CN116262985A - 二维原子晶体及其生长方法 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种二维原子晶体及其生长方法，方法包括：在第一衬底上生长固态源薄膜；将第二衬底与第一衬底叠放后置于加热炉中，其中，固态源薄膜位于第一衬底和第二衬底之间；在保护气体气氛下，将加热炉加热至反应温度，保持反应温度时间T后，降至室温，以在第二衬底上生长得到二维原子晶体。本公开的二维原子晶体生长方法工艺简便，直接在介质衬底上生长得到的六方氮化硼二维原子晶体晶格取向单一，结晶质量极高。生长过程清洁环保，对生产设备的要求低，成本低廉，便于工业化推广。

Description

二维原子晶体及其生长方法

技术领域

本公开涉及材料制备技术领域，尤其涉及一种二维原子晶体及其生长方法。

背景技术

伴随着石墨烯研究的深入，其他二维原子晶体诸如六方氮化硼(Hexagonal boronnitride，h-BN)、过渡金属硫族化合物(Transition Metal Dichalcogenides，TMDs)、黑磷、硅烯、锗烯等也逐渐进入科研工作者的视野。其中，六方氮化硼作为二维材料，具有原子级平整的表面、极少表面悬挂键及陷阱电荷、低的介电常数，是其他二维材料器件理想的衬底和栅介质及包覆层；另一方面其作为一种宽禁带半导体，具有良好的绝缘性、高的吸收系数、高热导率，这些性质使其在高温、高频、大功率电子器件以及深紫外光电器件方面具有良好的应用前景。

现有生长h-BN的衬底分为金属衬底和介质衬底。由于金属衬底具有催化特性，所以在金属衬底上可以得到结晶质量较高的单晶畴。但是当h-BN铺满整个衬底的时候，金属的催化活性会受到极大的限制，从而产生自限效应，所以通常金属衬底上生长的h-BN厚度较薄，限制了h-BN在高功率器件方面的应用，而且在金属衬底上生长的h-BN在进行后续测试及器件制作之前需要先转移到介质衬底上，转移过程会引入杂质和缺陷，导致转移后的样品质量下降，不利于基于h-BN器件性能的提升。而介质衬底由于缺乏催化活性，在上面生长的h-BN质量一般比较差，从目前已经发表的一些论文来看，直接在介质衬底上生长的BN相比于在金属衬底上生长的样品，其Raman光谱的特征峰半高宽较大，HRTEM里基本看不到连续的层状结构，说明直接在介质衬底上生长的样品质量较差。并且在介质衬底上大面积生长h-BN一般采用MOCVD设备，而MOCVD前驱体有毒、副产物多、生长参数相互关联，较难控制。因而，实现大面积高质量的六方氮化硼二维原子晶体的生长仍需进一步研究。

发明内容

(一)要解决的技术问题

针对现有的技术问题，本公开提供一种二维原子晶体及其生长方法，用于至少部分解决以上技术问题。

(二)技术方案

本公开提供一种二维原子晶体生长方法，包括：在第一衬底上生长固态源薄膜；将第二衬底与第一衬底叠放后置于加热炉中，其中，固态源薄膜位于第一衬底和第二衬底之间；在保护气体气氛下，将加热炉加热至反应温度，保持反应温度时间T后，降至室温，以在第二衬底上生长得到二维原子晶体。

可选地，第一衬底采用金属衬底或介质衬底，第二衬底采用介质衬底。

可选地，介质衬底采用氧化铝或氧化锆。

可选地，固态源薄膜采用氮化硼或硼单质。

可选地，氮化硼采用六方氮化硼。

可选地，采用物理气相沉积，化学气相沉积，分子束外延或液相沉积中的任意一种方法在第一衬底上生长固态源薄膜。

可选地，在保护气体气氛下，将加热炉加热至反应温度，保持反应温度时间T后，降至室温，在第二衬底上生长得到二维原子晶体包括：将加热炉抽真空至1Pa以下，以第一速率通入氩气或氮气至常压，重复抽真空通保护气体4-6次后，将加热炉以第二速率加热至1350℃-1750℃；固定通气速率不变，保持反应温度0.5h-4h，以第三速率降温至500℃后，自然冷却至室温，得到二维原子晶体；其中，第一速率采用40sccm-400sccm，第二速率小于等于5℃/min，第三速率小于等于3℃/min。

