CN114237502A - 提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法及装置 - Google Patents

提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法及装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法及装置，涉及计算机数据存储技术领域，该方法包括获取智能卡中各文件***的频繁更新文件，并在智能卡存储空间中创建一区域作为均衡擦写区；将获取的频繁更新文件存储至均衡擦写区，并基于各频繁更新文件在均衡擦写区的存储区域创建对应表；基于对应表记录的各频繁更新文件在均衡擦写区中的存储区域，进行频繁更新文件的读取/写入。本发明在保证智能卡寿命的同时也避免了智能卡存储空间的浪费。

Description

提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法及装置
技术领域
本发明涉及计算机数据存储技术领域，具体涉及一种提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法及装置。
背景技术
eSIM(Embedded-SIM，虚拟智能卡)卡是将传统SIM(Subscriber IdentificationModule，用户身份识别卡)卡直接嵌入到设备芯片上，无需作为独立的可移除零部件加入设备中，无需在设备中***物理SIM卡便可使用运营商网络，从而节省更多移动设备使用成本，并带来更多的便利、安全性。
eSIM卡中一般存在多套文件***，在使用的过程中，文件***在进行文件更新时需要对eSIM智能卡的FLASH(闪存)空间进行读写操作，频繁的读写操作必然会影响智能卡存储空间的使用寿命。当前，为了提高智能卡存储空间的使用寿命，通常将智能卡的存储区域划分为相同大小的物理块进行使用，并使用数量庞大的映射块，但此种方式仍旧对智能卡存储空间的使用寿命提升效果不大，且还存在浪费智能卡存储空间的问题。
发明内容
针对现有技术中存在的缺陷，本发明的目的在于提供一种提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法及装置，在保证智能卡寿命的同时也避免了智能卡存储空间的浪费。
为达到以上目的，本发明提供的一种提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法，具体包括以下步骤：
获取智能卡中各文件***的频繁更新文件，并在智能卡存储空间中创建一区域作为均衡擦写区；
将获取的频繁更新文件存储至均衡擦写区，并基于各频繁更新文件在均衡擦写区的存储区域创建对应表；
基于对应表记录的各频繁更新文件在均衡擦写区中的存储区域，进行频繁更新文件的读取/写入。
在上述技术方案的基础上，所述基于各频繁更新文件在均衡擦写区的存储区域创建对应表，具体步骤为：
对均衡擦写区中用于存储频繁更新文件的存储区域进行编号；
将频繁更新文件的文件ID，与均衡擦写区中存储该频繁更新文件的存储区域的编号进行对应，形成对应表。
在上述技术方案的基础上，所述基于对应表记录的各频繁更新文件在均衡擦写区中的存储区域，进行频繁更新文件的读取/写入，具体包括：
当进行频繁更新文件的读取时，基于对应表得到待读取频繁更新文件在均衡擦写区中的对应存储区域，并读取该存储区域最新的文件值；
当进行频繁更新文件的写入时，基于对应表得到待写入频繁更新文件在均衡擦写区中的对应存储区域，并将频繁更新文件的文件值写入该存储区域。
在上述技术方案的基础上，所述当进行频繁更新文件的读取时，基于对应表得到待读取频繁更新文件在均衡擦写区中的对应存储区域，并读取该存储区域最新的文件值，具体步骤包括：
进行文件的读取时：
若待读取文件为频繁更新文件，则基于对应表和待读取文件的文件ID，得到待读取文件在均衡擦写区中的对应存储区域，并读取该存储区域最新的文件值；
若待读取文件为非频繁更新文件，则在智能卡存储空间中的非均衡擦写区读取得到待读取文件的最新文件值。
在上述技术方案的基础上，所述当进行频繁更新文件的写入时，基于对应表得到待写入频繁更新文件在均衡擦写区中的对应存储区域，并将频繁更新文件的文件值写入该存储区域，具体步骤包括：
进行文件的写入时：
若待写入文件为频繁更新文件，则基于对应表和待写入文件的文件ID，得到待写入文件在均衡擦写区中的对应存储区域，并将待写入文件的的文件值写入该存储区域；
