CN113555399A - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板及显示装置，通过设置包括多个相互间隔设置的屏蔽开口的屏蔽层，以及屏蔽层在衬底基板的正投影至少覆盖第一信号线和第二信号线的交叉处在衬底基板的正投影。由于屏蔽层接收固定电压，这样可以将扫描线、发光控制线与数据线、探测读出线进行屏蔽，避免扫描线、发光控制线与数据线、探测读出线之间形成耦合电容，降低扫描线、发光控制线与数据线、探测读出线之间的信号干扰，提高数据线和探测读出线传输的信号的稳定性，从而可以提高发光的稳定性和指纹检测的精确性。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板因其自发光、广视角、高对比度、低功耗、高反应速度等优点，已经越来越多地被应用于各种电子设备中。目前，可以在OLED显示面板内设置光电探测器，以进行指纹识别。然而，OLED显示面板中横向走线和纵向走线之间存在耦合电容，易造成信号干扰，使得指纹检测的精度降低。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示装置，用以降低信号干扰，提高指纹检测的精度。
本发明实施例提供的一种显示面板，包括：
衬底基板；
第一驱动层，位于所述衬底基板上；其中，所述第一驱动层包括相互间隔设置的多条第一信号线；所述多条第一信号线沿第一方向延伸；
第一绝缘层，位于所述第一驱动层背离所述衬底基板一侧；
屏蔽层，位于所述第一绝缘层背离所述衬底基板一侧；其中，所述屏蔽层被配置为接收固定电压，所述屏蔽层包括多个相互间隔设置的屏蔽开口；
第二绝缘层，位于所述屏蔽层背离所述衬底基板一侧；
第二驱动层，位于所述第二绝缘层背离所述衬底基板一侧；其中，所述第二驱动层包括相互间隔设置的多条第二信号线；所述多条第二信号线沿第二方向延伸；所述第一方向与所述第二方向交叉；
其中，所述第二驱动层通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的连接过孔与所述第一驱动层电连接；所述连接过孔在所述衬底基板的正投影位于所述屏蔽开口在所述衬底基板的正投影内，且所述连接过孔在所述衬底基板的正投影的边界与所述屏蔽开口在所述衬底基板的正投影的边界具有间隙；
所述屏蔽层在所述衬底基板的正投影至少覆盖所述第一信号线和所述第二信号线的交叉处在所述衬底基板的正投影。
在一些示例中，所述第一驱动层包括：
有源半导体层，位于所述衬底基板上；
栅绝缘层，位于所述有源半导体层背离所述衬底基板一侧；
栅导电层，位于所述栅绝缘层背离所述衬底基板一侧；其中，所述栅导电层包括所述第一信号线；
层间介质层，位于所述栅导电层背离所述衬底基板一侧；
参考导电层，位于所述层间介质层与所述第一绝缘层之间；
其中，所述第二驱动层通过所述连接过孔分别与所述有源半导体层和所述栅导电层电连接。
在一些示例中，所述显示面板包括阵列排布的多个发光单元和多个光电探测单元；
所述第一信号线包括扫描线、发光控制线以及检测控制线中的至少一条；其中，一条所述扫描线与一行所述发光单元电连接，一条所述发光控制线与一行所述发光单元电连接；
所述第二信号线包括数据线及多条探测读出线中的至少一条；其中，一条所述数据线与一列所述发光单元电连接，一条所述探测读出线与一列所述光电探测单元电连接。
在一些示例中，所述屏蔽层为具有屏蔽开口的整层结构。
在一些示例中，所述屏蔽层包括相互间隔设置的多个屏蔽结构；一个所述屏蔽结构在所述衬底基板的正投影覆盖至少一条所述第一信号线在所述衬底基板的正投影。
在一些示例中，所述屏蔽结构为条形；所述屏蔽结构沿所述第一方向延伸，且沿所述第二方向排列。
在一些示例中，一个所述屏蔽结构对应一条所述发光控制线和一条所述扫描线，且所述屏蔽结构在所述衬底基板的正投影覆盖对应的所述扫描线和所述发光控制线在所述衬底基板的正投影，并且，所述屏蔽结构在所述衬底基板的正投影覆盖对应的所述扫描线和所述发光控制线之间的区域在所述衬底基板的正投影；其中，对应的所述扫描线和所述发光控制线之间的区域为除所述连接过孔所在的区域。
在一些示例中，所述固定电压为电源电压，所述屏蔽层复用为向像素电路输入所述电源电压的电源线。
在一些示例中，所述固定电压为初始化电压，所述屏蔽层复用为向像素电路输入所述初始化电压的初始化线。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的显示面板及显示装置，通过设置屏蔽层，其中，屏蔽层可以包括多个相互间隔设置的屏蔽开口。并且，连接过孔在衬底基板的正投影位于屏蔽开口在衬底基板的正投影内，且连接过孔在衬底基板的正投影的边界与屏蔽开口在衬底基板的正投影的边界具有间隙。这样可以使屏蔽层与连接过孔不接触，从而避免屏蔽层与其他膜层进行电连接。并且，屏蔽层SD被配置为接收固定电压，以及屏蔽层SD在衬底基板的正投影至少覆盖第一信号线和第二信号线的交叉处在衬底基板的正投影。由于屏蔽层接收固定电压，这样可以将扫描线、发光控制线与数据线、探测读出线进行屏蔽，避免扫描线、发光控制线与数据线、探测读出线之间形成耦合电容，降低扫描线、发光控制线与数据线、探测读出线之间的信号干扰，提高数据线和探测读出线传输的信号的稳定性，从而可以提高发光的稳定性和指纹检测的精确性。
