CN114686854A - 一种用于管式镀膜设备的供源***及供源方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开一种用于管式镀膜设备的供源***及供源方法，包括：三甲基铝供给柜，供给气态的三甲基铝；一级管路，连通于三甲基铝供给柜以输送气态的三甲基铝；二级管路，并列连通于一级管路以输送经一级管路输送的三甲基铝；多个分支管路，依次从二级管路分支出来并分别连通到对应的用于镀膜的工艺炉管；多个真空泵设置在二级管路的末端并且与工艺炉管一一对应，在一级管路上或者在二级管路上且在所有的分支管路的上游侧设置有总控制阀门；分支管路上且紧邻工艺炉管的入口处设置有分支阀门，在二级管路上且在所有的分支管路的下游侧设置有清洗阀门。本申请缩短了分支阀门与工艺炉管之间的管路长度，取消了后清洗，提高了三甲基铝供给柜的利用率。
Description
技术领域
本申请涉及太阳能电池片技术领域，尤其涉及一种用于管式镀膜设备的供源***及供源方法。
背景技术
在电池片生产过程中，需要用管式氧化铝镀膜设备给硅片镀氧化铝、氮化硅膜，从而增加电池片的电转换效率。
当前管式氧化铝镀膜设备设计一台三甲基铝供给柜为五根氧化铝工艺炉管提供源液供给，而控制每个工艺炉管通源的气动阀位置设置在靠近三甲基铝供给柜侧，使得三甲基铝供给柜至工艺炉管之间的管道变长，在通源结束后，由于工艺炉管需要打开，此时工艺炉管与外界连通，外界空气通过工艺炉管进入到气动阀与工艺炉管之间的管路中，管路中残留的三甲基铝会在空气的作用下分解和结晶，从而堵塞管路；
因此，在现有技术中为了避免管路堵塞，在通源结束后会对管路进行后清洗，继续供应清洗气体以将管路中残留的三甲基铝在气流的作用下排净，因而造成每个工艺炉管占用三甲基铝供给柜的时长增长，从而降低了三甲基铝供给柜的利用率。
发明内容
本申请的目的在于克服现有技术中通源后需要后清洗步骤导致每个工艺炉管占用三甲基铝供给柜的时长增长，使得三甲基铝供给柜利用率低的缺陷。
为此，本发明提供一种用于管式镀膜设备的供源***，采用该***不再需要利用三甲基铝供给柜对管路进行后清洗吹扫，降低单根工艺炉管占用蒸发器的时间，提高三甲基铝柜的利用率，使得每台三甲基铝柜可以匹配更多的工艺炉管以提高三甲基铝柜的利用率。
本发明技术方案如下：一种用于管式镀膜设备的供源***，包括：三甲基铝供给柜，供给气态的三甲基铝；一级管路，连通于所述三甲基铝供给柜以输送所述三甲基铝供给柜供给的气态的三甲基铝；二级管路，连通于所述一级管路以输送经所述一级管路输送的气态的三甲基铝；多个分支管路，依次从所述二级管路分支出来并分别连通到对应的用于镀膜的工艺炉管；以及多个真空泵，设置在所述二级管路的末端并且与所述工艺炉管一一对应，其中，在所述一级管路上或者在所述二级管路上且在所有的所述分支管路的上游侧设置有总控制阀门；所述分支管路上且紧邻所述工艺炉管的入口处设置有控制接通或截断向对应的所述工艺炉管供给气态的三甲基铝的分支阀门，在所述二级管路上且在所有的所述分支管路的下游侧设置有控制接通或截断所述真空泵与所述一级管路和所述三甲基铝供给柜的连通的清洗阀门。
可选的是，所述三甲基铝供给柜包括用于注入第一气体的第一注入口、用于注入液态的三甲基铝的第二注入口、与所述第一注入口和所述第二注入口连通以将液态的所述三甲基铝气化成气态的三甲基铝的蒸发器以及与所述蒸发器连通以将所述第一气体或气化的所述三甲基铝输出到所述一级管路的出气口。
可选的是，在每个所述分支管路上且在所述工艺炉管的入口与所述分支阀门之间设置有用于注入第二气体的第三注入口，在所述第三注入口与所述分支管路之间设置有第三阀门。
本申请同时还提供一种用于管式镀膜设备的供源方法，采用该供源方法可以取消占用三甲基铝柜进行后清洗的步骤，降低高纯氮气用量的同时缩短单根工艺炉管占用三甲基铝柜的工艺时间，提高三甲基铝柜的利用率。
