液，降温析晶，抽滤，将所得固体用乙酸乙酯重结晶，得到中间体II-124(17.75g，76％)，HPLC纯度≧99.87％。质谱m/z：466.1782(理论值：466.1798)。

化合物124的制备：

在氮气保护下，将II-124(14.01g，30.00mmol)、M-124(11.13g，33.00mmol)、K₂CO₃(8.29g，60.00mmol)加入到240ml四氢呋喃和60ml蒸馏水中，搅拌下加入Pd(PPh₃)₄(0.35g，0.30mmol)，将上述反应物的混合溶液加热回流4h。反应结束后，冷却至室温，加入蒸馏水，用二氯甲烷萃取，静置分液，收集有机层用无水硫酸镁干燥，过滤，减压蒸馏浓缩滤液，降温析晶，抽滤，将所得固体用甲苯重结晶，得到化合物124(13.48g，70％)，HPLC纯度≧99.98％。质谱m/z：641.2496(理论值：641.2487)。理论元素含量(％)C₄₄H₁₉D₉N₂OS：C,82.34；H,5.81；N,4.36。实测元素含量(％)：C,82.31；H,5.77；N,4.38。

合成实施例9：化合物160的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的A-160，M-1替换为等摩尔的M-160，得到化合物160(17.44g)，HPLC纯度≧99.93％。质谱m/z：818.2947(理论值：818.2933)。理论元素含量(％)C₆₀H₃₈N₂O₂：C,88.00；H,4.68；N,3.42。实测元素含量(％)：C,88.03；H,4.72；N,3.38。

合成实施例10：化合物168的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的A-168，M-1替换为等摩尔的M-168，得到化合物168(16.05g)，HPLC纯度≧99.96％。质谱m/z：742.2355(理论值：742.2369)。理论元素含量(％)C₅₂H₃₀N₄O₂：C,84.08；H,4.07；N,7.54。实测元素含量(％)：C,84.10；H,4.11；N,7.50。

合成实施例11：化合物173的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的A-173，M-1替换为等摩尔的M-173，得到化合物173(14.85g)，HPLC纯度≧99.92％。质谱m/z：668.2228(理论值：668.2212)。理论元素含量(％)C₄₆H₂₈N₄O₂：C,82.62；H,4.22；N,8.38。实测元素含量(％)：C,82.57；H,4.25；N,8.40。

合成实施例12：化合物180的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将g-89替换为等摩尔的g-180，A-89替换为等摩尔的A-180，得到化合物180(15.07g)，HPLC纯度≧99.91％。质谱m/z：727.3289(理论值：727.3278)。理论元素含量(％)C₅₂H₃₇D₃N₂O₂：C,85.80；H,5.95；N,3.85。实测元素含量(％)：C,85.78；H,5.98；N,3.89。

合成实施例13：化合物187的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的A-187，M-1替换为等摩尔的M-187，得到化合物187(15.69g)，HPLC纯度≧99.92％。质谱m/z：768.2516(理论值：768.2525)。理论元素含量(％)C₅₄H₃₂N₄O₂：C,84.36；H,4.20；N,7.29。实测元素含量(％)：C,84.40；H,4.17；N,7.31。

合成实施例14：化合物223的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的M-96，M-1替换为等摩尔的A-223，得到化合物223(15.41g)，HPLC纯度≧99.97％。质谱m/z：675.2550(理论值：675.2562)。理论元素含量(％)C₅₁H₃₃NO：C,90.64；H,4.92；N,2.07。实测元素含量(％)：C,90.66；H,4.89；N,2.11。

合成实施例15：化合物276的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的M-276，M-1替换为等摩尔的A-276，得到化合物276(14.83g)，HPLC纯度≧99.94％。质谱m/z：641.2185(理论值：641.2177)。理论元素含量(％)C₄₇H₃₁NS：C,87.95；H,4.87；N,2.18。实测元素含量(％)：C,87.91；H,4.90；N,2.20。

合成实施例16：化合物288的制备：

按照与合成实施例8相同的制备方法，将A-124替换为等摩尔的A-288，M-1替换为等摩尔的B-288，M-124替换为等摩尔的M-288，得到化合物288(13.73g)，HPLC纯度≧99.93％。质谱m/z：635.3141(理论值：635.3126)。理论元素含量(％)C₄₇H₃₃D₄NO：C,88.78；H,6.50；N,2.20。实测元素含量(％)：C,88.81；H,6.46；N,2.15。