附图说明
图1为本公开实施例提供的显示面板的结构示意图；
图2a为本公开实施例提供的像素电路的结构示意图；
图2b为本公开实施例提供的信号时序图；
图3为本公开实施例提供的一些显示面板的布局结构示意图；
图4a为本公开实施例提供的一些有源半导体层的示意图；
图4b为本公开实施例提供的一些栅导电层的示意图；
图4c为本公开实施例提供的一些参考导电层的示意图；
图4d为本公开实施例提供的一些屏蔽层的示意图；
图4e为本公开实施例提供的一些第二驱动层的示意图；
图5a为本公开实施例提供的有源半导体层和栅导电层的一些层叠示意图；
图5b为本公开实施例提供的有源半导体层、栅导电层以及参考导电层的一些层叠示意图；
图5c为本公开实施例提供的有源半导体层、栅导电层、参考导电层以及屏蔽层的一些层叠示意图；
图6a为本公开实施例提供的另一些显示面板的布局结构示意图；
图6b为本公开实施例提供的另一些屏蔽层的示意图；
图7a为本公开实施例提供的又一些显示面板的布局结构示意图；
图7b为本公开实施例提供的又一些屏蔽层的示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
如图1所示，本公开实施例提供的显示面板，可以包括：衬底基板10，位于衬底基板10上阵列排布的多个子像素spx和多个光电探测单元。其中，一行光电探测单元对应两行子像素。在具体实施时，在本发明实施例中，多个子像素可以包括红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素。这样可以使显示面板采用红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素进行混光，以实现彩色显示。当然，本公开实施例包括但不限于此。
在具体实施时，在本发明实施例中，结合图1与图2a所示，多个子像素spx中的至少一个子像素spx(例如每一个子像素)可以包括发光单元。即发光单元阵列排布在显示面板中。其中，发光单元可以包括像素电路0121和发光元件0120。其中，像素电路0121具有晶体管和电容，并通过晶体管和电容的相互作用产生电信号，产生的电信号输入到发光元件0120的阳极中。并且对发光元件0120的阴极加载相应的电压，可以驱动发光元件0120发光。并且，光电探测单元包括光电检测晶体管以及与光电检测晶体管电连接的光电探测器。
在具体实施时，在本发明实施例中，多个光电探测单元可以阵列排布在衬底基板上。示例性地，可以使一行光电探测单元对应两行发光单元。在一些示例中，第一行发光单元和第二行发光单元可以对应第一行光电探测单元，第三行发光单元和第四行发光单元可以对应第二行光电探测单元，第五行发光单元和第六行发光单元可以对应第三行光电探测单元，其余设置以此类推，在此不作赘述。
在具体实施时，在本发明实施例中，可以使一列光电探测单元对应四列发光单元。在一些示例中，第一列发光单元至第四列发光单元可以对应第一列光电探测单元，第五列发光单元至第八列发光单元可以对应第二列光电探测单元，第九列发光单元至第十二列发光单元可以对应第三列光电探测单元，其余设置以此类推，在此不作赘述。
在具体实施时，在本发明实施例中，光电探测单元中的光电探测器用于对手指反射的光进行检测。在实际应用中，光电探测单元进行指纹检测的具体过程可以与现有技术中的基本相同，在此不作赘述。
结合图2a所示，像素电路0121可以包括：驱动控制电路0122、第一发光控制电路0123、第二发光控制电路0124、数据写入电路0126、存储电路0127、阈值补偿电路0128和复位电路0129。
驱动控制电路0122可以包括控制端、第一端和第二端。且驱动控制电路0122被配置为向发光元件0120提供驱动发光元件0120发光的驱动电流。例如，第一发光控制电路0123与驱动控制电路0122的第一端和第一电压端VDD连接。且第一发光控制电路0123被配置为实现驱动控制电路0122和第一电压端VDD之间的连接导通或断开。
第二发光控制电路0124与驱动控制电路0122的第二端和发光元件0120的阳极电连接。且第二发光控制电路0124被配置为实现驱动控制电路0122和发光元件0120之间的连接导通或断开。
数据写入电路0126与驱动控制电路0122的第一端电连接。且数据写入电路0126被配置为将数据线VD上的信号写入存储电路0127。