因此本方案提供了一种用于管式镀膜设备的供源方法，利用以上所述的用于管式镀膜设备的供源***，包括如下步骤：S110：打开总控制阀门；S120：关闭所有分支阀门；S130：对其中一个工艺炉管进行前清扫和通源：前清扫：打开清扫阀门和与该工艺炉管对应的真空泵，通过三甲基铝供给柜输入第一气体以对一级管路、二级管路以及与该工艺炉管对应的分支管路进行清扫，完成后关闭清扫阀门；通源：打开与该工艺炉管连通的分支阀门，通过三甲基铝供给柜供通入第一气体和气态三甲基铝以进行镀膜，完成后关闭与该工艺炉管连通的分支阀门；S140：在该工艺炉管的前清扫和通源结束后，基于相同的操作依次对其他工艺炉管进行前清扫和通源。
可选的是，所述供源方法在步骤S130之后还包括：S131：打开第三注入口注入第二气体以对该工艺炉管的入口与所述分支阀门之间的分支管路进行后清扫，完成后关闭所述第三注入口，其中步骤S131与步骤S140中对另一工艺炉管的前清扫和通源同步进行。
本发明另一技术方案还提供了一种用于管式镀膜设备的供源***，包括三甲基铝供给柜，供给气态的三甲基铝；一级管路，连通于所述三甲基铝供给柜以输送所述三甲基铝供给柜供给的气态的三甲基铝；多个二级管路，并列设置并连通于所述一级管路以输送经所述一级管路输送的气态的三甲基铝；多个分支管路组，每个分支管路组对应一个所述二级管路，并且每个分支管路组包括依次从对应的二级管路分支出来并分别连通到对应的用于镀膜的工艺炉管的多个分支管路；以及多个真空泵组，每个真空泵组与二级管路一一对应地设置在对应的所述二级管路的末端并且包括与工艺炉管一一对应的多个真空泵，其中，在每一个所述二级管路上且在对应的分支管路组的所有的分支管路的上游侧分别设置有总控制阀门；在每一个所述分支管路上紧邻对应的所述工艺炉管的入口处设置有控制接通或截断向该对应的所述工艺炉管供给气态的三甲基铝的分支阀门，在每一个所述二级管路且在对应的分支管路组的所有的分支管路的下游侧设置有控制接通或截断对应的真空泵组与所述一级管路和所述三甲基铝供给柜的连通的清洗阀门。
可选的是，所述三甲基铝供给柜包括用于注入第一气体的第一注入口、用于注入液态的三甲基铝的第二注入口、与所述第一注入口和所述第二注入口连通以将液态的所述三甲基铝气化成气态的三甲基铝的蒸发器以及与所述蒸发器连通以将所述第一气体或气化的所述三甲基铝输出到所述一级管路的出气口。
可选的是，在每个所述分支管路上且在对应的所述工艺炉管的入口与所述分支阀门之间设置有用于注入第二气体的第三注入口，在所述第三注入口与所述分支管路之间设置有第三阀门。
本方案还提供了一种用于管式镀膜设备的供源方法，利用以上所述的用于管式镀膜设备的供源***，包括如下步骤：S210：打开其中一个二级管路上设置的总控制阀门并关闭其他二级管路上设置的总控制阀门；S220：关闭与该二级管路对应的分支管路组的所有分支管路上的所有分支阀门；S230：对与该二级管路对应的其中一个工艺炉管进行前清扫和通源：前清扫：打开该二级管路上设置的清扫阀门和与该工艺炉管对应的真空泵，通过三甲基铝供给柜输入第一气体以对一级管路、该二级管路以及与该工艺炉管对应的分支管路进行清扫，完成后关闭清扫阀门；通源：打开与该工艺炉管连通的分支阀门，通过三甲基铝供给柜向该工艺炉管通入第一气体和气态的三甲基铝经以进行镀膜，完成后关闭与该工艺炉管连通的分支阀门；S240：在该工艺炉管的前清扫和通源结束后，基于相同的操作依次对于该二级管路对应的其他工艺炉管进行前清扫和通源；S250：重复以上步骤S210-S240，直至与所有二级管路对应的所有分支管路组的所有分支管路完成前清扫和通源。
可选的是，所述供源方法在步骤S230之后还包括：S231：打开第三注入口注入第二气体以对该工艺炉管的入口与所述分支阀门之间的管路进行后清扫，完成后关闭第三注入口，其中步骤S231与步骤S240中对另一工艺炉管的前清扫和通源同步进行。
本申请的技术方案，具有如下优点：
本申请提出的供源***以及供源方法，主要用于硅太阳能电池片生产过程中管式氧化铝镀膜设备，通过对管路结构的优化改造，与每个工艺炉管连通的分支管路上的分支阀门设置在工艺炉管的入口的附近，减少工艺炉管与分支阀门之间的管路的长度，省略了通过三甲基铝柜对该管路进行后清扫的步骤，降低单根工艺炉管占用蒸发器的时间，从而提高三甲基铝柜的利用率，使得每台三甲基铝柜供给更多的工艺炉管。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为相关技术中现有的用于管式镀膜设备的供源***的示意图；