可选地，在第一衬底上生长一层厚度大于等于30nm的固态源薄膜。

可选地，在第一衬底上生长固态源薄膜之前，二维原子晶体生长方法还包括：将第一衬底与第二衬底依次置于丙酮、异丙醇、乙醇和去离子水中超声清洗并用氮气吹干。

本公开另一方面提供一种二维原子晶体，采用本公开任一实施例的二维原子晶体生长方法制备得到。

(三)有益效果

本公开提供一种二维原子晶体生长方法，通过将介质衬底叠放在表面含有固态硼源的另一衬底上，在加热炉中通过加热蒸发固态硼源的方式，即可在介质衬底的表面生长出高质量的六方氮化硼二维原子晶体。本公开的二维原子晶体生长方法工艺简便，直接在介质衬底上生长高质量的六方氮化硼二维原子晶体，减少了转移过程可能引入的杂质和缺陷，生长得到的六方氮化硼二维原子晶体晶格取向单一，结晶质量极高。生长过程清洁环保，对生产设备的要求低，成本低廉，便于工业化推广。

附图说明

通过以下参照附图对本公开实施例的描述，本公开的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1示意性示出了根据本公开实施例的二维原子晶体的生长方法流程图；

图2示意性示出了根据本公开实施例的二维原子晶体的生长装置结构图；

图3示意性示出了根据本公开实施例的二维原子晶体的SEM图；

图4示意性示出了根据本公开实施例的二维原子晶体的AFM图；

图5示意性示出了根据本公开实施例的二维原子晶体的TEM图；

图6示意性示出了根据本公开实施例的二维原子晶体的拉曼光谱图；

图7示意性示出了根据本公开实施例的二维原子晶体的XRD谱图；

图8示意性示出了根据本公开另一实施例的二维原子晶体的拉曼光谱图；

图9示意性示出了根据本公开又一实施例的二维原子晶体的拉曼光谱图；

图10示意性示出了根据本公开又一实施例的二维原子晶体的拉曼光谱图。

【附图标记说明】

1-保护气体源

2-第一衬底

3-固态源薄膜

4-第二衬底

5-加热炉

6-真空泵

7-通气阀门

8-铂保护层

9-h-BN二维原子晶体

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。

需要说明的是，在附图或说明书描述中，相似或相同的部分都使用相同的图号。说明书中示例的各个实施例中的技术特征在无冲突的前提下可以进行自由组合形成新的方案，另外每个权利要求可以单独作为一个实施例或者各个权利要求中的技术特征可以进行组合作为新的实施例，且在附图中，实施例的形状或是厚度可扩大，并以简化或是方便标示。再者，附图中未绘示或描述的元件或实现方式，为所属技术领域中普通技术人员所知的形式。另外，虽然本文可提供包含特定值的参数的示范，但应了解，参数无需确切等于相应的值，而是可在可接受的误差容限或设计约束内近似于相应的值。

除非存在技术障碍或矛盾，本公开的上述各种实施方式可以自由组合以形成另外的实施例，这些另外的实施例均在本公开的保护范围中。

虽然结合附图对本公开进行了说明，但是附图中公开的实施例旨在对本公开优选实施方式进行示例性说明，而不能理解为对本公开的一种限制。附图中的尺寸比例仅仅是示意性的，并不能理解为对本公开的限制。

虽然本公开总体构思的一些实施例已被显示和说明，本领域普通技术人员将理解，在不背离本总体公开构思的原则和精神的情况下，可对这些实施例做出改变，本公开的范围以权利要求和它们的等同物限定。

图1示意性示出了根据本公开实施例的二维原子晶体的生长方法流程图。

根据本公开的实施例，如图1所示，二维原子晶体的生长方法例如包括：

S110，在第一衬底上生长固态源薄膜。

根据本公开的实施例，为了保证相关衬底的清洁，避免引入杂质，在步骤S110之前，可以加入步骤S100，将第一衬底与第二衬底依次置于丙酮、异丙醇、乙醇和去离子水中超声清洗并用氮气吹干，得到洁净的第一衬底与第二衬底。第一衬底为提供固态源(例如为六方氮化硼)的载体，例如可以是金属衬底或介质衬底，其中，金属衬底例如可以采用Cu、Ni、Pt等，介质衬底例如可以采用氧化铝(例如蓝宝石)或氧化锆等。第二衬底为生长二维原子晶体的载体，本公开的目的之一是在介质衬底上直接生长二维原子晶体，以避免对二维原子晶体进行衬底转移而引入杂质，因而第二衬底例如选取介质衬底。