存储电路0127与驱动控制电路0122的控制端和第一电压端VDD电连接。且存储电路0127被配置为存储数据信号以及驱动控制电路0122的信息。
阈值补偿电路0128分别与驱动控制电路0122的控制端和第二端电连接。且阈值补偿电路0128被配置为对驱动控制电路0122进行阈值补偿。
复位电路0129还分别与驱动控制电路0122的控制端和发光元件0120的阳极电连接。且复位电路0129被配置为对发光元件0120的阳极进行复位，以及对驱动控制电路0122的控制端进行复位。
其中，发光元件0120可以设置为电致发光二极管，例如OLED、QLED、micro LED，mini OLED中的至少一种。其中，发光元件0120可以包括层叠设置的阳极、发光层、阴极。进一步地，发光层还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等膜层。当然，在实际应用中，发光元件0120可以根据实际应用环境的需求进行设计确定，在此不作限定。
在具体实施时，在本发明实施例中，结合图2a所示，驱动控制电路0122包括：驱动晶体管T1，驱动控制电路0122的控制端包括驱动晶体管T1的栅极，驱动控制电路0122的第一端包括驱动晶体管T1的第一极，驱动控制电路0122的第二端包括驱动晶体管T1的第二极。
在具体实施时，在本发明实施例中，结合图2a所示，数据写入电路0126包括数据写入晶体管T2。存储电路0127包括存储电容CST。阈值补偿电路0128包括阈值补偿晶体管T3。第一发光控制电路0123包括发光控制晶体管T4。第二发光控制电路0124包括导通控制晶体管T5。复位电路0129包括初始化晶体管T6和复位晶体管T7。
具体地，数据写入晶体管T2的第一极与驱动晶体管T1的第一极电连接，数据写入晶体管T2的第二极被配置为与数据线VD电连接以接收数据信号，数据写入晶体管T2的栅极被配置为与扫描线GA电连接以接收信号。
存储电容CST的第一极与第一电源端VDD电连接，存储电容CST的第二极与驱动晶体管T1的栅极电连接。
阈值补偿晶体管T3的第一极与驱动晶体管T1的第二极电连接，阈值补偿晶体管T3的第二极与驱动晶体管T1的栅极电连接，阈值补偿晶体管T3的栅极被配置为与扫描线GA电连接以接收信号。
初始化晶体管T6的第一极被配置为与初始化端VINIT电连接以接收复位信号，初始化晶体管T6的第二极与驱动晶体管T1的栅极电连接，初始化晶体管T6的栅极被配置为与复位线RST电连接以接收信号。
复位晶体管T7的第一极被配置为与初始化端VINIT电连接以接收复位信号，复位晶体管T7的第二极与发光元件0120的阳极电连接，复位晶体管T7的栅极被配置为与复位线RST电连接以接收信号。
发光控制晶体管T4的第一极与第一电源端VDD电连接，发光控制晶体管T4的第二极与驱动晶体管T1的第一极电连接，发光控制晶体管T4的栅极被配置为与发光控制线EM电连接以接收发光控制信号。
导通控制晶体管T5的第一极与驱动晶体管T1的第二极电连接，导通控制晶体管T5的第二极与发光元件0120的阳极电连接，导通控制晶体管T5的栅极被配置为与发光控制线EM电连接以接收发光控制信号。
发光元件0120的阴极与第二电源端VSS电连接。其中，上述晶体管的第一极和第二极可以根据实际应用确定为源极或漏极，在此不作限定。
在具体实施时，在本发明实施例中，第一电源端VDD和第二电源端VSS之一为高压端，另一个为低压端。例如，如图2a所示的实施例中，第一电源端VDD为电压源以输出恒定的第一电压，例如第一电压为正电压；而第二电源端VSS可以为电压源以输出恒定的第二电压，例如第二电压为0或者为负电压等。例如，在一些示例中，第二电源端VSS可以接地。
图2a所示的像素电路对应的信号时序图，如图2b所示。一帧显示时间中，像素电路的工作过程具有三个阶段：T10阶段、T20阶段、T30阶段。其中，rst代表复位线RST上传输的信号，ga代表扫描线GA上传输的信号，em代表发光控制线EM上传输的信号。
在T10阶段，信号rst控制初始化晶体管T6导通，从而可以将初始化端VINIT上传输的信号提供给驱动晶体管T1的栅极，以对驱动晶体管T1的栅极进行复位。信号rst控制复位晶体管T7导通，以将初始化端VINIT上传输的信号提供给发光元件0120的阳极，以对发光元件0120的阳极进行复位。并且，此阶段中，信号ga控制数据写入晶体管T2和阈值补偿晶体管T3均截止。信号em控制发光控制晶体管T4和导通控制晶体管T5均截止。
在T20阶段，信号ga控制数据写入晶体管T2和阈值补偿晶体管T3导通，导通的数据写入晶体管T2使数据线VD上传输的数据信号对驱动晶体管T1的栅极进行充电，以使驱动晶体管T1的栅极的电压变为：Vdata+Vth。其中，Vth代表驱动晶体管T1的阈值电压，Vdata代表数据信号的电压。并且，此阶段中，信号rst控制初始化晶体管T6和复位晶体管T7均截止。信号em控制发光控制晶体管T4和导通控制晶体管T5均截止。