图2为本实施例一中用于管式镀膜设备的供源***的示意图；
图3为本实施例一中用于管式镀膜设备的供源方法的流程示意图；
图4为本实施例二中用于管式镀膜设备的供源***的示意图；
图5为本实施例二中用于管式镀膜设备的供源方法的流程示意图。
附图标记说明：
11、三甲基铝供给柜；111、第一阀门；112、第一流量控制器；113、蒸发器；114、第一注入口；115、第二注入口；116、出气口；117、第二阀门；118、第二流量控制器；12、一级管路；13、二级管路；131、分支入管；14、分支管路；15、总控制阀门；2、分支阀门；21、分支阀门一；3、工艺炉管；31、工艺炉管一；32、工艺炉管二；4、清扫阀门；5、出气控制阀；51、出气控制阀一；6、真空泵；61、真空泵一；7、第三阀门。
具体实施方式
下面将结合附图对本申请的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
参照图1所示，在电池片生产过程中，需要用管式氧化铝镀膜设备给硅片镀氧化铝、氮化硅膜，从而增加电池片的电转换效率。目前管式氧化铝镀膜设备为一拖五(即一台三甲基铝供给柜11为五根氧化铝工艺炉管3供给三甲基铝)设计，由于控制每个工艺炉管的分支阀门2位置靠近三甲基铝供给柜11的一侧，导致三甲基铝供给柜11至工艺炉管3之间的管道变长，在通源结束后，由于工艺炉管3需要打开，此时工艺炉管3与外界连通，外界空气通过工艺炉管3进入到分支阀门2与工艺炉管3之间的管路中，管路中残留的三甲基铝会在空气的作用下分解和结晶，从而堵塞管路。所以在现有技术中，每根工艺炉管分前清扫、通源、后清扫三步进行，参照图1所示，具体以工艺炉管31为例：
①前清扫，利用三甲基铝柜进行前清扫，通过三甲基铝柜通入高纯氮气由第一阀门111→第一流量控制器112→蒸发器113→清扫阀门4→出气控制阀51→真空泵61；
②通源，打开液态三甲基铝入口，将液态的三甲基铝由蒸发器113高温气化后在高纯氮气的携带下经由分支阀门21通入工艺炉管31；
③后清洗，由于分支阀门21与工艺炉管之间的管路较长，该管路内残留的三甲基铝在工艺炉管打开后会与空气接触分解和结晶而堵塞管路，因此，在通源结束后，继续利用三甲基铝柜，停止注入液态三甲基铝，继续通入高纯氮气，由第一阀门111→第一流量控制器112→蒸发器113→分支阀门21→工艺炉管31，实现对该段管路的后清扫。
由此可见，目前的管式氧化铝镀膜设备为了避免工艺炉管通源结束后管路堵塞，在通源结束后继续利用三甲基铝柜供应高纯氮气以将管路中残留的三甲基铝在气流的作用下排净，在该工艺炉管的后清洗完成后才能对下一工艺炉管进行操作，因而造成每个工艺炉管占用三甲基铝供给柜的时长增长，从而降低了三甲基铝供给柜的利用率。
以下结合具体实施例对本发明提供的用于管式镀膜设备的供源***及供源方法进行详细描述。
实施例一
参照图2所示，为了解决上述问题，本申请实施例一提供了一种用于管式镀膜设备的供源***，包括：三甲基铝供给柜11、一级管路12、二级管路13、分支管路14，其中一级管路12连通于三甲基铝供给柜11以输送三甲基铝供给柜11供给的气态的三甲基铝，二级管路13连接在一级管路12远离三甲基铝供给柜11的末端上以输送经一级管路12输送的气态的三甲基铝，分支管路14设置为多个且依次从二级管路13分支出来并分别连通到对应的用于镀膜的工艺炉管3上。在每个分支管路14上设置有用于控制接通或截断向对应的工艺炉管3供给气态的三甲基铝的分支阀门2，并且分支阀门2设置在紧邻工艺炉管3的入口处以缩短分支阀门2和工艺炉管3之间的通源管路的长度。
通过将分支管路14上控制单个工艺炉管3通源的分支阀门2后移至该工艺炉管3的入口处，缩短了分支阀门2与工艺炉管3之间通源管路的长度；将前、后清洗管路进行整合，省略了通过三甲基铝供给柜11对该管路进行后清扫的步骤，缩短了每个工艺炉管3占用三甲基铝供给柜11的工艺时长，在总工艺时长确定的情况下，可以增加工艺炉管3数量，从而提高生产效率。
在本实施例中，需要说明的是，针对供源***包括一个二级管路13的情况下，该二级管路13连通至一个工艺机台，该工艺机台对应有多根工艺炉管3，在本实施例中以五根工艺炉管3为例进行说明。因此，在该实施例中，一个供源***可以对应于五根工艺炉管3进行通源操作。