若待写入文件为非频繁更新文件，则在智能卡存储空间中的非均衡擦写区写入待写入文件的文件值。
在上述技术方案的基础上，所述方法还包括：
在进行文件***的文件更新时，若当前文件不在对应表中，则对当前文件的文件ID进行记录；
当记录次数未达到预设次数时，记录当前文件为非频繁更新文件；
当记录次数大于等于预设次数时，记录当前文件为频繁更新文件。
在上述技术方案的基础上，当智能卡进行文件***切换时：
将对应表中的频繁更新文件在均衡擦写区的最新文件值备份至当前文件***；
进行文件***切换，并待文件***切换完成后，将切换后的新文件***的频繁更新文件的文件值存储至均衡擦写区。
在上述技术方案的基础上，所述方法还包括：
基于计数器计数方式，当均衡擦写区的写入次数达到预设写入次数时，将智能卡存储空间中的均衡擦写区和文件***区进行对调。
在上述技术方案的基础上，所述将智能卡存储空间中的均衡擦写区和文件***区进行对调，具体步骤包括：
将原均衡擦写区中各频繁更新文件的最新文件值备份至原文件***区中；
擦除原均衡擦写区中的数据，并在原均衡擦写区中写入原文件***区的内容，并修改智能卡文件***的首地址，以使原均衡擦写区作为当前文件***区；
修改对应表，将原文件***区作为当前均衡擦写区，并将备份数据存储到当前均衡擦写区。
本发明提供的一种提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的装置，包括：
获取模块，其用于获取智能卡中各文件***的频繁更新文件，并在智能卡存储空间中创建一区域作为均衡擦写区；
创建模块，其用于将获取的频繁更新文件存储至均衡擦写区，并基于各频繁更新文件在均衡擦写区的存储区域创建对应表；
读写模块，其用于基于对应表记录的各频繁更新文件在均衡擦写区中的存储区域，进行频繁更新文件的读取/写入。
与现有技术相比，本发明的优点在于：通过在智能卡存储空间中创建一区域作为均衡擦写区，然后将文件***的频繁更新文件存储至均衡擦写区，并基于各频繁更新文件在均衡擦写区的存储区域创建对应表，后续在进行频繁更新文件的读取和写入时，基于对应表记录的各频繁更新文件在均衡擦写区中的存储区域，进行频繁更新文件的读取/写入，通过单独创建一均衡擦写区进行频繁更新文件的读写操作，在保证智能卡寿命的同时也避免了智能卡存储空间的浪费。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中一种提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法的流程图；
图2为本发明实施例中一种提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的装置的结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供一种提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法，通过在智能卡存储空间中创建一区域作为均衡擦写区，然后将文件***的频繁更新文件存储至均衡擦写区，并基于各频繁更新文件在均衡擦写区的存储区域创建对应表，后续在进行频繁更新文件的读取和写入时，基于对应表记录的各频繁更新文件在均衡擦写区中的存储区域，进行频繁更新文件的读取/写入，通过单独创建一均衡擦写区进行频繁更新文件的读写操作，在保证智能卡寿命的同时也避免了智能卡存储空间的浪费。本发明实施例相应地还提供了一种提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的装置。
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
参见图1所示，本发明实施例提供的一种提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法，具体包括以下步骤：
S1：获取智能卡中各文件***的频繁更新文件，并在智能卡存储空间中创建一区域作为均衡擦写区；
对于单个文件***而言，其包括多个文件，文件***在进行更新时，并不会对其包含的所有文件进行更新，一般只会对部分文件进行更新，当文件***中某个文件被更新的次数达到预设次数时，则将其定义为频繁更新文件，并在智能卡存储空间中单独创建一区域，对所有文件***的频繁更新文件进行存储，后续在进行进行文件更新的读写操作时，仅需对该区域进行读写操作，有效提升智能卡存储空间的使用寿命。
