CN114805373A - 一种空穴传输材料、发光器件、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开一种空穴传输材料、发光器件、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，能够提高发光器件的发光效率。空穴传输材料，所述空穴传输材料的化学结构式包括至少三个设置在两个苯环或类苯环的间位上的氮原子；其中，两个苯环或类苯环的间位上连接同一个氮原子，苯环间位或类苯环间位上的氮原子具有三个单键，类苯环的任意位独立选自N、O、S、B、Si或P。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种空穴传输材料、发光器件、显示面板及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)具有自发光、视角宽、响应速度快、可柔性、超薄和重量轻等优点，在显示和照明领域市场应用潜力巨大。通常OLED被施加电压时，从电极注入空穴和电子载流子，电子和空穴在发光层中进行复合后形成激子，激子进行辐射跃迁实现发光。因此，OLED作为一种电流驱动器件，在外场电压下随着电流密度的增加其亮度也随之增加。
然而，现有的OLED发光器件的发光效率较低。
发明内容
本申请实施例提供一种空穴传输材料、发光器件、显示面板及显示装置，能够提高发光器件的发光效率。
本申请实施例的第一方面，提供一种空穴传输材料，所述空穴传输材料的化学结构通式如式1所示：
式1中，X1和X2各自独立选自C、N、O、S、B、Si或P；
M2选自苯基、亚苯基、奈基、亚奈基、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、嘧啶环、吡嗪环、氰基、经取代或未经取代的C6～C60芳基以及杂芳基中的至少一种，所述C6～C60芳基为经取代或未经取代的基团；
A1、A2、A3和A4各自独立选自经取代或未经取代的第一基团，所述第一基团包括：C1～C30烷基、C3～C30环烷基、烷氧基、芳氧基、烷基硫基、芳基硫基、C6～C30芳基磺酰基、烯基、芳烷基、芳烯基、烷基芳基、C6～C30芳基膦基、C6～C30芳基、杂环基、C1～C30烷基二C6-C30芳基甲硅烷基。
在一些实施方式中，所述空穴传输材料的化学结构通式如式1-1所示：
式1-1中，R1至R6各自独立选自氢、氘、卤素基团、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、氨基、以及经取代或未经取代的第二基团中的至少一种，所述第二基团包括：C3～C30甲硅烷基、硼基、C1～C30烷基、C3～C30环烷基、烷氧基、芳氧基、烷基硫基、芳基硫基、烷基磺酰基、C6～C30芳基磺酰基、烯基、芳烷基、芳烯基、烷基芳基、烷基胺基、C1～C30芳烷基胺基、C6～C30杂芳基胺基、C6～C30芳基胺基、C6～C30芳基杂芳基胺基、C6～C30芳基膦基、氧化膦基团、C6～C30芳基、杂环基、C1～C30烷基二C6～C30芳基甲硅烷基。
在一些实施方式中，A1、A2、A3和A4各自与邻近的取代基键合形成经取代或未经取代的单环脂环族环、经取代或未经取代的C3～C30多环脂环族环、经取代或未经取代的单环芳香族环、经取代或未经取代的C3～C30多环芳香族环，A1、A2、A3和A4中的碳原子用于被N、O和S中的至少一种原子替换，A1和A2用于相互键合连接成环，A3和A4用于相互键合连接成环；和/或，
R1至R6各自与邻近的取代基键合形成经取代或未经取代的单环脂环族环、经取代或未经取代的C3～C30多环脂环族环、经取代或未经取代的单环芳香族环、经取代或未经取代的C3～C30多环芳香族环；和/或，
式1-1中，所述第二基团的取代基具有含氧基团。
本申请实施例的第二方面，提供一种发光器件，包括：
发光层；
空穴传输层，所述空穴传输层包括第一空穴传输层和第二空穴传输层，所述第二空穴传输层设置于所述第一空穴传输层与所述发光层之间；
所述第二空穴传输层包括如第一方面所述的空穴传输材料，所述第二空穴传输层的三线态能级大于所述发光层的三线态能级。
在一些实施方式中，所述发光层包括按照设定质量比例混合的第一主体材料、第二主体材料和荧光发射体材料；
其中，所述第二主体材料用于将所述第一主体材料内产生的三线态激子转换为单线态激子，所述荧光发射体材料用于利用所述单线态激子的辐射跃迁进行发光。
在一些实施方式中，所述第二主体材料的单线态能级与三线态能级的差值小于或等于0.3eV。
在一些实施方式中，所述第一主体材料的发射光谱与所述第二主体材料的吸收光谱归一化后的重叠面积大于5％；和/或，
所述第二主体材料的吸收光谱与所述荧光发射体材料的吸收光谱归一化后的重叠面积大于5％。
在一些实施方式中，所述第一主体材料的三线态能级大于所述第二主体材料的三线态能级。
在一些实施方式中，所述第二主体材料的三线态能级大于所述荧光发射体材料的三线态能级。
在一些实施方式中，所述第一主体材料在所述第一主体材料、所述第二主体材料和所述荧光发射体材料质量总和中的质量占比范围为65％-75％，所述第二主体材料在所述第一主体材料、所述第二主体材料和所述荧光发射体材料质量总和中的质量占比范围为24％-34％，所述荧光发射体材料在所述第一主体材料、所述第二主体材料和所述荧光发射体材料质量总和中的质量占比为1％。
在一些实施方式中，所述第一主体材料的化学结构通式如式2所示：
式2中，Y1和Y2各自独立选自苯基、亚苯基、奈基、亚奈基、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、嘧啶环、吡嗪环、经取代或未经取代的烷基芳基、经取代或未经取代的烷基胺基、经取代或未经取代的C1～C30芳烷基胺基、经取代或未经取代的C6～C30杂芳基胺基、经取代或未经取代的C6～C30芳基胺基、经取代或未经取代的C6～C30芳基杂芳基胺基、经取代或未经取代的C6～C30芳基膦基中的至少一种。
在一些实施方式中，所述第一主体材料的化学结构通式如式2-1所示：
式2-1中，B1和B2各自独立选自醛基、羰基、羧基、卤原子、磺酸基、卤代烷基、氰基、硝基、叔胺基、氰基、硝基、甲酰基、酰基、噻吩、二苯并噻吩、呋喃、二苯并呋喃、环烷基、芳香炔基、杂环基、卤素原子、烷氧基、芳烷基、甲硅烷基、羧基、芳氧基、取代氨基、苯、萘、蒽、菲、芘、荧蒽、二氢芘、苯并蒽、异苯并噻吩、硫芴、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲叮、苯并喹啉、噻吩嗪、吩噁嗪、稠和芳环、稠和杂芳环中的至少一种。