根据本公开的实施例，获取洁净的介质衬底后，例如通过物理成膜或化学成膜的方法在介质衬底上生长一层六方氮化硼(Hexagonal boron nitride，h-BN)或B薄膜。其中，物理成膜或化学成膜的方法包括但不限于：物理气相沉积，化学气相沉积，分子束外延和液相沉积。在介质衬底上生长的h-BN或者B薄膜厚度例如不小于30nm，作为固态源，为另一洁净衬底(即第二衬底)提供生长二维原子晶体所需要的原料。

S120，将第二衬底与第一衬底叠放后置于加热炉中，其中，固态源薄膜位于第一衬底和第二衬底之间。

图2示意性示出了根据本公开实施例的二维原子晶体的生长装置结构图。

根据本公开的实施例，将一空白的洁净介质衬底(即第二衬底)与第一衬底上的固态源面对面叠放后，放入加热炉，例如为管式炉中。如图2所示，二维原子晶体的生长装置例如包括保护气体源1，加热炉5和真空泵6。叠放在一起的第一衬底2和第二衬底4放置于加热炉5的炉腔中，固态源薄膜3生长在第一衬底2上，并且位于第一衬底2和第二衬底4之间。图2中第一衬底2和第二衬底4的相对位置只是示意性的，也可以是第1衬底叠放在第二衬底4上，或其他摆放方式，只需要保证两者叠放后，固态源薄膜3位于第一衬底2和第二衬底4之间即可。

可以理解的是，为了提高第二衬底4上的二维原子晶体的生长质量，可以将第二衬底4与第一衬底2尽量结合紧密，例如可以将其放入坩埚中，通过坩埚盖的压力使其压合紧密，并形成一个相对稳定的反应空间，减小固态源的蒸发以及在第二衬底4上凝结沉积受气流扰动的影响，以得到高质量的六方氮化硼二维原子晶体。

S130，在保护气体气氛下，将加热炉加热至反应温度，保持反应温度时间T后，降至室温，以在第二衬底上生长得到二维原子晶体。

根据本公开的实施例，例如通过抽真空后通保护气的方式在管式炉中形成保护气体气氛。具体操作例如采用：用真空泵将管式炉炉管内的压力抽至1Pa以下，然后关闭真空泵并通入氩气或者氮气至常压，重复抽冲4-6次，排除炉管内的其他气体杂质，使两个衬底处在高纯度的保护气体气氛中。通入氩气或者氮气的通气流量范围例如为40-400sccm，保持通气流量不变，加热管式炉到反应温度，加热速率例如不大于5℃/min，反应温度范围例如为1350-1750℃。然后，保持反应温度不变，使固态源发生蒸发，不断吸附在第二衬底表面，或者与氮气发生反应后，吸附在第二衬底表面，保持反应温度不变的时间例如为0.5-4h，使第二衬底的二维原子晶体生长表面充分吸附氮化硼气体以及使二维原子晶体的生长表面处在高浓度的氮化硼气体氛围中。随后，例如以不大于3℃/min的速率将管式炉从反应温度降至500℃，使得在第二衬底的二维原子晶体生长表面上慢慢凝结沉积(结晶)出六方氮化硼二维原子晶体。最后，自然冷却至室温，完成介质衬底上直接生长高质量的六方氮化硼二维原子晶体。相比于MBE等技术，本公开的二维原子晶体生长方法不需要提供有毒前驱体，生长过程清洁环保，生长工艺简便易操作，无其他毒害副产物，不存在有毒有害尾气，不需要经过复杂的化学反应就可以在介质衬底上直接生长高质量的六方氮化硼二维原子晶体，为高质量六方氮化硼二维原子晶体的进一步应用奠定了基础。