在T30阶段，信号em控制发光控制晶体管T4和导通控制晶体管T5均导通。导通的发光控制晶体管T4将第一电源端VDD的电压Vdd提供给驱动晶体管T1的第一极，以使驱动晶体管T1的第一极的电压为Vdd。驱动晶体管T1根据其栅极电压Vdata+|Vth|，以及第一极的电压Vdd，产生驱动电流。该驱动电流通过导通的导通控制晶体管T5提供给发光元件0120，驱动发光元件0120发光。并且，此阶段中，信号rst控制初始化晶体管T6和复位晶体管T7截止。信号ga控制数据写入晶体管T2和阈值补偿晶体管T3截止。
需要说明的是，在本公开实施例中，上述晶体管的第一极可以为其源极，第二极为其漏极；或第一极为其漏极，第二极为其源极，这可以根据实际应用的需求进行设计确定。并且，子像素中的像素电路除了可以为图2a和图2b所示的结构之外，还可以为包括其他数量的晶体管的结构，本公开实施例对此不作限定。下面以图2a所示的结构为例进行说明。
在具体实施时，在本发明实施例中，显示面板包括衬底基板10、设置在衬底基板10上的第一驱动层，位于第一驱动层背离衬底基板一侧的第一绝缘层，位于第一绝缘层背离衬底基板一侧的屏蔽层SD，位于屏蔽层SD背离衬底基板一侧的第二绝缘层，位于第二绝缘层背离衬底基板一侧的第二驱动层0340，位于第二驱动层0340背离衬底基板10一侧的平坦层，位于平坦层背离衬底基板10一侧的发光元件和光电探测器。
在具体实施时，在本发明实施例中，第一驱动层包括相互间隔设置的多条第一信号线；多条第一信号线沿第一方向延伸。
在具体实施时，在本发明实施例中，第二驱动层包括相互间隔设置的多条第二信号线；多条第二信号线沿第二方向延伸；第一方向与第二方向交叉。
在具体实施时，在本发明实施例中，第二驱动层通过贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的连接过孔与第一驱动层电连接；连接过孔在衬底基板的正投影位于屏蔽开口KK0在衬底基板的正投影内，且连接过孔在衬底基板的正投影的边界与屏蔽开口KK0在衬底基板的正投影的边界具有间隙。
在具体实施时，在本发明实施例中，第一驱动层可以包括：有源半导体层0310、栅绝缘层、栅导电层0320、层间介质层以及参考导电层0330。第二驱动层通过连接过孔分别与有源半导体层和栅导电层电连接。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3与图4a示出了该像素电路0121的有源半导体层0310。有源半导体层0310可采用半导体材料通过图案化形成。有源半导体层0310可用于制作上述的驱动晶体管T1的驱动有源层T1-A、数据写入晶体管T2的有源层T2-A、阈值补偿晶体管T3的有源层T3-A、发光控制晶体管T4的有源层T4-A、导通控制晶体管T5的有源层T5-A、初始化晶体管T6的有源层T6-A和复位晶体管T7的有源层T7-A，以及光电检测晶体管的有源层TC-A。各有源层可包括源极区域、漏极区域以及源极区域和漏极区域之间的沟道区。例如，各晶体管的有源层一体设置。
在具体实施时，在本发明实施例中，有源半导体层0310可采用非晶硅、多晶硅、氧化物半导体材料等制作。需要说明的是，上述的源极区域和漏极区域可为掺杂有n型杂质或p型杂质的区域。
在具体实施时，在本发明实施例中，在上述的有源半导体层0310上形成有栅绝缘层，用于保护上述的有源半导体层0310。如图3至图5c所示，示出了该像素电路0121的栅导电层0320，栅导电层0320设置在栅绝缘层背离衬底基板10一侧，从而与有源半导体层0310绝缘。栅导电层0320可以包括存储电容CST的第二极cc2、扫描线GA、复位线RST、发光控制线EM、检测控制线TS以及数据写入晶体管T2的栅极T2-G、阈值补偿晶体管T3的栅极T3-G、发光控制晶体管T4的栅极T4-G、导通控制晶体管T5的栅极T5-G、初始化晶体管T6的栅极T6-G和复位晶体管T7的栅极T7-G，以及光电检测晶体管的栅极TC-G。其中，一行发光单元中的像素电路对应电连接一条扫描线GA、一条复位线RST以及一条发光控制线EM。
在一些示例中，数据写入晶体管T2的栅极T2-G可以为扫描线GA与有源半导体层0310交叠的部分，发光控制晶体管T4的栅极T4-G可以为发光控制线EM与有源半导体层0310交叠的第一部分，导通控制晶体管T5的栅极T5-G可以为发光控制线EM与有源半导体层0310交叠的第二部分，初始化晶体管T6的栅极T6-G为复位线RST与有源半导体层0310交叠的第一部分，复位晶体管T7的栅极T7-G为复位线RST与有源半导体层0310交叠的第二部分，阈值补偿晶体管T3可为双栅结构的薄膜晶体管，阈值补偿晶体管T3的第一个栅极可为扫描线GA与有源半导体层0310交叠的部分，阈值补偿晶体管T3的第二个栅极可为从扫描线GA突出的部分与有源半导体层0310交叠的部分。光电检测晶体管的栅极TC-G可以为检测控制线TS与有源半导体层0310交叠的部分。并且，在具体实施时，存储电容CST的第二极cc2复用为驱动晶体管T1的栅极。