在一些实施方式中，所述第一主体材料的化学结构通式如式2-2所示：
式2-2中，R7至R15各自独立选自氢、氘、卤素基团、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、氨基、经取代或未经取代C3～C30的甲硅烷基、经取代或未经取代的硼基、经取代或未经取代的C1～C30烷基、经取代或未经取代的C3～C30的环烷基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的烷基硫基、经取代或未经取代的芳基硫基、经取代或未经取代的烷基磺酰基、经取代或未经取代的C6～C30芳基磺酰基、经取代或未经取代的烯基、经取代或未经取代的芳烷基、经取代或未经取代的芳烯基、经取代或未经取代的烷基芳基、经取代或未经取代的烷基胺基、经取代或未经取代的C1～C30芳烷基胺基、经取代或未经取代的C6～C30杂芳基胺基、经取代或未经取代的C6～C30芳基胺基、经取代或未经取代的C6～C30芳基杂芳基胺基、经取代或未经取代的C6～C30芳基膦基、经取代或未经取代的氧化膦基团、经取代或未经取代C6～C30的芳基、经取代或未经取代的杂环基、经取代或未经取代的C1～C30烷基二C6～C30芳基甲硅烷基中的至少一种。
在一些实施方式中，R7和R8用于相互键合形成经取代或未经取代的单环脂环族环、经取代或未经取代的C3～C30多环脂环族环、经取代或未经取代单环芳香族环、经取代或未经取代C3～C30多环芳香族环，R7和R8中的碳原子用于被N、O、S、B和P中的至少一种原子替换；和/或，
R12和R13用于相互键合形成经取代或未经取代的单环脂环族环、经取代或未经取代的C3～C30多环脂环族环、经取代或未经取代单环芳香族环、经取代或未经取代C3～C30多环芳香族环，R12和R13中的碳原子用于被N、O、S、B、P、Si中的至少一种原子替换；和/或，
式2-2中，经取代的第二基团的取代基具有含氧基团；和/或，
式2-2中，未经取代的基团和/或经取代的所述第二基团的取代基具有叔丁基。
在一些实施方式中，所述第一空穴传输层的化学结构通式与所述第一主体材料的化学结构通式相同。
在一些实施方式中，所述第二空穴传输层的未占有电子能量最低轨道能级的绝对值与所述第一主体材料的未占有电子能量最低轨道能级的绝对值的差值大于0.2eV。
在一些实施方式中，所述发光器件，还包括：
第一电子传输层，所述第一电子传输层设置于所述发光层远离所述第一空穴传输层的一侧，所述第一电子传输层的三线态能级大于所述第一主体材料的三线态能级。
在一些实施方式中，所述第一电子传输层的三线态能级与所述第一主体材料的三线态能级的差值大于0.3eV；和/或，
所述第一电子传输层的最高占据分子轨道能级的绝对值与所述荧光发射体材料的最高占据分子轨道能级的差值大于0.3eV。
本申请实施例的第三方面，提供一种显示面板，包括：
如第二方面所述的发光器件。
本申请实施例的第四方面，提供一种显示装置，包括：
如第三方面所述的显示面板。
本申请实施例提供的空穴传输材料、发光器件、显示面板及显示装置，通过在空穴传输材料的化学结构通式中设置至少三个连接在两个苯环的间位上的氮原子，两个苯环的间位上连接同一个氮原子，苯环间位上的氮原子具有给电子能力，更加利于空穴载流子的传输，空穴迁移率更高，且增加苯环的间位上的的氮原子能够提高空穴传输层材料的三线态能级。相对于现有技术中单纯的增加氮原子的数量不能提高空穴传输材料的三线态能级，还会牺牲掉空穴传输材料的载流子迁移率。本申请实施例提供的空穴传输材料通过增加苯环上的间位上的氮原子，且氮原子上的单键能够具备给电子能力，能够在提升空穴传输材料的三线态能级的基础上，不会牺牲空穴传输材料的载流子迁移率，在三线态能级和载流子迁移率的性能上做出平衡。空穴传输材料的三线态能级越高会更加利于空穴传输材料相邻的发光材料中的激子被限定在发光材料内，激子被限定在发光材料内能够减少激子的外溢损失，以实现提高利用空穴传输材料制备得到的发光器件的发光效率的效果。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种发光器件的局部结构示意图；
图2为本申请实施例提供的另一种发光器件的局部结构示意图；
图3为本申请实施例提供的又一种发光器件的局部结构示意图；
图4为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为了更好的理解本说明书实施例提供的技术方案，下面通过附图以及具体实施例对本说明书实施例的技术方案做详细的说明，应当理解本说明书实施例以及实施例中的具体特征是对本说明书实施例技术方案的详细的说明，而不是对本说明书技术方案的限定，在不冲突的情况下，本说明书实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。术语“两个以上”包括两个或大于两个的情况。
OLED具有自发光、视角宽、响应速度快、可柔性、超薄和重量轻等优点，在显示和照明领域市场应用潜力巨大。通常OLED被施加电压时，从电极注入空穴和电子载流子，电子和空穴在发光层中进行复合后形成激子，激子进行辐射跃迁实现发光。因此，OLED作为一种电流驱动器件，在外场电压下随着电流密度的增加其亮度也随之增加。然而，现有的OLED发光器件的发光效率较低。
有鉴于此，本申请实施例提供一种空穴传输材料、发光器件、显示面板及显示装置，能够提高发光器件的发光效率。
本申请实施例的第一方面，提供一种空穴传输材料，空穴传输材料的化学结构通式如式1所示：
式1中，X1和X2各自独立选自C、N、O、S、B、Si或P。独立选自是单独选择的意思，即X1可以选自C、N、O、S、B、Si或P，X2可以选自C、N、O、S、B、Si或P，X1和X2的选择互不影响，例如，X1是B，X2是P，X1和X2可以相同，也可以不同。
式1中，M2选自苯基、亚苯基、奈基、亚奈基、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、嘧啶环、吡嗪环、氰基、经取代或未经取代的C6～C60芳基以及杂芳基中的至少一种，所述C6～C60芳基为经取代或未经取代的基团，即C6～C60芳基是一个基团，这个基团可以是经取代的，也可以是未经取代的。需要说明的是，X1和X2可以不固定在式1所示的位置，X1和X2的原子种类选择互不影响，可以独立替换，本申请实施例不作具体限定。