在一级管路12上或者在二级管路13且在所有的分支管路14的上游侧设置有总控制阀门15，该总控制阀门15能够控制三甲基铝气体进入工艺机台的分支管路14的通断。
供源***还包括多个真空泵6，真空泵6设置在二级管路13的末端，并且多台真空泵6与工艺炉管3一一对应设置，由于每根工艺炉管3相互之间所处于工作状态是不确定的，因此设置多台真空泵6与工艺炉管3一一对应设置，能够让每台工艺炉管3都有相应的真空泵6来配合使用。在二级管路13的末端设有依次分支出来并分别连通到对应真空泵6上的分支入管131，即每个分支入管131的末端均对应连接一台真空泵6。在每根分支入管131上还分别设置有出气控制阀5，用于控制接通或截断相应的真空泵6与二级管路13连通。在二级管路13上且在所有的分支管路4的下游侧设置有清扫阀门4，另外，清扫阀门4设置在所有分支入管131的上游侧，清扫阀门4用于控制接通或截断所有的分支入管131与一级管路12和三甲基铝供给柜11的连通，并且还可以避免通源时有效气体进入二级管路内形成资源浪费，从而达到节约气态的三甲基铝用量的目的。
在本实施例中，还需要说明的是，三甲基铝供给柜11上设置有蒸发器113、第一注入口114、第二注入口115以及出气口116，其中第一注入口114用于往三甲基铝供给柜11内注入第一气体。第二注入口115用于往三甲基铝供给柜11内注入液态的三甲基铝。当只通过第一注入口114通入第一气体时，第一气体可以作为清扫气体实现对供源***的前清扫作业；当通过第一注入口114和第二注入口115同时注入第一气体和三甲基铝时，第一气体可以作为携带介质携带三甲基铝在管道内流动，实现通源作业。出气口116用于将第一气体或者第一气体携带气化后形成的气态的三甲基铝输出到一级管路12。第一注入口114和第二注入口115与蒸发器113的进口连通，且蒸发器113用于将液态的三甲基铝进行气化成气态的三甲基铝，出气口116与蒸发器113的出口连通以将第一气体或第一气体携带着气化的三甲基铝输出到一级管路12。
在三甲基铝供给柜11内部还设置有第一阀门111和第二阀门117，第一阀门111设置在第一注入口114与蒸发器113之间，第二阀门117设置在第二注入口115与蒸发器113之间。通过第一阀门111可以控制接通或截断向蒸发器113供给第一气体，第二阀门117可以控制接通或截断向蒸发器113供给液态的三甲基铝。在其他实施例中，在三甲基铝供给柜11内部还可以设置有第一流量控制器112和第二流量控制器118，第一流量控制器112设置于第一阀门111和蒸发器113之间且三者依次连接，第二流量控制器118设置于第二阀门117和蒸发器113之间且三者依次连接。第一流量控制器112和第二流量控制器118可以用于控制第一气体和三甲基铝的流量。
在前清扫时，一级管路12的首端连接三甲基铝供给柜11上的出气口116，打开第一阀门111，第一气体在第一流量控制器112的控制下进入蒸发器113内，再由出气口116进入到一级管路12内，打开一级管路12或者二级管路13上的总控制阀门15，从而实现第一气体对蒸发器113以及后续的通源管路的前清扫，其中第一气体包括高纯氮气。同理，通源时打开第二阀门117，液态的三甲基铝由第二注入口115在第二流量控制器118的控制下进入蒸发器113，在蒸发器113内高温气化后与第一气体进行混合，在第一气体的携带下进入到一级管路12内。
在本实施例中，还需要说明的是，在每个分支管路14上且在工艺炉管3的入口与分支阀门2之间设置有第三注入口，第三注入口紧邻工艺炉管3的入口处设置，通过第三注入口往分支阀门2和工艺炉管3之间的通源管路通入第二气体以进行后清扫。在第三注入口和分支管路14之间设置有第三阀门7，在后清扫的时候直接打开，其中第二气体包括使用工艺氮气。由于第三注入口是由单独的气源提供，因此不再需要继续利用三甲基铝供给柜11对分支阀门2和工艺炉管3之间的通源管路进行后清扫，降低单根工艺炉管3占用三甲基铝供给柜11的时长，在利用第三注入口对该工艺炉管3进行后清扫时，可以利用三甲基铝供给柜11对下一工艺炉管3进行前清扫和通源操作，在总工艺时长确定的情况下，使得每台三甲基铝供给柜11可以匹配更多的工艺炉管3以提高三甲基铝供给柜11的利用率。