需要说明的是，图4a中的各虚线示出了栅导电层0320与有源半导体层0310交叠的各个部分。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3至图5c所示，检测控制线TS、扫描线GA、复位线RST和发光控制线EM沿第二方向F2排布。且检测控制线TS、扫描线GA、复位线RST和发光控制线EM大致沿第一方向F1延伸。
在具体实施时，在本发明实施例中，扫描线GA在衬底基板10的正投影位于复位线RST在衬底基板10的正投影和发光控制线EM在衬底基板10的正投影之间。
在具体实施时，在本发明实施例中，图3仅是以第一方向F1为行方向，第二方向F2为列方向为例进行说明。
在具体实施时，在本发明实施例中，在第二方向F2上，存储电容CST的第二极cc2位于扫描线GA和发光控制线EM之间。并且，从扫描线GA突出的位于扫描线GA远离发光控制线EM的一侧。
在具体实施时，在本发明实施例中，在上述的栅导电层0320上形成有层间介质层，用于保护上述的栅导电层0320。如图3至图5c所示，示出了该像素电路120a的参考导电层0330，参考导电层0330包括存储电容CST的第一极cc1、初始化线VINIT、遮光层ZG。其中，存储电容CST的第一极cc1与存储电容CST的第二极cc2至少部分交叠以形成存储电容CST。
在具体实施时，在本发明实施例中，存储电容CST的第一极cc1具有镂空区LQ，该镂空区LQ在衬底基板10的正投影可以与存储电容CST的第二极cc2在衬底基板10的正投影具有交叠区域。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3至图5c所示，遮光层ZG在衬底基板10的正投影与有源半导体层0310中的初始化晶体管T6的漏极区域(如初始化晶体管T6的漏极区域与驱动晶体管T1的栅极电连接的一侧)在衬底基板10的正投影交叠。这样可以降低光对初始化晶体管T6的影响，提高复位的准确性。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3至图5c所示，阈值补偿晶体管T3为双栅晶体管。例如，遮光层ZG遮挡阈值补偿晶体管T3的两个栅极中间的有源层部分，因为阈值补偿晶体管T3直接连接驱动晶体管T1，可以起到稳定驱动晶体管T1工作状态的作用。
在具体实施时，在本发明实施例中，在上述的参考导电层0330上形成有第一绝缘层，用于保护上述的参考导电层0330。如图3至图5c所示，示出了屏蔽层SD，屏蔽层SD位于第一绝缘层背离衬底基板10一侧。在上述的参考导电层0330上形成有第二绝缘层，用于保护上述的屏蔽层SD。如图3、图4d以及图5c所示，示出了该像素电路0121的第二驱动层0340，第二驱动层0340位于第二绝缘层背离衬底基板10一侧。其中，第二驱动层0340可以包括数据线VD、探测读出线TL、第一转接部ZB1、第二转接部ZB2、第三转接部ZB3以及阳极转接部YZ。
在具体实施时，在本发明实施例中，可以使各子像素spx分别包括第一转接部ZB1、第二转接部ZB2以及阳极转接部YZ。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3至图5c所示，第一转接部ZB1的第一端通过连接过孔TK01与初始化线VINIT电连接，第一转接部ZB1的第二端通过连接过孔TK02与有源半导体层0310中的初始化晶体管T6的源极区(如有源半导体层0310中的初始化晶体管T6的源极区和复位晶体管T7的源极区一体结构)电连接。其中，连接过孔TK01贯穿第二绝缘层和第一绝缘层。连接过孔TK02贯穿第二绝缘层、第一绝缘层、层间介质层以及栅绝缘层。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3至图5c所示，第二转接部ZB2的第一端通过连接过孔TK03与有源半导体层0310中的初始化晶体管T6的漏极区(如初始化晶体管T6的漏极区与驱动晶体管的栅极电连接)电连接，第二转接部ZB2的第二端通过连接过孔TK04与存储电容CST的第二极cc2(即驱动晶体管M0的栅极)电连接。其中，连接过孔TK03贯穿第二绝缘层、层间介质层以及栅绝缘层。连接过孔TK04贯穿第二绝缘层、第一绝缘层和层间介质层。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3至图5c所示，阳极转接部YZ通过连接过孔GK2与有源半导体层0310中的第二发光控制电路0124的漏极区电连接。