A1、A2、A3和A4各自独立选自经取代或未经取代的第一基团，所述第一基团包括：C1～C30烷基、C3～C30环烷基、烷氧基、芳氧基、烷基硫基、芳基硫基、C6～C30芳基磺酰基、烯基、芳烷基、芳烯基、烷基芳基、C6～C30芳基膦基、C6～C30芳基、杂环基、C1～C30烷基二C6-C30芳基甲硅烷基。需要说明的是，A1、A2、A3和A4的各自基团的选择互不影响，A1、A2、A3和A4可以均是经取代的第一基团、均是未经取代的第一基团、至少一者是经取代的第一基团或者至少一者是未经取代的第一基团，A1、A2、A3和A4的基团选择可以交叉多变，本申请实施例不作具体限定。
示例性的，空穴传输材料的化学结构通式可以包括至少三个设置在两个苯环的间位上的氮原子，严格意义上，式1中不是真正的苯环，本换上的任意位独立的被C、N、O、S、B、Si或P取代，只有在所有位均是C是才称为苯环，此处，暂且称为苯环，两个苯环的间位上连接同一个氮原子，苯环间位上的氮原子通过三个单键分别与苯环的间位以及其他基团连接，苯环的任意位独立选自C、N、O、S、B、Si或P。需要说明的是，在化学结构通式中，具有三个单键的氮原子具有给电子能力，具有一个单键和一个双键的氮原子具有吸电子能力。具有给电子能力的氮原子更加利于空穴载流子的传输，空穴的迁移率更高，且具有给电子能力的氮原子设置在苯环的间位上能够提高空穴传输层材料的三线态能级，材料的三线态能级越高会更加利于空穴传输材料相邻的发光材料中的激子被限定在发光材料内，激子被限定在发光材料内能够减少激子的外溢损失，提高利用空穴传输材料制备得到的发光器件的发光效率。另外需要说明的是，本申请实施例提供的空穴传输材料还可以包括3个以上的三个单键的氮原子，本申请实施例不作具体限定。
现有技术中，空穴传输材料的化学结构通式通常包括两个氮原子，且氮原子不设置在苯环的间位上，氮原子通常是一个单键和一个双键，具有吸电子能力，不利于空穴的传输。在现有的空穴传输层的化学结构通式中，单纯的增加氮原子的数量不能提高空穴传输材料的三线态能级，还会牺牲掉空穴传输材料的载流子迁移率。因此，本申请实施例提供的空穴传输材料增加苯环上的间位上的氮原子，且氮原子具有三个单键，能够在提升空穴传输材料的三线态能级的基础上，不会牺牲空穴传输材料的载流子迁移率，在三线态能级和载流子迁移率的性能上做出平衡。
另外，本申请实施例提供的空穴传输材料采用的化学结构通式会提高空穴载流子的传输速率，空穴载流子的传输速率更快，空穴载流子就不容易在空穴传输层与发光层之间的界面上累积，材料层界面上累积的载流子越少，可以减少材料界面处的劣化，从而可以提高材料的寿命，进而提高利用空穴传输材料制备得到的发光器件的寿命。
本申请实施例提供的空穴传输材料，通过在空穴传输材料的化学结构通式中设置至少三个连接在两个苯环的间位上的氮原子，两个苯环的间位上连接同一个氮原子，苯环间位上的氮原子具有给电子能力，更加利于空穴载流子的传输，空穴迁移率更高，且增加苯环的间位上的的氮原子能够提高空穴传输层材料的三线态能级。相对于现有技术中单纯的增加氮原子的数量不能提高空穴传输材料的三线态能级，还会牺牲掉空穴传输材料的载流子迁移率。本申请实施例提供的空穴传输材料通过增加苯环上的间位上的氮原子，且氮原子上的单键能够具备给电子能力，能够在提升空穴传输材料的三线态能级的基础上，不会牺牲空穴传输材料的载流子迁移率，在三线态能级和载流子迁移率的性能上做出平衡。空穴传输材料的三线态能级越高会更加利于空穴传输材料相邻的发光材料中的激子被限定在发光材料内，激子被限定在发光材料内能够减少激子的外溢损失，以实现提高利用空穴传输材料制备得到的发光器件的发光效率的效果。
在一些实施方式中，A1、A2、A3和A4各自与邻近的取代基键合形成经取代或未经取代的单环脂环族环、经取代或未经取代的C3～C30多环脂环族环、经取代或未经取代的单环芳香族环、经取代或未经取代的C3～C30多环芳香族环，A1、A2、A3和A4中的碳原子用于被N、O和S中的至少一种原子替换，A1和A2用于相互键合连接成环，A3和A4用于相互键合连接成环。相邻基团键合成环使得材料的化学结构更多样。
本申请实施例提供的空穴传输材料的化学结构式中的氮原子是三个单键的氮原子，每个单键上连接有基团，具有给电子能力，空穴迁移率较高，结合氮原子连接在苯环的间位上，使得空穴传输材料具有较高的三线态能级。在一些实施方式中，空穴传输材料的化学结构通式如式1-1所示：
式1-1中，M2选自苯基、亚苯基、奈基、亚奈基、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、嘧啶环、吡嗪环、氰基、经取代或未经取代的C6～C60芳基以及杂芳基中的至少一种；
A1、A2、A3和A4各自独立选自经取代或未经取代的第一基团，所述第一基团包括：C1～C30烷基、C3～C30环烷基、烷氧基、芳氧基、烷基硫基、芳基硫基、C6～C30芳基磺酰基、烯基、芳烷基、芳烯基、烷基芳基、C6～C30芳基膦基、C6～C30芳杂环基、C1～C30烷基二C6-C30芳基甲硅烷基；
R1至R6各自独立选自氢、氘、卤素基团、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、氨基、以及经取代或未经取代的第二基团中的至少一种，第二基团包括：C3～C30甲硅烷基、硼基、C1～C30烷基、C3～C30环烷基、烷氧基、芳氧基、烷基硫基、芳基硫基、烷基磺酰基、C6～C30芳基磺酰基、烯基、芳烷基、芳烯基、烷基芳基、烷基胺基、C1～C30芳烷基胺基、C6～C30杂芳基胺基、C6～C30芳基胺基、C6～C30芳基杂芳基胺基、C6～C30芳基膦基、氧化膦基团、C6～C30芳基、杂环基、C1～C30烷基二C6～C30芳基甲硅烷基。需要说明的是，R1至R6的基团的选择互不影响，R1至R6可以均是经取代的基团、均是未经取代的基团、至少一者是经取代的基团或者至少一者是未经取代的基团，R1至R6的基团选择可以交叉多变，本申请实施例不作具体限定。R6是M2上的一个单键的经取代的基团。
在一些实施方式中，R1至R6各自与邻近的取代基键合形成经取代或未经取代的单环脂环族环、经取代或未经取代的C3～C30多环脂环族环、经取代或未经取代的单环芳香族环、经取代或未经取代的C3～C30多环芳香族环。示例性的，R1与R6可以键合成环，R3与R2可以键合成环，还可以是R4与A2键合成环，R1与A3键合成环，R2与A4键合成环等，本申请实施例不作具体限定。