本实施例原理：本方案主要用于硅太阳能电池片生产过程中管式氧化铝镀膜设备，通过对管路结构的优化改造，将分支阀门后移至分支管路靠近工艺炉管设备端。将原需要后清扫的管路缩短并通过单独的第三注入口进行后清扫，将前清扫与后清扫管道进行有效整顿融合，优化去除了继续由三甲基铝供给柜供应清扫气体以对管路残留的三甲基铝进行吹扫防止堵塞的步骤，降低单根工艺炉管占用蒸发器的时间，从而实现每台三甲基铝柜供给更多工艺炉管，降低生产制造成本，提高三甲基铝供给柜的综合利用率。
参照图2、图3所示，本申请实施例提供与实施例一对应的一种用于管式镀膜设备的供源方法，包括如下步骤：
S110：打开总控制阀门；
在本实施例中，需要说明的是，首先打开位于一级管路12上或者二级管路13上的总控制阀门15；
S120：关闭所有分支阀门；
在本实施例中，需要说明的是，关闭位于所有分支管路14上的分支阀门2，在进行后续清扫的工作时可以避免清扫气体进入工艺炉管3内。
S130：对其中一个工艺炉管进行前清扫和通源：
在本实施例中，需要说明的是，前清扫的具体操作为：打开清扫阀门4和与该工艺炉管3对应的真空泵6以及出气控制阀5，在此实施例中，还需要打开与该真空泵6连接的分支入管131上的出气控制阀5，此时通过第一注入口114往三甲基铝供给柜11通入高纯氮气，高纯氮气在第一流量控制器112的控制下进入蒸发器113内，对蒸发器113进行清扫后，通入至一级管路12、二级管路13内进行前清扫，完成后关闭清扫阀门4，高纯氮气清扫一级管路12、二级管路13后经由二级管路13末端的真空泵6排出。
通源的具体操作为：在前清扫完成后，打开与该工艺炉管3连通的分支阀门2，通过第一注入口114往三甲基铝供给柜11内通入高纯氮气，通过第二注入口115往三甲基铝供给柜11内通入液态的三甲基铝，液态的三甲基铝经蒸发器113高温气化形成气态的三甲基铝，气态的三甲基铝在高纯氮气的携带下经由一级管路12、二级管路13和分支管路14通入该工艺炉管3内以进行镀膜，完成后关闭与该工艺炉管3连通的分支阀门2。
S131：打开第三注入口注入第二气体以对该工艺炉管的入口与所述分支阀门之间的分支管路进行后清扫，完成后关闭所述第三注入口，其中步骤S131与后续的步骤S140中对另一工艺炉管的前清扫和通源同步进行。
在本实施例中，需要说明的是，在对该工艺炉管3进行三甲基铝供给结束后，打开位于该工艺炉管3的入口与分支阀门2之间的第三阀门7，通过第三注入口往管路内通入第二气体，第二气体对分支阀门2和工艺炉管3之间的通源管路进行后清扫，完成后关闭第三注入口。与此同时，后续的步骤S140中对另一工艺炉管的前清扫和通源同步进行。
S140、在该工艺炉管的前清扫和通源结束后，基于相同的操作依次对其他工艺炉管进行前清扫和通源。例如，如图2所示，可以按照从上到下的步骤依次对每个工艺炉管进行前清扫和通源。
在本实施例中，需要说明的是，由于三甲基铝供给柜11在长时间运行供应气态的三甲基铝过程中，三甲基铝会发生自分解，在管道内或者三甲基铝供给柜11内会产生杂质，因此每次完成对一根工艺炉管3的通源工作后都需要重新进行前清扫过程。
在该实施例中，由于通过单独的第三注入口进行后清扫，避免现有技术中使用三甲基铝供给柜进行后清扫，减少每根工艺炉管占用三甲基铝供给柜的时间，在通过第三注入口进行后清扫的同时，三甲基铝供给柜可以对下一工艺炉管进行前清扫和通源，从而提高三甲基铝的利用率。
实施例二
实施例二与实施例一的区别之处仅在于：参照图4所示，供源***包括多个二级管路13，多个二级管路13并列设置并连通于一级管路12。对于二级管路13设置为多个的情况，供源***也将分支管路和真空泵分为多个分支管路组和多个真空泵组，其中每个分支管路组对应一个二级管路13，并且每个分支管路组包括依次从对应的二级管路13分支出来并分别连通到对应的用于镀膜的工艺炉管3的多个分支管路14。每个真空泵组对应一个二级管路13，并且每个真空泵组与二级管路13一一对应地设置在对应的二级管路13的末端并且包括与工艺炉管3一一对应的多个真空泵6。