其中，连接过孔GK2贯穿第二绝缘层、第一绝缘层、层间介质层以及栅绝缘层。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3至图5c所示，数据线VD通过连接过孔TK05与有源半导体层0310中的数据写入晶体管T2的源极区电连接。其中，连接过孔TK05贯穿第二绝缘层、第一绝缘层、层间介质层以及栅绝缘层。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3至图5c所示，探测读出线TL通过连接过孔TK07与有源半导体层0310中的光电检测晶体管的漏极区电连接。第三转接部ZB3通过连接过孔TK08与有源半导体层0310中的光电检测晶体管的源极区电连接。其中，连接过孔TK07和TK08分别贯穿第二绝缘层、第一绝缘层、层间介质层以及栅绝缘层。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3至图5c所示，探测读出线TL、数据线VD沿第二方向F2延伸，并且，探测读出线TL、数据线VD大致沿第一方向F1排列。需要说明的是，在实际工艺中，由于工艺条件的限制或其他因素例如布线或过孔的设置，上述信号线的延伸方向只要大致满足上述条件即可，均属于本发明的保护范围。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3至图5c所示，屏蔽层SD可以包括多个相互间隔设置的屏蔽开口KK0。并且，连接过孔在衬底基板的正投影位于屏蔽开口KK0在衬底基板的正投影内，且连接过孔在衬底基板的正投影的边界与屏蔽开口KK0在衬底基板的正投影的边界具有间隙。这样可以使屏蔽层SD与连接过孔不接触，从而避免屏蔽层SD与其他导电膜层进行电连接。
在具体实施时，在本发明实施例中，屏蔽层的材料可以为透明导电材料，例如，透明导电材料可以为氧化铟锡(ITO)材料、氧化铟锌(IZO)材料、碳纳米管或石墨烯等，在此不作限定。
在具体实施时，在本发明实施例中，屏蔽层的材料也可以为金属材料，例如，金属材料可以为金、银、铝等，在此不作限定。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3至图5c所示，屏蔽层SD被配置为接收固定电压。并且，屏蔽层SD在衬底基板的正投影至少覆盖第一信号线和第二信号线的交叉处在衬底基板的正投影。由于屏蔽层SD接收固定电压，这样可以将扫描线、发光控制线与数据线、探测读出线TL进行屏蔽，避免扫描线、发光控制线与数据线、探测读出线TL之间形成耦合电容，降低扫描线、发光控制线与数据线、探测读出线TL之间的信号干扰，提高数据线和探测读出线TL传输的信号的稳定性，从而可以提高发光的稳定性和指纹检测的精确性。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3至图5c所示，第一信号线可以包括多条扫描线；第二信号线可以包括多条数据线；屏蔽层SD在衬底基板的正投影至少覆盖多条扫描线和多条数据线的交叉处在衬底基板的正投影。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3至图5c所示，第一信号线可以包括多条扫描线；第二信号线可以包括多条探测读出线TL；屏蔽层SD在衬底基板的正投影至少覆盖多条扫描线和多条探测读出线TL的交叉处在衬底基板的正投影。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3至图5c所示，第一信号线可以包括多条发光控制线；第二信号线可以包括多条数据线；屏蔽层SD在衬底基板的正投影至少覆盖多条发光控制线和多条数据线的交叉处在衬底基板的正投影。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3至图5c所示，第一信号线可以包括多条发光控制线；第二信号线可以包括多条探测读出线TL；屏蔽层SD在衬底基板的正投影至少覆盖多条发光控制线和多条探测读出线TL的交叉处在衬底基板的正投影。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3至图5c所示，第一信号线可以包括多条检测控制线TS；第二信号线可以包括多条数据线；屏蔽层SD在衬底基板的正投影至少覆盖多条检测控制线TS和多条数据线的交叉处在衬底基板的正投影。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3至图5c所示，第一信号线可以包括多条检测控制线TS；第二信号线可以包括多条探测读出线TL；屏蔽层SD在衬底基板的正投影至少覆盖多条检测控制线TS和多条探测读出线TL的交叉处在衬底基板的正投影。