在一些实施方式中，式1-1中，第二基团的取代基具有含氧基团。含氧基团具有极性，含氧基团与相邻的基团之间的载流子传输性能较好，即具有较高的电复性能，有助于加强相邻功能层之间的相互作用，提高相邻功能层的界面能级势垒。相邻功能层的界面能级势垒越高，可以减少载流子在材料界面上的累积，从而减少空穴传输材料界面处的材料劣化，进而起到提高空穴传输材料寿命的效果，以及提高利用空穴传输材料制备得到的发光器件的寿命。另外，相邻功能层的界面能级势垒越高，可以更好的将载流子复合产生的激子限制在发光层内，能够减少激子的外溢损失，可以提高利用空穴传输材料制备得到的发光器件的发光效率。
示例性的，本申请实施例提供的空穴传输材料可以选自下列化合物1-2～1-22中的任一种化合物，下列化合物中部分包括有空心圆圈，空心圆圈代表的是含氧基团。
本申请实施例提供的空穴传输材料，示例性的表示出空穴传输材料的化学结构通式以及示例性的示出空穴传输材料的化合物结构，不局限于上述是示例的化学结构通式和化合物结构。
本申请实施例的第二方面，提供一种发光器件，图1为本申请实施例提供的一种发光器件的局部结构示意图。如图1所示，本申请实施例提供的发光器件，包括：发光层100，发光层100用于发出光线。空穴传输层200，空穴传输层200设置于发光层100的一侧，空穴传输层200包括如第一方面所述的空穴传输材料。空穴传输层200用于向发光层100传输空穴，以供空穴和电子在发光层100中复合产生激子，激子通过辐射跃迁进行发光，从而实现发光器件的发光效果。
在第一方面提供的空穴传输材料中，化学结构通式的具有三个单键的氮原子具有给电子能力，具有给电子能力的氮原子更加利于空穴载流子的传输，空穴的迁移率更高，且苯环的间位上设置氮原子能够提高空穴传输层材料的三线态能级，材料的三线态能级越高会更加利于发光层100的发光材料中的激子被限定在发光层100内，激子被限定在发光层100内能够减少激子的外溢损失，激子被限定在发光层100内用于跃迁发光，可以提高激子的利用率，进而提高发光器件的发光效率。
图2为本申请实施例提供的另一种发光器件的局部结构示意图。如图2所示，空穴传输层200包括第一空穴传输层210和第二空穴传输层220，第二空穴传输层220设置于第一空穴传输层210与发光层100之间；第二空穴传输层220包括如第一方面所述的空穴传输材料，第二空穴传输层220的三线态能级大于发光层100的三线态能级。
现有技术中，空穴传输层采用的空穴传输材料的化学结构通式通常包括两个氮原子，且氮原子不设置在苯环的间位上，氮原子通常是一个单键和一个双键，具有吸电子能力，不利于空穴的传输。在现有的空穴传输层的化学结构通式中，单纯的增加氮原子的数量不能提高空穴传输材料的三线态能级，还会牺牲掉空穴传输材料的载流子迁移率。因此，本申请实施例提供的发光器件采用的空穴传输材料增加苯环上的间位上的氮原子，且氮原子具有三个单键，能够在提升空穴传输材料的三线态能级的基础上，不会牺牲空穴传输材料的载流子迁移率，在三线态能级和载流子迁移率的性能上做出平衡。另外，本申请实施例提供的发光器件采用的空穴传输材料具有较高的三线态能级，较高的空穴迁移率，使得空穴载流子就不容易在空穴传输层200与发光层100之间的界面上累积，空穴传输层200与发光层100之间的界面上累积的载流子越少，可以减少界面处的材料劣化，从而可以提高发光器件的寿命。
本申请实施例提供的发光器件，空穴传输层采用的空穴传输材料的化学结构通式中设置至少三个连接在两个苯环的间位上的氮原子，两个苯环的间位上连接同一个氮原子，苯环间位上的氮原子通过三个单键分别与苯环的间位以及其他基团连接，具有三个单键的氮原子具有给电子能力，具有给电子能力的氮原子更加利于空穴载流子的传输，空穴迁移率更高，且苯环上的间位氮原子能够提高空穴传输层材料的三线态能级。相对于现有技术中单纯的增加氮原子的数量不能提高空穴传输材料的三线态能级，还会牺牲掉空穴传输材料的载流子迁移率。本申请实施例的发光器件采用的空穴传输材料通过增加苯环上的间位上的氮原子，且氮原子具有三个单键，能够在提升空穴传输材料的三线态能级的基础上，不会牺牲空穴传输材料的载流子迁移率，在三线态能级和载流子迁移率的性能上做出平衡。空穴传输材料的三线态能级越高会更加利于空穴传输材料相邻的发光材料中的激子被限定在发光层100内，能够减少激子的外溢损失，激子被限定在发光层100内用于跃迁发光，可以提高激子的利用率，进而提高发光器件的发光效率。较高的空穴迁移率，使得空穴载流子就不容易在空穴传输层200与发光层100之间的界面上累积，空穴传输层200与发光层100之间的界面上累积的载流子越少，可以减少界面处的材料劣化，从而可以提高发光器件的寿命。另外，由于第二空穴传输层220的三线态能级大于发光层100的三线态能级，且第二空穴传输层220包括如第一方面所述的空穴传输材料，则第二空穴传输层220具有较高的三线态能级，则能够使得发光层100的材料选择的空间更大。另外，第二空穴传输层220的三线态能级大于发光层100的三线态能级，可以使得激子更好的被限定在发光层100内，即激子不容易从发光层100外溢至第二空穴传输层220内，可以较少激子的外溢损失，提高激子在发光层中的利用率，以提高发光器件的发光效率。
在一些实施方式中，发光层100包括按照设定质量比例混合的第一主体材料、第二主体材料和荧光发射体材料；其中，第二主体材料用于将第一主体材料内产生的三线态激子转换为单线态激子，荧光发射体材料用于利用单线态激子的辐射跃迁进行发光。
需要说明的是，根据不同的功能和性能的需要，具体设置设定质量比例，本申请实施例不作具体限定。示例性的，发光层100的材料在用于制备发光器件的的过程中，可以采用蒸镀的方式设置在发光器件的对应位置，可以通过在蒸镀过程中调节第一主体材料、第二主体材料和荧光发射体材料各自对应的蒸镀速率来实现设定质量比例的均匀混合，得到对应的发光层，只是示例性的，本申请不作具体限定。第一主体材料可以用于将空穴和电子复合形成激子，示例性的，根据自旋统计规律，所有激子的25％是单线态激子，75％是三线态激子，激子的辐射跃迁可以实现发光。第二主体材料用于将第一主体材料内产生的三线态激子转换为单线态激子，荧光发射体材料用于利用单线态激子的辐射跃迁进行发光。即荧光发射体材料的发光效应是通过单线态激子的辐射跃迁来实现的，三线态激子的利用率较低，需要利用第二主体材料将三线态激子转换为单线态激子，可以较大程度的利用第一主体材料产生的激子的利用率，即能够较大程度的提高发光材料的发光效率。