合成实施例17：化合物291的制备：

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按照与合成实施例8相同的制备方法，将A-124替换为等摩尔的A-291，M-1替换为等摩尔的B-291，M-124替换为等摩尔的M-291，得到化合物291(13.56g)，HPLC纯度≧99.91％。质谱m/z：645.2798(理论值：645.2780)。理论元素含量(％)C₄₆H₃₅N₃O：C,85.55；H,5.46；N,6.51。实测元素含量(％)：C,85.58；H,5.50；N,6.49。

合成实施例18：化合物330的制备：

按照与合成实施例8相同的制备方法，将A-124替换为等摩尔的A-223，M-1替换为等摩尔的B-330，M-124替换为等摩尔的M-1，得到化合物330(15.11g)，HPLC纯度≧99.94％。质谱m/z：689.2341(理论值：689.2355)。理论元素含量(％)C₅₁H₃₁NO₂：C,88.80；H,4.53；N,2.03。实测元素含量(％)：C,88.77；H,4.49；N,2.08。

合成实施例19：化合物476的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的M-1，M-1替换为等摩尔的A-476，得到化合物476(14.99g)，HPLC纯度≧99.98％。质谱m/z：703.2130(理论值：703.2147)。理论元素含量(％)C₅₁H₂₉NO₃：C,87.04；H,4.15；N,1.99。实测元素含量(％)：C,87.08；H,4.12；N,1.94。

合成实施例20：化合物499的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将g-89替换为等摩尔的g-499，A-89替换为等摩尔的M-499，M-1替换为等摩尔的A-499，得到化合物499(17.37g)，HPLC纯度≧99.95％。质谱m/z：863.2076(理论值：863.2065)。理论元素含量(％)C₅₉H₃₃N₃OS₂：C,82.01；H,3.85；N,4.86。实测元素含量(％)：C,82.04；H,3.81；N,4.90。

合成实施例21：化合物508的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的M-508，M-1替换为等摩尔的A-508，得到化合物508(17.63g)，HPLC纯度≧99.91％。质谱m/z：903.3268(理论值：903.3250)。理论元素含量(％)C₆₇H₄₁N₃O：C,89.01；H,4.57；N,4.65。实测元素含量(％)：C,89.03；H,4.60；N,4.61。

合成实施例22：化合物516的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的M-516，M-1替换为等摩尔的M-124，得到化合物516(15.48g)，HPLC纯度≧99.93％。质谱m/z：706.1331(理论值：706.1320)。理论元素含量(％)C₄₄H₂₆N₄S₃：C,74.76；H,3.71；N,7.93。实测元素含量(％)：C,74.78；H,3.68；N,7.89。

合成实施例23：化合物538的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的A-223，M-1替换为等摩尔的M-538，得到化合物538(15.73g)，HPLC纯度≧99.96％。质谱m/z：698.1832(理论值：698.1850)。理论元素含量(％)C₄₈H₃₀N₂S₂：C,82.49；H,4.33；N,4.01。实测元素含量(％)：C,82.51；H,4.30；N,4.05。

合成实施例24：化合物552的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的A-552，M-1替换为等摩尔的M-552，得到化合物552(17.28g)，HPLC纯度≧99.92％。质谱m/z：822.2150(理论值：822.2163)。理论元素含量(％)C₅₈H₃₄N₂S₂：C,84.64；H,4.16；N,3.40。实测元素含量(％)：C,84.67；H,4.20；N,3.36。

合成实施例25：化合物580的制备：

按照与合成实施例8相同的制备方法，将A-124替换为等摩尔的A-580，M-1替换为等摩尔的B-580，M-124替换为等摩尔的M-580，得到化合物580(14.48g)，HPLC纯度≧99.94％。质谱m/z：679.2091(理论值：679.2082)。理论元素含量(％)C₄₈H₂₉N₃S：C,84.80；H,4.30；N,6.18。实测元素含量(％)：C,84.77；H,4.34；N,6.20。