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3至图5c所示，第一信号线可以包括扫描线、发光控制线以及检测控制线TS；第二信号线可以包括数据线及多条探测读出线TL；屏蔽层SD在衬底基板的正投影至少覆盖扫描线、发光控制线以及检测控制线TS分别与数据线及探测读出线TL的交叉处在衬底基板的正投影。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3至图5c所示，屏蔽层SD在衬底基板的正投影覆盖扫描线、发光控制线以及检测控制线TS在衬底基板的正投影。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3至图5c所示，屏蔽层SD可以为具有屏蔽开口KK0的整层结构。也就是说，屏蔽层SD中除屏蔽开口KK0所在区域未设置屏蔽层SD材料，其余区域均设置了屏蔽层SD材料。这样可以使屏蔽层SD尽可能的对横纵交叉的信号线之间的耦合电容进行屏蔽。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图3至图5c所示，固定电压可以为电源电压，即固定电压可以为第一电源端VDD的电压Vdd，并且，屏蔽层SD通过导通过孔GK1与存储电容CST的第一极电连接，以及屏蔽层SD通过导通过孔GK1与存储电容CST的第一极电连接，并且屏蔽层SD通过导通过孔TK06与有源半导体层0310中的发光控制晶体管T4的源极区电连接。其中，导通过孔TK06贯穿第一绝缘层、层间介质层以及栅绝缘层。这样可以使屏蔽层SD复用为向像素电路输入电源电压的电源线。这样可以不用再额外的设置电源线了。
本发明另一些实施例对应的显示面板的结构示意图，如图6a与图6b所示，其针对上述实施例中的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图6a与图6b所示，固定电压可以为初始化电压，即固定电压可以为初始化端VINIT的电压。这样可以使屏蔽层SD复用为向像素电路输入初始化电压的初始化线。并且，第一转接部ZB1的第一端通过连接过孔TK01与屏蔽层SD电连接。第二驱动层还包括电源线VDD，用于传输第一电源端VDD的电压Vdd。并且，电源线VDD通过导通过孔GK1与存储电容CST的第一极电连接，并且电源线VDD通过导通过孔TK06与有源半导体层0310中的发光控制晶体管T4的源极区电连接。其中，导通过孔TK06贯穿第二绝缘层、第一绝缘层、层间介质层以及栅绝缘层。导通过孔GK1贯穿第一绝缘层、层间介质层以及第一绝缘层。这样可以使屏蔽层SD复用为向像素电路输入初始化电压的初始化线。这样可以不用再额外的设置初始化线了。
本发明又一些实施例对应的显示面板的结构示意图，如图7a与图7b所示，其针对上述实施例中的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图7a与图7b所示，屏蔽层SD包括相互间隔设置的多个屏蔽结构SDZ；一个屏蔽结构SDZ在衬底基板的正投影覆盖至少一条第一信号线在衬底基板的正投影。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图7a与图7b所示，屏蔽结构SDZ为条形；屏蔽结构SDZ沿第一方向延伸，且沿第二方向排列。
在具体实施时，在本发明实施例中，如图7a与图7b所示，一个屏蔽结构SDZ对应一条发光控制线和一条扫描线，且屏蔽结构SDZ在衬底基板的正投影覆盖对应的扫描线和发光控制线在衬底基板的正投影，并且，屏蔽结构SDZ在衬底基板的正投影覆盖对应的扫描线和发光控制线之间的区域在衬底基板的正投影；其中，对应的扫描线和发光控制线之间的区域为除连接过孔所在的区域。
图7a与图7b所示的屏蔽层是以接收电源电压为例进行示意的。在屏蔽层接收初始化电压的示例可以参照上述实施例，在此不作赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示面板。该显示装置解决问题的原理与前述显示面板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述显示面板的实施，重复之处在此不再赘述。
在具体实施时，在本发明实施例中，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