其中，在每一个二级管路13上且在对应的分支管路组的所有的分支管路14的上游侧分别设置有总控制阀门15，也就是说每一个二级管路13上都有对应的一个总控制阀门15进行控制，在其中一个二级管路13上的总控制阀门15打开时，其他二级管路13上的总控制阀门15则会关闭。在每一个分支管路14上紧邻对应的工艺炉管3的入口处设置有控制接通或截断向该对应的工艺炉管3供给气态的三甲基铝的分支阀门2，在对其中一个工艺炉管3进行通源时打开相应的分支阀门2，且其他工艺炉管3上的分支阀门2则会全部关闭。在每一个二级管路13且在对应的分支管路组的所有的分支管路14的下游侧设置有控制接通或截断对应的真空泵组与一级管路12和三甲基铝供给柜11的连通的清洗阀门4。
在本实施例中二级管路13以设置为两个为例进行说明，也就是说每个二级管路13对应一个工艺机台，每台工艺机台对应有五根工艺炉管3，在供源的时候先对其中一个工艺机台内的所有工艺炉管3通源结束后，再切换对另外一个工艺机台内的所有工艺炉管3进行通源。
参照图4、图5所示，本申请实施例还提供与实施例二对应的一种用于管式镀膜设备的供源方法，包括如下步骤：
S210：打开其中一个二级管路上设置的总控制阀门并关闭其他二级管路上设置的总控制阀门；
在本实施例中，需要说明的是，针对供源***包括多个二级管路13的情况时，首先打开其中一个二级管路13上设置的总控制阀门15并关闭其他二级管路13上设置的总控制阀门15，从而实现当一个二级管路13上的分支管路组供源结束后切换另一个二级管路13上的分支管路组。
S220：关闭与该二级管路对应的分支管路组的所有分支管路上的所有分支阀门；
在本实施例中，需要说明的是，关闭与该二级管路13对应分支管路组的所有分支管路14上的所有分支阀门2，在进行后续清扫的工作时可以避免清扫气体进入工艺炉管3内。
S230：对与该二级管路对应的其中一个工艺炉管进行前清扫和通源：
在本实施例中，需要说明的是，前清扫的具体操作为：打开该二级管路13上设置的清扫阀门4和与该工艺炉管对应的真空泵6，此时通过第一注入口114往三甲基铝供给柜11通入高纯氮气，高纯氮气在第一流量控制器112的控制下进入蒸发器113内，对蒸发器113进行清扫后，通入至一级管路12、该二级管路13内以进行清扫，完成后关闭清扫阀门4。
通源的具体操作为：在前清扫完成后，打开与该工艺炉管3连通的分支阀门2，通过第一注入口114往三甲基铝供给柜11内通入高纯氮气，通过第二注入口115往三甲基铝供给柜11内通入液态的三甲基铝，液态的三甲基铝经蒸发器113高温气化形成气态的三甲基铝，气态的三甲基铝在高纯氮气的携带下经由一级管路12、二级管路13和分支管路14通入该工艺炉管3内以进行镀膜，完成后关闭与该工艺炉管3连通的分支阀门2。
S231：打开第三注入口注入第二气体以对该工艺炉管的入口与所述分支阀门之间的管路进行后清扫，完成后关闭所述第三注入口，其中步骤S231与后续步骤S240中对另一工艺炉管的前清扫和通源同步进行；
在本实施例中，需要说明的是，在对该工艺炉管3进行三甲基铝供给结束后，打开位于该工艺炉管3的入口与分支阀门2之间的第三阀门7，通过第三注入口往管路内通入第二气体，第二气体对分支阀门2和工艺炉管3之间的通源管路进行后清扫，完成后关闭第三注入口。与此同时，后续的步骤S240中对另一工艺炉管的前清扫和通源同步进行。
S240：在该工艺炉管的前清扫和通源结束后，基于相同的操作依次对于该二级管路对应的其他工艺炉管进行前清扫和通源；
S250：重复以上步骤S210-S240，直至与所有二级管路对应的所有分支管路组的所有分支管路完成前清扫和通源。
参照图4所示，针对多个二级管路13的情况，为了便于理解前清洗和通源过程，此处以工艺炉管31为例进行详细说明：
针对前清扫过程：打开第一阀门111、打开位于其中一个二级管路13(例如上面的二级管路13)上的总控制阀门15，关闭其他二级管路13上的总控制阀门15，打开上面二级管路13上的清扫阀门4、与最上面的工艺炉管一31对应的出气控制阀门51、真空泵一61，则此时高纯氮气的清扫流程为，高纯氮气从第一注入口114注入，依次流经第一流量控制器112和蒸发器113，对蒸发器113进行吹扫，吹扫后依次对一级管路12、二级管路13进行吹扫，从而实现前清扫流程，也即高纯氮气由第一阀门111→第一流量控制器112→蒸发器113→总控制阀门15→清扫阀门4→出气控制阀51→真空泵一61，在前清扫流程结束后，关闭清扫阀门4。