合成实施例26：化合物587的制备：

按照与合成实施例8相同的制备方法，将A-124替换为等摩尔的A-587，M-1替换为等摩尔的B-587，M-124替换为等摩尔的M-587，得到化合物587(16.48g)，HPLC纯度≧99.97％。质谱m/z：807.2945(理论值：807.2960)。理论元素含量(％)C₆₀H₄₁NS：C,89.18；H,5.11；N,1.73。实测元素含量(％)：C,89.21；H,5.07；N,1.76。

合成实施例27：化合物588的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将g-89替换为等摩尔的g-588，A-89替换为等摩尔的A-588，M-1替换为等摩尔的M-538，得到化合物588(15.78g)，HPLC纯度≧99.95％。质谱m/z：710.1864(理论值：710.1850)。理论元素含量(％)C₄₉H₃₀N₂S₂：C,82.79；H,4.25；N,3.94。实测元素含量(％)：C,82.82；H,4.29；N,3.92。

合成实施例28：化合物615的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的M-124，M-1替换为等摩尔的A-223，得到化合物615(15.57g)，HPLC纯度≧99.96％。质谱m/z：691.2350(理论值：691.2334)。理论元素含量(％)C₅₁H₃₃NS：C,88.53；H,4.81；N,2.02。实测元素含量(％)：C,88.50；H,4.79；N,2.06。

合成实施例29：化合物621的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的M-621，M-1替换为等摩尔的A-621，得到化合物621(14.53g)，HPLC纯度≧99.91％。质谱m/z：672.2588(理论值：672.2599)。理论元素含量(％)C₄₈H₃₆N₂S：C,85.68；H,5.39；N,4.16。实测元素含量(％)：C,85.71；H,5.43；N,4.11。

合成实施例30：化合物626的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的M-626，M-1替换为等摩尔的A-626，得到化合物626(13.49g)，HPLC纯度≧99.93％。质谱m/z：615.2039(理论值：615.2021)。理论元素含量(％)C₄₅H₂₉NS：C,87.77；H,4.75；N,2.27。实测元素含量(％)：C,87.80；H,4.71；N,2.32。

合成实施例31：化合物659的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的A-659，M-1替换为等摩尔的M-538，得到化合物659(15.40g)，HPLC纯度≧99.98％。质谱m/z：712.1656(理论值：712.1643)。理论元素含量(％)C₄₈H₂₈N₂OS₂：C,80.87；H,3.96；N,3.93。实测元素含量(％)：C,80.90；H,3.91；N,3.89。

合成实施例32：化合物669的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的A-669，M-1替换为等摩尔的M-669，得到化合物669(15.05g)，HPLC纯度≧99.96％。质谱m/z：716.1434(理论值：716.1453)。理论元素含量(％)C₄₄H₂₄N₆OS₂：C,73.72；H,3.37；N,11.72。实测元素含量(％)：C,73.69；H,3.40；N,11.76。

合成实施例33：化合物670的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将g-89替换为等摩尔的g-670，A-89替换为等摩尔的A-670，得到化合物670(14.93g)，HPLC纯度≧99.93％。质谱m/z：681.2063(理论值：681.2052)。理论元素含量(％)C₄₇H₂₇N₃O₃：C,82.80；H,3.99；N,6.16。实测元素含量(％)：C,82.76；H,3.97；N,6.21。

合成实施例34：化合物677的制备：

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按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的A-677，M-1替换为等摩尔的M-538，得到化合物677(14.91g)，HPLC纯度≧99.94％。质谱m/z：662.1471(理论值：662.1487)。理论元素含量(％)C₄₄H₂₆N₂OS₂：C,79.73；H,3.95；N,4.23。实测元素含量(％)：C,79.69；H,3.98；N,4.18。

合成实施例35：化合物709的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将g-89替换为等摩尔的g-709，A-89替换为等摩尔的M-709，M-1替换为等摩尔的A-709，得到化合物709(16.06g)，HPLC纯度≧99.97％。质谱m/z：775.2142(理论值：775.2152)。理论元素含量(％)C₅₂H₂₉DN₄O₂S：C,80.50；H,4.03；N,7.22。实测元素含量(％)：C,80.47；H,4.07；N,7.18。

合成实施例36：化合物727的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的M-124，M-1替换为等摩尔的B-330，得到化合物727(15.33g)，HPLC纯度≧99.92％。质谱m/z：719.1936(理论值：719.1919)。理论元素含量(％)C₅₁H₂₉NO₂S：C,85.09；H,4.06；N,1.95。实测元素含量(％)：C,85.11；H,4.02；N,1.98。