现有技术中，荧光材料利用单线态激子辐射发光，由于主体材料产生的激子包括单线态激子和三线态激子，发光效率不会超过25％，因此荧光OLED的效率都较低；磷光OLED利用三重态激子进行辐射发光，其量子效率更高，发光效率可达到100％，但是磷光材料的发光光谱的半峰宽较宽，并且三线态激子寿命较长，容易发生三线态激子与三线态激子之间发生激子猝灭或极化子与三线态激子之间的湮灭等，导致发光器件的效率下降，尤其是随着电流密度增加，激子密度增大，三线态激子与三线态激子之间发生激子猝灭或极化子与三线态激子之间的湮灭会导致发光器件的效率和寿命急剧下降。近年来随着OLED大尺寸和照明领域兴起，其器件效率和效率滚降问题严重限制了OLED的发展和应用。因此，开发结构简单和成本较低的方法提高器件效率和寿命显得尤为重要。
针对现有技术存在的问题，本申请实施例提供的发光器件的发光层采用荧光发射体材料，利用单线态激子的辐射跃迁进行发光，另外利用第二主体材料可以实现三线态激子转换为单线态激子，可以充分利用第一主体材料产生的三线态激子，避免三线态激子的浪费，从而可以提高发光器件的发光效率。
在一些实施方式中，第二主体材料的单线态能级与三线态能级的差值小于或等于0.3eV。第二主体材料的单线态能级与三线态能级的差值小于或等于0.3eV，能够实现第二主体材料将三线态激子转换为单线态激子，提高激子利用率，以达到提高发光器件的发光效率的效果。
在一些实施方式中，第一主体材料的发射光谱与第二主体材料的吸收光谱归一化后的重叠面积大于5％，光谱的重叠能够使得第一主体材料与第二主体材料之间的能量更充分的传输。第二主体材料的吸收光谱与荧光发射体材料的吸收光谱归一化后的重叠面积大于5％，光谱的重叠，能够使得第二主体材料与荧光发射体材料之间的能量传输更加充分。本申请实施例提供的光谱归一化后的重叠面积大于5％，能够使得发光层中的材料之间能量传输更充分，提高发光层的发光效率，进而提高发光器件的发光效率。
在一些实施方式中，第一主体材料的三线态能级大于第二主体材料的三线态能级。第二主体材料的三线态能级大于荧光发射体材料的三线态能级。示例性的，T1第二空穴传输层＞T1第一主体材料＞T1第二主体材料＞T1荧光发射体材料，其中，T1表示三线态能级，荧光发射体材料的三线态能级最小，则可以更好的将激子，尤其是单线态激子限制在荧光发射体材料内，用以辐射跃迁发出光线，可以提高发光器件的发光效率。
在一些实施方式中，第一主体材料在第一主体材料、第二主体材料和荧光发射体材料质量总和中的质量占比范围为65％-75％，第二主体材料在第一主体材料、第二主体材料和荧光发射体材料质量总和中的质量占比范围为24％-34％，荧光发射体材料在第一主体材料、第二主体材料和荧光发射体材料质量总和中的质量占比为1％。示例性的，在实施例1中，第一主体材料、第二主体材料和荧光发射体材料的的质量占比分别为75％、24％和1％。在实施例2中，第一主体材料、第二主体材料和荧光发射体材料的的质量占比分别为70％、29％和1％。在实施例3中，第一主体材料、第二主体材料和荧光发射体材料的的质量占比分别为65％、34％和1％。
表1为实施例1-实施例3对应的实验数据，如表1所示，实验数据包括发光器件的工作电压、发光效率和发光器件的寿命。测试条件是将发光器件在电流密度15mA/cm2的条件下工作，测试工作电压、发光效率和发光器件的寿命。需要说明的是实施例1-实施例3的除第一主体材料、第二主体材料和荧光发射体材料的的质量占比之外的其他条件是相同的。
表1在一些实施方式中，第一主体材料的化学结构通式如式2所示：
式2中，Y1和Y2各自独立选自苯基、亚苯基、奈基、亚奈基、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、嘧啶环、吡嗪环、经取代或未经取代的烷基芳基、经取代或未经取代的烷基胺基、经取代或未经取代的C1～C30芳烷基胺基、经取代或未经取代的C6～C30杂芳基胺基、经取代或未经取代的C6～C30芳基胺基、经取代或未经取代的C6～C30芳基杂芳基胺基、经取代或未经取代的C6～C30芳基膦基中的至少一种。需要说明的是，Y1和Y2的基团的选择互不影响，Y1和Y2可以均是经取代的基团、均是未经取代的基团、至少一者是经取代的基团或者至少一者是未经取代的基团，Y1和Y2的基团选择可以交叉多变，本申请实施例不作具体限定。
本申请实施例提供的第一主体材料的化学结构通式包括至少两个对位连接的苯环；其中，任意苯环的对位上连接有一个氮原子，苯环的对位连接的氮原子通过三个单键分别与苯环的对位以及其他基团连接。
现有技术中，主体材料是偏电子型的，即具有吸电子能力，不利于空穴的传输，空穴迁移率偏低。本申请实施例提供的发光器件中，第一主体材料的化学结构通式包括至少两个对位连接的苯环，任意苯环上的另一个对位上连接有一个氮原子，苯环的对位上连接的氮原子具有三个单键，三个单键的氮原子具有给电子能力，更利于空穴载流子的传输，苯环和三个单键的氮原子的连接呈直线型，能够提高空穴迁移率，可以进一步提高发光器件的发光效率。
在一些实施方式中，第一主体材料的化学结构通式如式2-1所示：
式2-1中，B1和B2各自独立选自醛基、羰基、羧基、卤原子、磺酸基、卤代烷基、氰基、硝基、叔胺基、氰基、硝基、甲酰基、酰基、噻吩、二苯并噻吩、呋喃、二苯并呋喃、环烷基、芳香炔基、杂环基、卤素原子、烷氧基、芳烷基、甲硅烷基、羧基、芳氧基、取代氨基、苯、萘、蒽、菲、芘、荧蒽、二氢芘、苯并蒽、异苯并噻吩、硫芴、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲叮、苯并喹啉、噻吩嗪、吩噁嗪、稠和芳环、稠和杂芳环中的至少一种。B1是Y1上的一个单键的取代基团，Y1上其他键是否被取代不作具体限定，B2是Y2上的一个单键的取代基团，Y2上其他键是否被取代不作具体限定。
在一些实施方式中，第一主体材料的化学结构通式如式2-2所示：