下面以具体实施例对本公开的二维原子晶体生长方法进行详细描述。

实施例1

首先将2inch的蓝宝石衬底在丙酮、异丙醇、乙醇、去离子水中依次超声清洗20min，用氮***吹干后待用。通过脉冲激光沉积设备在蓝宝石衬底上生长一层h-BN薄膜作为固态源，薄膜厚度约为100nm。将另一空白蓝宝石衬底面对面堆叠在h-BN固态源之上，然后将该堆叠结构放入管式炉中。使用真空泵从管式炉一端将炉管内压强抽至1Pa以下，然后关闭真空泵并从管式炉的另一端通入氩气使炉管内压强升至常压。反复抽气通气4-6次后，在400sccm的氩气气流下以不大于5℃/min的升温速率分段将管式炉温度升至1600℃，并在1600℃下保温1h，然后以不大于3℃/min的速率分段降温至500℃，再自然冷却至室温，最终在空白蓝宝石衬底上得到高质量的六方氮化硼二维原子晶体。

图3示意性示出了根据本公开实施例的二维原子晶体的SEM图。

图4示意性示出了根据本公开实施例的二维原子晶体的AFM图。

根据本公开的实施例，对上述实施例1中得到的六方氮化硼二维原子晶体样品进行了表面形貌的测试，请参见图3和图4，分别为上述实施例1中在蓝宝石衬底上生长得到的h-BN二维原子晶体的典型SEM(scanning electron microscope，扫描电子显微镜)图和AFM(Atomic Force Microscope，原子力显微镜)图。结合样品的SEM及AFM，通过分析，得到样品的表面粗糙度约为1nm。可知通过本公开提供的方法生长的六方氮化硼二维原子晶体的表面起伏很小，表现出较好的均匀性。

图5示意性示出了根据本公开实施例的二维原子晶体的TEM图。

根据本公开的实施例，为了进一步分析上述实施例1中得到样品的结晶质量，对其进行了截面高分辨TEM(Transmission Electron Microscope，透射电子显微镜)测试，请参考图5，其中，做TEM制样前需要喷金属铂保护一下，得到的层状样品例如包括铂保护层8，h-BN二维原子晶体9和第二衬底4。从图5可以看出，在蓝宝石衬底(即第二衬底4)上得到了10层左右的约3.5nm厚的六方氮化硼二维原子晶体，通过截面TEM可以看出，本公开提供的方法生长的六方氮化硼二维原子晶体样品层状结构分明，有较高的结晶质量。控制生长条件，可以得到六方氮化硼二维原子晶体的生长厚度例如在3nm-100nm之间。

图6示意性示出了根据本公开实施例的二维原子晶体的拉曼光谱图。

根据本公开的实施例，从图6中可以看出样品在1366.62cm^-1处有一个特征峰，对应h-BN的E_2g振动模式，该特征峰的半高宽为13.1cm^-1，与在金属衬底上生长的h-BN样品的拉曼特征峰半高宽相当，可见本公开实施例1中生长的二维原子晶体样品有极高的结晶质量，且不需要转移过程，减少了杂质和缺陷的引入，进一步保证了样品的高结晶性。

图7示意性示出了根据本公开实施例的二维原子晶体的XRD谱图。

根据本公开的实施例，为了进一步确定上述实施例1中蓝宝石衬底上得到样品的晶格取向，对其进行了XRD(diffraction of x-rays，X射线衍射)测试，请参考图7。在26.7°处的衍射峰对应h-BN的(002)面，55.1°处的衍射峰对应h-BN的(004)面，且无其他面的杂峰出现，(002)面处特征峰的摇摆曲线半高宽为0.43°。XRD测试结果表明本公开提供的蓝宝石衬底上生长的六方氮化硼二维原子晶体有高质量的单一晶格取向，有利于六方氮化硼的进一步应用。