本发明实施例提供的显示面板及显示装置，通过设置屏蔽层，其中，屏蔽层可以包括多个相互间隔设置的屏蔽开口。并且，连接过孔在衬底基板的正投影位于屏蔽开口在衬底基板的正投影内，且连接过孔在衬底基板的正投影的边界与屏蔽开口在衬底基板的正投影的边界具有间隙。这样可以使屏蔽层与连接过孔不接触，从而避免屏蔽层与其他膜层进行电连接。并且，屏蔽层SD被配置为接收固定电压，以及屏蔽层SD在衬底基板的正投影至少覆盖第一信号线和第二信号线的交叉处在衬底基板的正投影。由于屏蔽层接收固定电压，这样可以将扫描线、发光控制线与数据线、探测读出线进行屏蔽，避免扫描线、发光控制线与数据线、探测读出线之间形成耦合电容，降低扫描线、发光控制线与数据线、探测读出线之间的信号干扰，提高数据线和探测读出线传输的信号的稳定性，从而可以提高发光的稳定性和指纹检测的精确性。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板；
第一驱动层，位于所述衬底基板上；其中，所述第一驱动层包括相互间隔设置的多条第一信号线；所述多条第一信号线沿第一方向延伸；
第一绝缘层，位于所述第一驱动层背离所述衬底基板一侧；
屏蔽层，位于所述第一绝缘层背离所述衬底基板一侧；其中，所述屏蔽层被配置为接收固定电压，所述屏蔽层包括多个相互间隔设置的屏蔽开口；
第二绝缘层，位于所述屏蔽层背离所述衬底基板一侧；
第二驱动层，位于所述第二绝缘层背离所述衬底基板一侧；其中，所述第二驱动层包括相互间隔设置的多条第二信号线；所述多条第二信号线沿第二方向延伸；所述第一方向与所述第二方向交叉；
其中，所述第二驱动层通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的连接过孔与所述第一驱动层电连接；所述连接过孔在所述衬底基板的正投影位于所述屏蔽开口在所述衬底基板的正投影内，且所述连接过孔在所述衬底基板的正投影的边界与所述屏蔽开口在所述衬底基板的正投影的边界具有间隙；
所述屏蔽层在所述衬底基板的正投影至少覆盖所述第一信号线和所述第二信号线的交叉处在所述衬底基板的正投影。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一驱动层包括：
有源半导体层，位于所述衬底基板上；
栅绝缘层，位于所述有源半导体层背离所述衬底基板一侧；
栅导电层，位于所述栅绝缘层背离所述衬底基板一侧；其中，所述栅导电层包括所述第一信号线；
层间介质层，位于所述栅导电层背离所述衬底基板一侧；
参考导电层，位于所述层间介质层与所述第一绝缘层之间；
其中，所述第二驱动层通过所述连接过孔分别与所述有源半导体层和所述栅导电层电连接。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括阵列排布的多个发光单元和多个光电探测单元；
所述第一信号线包括扫描线、发光控制线以及检测控制线中的至少一条；其中，一条所述扫描线与一行所述发光单元电连接，一条所述发光控制线与一行所述发光单元电连接；
所述第二信号线包括数据线及多条探测读出线中的至少一条；其中，一条所述数据线与一列所述发光单元电连接，一条所述探测读出线与一列所述光电探测单元电连接。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述屏蔽层为具有屏蔽开口的整层结构。
5.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述屏蔽层包括相互间隔设置的多个屏蔽结构；一个所述屏蔽结构在所述衬底基板的正投影覆盖至少一条所述第一信号线在所述衬底基板的正投影。
6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述屏蔽结构为条形；所述屏蔽结构沿所述第一方向延伸，且沿所述第二方向排列。
7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，一个所述屏蔽结构对应一条所述发光控制线和一条所述扫描线，且所述屏蔽结构在所述衬底基板的正投影覆盖对应的所述扫描线和所述发光控制线在所述衬底基板的正投影，并且，所述屏蔽结构在所述衬底基板的正投影覆盖对应的所述扫描线和所述发光控制线之间的区域在所述衬底基板的正投影；其中，对应的所述扫描线和所述发光控制线之间的区域为除所述连接过孔所在的区域。
8.如权利要求1-7任一项所述的显示面板，其特征在于，所述固定电压为电源电压，所述屏蔽层复用为向像素电路输入所述电源电压的电源线。
9.如权利要求1-7任一项所述的显示面板，其特征在于，所述固定电压为初始化电压，所述屏蔽层复用为向像素电路输入所述初始化电压的初始化线。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的显示面板。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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