合成实施例37：化合物734的制备：

按照与合成实施例3相同的制备方法，将A-89替换为等摩尔的M-734，M-1替换为等摩尔的A-734，得到化合物734(15.34g)，HPLC纯度≧99.95％。质谱m/z：751.1451(理论值：751.1462)。理论元素含量(％)C₅₁H₂₉NS₃：C,81.46；H,3.89；N,1.86。实测元素含量(％)：C,81.48；H,3.93；N,1.81。

合成实施例38：化合物778的制备：

按照与合成实施例8相同的制备方法，将g-124替换为等摩尔的g-778，A-124替换为等摩尔的A-778，M-1替换为等摩尔的B-778，M-124替换为等摩尔的M-778，得到化合物778(17.39g)，HPLC纯度≧99.90％。质谱m/z：864.3517(理论值：864.3504)。理论元素含量(％)C₆₆H₄₄N₂：C,91.63；H,5.13；N,3.24。实测元素含量(％)：C,91.60；H,5.09；N,3.25。

[器件实施例1]

首先，将ITO/Ag/ITO基板放在蒸馏水中清洗3次，超声波洗涤15分钟，蒸馏水清洗结束后，异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂按顺序超声波洗涤以后，120℃烘干干燥。

采用真空蒸镀的方法，在已经清洗好的ITO/Ag/ITO基板上蒸镀厚度为35nm的HI-1:P-1＝93:3(掺杂质量比)作为空穴注入层材料；在该空穴注入层上蒸镀厚度为80nm的HT-1作为空穴传输层材料；在该空穴传输层上蒸镀RH-1:RD-1＝98:2(质量比)作为发光层，蒸镀厚度为40nm；在发光层上蒸镀HB-1作为空穴阻挡层材料，蒸镀厚度为40nm；

在该空穴阻挡层上蒸镀ET-1与Liq(掺杂质量比为1:1)作为电子传输层材料，蒸镀厚度为30nm；在该电子传输层上，蒸镀LiF作为电子注入层，蒸镀厚度为1.0nm；然后在该电子注入层上蒸镀Mg:Ag＝1:9(质量比为1:1)作为阴极，蒸镀厚度为11nm；然后在阴极上蒸镀化合物1作为覆盖层，蒸镀厚度为70nm，从而制备有机电致发光器件。

[器件实施例2-37]

用本发明化合物89、化合物96、化合物97、化合物98、化合物110、化合物124、化合物160、化合物168、化合物173、化合物180、化合物187、化合物223、化合物276、化合物288、化合物291、化合物330、化合物476、化合物499、化合物508、化合物516、化合物538、化合物552、化合物580、化合物587、化合物588、化合物615、化合物621、化合物626、化合物659、化合物669、化合物670、化合物677、化合物709、化合物727、化合物734、化合物778分别代替器件实施例1中的化合物1作为覆盖层，除此之外，通过与器件实施例1相同的制备方法，制备有机电致发光器件。

[对比器件实施例1-2]

用对比化合物1或对比化合物2分别替代器件实施例1中的化合物1作为覆盖层，除此之外，通过与器件实施例1相同的制备方法，制备有机电致发光器件。

将测试软件、计算机、美国Keithley公司生产的K2400数字源表和美国PhotoResearch公司的PR788光谱扫描亮度计组成一个联合IVL测试***来测试有机电致发光器件的发光效率。寿命的测试采用McScience公司的M6000 OLED寿命测试***。测试的环境为大气环境，温度为室温。

本发明器件实施例1～37，对比实施例1～2所得有机电致发光器件的发光特性测试结果如下表1所示。

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根据表1的数据结果可以看出，将本发明的覆盖层化合物应用于有机电致发光器件中作为覆盖层材料，与对比器件实施例1-2相比较，可以有效提高器件的光取出效率，减少器件内部光的全反射现象，而增加有机电致发光器件的发光效率和使用寿命。

应当指出，本发明用个别实施方案进行了特别描述，但在不脱离本发明原理的前提下，本领域普通技术人可对本发明进行各种形式或细节上的改进，这些改进也落入本发明的保护范围内。