通源过程：打开分支阀门一21，将液态的三甲基铝从第二注入口115注入至三甲基铝供给柜11内，经过第二流量控制器118后进入蒸发器113，在蒸发器113内部高温气化后在高纯氮气的携带下经由一级管路12、二级管路13和分支管路14通入工艺炉管一31，从而完成通源操作，在对工艺炉管一31进行通源结束后，关于分支阀门一21。
在对工艺炉管一31进行通源结束后，供源***会对该二级管路13对应下的下一个工艺炉管，即位于工艺炉管一31下方的工艺炉管二32进行上述相同的前清扫、通源操作，依次类推，直到该台工艺机台内与二级管路13连通的的所有工艺炉管3都完成通源动作后，切换另一台工艺机台。
切换成另一台工艺机台时，将上面的二级管路13上的总控制阀门15关闭，然后打开下面的二级管路13，按照以上相同的操作依次对于下面的二级管路13连通的所有工艺炉管3进行操作。
需要说明的是，该实施例与实施例一相同，在每个工艺炉管通源操作完成后，在利用三甲基铝柜对下一个工艺炉管进行前清扫和通源操作的同时，可以利用第三注入口对该通源操作完成的该工艺炉管进行后清扫操作。
以上所述仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种用于管式镀膜设备的供源***，其特征在于，包括：
三甲基铝供给柜(11)，供给气态的三甲基铝；
一级管路(12)，连通于所述三甲基铝供给柜(11)以输送所述三甲基铝供给柜(11)供给的气态的三甲基铝；
二级管路(13)，连通于所述一级管路(12)以输送经所述一级管路(12)输送的气态的三甲基铝；
多个分支管路(14)，依次从所述二级管路(13)分支出来并分别连通到对应的用于镀膜的工艺炉管(3)；以及
多个真空泵(6)，设置在所述二级管路(13)的末端并且与所述工艺炉管(3)一一对应，
其中，在所述一级管路(12)上或者在所述二级管路(13)且在所有的所述分支管路(14)的上游侧设置有总控制阀门(15)；
所述分支管路(14)上且紧邻所述工艺炉管(3)的入口处设置有控制接通或截断向对应的所述工艺炉管(3)供给气态的三甲基铝的分支阀门(2)，
在所述二级管路(13)且在所有的所述分支管路(14)的下游侧设置有控制接通或截断所述真空泵(6)与所述一级管路(12)和所述三甲基铝供给柜(11)的连通的清洗阀门(4)。
2.根据权利要求1所述的管式镀膜设备的供源***，其特征在于，
所述三甲基铝供给柜(11)包括用于注入第一气体的第一注入口(114)、用于注入液态的三甲基铝的第二注入口(115)、与所述第一注入口(114)和所述第二注入口(115)连通以将液态的所述三甲基铝气化成气态的三甲基铝的蒸发器(113)以及与所述蒸发器(113)连通以将所述第一气体或气化的三甲基铝输出到所述一级管路(12)的出气口(116)。
3.根据权利要求2所述的用于管式镀膜设备的供源***，其特征在于，
在每个所述分支管路(14)且在所述工艺炉管(3)的入口与所述分支阀门(2)之间设置有用于注入第二气体的第三注入口，在所述第三注入口与所述分支管路(14)之间设置有第三阀门(7)。
4.一种用于管式镀膜设备的供源方法，利用如权利要求1-3任一项所述的用于管式镀膜设备的供源***，其特征在于，包括如下步骤：
S110：打开总控制阀门(15)；
S120：关闭所有分支阀门(2)；
S130：对其中一个工艺炉管进行前清扫和通源：
前清扫：打开清扫阀门(4)和与该工艺炉管(3)对应的真空泵(6)，通过三甲基铝供给柜(11)输入第一气体以对一级管路(12)、二级管路(13)以及与该工艺炉管(3)对应的分支管路(14)进行清扫，完成后关闭清扫阀门(4)；
通源：打开与该工艺炉管(3)连通的分支阀门(2)，通过三甲基铝供给柜(11)向该工艺炉管(3)通入第一气体和气态三甲基铝以进行镀膜，完成后关闭与该工艺炉管(3)连通的分支阀门(2)；
S140：在该工艺炉管的前清扫和通源结束后，基于相同的操作依次对其他工艺炉管进行前清扫和通源。
5.根据权利要求4所述的用于管式镀膜设备的供源方法，其特征在于，所述供源方法在步骤S130之后还包括：