S2：将获取的频繁更新文件存储至均衡擦写区，并基于各频繁更新文件在均衡擦写区的存储区域创建对应表。智能卡中包括多个文件***，且包括至少一个频繁更新文件；均衡擦写区用于存储文件***的所有频繁更新文件，且所述对应表用于记录所有频繁更新文件在均衡擦写区的存储区域，且均衡擦写区包括多个存储区域。对应表由COS(ChipOperating System，智能卡芯片操作***)进行维护。
即单独在智能卡存储空间中创建一均衡擦写区，将文件***的频繁更新文件存储于均衡擦写区，后续对于频繁更新文件的读写操作，均在均衡擦写区进行。
本发明实施例中，基于各频繁更新文件在均衡擦写区的存储区域创建对应表，具体步骤为：
S201：对均衡擦写区中用于存储频繁更新文件的存储区域进行编号；
S202：将频繁更新文件的文件ID(Identity Document，身份标识号)，与均衡擦写区中存储该频繁更新文件的存储区域的编号进行对应，形成对应表。
即将每一个频繁更新文件在均衡擦写区中的存储区域的编号，与该频繁更新文件的文件ID进行关联，从而形成对应表，后续根据频繁更新文件的文件ID，查询对应表，即可得到当前频繁更新文件在均衡擦写区中的存储区域。
S3：基于对应表记录的各频繁更新文件在均衡擦写区中的存储区域，进行频繁更新文件的读取/写入。具体的：
当进行频繁更新文件的读取时，基于对应表得到待读取频繁更新文件在均衡擦写区中的对应存储区域，并读取该存储区域最新的文件值；即根据对应表，得到当前待读取的频繁更新文件在均衡擦写区中的存储区域，然后读取该存储区域最新的文件值，实现对当前待读取的频繁更新文件的读取。
当进行频繁更新文件的写入时，基于对应表得到待写入频繁更新文件在均衡擦写区中的对应存储区域，并将频繁更新文件的文件值写入该存储区域。即在进行频繁更新文件的写入时，根据对应表，得到当前待写入的频繁更新文件在均衡擦写区中的存储区域，然后将待写入的频繁更新文件文件值写入该存储区域，实现对当前待写入的频繁更新文件的写入。
本发明实施例中，当进行频繁更新文件的读取时，基于对应表得到待读取频繁更新文件在均衡擦写区中的对应存储区域，并读取该存储区域最新的文件值，具体步骤包括：
进行文件的读取时：
若待读取文件为频繁更新文件，则基于对应表和待读取文件的文件ID，得到待读取文件在均衡擦写区中的对应存储区域，并读取该存储区域最新的文件值；
若待读取文件为非频繁更新文件，则在智能卡存储空间中的非均衡擦写区读取得到待读取文件的最新文件值。
由于频繁更新文件为需要频繁进行读取操作的文件，通过将频繁更新文件存储在均衡擦写区，在进行频繁更新文件读取时，直接在均衡擦写区中读取即可；对于非频繁更新文件，其读取操作次数较少，其存储于非均衡擦写区，因此对于非频繁更新文件，正常读取即可。
本发明实施例中，当进行频繁更新文件的写入时，基于对应表得到待写入频繁更新文件在均衡擦写区中的对应存储区域，并将频繁更新文件的文件值写入该存储区域，具体步骤包括：
进行文件的写入时：
若待写入文件为频繁更新文件，则基于对应表和待写入文件的文件ID，得到待写入文件在均衡擦写区中的对应存储区域，并将待写入文件的的文件值写入该存储区域；
若待写入文件为非频繁更新文件，则在智能卡存储空间中的非均衡擦写区写入待写入文件的文件值。
由于频繁更新文件为需要频繁进行写入操作的文件，通过将频繁更新文件存储在均衡擦写区，在进行频繁更新文件写入时，直接在均衡擦写区中写入即可；对于非频繁更新文件，其写入操作次数较少，其存储于非均衡擦写区，因此对于非频繁更新文件，正常写入即可。
本发明实施例中，所述提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法还包括：
在进行文件***的文件更新时，若当前文件不在对应表中，则对当前文件的文件ID进行记录；
基于对当前文件的文件ID记录次数：
当记录次数未达到预设次数时，记录当前文件为非频繁更新文件；
当记录次数大于等于预设次数时，记录当前文件为频繁更新文件。
即每次在更新文件时，对更新的文件的ID进行记录，若当前更新的文件的ID之前已有记录，则直接在之前的记录上次数+1；如果某个文件文件ID记录次数达到预设次数(预设次数可以为1000次)，则判定该文件为频繁更新文件，则将该文件分配至均衡擦写区中进行读写操作，并对应记录在对应表中。当然，在更新文件时，若当前更新的文件已记录在对应表中，则对当前更新的文件不进行ID记录。
本发明实施例中，当智能卡进行文件***切换时：
a：将对应表中的频繁更新文件在均衡擦写区的最新文件值备份至当前文件***；