式2-2中，R7至R15各自独立选自氢、氘、卤素基团、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、氨基、经取代或未经取代C3～C30的甲硅烷基、经取代或未经取代的硼基、经取代或未经取代的C1～C30烷基、经取代或未经取代的C3～C30的环烷基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的烷基硫基、经取代或未经取代的芳基硫基、经取代或未经取代的烷基磺酰基、经取代或未经取代的C6～C30芳基磺酰基、经取代或未经取代的烯基、经取代或未经取代的芳烷基、经取代或未经取代的芳烯基、经取代或未经取代的烷基芳基、经取代或未经取代的烷基胺基、经取代或未经取代的C1～C30芳烷基胺基、经取代或未经取代的C6～C30杂芳基胺基、经取代或未经取代的C6～C30芳基胺基、经取代或未经取代的C6～C30芳基杂芳基胺基、经取代或未经取代的C6～C30芳基膦基、经取代或未经取代的氧化膦基团、经取代或未经取代C6～C30的芳基、经取代或未经取代的杂环基、经取代或未经取代的C1～C30烷基二C6～C30芳基甲硅烷基中的至少一种。需要说明的是，R7至R15的基团的选择互不影响，R7至R15可以均是经取代的基团、均是未经取代的基团、至少一者是经取代的基团或者至少一者是未经取代的基团，R7至R15的基团选择可以交叉多变，本申请实施例不作具体限定。
在一些实施方式中，R7和R8用于相互键合形成经取代或未经取代的单环脂环族环、经取代或未经取代的C3～C30多环脂环族环、经取代或未经取代单环芳香族环、经取代或未经取代C3～C30多环芳香族环，R7和R8中的碳原子用于被N、O、S、B和P中的至少一种原子替换。
在一些实施方式中，R12和R13用于相互键合形成经取代或未经取代的单环脂环族环、经取代或未经取代的C3～C30多环脂环族环、经取代或未经取代单环芳香族环、经取代或未经取代C3～C30多环芳香族环，R12和R13中的碳原子用于被N、O、S、B、P、Si中的至少一种原子替换。
在一些实施方式中，R7可以与R15键合成环，R13与R12键合成环，R8与R9键合成环等，此处不做一一举例。
在一些实施方式中，式2-2中，未经取代的基团和/或经取代的所述第二基团的取代基具有叔丁基。叔丁基的结构能够增加化合物的分子间距离，从而可以减少激子猝灭，提高激子的利用率，提高发光效率和发光器件的寿命。
在一些实施方式中，式2-2中，经取代的第二基团的取代基具有含氧基团。含氧基团具有极性，含氧基团与相邻的基团之间的载流子传输性能较好，即具有较高的电复性能，有助于加强相邻功能层之间的相互作用，提高相邻功能层的界面能级势垒，此处的相邻功能层为发光层和第二空穴传输层，还可以是发光层背离第二空穴传输层的一侧的功能层。相邻功能层的界面能级势垒越高，可以减少载流子在材料界面上的累积，从而减少空穴传输材料界面处的材料劣化，进而起到提高空穴传输材料寿命的效果，以及提高利用空穴传输材料制备得到的发光器件的寿命。另外，相邻功能层的界面能级势垒越高，可以更好的将载流子复合产生的激子限制在发光层内，能够减少激子的外溢损失，可以提高利用空穴传输材料制备得到的发光器件的发光效率。
示例性的，本申请实施例提供的第一主体材料可以选自下列化合物2-3～2-38中的任一种化合物，下列化合物中部分包括有空心圆圈，空心圆圈代表的是含氧基团，部分化合物中包括叔丁基。
本申请实施例提供的第一主体材料，示例性的表示出第一主体材料的化学结构通式以及示例性的示出第一主体材料的化合物结构，不局限于上述是示例的化学结构通式和化合物结构。
表2为实施例4-14对应的发光器件的实验数据，如表2所示，实施例4-14的第一空穴传输层的化合物结构、第二空穴传输层的化合物结构和第一主体材料的化合物结构之外的其他条件相同。
表2
表3为现有技术中发光器件的实验数据对比例，如表3所示，现有发光器件的工作电压大于本申请实施例对应发光器件的工作电压，发光效率也小于本申请实施例对应发光器件的发光效率平均值，寿命也小于本申请实施例对应发光器件的寿命平均值，因此，本申请实施例提供的发光器件的发光效率和寿命得到明显提高。
表3HTL-1、HTL-2和Host均为现有技术的化合物结构，具体化合物结构如下
表4为第一空穴传输层采用现有化合物结构HTL-1，第二空穴传输层和第一主体材料采用本申请实施例提供的化合物结构的发光器件的实验数据。如表4所示对比例2和对比例3的发光效率和寿命比对比例有所提高，则对比例2-3可以体现出第二空穴传输层和第一主体材料的化合物结构的重要性。
表4
在一些实施方式中，第一空穴传输层210的化学结构通式与第一主体材料的化学结构通式相同。第一空穴传输层210可以具有较高的空穴迁移率，为发光层100高效的提供空穴，以形成激子，能够进一步提高发光器件的发光效率。
在一些实施方式中，第二空穴传输层的未占有电子能量最低轨道能级的绝对值与第一主体材料的未占有电子能量最低轨道能级的绝对值的差值大于0.2eV。即|LUMO第二空穴传输层|-|LUMO第一主体材料|＞0.2eV，第二空穴传输层的LUMO(未占有电子能量最低轨道)能级较浅，第一主体材料的未占有电子能量最低轨道能级较深，可以阻挡第一主体材料中的电子或激子传输至第二空穴传输层内，可以进一步便于空穴的传输，避免第一主体材料中的激子或电子的外溢损失，提高激子和电子的利用率，进而提高发光器件的发光效率。LUMO越深越利于传输电子。
在一些实施方式中，本申请实施例提供的发光器件还包括：第一电子传输层，第一电子传输层设置于发光层远离第一空穴传输层的一侧，第一电子传输层的三线态能级大于第一主体材料的三线态能级。第一电子传输层用于向发光层传输电子，发光层内的第一主体材料可以利用空穴和电子的复合产生激子。示例性的，T1第二空穴传输层＞T1第一主体材料＞T1第二主体材料＞T1荧光发射体材料，且T1第二空穴传输层＞T1第一主体材料＜T1第一电子传输层，则T1荧光发射体材料＜T1第二主体材料＜T1第一主体材料＜T1第一电子传输层，发光层两侧的膜层的三线态能级均大于发光层的三线态能级，发光层的三线态能级最低，则可以将激子限制在发光层内，避免激子的外溢损失，提高激子利用率，进而可以提高发光器件的发光效率。另外，第一电子传输层的三线态能级高于第一主体材料、第二主体材料和荧光发射体材料的三线态能级，会减少电子在第一电子传输层与发光层之间的界面处累积，第一电子传输层与发光层之间的界面处累积的载流子越少，可以减少界面处的材料劣化，从而可以提高发光器件的寿命。
在一些实施方式中，第一电子传输层的三线态能级与第一主体材料的三线态能级的差值大于0.3eV。能够更好的将激子限制在发光层内，提高激子利用率，提高发光效率。
在一些实施方式中，第一电子传输层的最高占据分子轨道能级的绝对值与荧光发射体材料的最高占据分子轨道能级的差值大于0.3eV。即
|HOMO第一电子传输层|-|HOMO荧光发射体材料|＞0.3eV，HOMO为最高占据分子轨道能级，可以能阻挡空穴和或激子从发光层中外溢至第一电子传输层中，HOMO能级越深更利于传输空穴。