S131：打开第三注入口注入第二气体以对该工艺炉管(3)的入口与所述分支阀门(2)之间的分支管路(14)进行后清扫，完成后关闭所述第三注入口，
其中步骤S131与步骤S140中对另一工艺炉管(3)的前清扫和通源同步进行。
6.一种用于管式镀膜设备的供源***，其特征在于，包括：
三甲基铝供给柜(11)，供给气态的三甲基铝；
一级管路(12)，连通于所述三甲基铝供给柜(11)以输送所述三甲基铝供给柜(11)供给的气态的三甲基铝；
多个二级管路(13)，并列设置并连通于所述一级管路(12)以输送经所述一级管路(12)输送的气态的三甲基铝；
多个分支管路组，每个分支管路组对应一个所述二级管路(13)，并且每个分支管路组包括依次从对应的二级管路(13)分支出来并分别连通到对应的用于镀膜的工艺炉管(3)的多个分支管路(14)；以及
多个真空泵组，每个真空泵组与二级管路(13)一一对应地设置在对应的所述二级管路(13)的末端并且包括与工艺炉管(3)一一对应的多个真空泵(6)，
其中，在每一个所述二级管路(13)上且在对应的分支管路组的所有的分支管路(14)的上游侧分别设置有总控制阀门(15)；
在每一个所述分支管路(14)上紧邻对应的所述工艺炉管(3)的入口处设置有控制接通或截断向该对应的所述工艺炉管(3)供给气态的三甲基铝的分支阀门(2)，
在每一个所述二级管路(13)且在对应的分支管路组的所有的分支管路(14)的下游侧设置有控制接通或截断对应的真空泵组与所述一级管路(12)和所述三甲基铝供给柜(11)的连通的清洗阀门(4)。
7.根据权利要求6所述的用于管式镀膜设备的供源***，其特征在于，
所述三甲基铝供给柜(11)包括用于注入第一气体的第一注入口(114)、用于注入液态的三甲基铝的第二注入口(115)、与所述第一注入口(114)和所述第二注入口(115)连通以将液态的所述三甲基铝气化成气态的三甲基铝的蒸发器(113)以及与所述蒸发器(113)连通以将所述第一气体或气化的所述三甲基铝输出到所述一级管路(12)的出气口(116)。
8.根据权利要求7所述的用于管式镀膜设备的供源***，其特征在于，
在每个所述分支管路(14)上且在对应的所述工艺炉管(3)的入口与所述分支阀门(2)之间设置有用于注入第二气体的第三注入口，在所述第三注入口与所述分支管路(14)之间设置有第三阀门(7)。
9.一种用于管式镀膜设备的供源方法，利用如权利要求6-8任一项所述的用于管式镀膜设备的供源***，其特征在于，包括如下步骤：
S210：打开其中一个二级管路(13)上设置的总控制阀门(15)并关闭其他二级管路(13)上设置的总控制阀门(15)；
S220：关闭与该二级管路(13)对应的分支管路组的所有分支管路(14)上的所有分支阀门(2)；
S230：对与该二级管路(13)对应的其中一个工艺炉管进行前清扫和通源：
前清扫：打开该二级管路(13)上设置的清扫阀门(4)和与该工艺炉管对应的真空泵(6)，通过三甲基铝供给柜(11)输入第一气体以对一级管路(12)、该二级管路(13)以及与该工艺炉管对应的分支管路(14)进行清扫，完成后关闭清扫阀门(4)；
通源：打开与该工艺炉管(3)连通的分支阀门(2)，通过三甲基铝供给柜(11)向该工艺炉管(3)通入第一气体和气态的三甲基铝经以进行镀膜，完成后关闭与该工艺炉管(3)连通的分支阀门(2)；
S240：在该工艺炉管的前清扫和通源结束后，基于相同的操作依次对于该二级管路(13)对应的其他工艺炉管进行前清扫和通源；
S250：重复以上步骤S210-S240，直至与所有二级管路(13)对应的所有分支管路组的所有分支管路(14)完成前清扫和通源。
10.根据权利要求9所述的用于管式镀膜设备的供源方法，其特征在于，
所述供源方法在步骤S230之后还包括：
S231：打开第三注入口注入第二气体以对该工艺炉管(3)的入口与所述分支阀门(2)之间的管路进行后清扫，完成后关闭所述第三注入口，
其中步骤S231与步骤S240中对另一工艺炉管(3)的前清扫和通源同步进行。
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