实施例2

首先将2inch的蓝宝石衬底在丙酮、异丙醇、乙醇、去离子水中依次超声清洗20min，用氮***吹干后待用。通过脉冲激光沉积设备在蓝宝石衬底上生长一层h-BN薄膜作为固态源，薄膜厚度约为40nm。将另一空白氧化锆衬底面对面堆叠在h-BN固态源之上，然后将该堆叠结构放入管式炉中。使用真空泵从管式炉一端将炉管内压强抽至1Pa以下，然后关闭真空泵并从管式炉的另一端通入氮气使炉管内压强升至常压，反复抽气通气4-6次后，在200sccm的氮气气流下以不大于5℃/min的升温速率分段将管式炉温度升至1350℃，并在1350℃下保温4h，然后以不大于3℃/min的速率分段降温至500℃，再自然冷却至室温，最终在空白氧化锆衬底上生长得到高质量的六方氮化硼二维原子晶体。

图8示意性示出了根据本公开另一实施例的二维原子晶体的拉曼光谱图。

根据本公开的实施例，通过上述实施例2生长得到的六方氮化硼二维原子晶体样品的拉曼光谱，如图8所示。可以看出，该h-BN二维原子晶体的特征峰位于1368.71cm^-1，峰半高宽为17.5cm^-1，可知本实施例中在氧化锆衬底上得到的六方氮化硼二维原子晶体样品有极高的结晶质量，为其进一步的应用提供了有力的保证。

实施例3

首先将2inch蓝宝石衬底在丙酮、异丙醇、乙醇、去离子水中依次超声清洗20min，用氮***吹干后待用。通过脉冲激光沉积设备在蓝宝石衬底上生长一层h-BN薄膜作为固态源，薄膜厚度约为200nm。将另一空白蓝宝石衬底面对面堆叠在h-BN固态源之上，然后将该堆叠结构放入管式炉中。使用真空泵从管式炉一端将炉管内压强抽至1Pa以下，然后关闭真空泵并从管式炉的另一端通入氩气使炉管内压强升至常压，反复抽气通气4-6次后，在100sccm的氩气气流下以不大于5℃/min的升温速率分段将管式炉温度升至1750℃，并在1750℃下保温0.5h，然后以不大于3℃/min的速率分段降温至500℃，自然冷却至室温，最终在空白蓝宝石衬底上得到高质量的六方氮化硼二维原子晶体。

图9示意性示出了根据本公开又一实施例的二维原子晶体的拉曼光谱图。

根据本公开的实施例，通过上述实施例3生长得到的六方氮化硼二维原子晶体样品的拉曼光谱，如图9所示。可以看出，该h-BN二维原子晶体的特征峰位于1367.45cm^-1，峰半高宽为12.5cm^-1，可知本实施例中在蓝宝石衬底上得到的六方氮化硼二维原子晶体样品也有极高的结晶质量。

实施例4

首先将2inch蓝宝石衬底在丙酮、异丙醇、乙醇、去离子水中依次超声清洗20min，用氮***吹干后待用。通过脉冲激光沉积设备在蓝宝石衬底上生长一层B薄膜作为固态源，薄膜厚度约为50nm。将另一空白蓝宝石衬底面对面堆叠在B固态源之上，然后将该堆叠结构放入管式炉中。使用真空泵从管式炉一端将炉管内压强抽至1Pa以下，然后关闭真空泵并从管式炉的另一端通入氮气使炉管内压强升至常压，反复抽气通气4-6次后，在400sccm的氮气气流下以不大于5℃/min的升温速率分段将管式炉温度升至1600℃，并在1600℃下保温1h，然后以不大于3℃/min的速率分段降温至500℃，自然冷却至室温，最终在空白蓝宝石衬底上得到高质量的六方氮化硼二维原子晶体。

图10示意性示出了根据本公开又一实施例的二维原子晶体的拉曼光谱图。

根据本公开的实施例，通过上述实施例4生长得到的六方氮化硼二维原子晶体样品的拉曼光谱，如图10所示。可以看出，该h-BN二维原子晶体的特征峰位于1366.92cm^-1，峰半高宽为9.8cm^-1，可知本实施例中在蓝宝石衬底上得到的六方氮化硼二维原子晶体样品也有极高的结晶质量。

综上所述，本公开实施例提出一种二维原子晶体生长方法，通过将介质衬底叠放在表面含有固态硼源的另一衬底上，在加热炉中通过加热蒸发固态硼源的方式，即可在介质衬底的表面生长出高质量的六方氮化硼二维原子晶体。本公开的二维原子晶体生长方法工艺简便，生长得到的六方氮化硼二维原子晶体晶格取向单一，结晶质量极高。生长过程清洁环保，对生产设备的要求低，成本低廉，便于工业化推广。