示例性的，图3为本申请实施例提供的又一种发光器件的局部结构示意图。如图3所示，本申请实施例提供的发光器件包括：发光层100、第一空穴传输层210、第二空穴传输层220、第一电子传输层310、第二电子传输层320、电子注入层400、阴极500、空穴注入层600、阳极700和增亮层800。增亮层800可以用于增加光线的射出率，主要依据发光器件是顶发射还是底发射，来设置增亮层800的具***置。第二电子传输层具有良好的电子传输特性。发光器件可以在基板上进行制备，极板作为承载物，极板可选为任意透明衬底材料，如玻璃、聚酰亚胺、热塑性聚酯、金属薄膜等，本申请实施例不作具体限定。阳极700采用高功函数电极材料，如透明氧化物ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)，也可为Ag/ITO、Ag/IZO、CNT(碳纳米管)/ITO、CNT/IZO、GO(氧化石墨烯)/ITO、GO/IZO等等形成的复合电极等，本申请实施例不作具体限定。空穴注入层600可以是HAT-CN、MnO3等注入材料，也可以在空穴传输材料中进行P型掺杂，该层厚度5～20nm，通过共蒸形成空穴注入层。阴极500可采用Al、Ag、Mg中一种或多种材料。
实施例1，在阳极700采用ITO的情况下，空穴注入层材料为HAT-CN，厚度为10nm，第一空穴传输层210的材料可以为化合物2-1，厚度为120nm，第二空穴传输层220的材料可以为化合物1-1，厚度为5nm，发光层100包含第一主体材料、第二主体材料和荧光发射体，第一主体材料为化合物2-7，发光层厚度为20nm，掺杂比例为75％：24％：1％，第一电子传输层310材料为DPEPO，厚度为5nm，第二电子传输层320的材料为TPBi，厚度为40nm，电子注入层400的材料为LiQ，厚度为1nm，阴极为Al，厚度为20nm，增亮层800的厚度为70nm。示例性的，HAT-CN、DPEPO和LiQ的结构式如下，只是示意性的，不作为本申请的具体限定。
本申请实施例的第三方面，提供一种显示面板，图4为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图。如图4所示，本申请实施例提供的显示面板1000，包括：如第二方面所述的发光器件1100。显示面板1000可以是有机发光显示面板，即OLED显示面板，还可以是其他主动发光的显示面板，本申请实施例不作具体限定。显示面板1000内还可以包括有其他线路和器件，本申请实施例不做一一列举。
本申请实施例的第四方面，提供一种显示装置，图5为本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。如图5所示，本申请实施例提供的显示装置2000包括：如第三方面所述的显示面板1000。
需要说明的是，本申请实施例提供的显示装置可以是电视、智能手机、平板电脑、笔记本电脑或其他显示器等，本申请实施例不作具体限定。
显然，本领域的技术人员可以对本说明书进行各种改动和变型而不脱离本说明书的精神和范围。这样，倘若本说明书的这些修改和变型属于本说明书权利要求及其等同技术的范围之内，则本说明书也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (20)
1.一种空穴传输材料，其特征在于，所述空穴传输材料的化学结构通式如式1所示：
式1中，X1和X2各自独立选自C、N、O、S、B、Si或P；
M2选自苯基、亚苯基、奈基、亚奈基、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、嘧啶环、吡嗪环、氰基、经取代或未经取代的C6～C60芳基以及杂芳基中的至少一种，所述C6～C60芳基为经取代或未经取代的基团；
A1、A2、A3和A4各自独立选自经取代或未经取代的第一基团，所述第一基团包括：C1～C30烷基、C3～C30环烷基、烷氧基、芳氧基、烷基硫基、芳基硫基、C6～C30芳基磺酰基、烯基、芳烷基、芳烯基、烷基芳基、C6～C30芳基膦基、C6～C30芳基、杂环基、C1～C30烷基二C6-C30芳基甲硅烷基。
2.根据权利要求1所述的空穴传输材料，其特征在于，所述空穴传输材料的化学结构通式如式1-1所示：
式1-1中，R1至R6各自独立选自氢、氘、卤素基团、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、氨基、以及经取代或未经取代的第二基团中的至少一种，所述第二基团包括：C3～C30甲硅烷基、硼基、C1～C30烷基、C3～C30环烷基、烷氧基、芳氧基、烷基硫基、芳基硫基、烷基磺酰基、C6～C30芳基磺酰基、烯基、芳烷基、芳烯基、烷基芳基、烷基胺基、C1～C30芳烷基胺基、C6～C30杂芳基胺基、C6～C30芳基胺基、C6～C30芳基杂芳基胺基、C6～C30芳基膦基、氧化膦基团、C6～C30芳基、杂环基、C1～C30烷基二C6～C30芳基甲硅烷基。
3.根据权利要求2所述的空穴传输材料，其特征在于，A1、A2、A3和A4各自与邻近的取代基键合形成经取代或未经取代的单环脂环族环、经取代或未经取代的C3～C30多环脂环族环、经取代或未经取代的单环芳香族环、经取代或未经取代的C3～C30多环芳香族环，A1、A2、A3和A4中的碳原子用于被N、O和S中的至少一种原子替换，A1和A2用于相互键合连接成环，A3和A4用于相互键合连接成环；和/或，
R1至R6各自与邻近的取代基键合形成经取代或未经取代的单环脂环族环、经取代或未经取代的C3～C30多环脂环族环、经取代或未经取代的单环芳香族环、经取代或未经取代的C3～C30多环芳香族环；和/或，
式1-1中，所述第二基团的取代基具有含氧基团。
4.一种发光器件，其特征在于，包括：
发光层；
空穴传输层，所述空穴传输层包括第一空穴传输层和第二空穴传输层，所述第二空穴传输层设置于所述第一空穴传输层与所述发光层之间；
所述第二空穴传输层包括如权利要求1-3中任一项所述的空穴传输材料，所述第二空穴传输层的三线态能级大于所述发光层的三线态能级。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述发光层包括按照设定质量比例混合的第一主体材料、第二主体材料和荧光发射体材料；