b：进行文件***切换，并待文件***切换完成后，将切换后的新文件***的频繁更新文件的文件值存储至均衡擦写区。通过切换方式，保证当前所使用文件***的频繁更新文件始终存储在均衡擦写区。
本发明实施例的提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法，还包括，基于计数器计数方式，当均衡擦写区的写入次数达到预设写入次数时，将智能卡存储空间中的均衡擦写区和文件***区进行对调。即通过计数器对均衡擦写区的写入次数进行记录，当计数器每增加10000次时，将智能卡存储空间中的均衡擦写区和文件***区进行对调。通过对调方式，避免长时间对智能卡存储空间的某一区域进行读写操作，进而彻底损坏该区域，导致智能卡存储空间减少，故当均衡擦写区的写入次数达到预设写入次数时，将智能卡存储空间中的均衡擦写区和文件***区进行对调，换个区域进行读写操作。
本发明实施例中，将智能卡存储空间中的均衡擦写区和文件***区进行对调，具体步骤包括：
A：将原均衡擦写区中各频繁更新文件的最新文件值备份至原文件***区中；
B：擦除原均衡擦写区中的数据，并在原均衡擦写区中写入原文件***区的内容，并修改智能卡文件***的首地址，以使原均衡擦写区作为当前文件***区；
C：修改对应表，将原文件***区作为当前均衡擦写区，并将备份数据存储到当前均衡擦写区，实现均衡擦写区和文件***区的对调，进一步提升智能卡存储空间的使用寿命。
本发明的提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法：由于eSIM卡中存在多套文件***，通常情况下可能长期使用某一套文件***而其他文件***几乎不使用，对于文件***中频繁更新的文件，各文件***共用一块均衡擦写区域进行频繁更新文件的存储，既保证了卡片的寿命也避免了卡片空间的浪费；由于eSIM卡使用场景的多样性，本发明通过定义一套频繁更新文件的自动识别机制，保护了真正更新频繁的文件，有效提高卡片寿命；由于eSIM卡实际使用中，除频繁更新文件外，其它普通文件更新频率极低，故定义了频繁更新文件和普通文件存储区域切换的机制，使得整个卡片的FLASH擦写更加均匀，提高卡片寿命。
本发明实施例的提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法，通过在智能卡存储空间中创建一区域作为均衡擦写区，然后将文件***的频繁更新文件存储至均衡擦写区，并基于各频繁更新文件在均衡擦写区的存储区域创建对应表，后续在进行频繁更新文件的读取和写入时，基于对应表记录的各频繁更新文件在均衡擦写区中的存储区域，进行频繁更新文件的读取/写入，通过单独创建一均衡擦写区进行频繁更新文件的读写操作，在保证智能卡寿命的同时也避免了智能卡存储空间的浪费。
参见图2所示，本发明实施例提供的一种提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的装置，包括获取模块、创建模块和读写模块。
获取模块用于获取智能卡中各文件***的频繁更新文件，并在智能卡存储空间中创建一区域作为均衡擦写区；创建模块用于将获取的频繁更新文件存储至均衡擦写区，并基于各频繁更新文件在均衡擦写区的存储区域创建对应表；读写模块用于基于对应表记录的各频繁更新文件在均衡擦写区中的存储区域，进行频繁更新文件的读取/写入。
具体可通过计数方式确定频繁更新文件，对于确定的频繁更新文件，在智能卡存储空间中单独创建一区域，对所有文件***的频繁更新文件进行存储，后续在进行文件更新的读写操作时，仅需对该区域进行读写操作，通过单独创建一均衡擦写区进行频繁更新文件的读写操作，在保证智能卡寿命的同时也避免了智能卡存储空间的浪费。
以上所述仅是本申请的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(***)和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

Claims (10)

1.一种提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
获取智能卡中各文件***的频繁更新文件，并在智能卡存储空间中创建一区域作为均衡擦写区；
将获取的频繁更新文件存储至均衡擦写区，并基于各频繁更新文件在均衡擦写区的存储区域创建对应表；
基于对应表记录的各频繁更新文件在均衡擦写区中的存储区域，进行频繁更新文件的读取/写入。