本公开另一方面提供一种二维原子晶体，采用本公开上述任一实施例的二维原子晶体生长方法制备得到。

应该明白，公开的过程中的步骤的特定顺序或层次是示例性方法的实例。基于设计偏好，应该理解，过程中的步骤的特定顺序或层次可以在不脱离本公开的保护范围的情况下得到重新安排。所附的方法权利要求以示例性的顺序给出了各种步骤的要素，并且不是要限于的特定顺序或层次。

还需要说明的是，实施例中提到的方向术语，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向，并非用来限制本公开的保护范围。贯穿附图，相同的元素由相同或相近的附图标记来表示。可能导致本公开的理解造成混淆时，将省略常规结构或构造。并且图中各部件的形状、尺寸、位置关系不反映真实大小、比例和实际位置关系。

在上述的详细描述中，各种特征一起组合在单个的实施方案中，以简化本公开。不应该将这种公开方法解释为反映了这样的意图，即，所要求保护的主题的实施方案需要比清楚地在每个权利要求中所陈述的特征更多的特征。相反，如所附的权利要求书所反映的那样，本公开处于比所公开的单个实施方案的全部特征少的状态。因此，所附的权利要求书特此清楚地被并入详细描述中，其中每项权利要求独自作为本公开单独的优选实施方案。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。因此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个、三个等，除非另有明确具体的限定。就说明书或权利要求书中使用的术语“包含”，该词的涵盖方式类似于术语“包括”，就如同“包括，”在权利要求中用作衔接词所解释的那样。使用在权利要求书的说明书中的任何一个术语“或者”是要表示“非排它性的或者”。

以上所述的具体实施例，对本公开的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本公开的具体实施例而已，并不用于限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种二维原子晶体生长方法，包括：

在第一衬底上生长固态源薄膜；

将第二衬底与所述第一衬底叠放后置于加热炉中，其中，所述固态源薄膜位于所述第一衬底和所述第二衬底之间；

在保护气体气氛下，将所述加热炉加热至反应温度，保持所述反应温度时间T后，降至室温，以在所述第二衬底上生长得到所述二维原子晶体。

2.根据权利要求1所述的二维原子晶体生长方法，所述第一衬底采用金属衬底或介质衬底，所述第二衬底采用介质衬底。

3.根据权利要求2所述的二维原子晶体生长方法，所述介质衬底采用氧化铝或氧化锆。

4.根据权利要求1所述的二维原子晶体生长方法，所述固态源薄膜采用氮化硼或硼单质。

5.根据权利要求4所述的二维原子晶体生长方法，所述氮化硼采用六方氮化硼。

6.根据权利要求1所述的二维原子晶体生长方法，采用物理气相沉积，化学气相沉积，分子束外延或液相沉积中的任意一种方法在所述第一衬底上生长所述固态源薄膜。

7.根据权利要求1所述的二维原子晶体生长方法，所述在保护气体气氛下，将所述加热炉加热至反应温度，保持所述反应温度时间T后，降至室温，在所述第二衬底上生长得到所述二维原子晶体包括：

将所述加热炉抽真空至1Pa以下，以第一速率通入氩气或氮气至常压，重复抽真空通保护气体4-6次后，将所述加热炉以第二速率加热至1350℃-1750℃；

固定通气速率不变，保持所述反应温度0.5h-4h，以第三速率降温至500℃后，自然冷却至室温，得到所述二维原子晶体；

其中，所述第一速率采用40sccm-400sccm，所述第二速率小于等于5℃/min，所述第三速率小于等于3℃/min。

8.根据权利要求1所述的二维原子晶体生长方法，在所述第一衬底上生长一层厚度大于等于30nm的所述固态源薄膜。

9.根据权利要求1所述的二维原子晶体生长方法，在所述第一衬底上生长所述固态源薄膜之前，所述二维原子晶体生长方法还包括：

将所述第一衬底与所述第二衬底依次置于丙酮、异丙醇、乙醇和去离子水中超声清洗并用氮气吹干。

10.一种二维原子晶体，其特征在于，采用权利要求1至9中任一项所述的二维原子晶体生长方法制备得到。

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