其中，所述第二主体材料用于将所述第一主体材料内产生的三线态激子转换为单线态激子，所述荧光发射体材料用于利用所述单线态激子的辐射跃迁进行发光。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第二主体材料的单线态能级与三线态能级的差值小于或等于0.3eV。
7.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第一主体材料的发射光谱与所述第二主体材料的吸收光谱归一化后的重叠面积大于5％；和/或，
所述第二主体材料的吸收光谱与所述荧光发射体材料的吸收光谱归一化后的重叠面积大于5％。
8.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第一主体材料的三线态能级大于所述第二主体材料的三线态能级。
9.根据权利要求5或8所述的发光器件，其特征在于，所述第二主体材料的三线态能级大于所述荧光发射体材料的三线态能级。
10.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第一主体材料在所述第一主体材料、所述第二主体材料和所述荧光发射体材料质量总和中的质量占比范围为65％-75％，所述第二主体材料在所述第一主体材料、所述第二主体材料和所述荧光发射体材料质量总和中的质量占比范围为24％-34％，所述荧光发射体材料在所述第一主体材料、所述第二主体材料和所述荧光发射体材料质量总和中的质量占比为1％。
11.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第一主体材料的化学结构通式如式2所示：
式2中，Y1和Y2各自独立选自苯基、亚苯基、奈基、亚奈基、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、嘧啶环、吡嗪环、经取代或未经取代的烷基芳基、经取代或未经取代的烷基胺基、经取代或未经取代的C1～C30芳烷基胺基、经取代或未经取代的C6～C30杂芳基胺基、经取代或未经取代的C6～C30芳基胺基、经取代或未经取代的C6～C30芳基杂芳基胺基、经取代或未经取代的C6～C30芳基膦基中的至少一种。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其特征在于，所述第一主体材料的化学结构通式如式2-1所示：
式2-1中，B1和B2各自独立选自醛基、羰基、羧基、卤原子、磺酸基、卤代烷基、氰基、硝基、叔胺基、氰基、硝基、甲酰基、酰基、噻吩、二苯并噻吩、呋喃、二苯并呋喃、环烷基、芳香炔基、杂环基、卤素原子、烷氧基、芳烷基、甲硅烷基、羧基、芳氧基、取代氨基、苯、萘、蒽、菲、芘、荧蒽、二氢芘、苯并蒽、异苯并噻吩、硫芴、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲叮、苯并喹啉、噻吩嗪、吩噁嗪、稠和芳环、稠和杂芳环中的至少一种。
13.根据权利要求11所述的发光器件，其特征在于，所述第一主体材料的化学结构通式如式2-2所示：
式2-2中，R7至R15各自独立选自氢、氘、卤素基团、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、氨基、经取代或未经取代C3～C30的甲硅烷基、经取代或未经取代的硼基、经取代或未经取代的C1～C30烷基、经取代或未经取代的C3～C30的环烷基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的烷基硫基、经取代或未经取代的芳基硫基、经取代或未经取代的烷基磺酰基、经取代或未经取代的C6～C30芳基磺酰基、经取代或未经取代的烯基、经取代或未经取代的芳烷基、经取代或未经取代的芳烯基、经取代或未经取代的烷基芳基、经取代或未经取代的烷基胺基、经取代或未经取代的C1～C30芳烷基胺基、经取代或未经取代的C6～C30杂芳基胺基、经取代或未经取代的C6～C30芳基胺基、经取代或未经取代的C6～C30芳基杂芳基胺基、经取代或未经取代的C6～C30芳基膦基、经取代或未经取代的氧化膦基团、经取代或未经取代C6～C30的芳基、经取代或未经取代的杂环基、经取代或未经取代的C1～C30烷基二C6～C30芳基甲硅烷基中的至少一种。
14.根据权利要求13所述的发光器件，其特征在于，R7和R8用于相互键合形成经取代或未经取代的单环脂环族环、经取代或未经取代的C3～C30多环脂环族环、经取代或未经取代单环芳香族环、经取代或未经取代C3～C30多环芳香族环，R7和R8中的碳原子用于被N、O、S、B和P中的至少一种原子替换；和/或，
R12和R13用于相互键合形成经取代或未经取代的单环脂环族环、经取代或未经取代的C3～C30多环脂环族环、经取代或未经取代单环芳香族环、经取代或未经取代C3～C30多环芳香族环，R12和R13中的碳原子用于被N、O、S、B、P、Si中的至少一种原子替换；和/或，
式2-2中，经取代的第二基团的取代基具有含氧基团；和/或，
式2-2中，未经取代的基团和/或经取代的所述第二基团的取代基具有叔丁基。
15.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输层的化学结构通式与所述第一主体材料的化学结构通式相同。
16.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第二空穴传输层的未占有电子能量最低轨道能级的绝对值与所述第一主体材料的未占有电子能量最低轨道能级的绝对值的差值大于0.2eV。
17.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，还包括：
第一电子传输层，所述第一电子传输层设置于所述发光层远离所述第一空穴传输层的一侧，所述第一电子传输层的三线态能级大于所述第一主体材料的三线态能级。
18.根据权利要求17所述的发光器件，其特征在于，所述第一电子传输层的三线态能级与所述第一主体材料的三线态能级的差值大于0.3eV；和/或，
所述第一电子传输层的最高占据分子轨道能级的绝对值与所述荧光发射体材料的最高占据分子轨道能级的差值大于0.3eV。
19.一种显示面板，其特征在于，包括：
如权利要求4-18中任一项所述的发光器件。
20.一种显示装置，其特征在于，包括：
如权利要求19所述的显示面板。
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