2.如权利要求1所述的一种提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法，其特征在于，所述基于各频繁更新文件在均衡擦写区的存储区域创建对应表，具体步骤为：
对均衡擦写区中用于存储频繁更新文件的存储区域进行编号；
将频繁更新文件的文件ID，与均衡擦写区中存储该频繁更新文件的存储区域的编号进行对应，形成对应表。
3.如权利要求2所述的一种提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法，其特征在于，所述基于对应表记录的各频繁更新文件在均衡擦写区中的存储区域，进行频繁更新文件的读取/写入，具体包括：
当进行频繁更新文件的读取时，基于对应表得到待读取频繁更新文件在均衡擦写区中的对应存储区域，并读取该存储区域最新的文件值；
当进行频繁更新文件的写入时，基于对应表得到待写入频繁更新文件在均衡擦写区中的对应存储区域，并将频繁更新文件的文件值写入该存储区域。
4.如权利要求3所述的一种提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法，其特征在于，所述当进行频繁更新文件的读取时，基于对应表得到待读取频繁更新文件在均衡擦写区中的对应存储区域，并读取该存储区域最新的文件值，具体步骤包括：
进行文件的读取时：
若待读取文件为频繁更新文件，则基于对应表和待读取文件的文件ID，得到待读取文件在均衡擦写区中的对应存储区域，并读取该存储区域最新的文件值；
若待读取文件为非频繁更新文件，则在智能卡存储空间中的非均衡擦写区读取得到待读取文件的最新文件值。
5.如权利要求3所述的一种提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法，其特征在于，所述当进行频繁更新文件的写入时，基于对应表得到待写入频繁更新文件在均衡擦写区中的对应存储区域，并将频繁更新文件的文件值写入该存储区域，具体步骤包括：
进行文件的写入时：
若待写入文件为频繁更新文件，则基于对应表和待写入文件的文件ID，得到待写入文件在均衡擦写区中的对应存储区域，并将待写入文件的的文件值写入该存储区域；
若待写入文件为非频繁更新文件，则在智能卡存储空间中的非均衡擦写区写入待写入文件的文件值。
6.如权利要求4或5所述的一种提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在进行文件***的文件更新时，若当前文件不在对应表中，则对当前文件的文件ID进行记录；
当记录次数未达到预设次数时，记录当前文件为非频繁更新文件；
当记录次数大于等于预设次数时，记录当前文件为频繁更新文件。
7.如权利要求1所述的一种提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法，其特征在于，当智能卡进行文件***切换时：
将对应表中的频繁更新文件在均衡擦写区的最新文件值备份至当前文件***；
进行文件***切换，并待文件***切换完成后，将切换后的新文件***的频繁更新文件的文件值存储至均衡擦写区。
8.如权利要求1所述的一种提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法，其特征在于，所述方法还包括：
基于计数器计数方式，当均衡擦写区的写入次数达到预设写入次数时，将智能卡存储空间中的均衡擦写区和文件***区进行对调。
9.如权利要求8所述的一种提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的方法，其特征在于，所述将智能卡存储空间中的均衡擦写区和文件***区进行对调，具体步骤包括：
将原均衡擦写区中各频繁更新文件的最新文件值备份至原文件***区中；
擦除原均衡擦写区中的数据，并在原均衡擦写区中写入原文件***区的内容，并修改智能卡文件***的首地址，以使原均衡擦写区作为当前文件***区；
修改对应表，将原文件***区作为当前均衡擦写区，并将备份数据存储到当前均衡擦写区。
10.一种提高eSIM智能卡FLASH写入寿命的装置，其特征在于，包括：
获取模块，其用于获取智能卡中各文件***的频繁更新文件，并在智能卡存储空间中创建一区域作为均衡擦写区；
创建模块，其用于将获取的频繁更新文件存储至均衡擦写区，并基于各频繁更新文件在均衡擦写区的存储区域创建对应表；
读写模块，其用于基于对应表记录的各频繁更新文件在均衡擦写区中的存储区域，进行频繁更新文件的读取/写入。
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