CN113192747B - 一种非晶磁粉芯的冷处理方法 - Google Patents

一种非晶磁粉芯的冷处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113192747B
CN113192747B CN202110730712.9A CN202110730712A CN113192747B CN 113192747 B CN113192747 B CN 113192747B CN 202110730712 A CN202110730712 A CN 202110730712A CN 113192747 B CN113192747 B CN 113192747B
Authority
CN
China
Prior art keywords
magnetic powder
powder core
amorphous magnetic
power supply
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110730712.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113192747A (zh
Inventor
于昊龙
黄玉攀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Zhixing Technology Co ltd
Original Assignee
Jiangsu Zhixing Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Zhixing Technology Co ltd filed Critical Jiangsu Zhixing Technology Co ltd
Priority to CN202110730712.9A priority Critical patent/CN113192747B/zh
Publication of CN113192747A publication Critical patent/CN113192747A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113192747B publication Critical patent/CN113192747B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
    • H01F1/147—Alloys characterised by their composition
    • H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/14—Treatment of metallic powder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)

Abstract

一种非晶磁粉芯的冷处理方法，以非晶磁粉芯作为基于帕尔帖原理的半导体制冷电路的冷端，进行冷处理。将非晶磁粉芯作为冷端串接入半导体制冷电路，先通过恒电流降温，再通电流恒温的方式进行温降冷处理，在急速降温的同时，通过电子在非晶磁粉芯内的导流对内部进行磁通的梳理，进而改善、消除由于粉末钝化、绝缘不均匀对非晶磁粉芯的电气性能造成的影响，使非晶磁粉芯的损耗降低、磁导率升高；其利用现有的半导体制冷电路的温降效率，同时利用其电路中的电子，有效提高了非晶磁粉芯的性能，具有可调操作性，可自动化，可使用各种大小尺寸的非晶磁粉芯，电路成本低，材料易得，制作简便，具有很强的实用性和广泛的适用性。

Description

一种非晶磁粉芯的冷处理方法
技术领域
本发明涉及一种磁粉芯的处理方法，具体涉及一种非晶磁粉芯的冷处理方法。
背景技术
非晶磁粉芯是经过粉末的绝缘、钝化、压制、热处理、冷却过程等一系列的环节加工而成，为达到我们所需要的磁性能，热处理和冷却环节在整个的过程中格外的重要。
传统磁粉芯在热处理后的冷却过程是直接在空气中冷却或使用水冷***使磁粉芯由热处理温度冷却到常温，但这样的冷却方式会对非晶磁粉芯的性能产生一定影响。同时非晶磁粉芯在绝缘、钝化过程中就会出现搅拌的不均匀而影响烧结出的产品的性能，压制密度达不到标准也会影响产品的性能，因此亟需研究合适的后处理方法，来消除绝缘、钝化、压制过程对非晶磁粉芯性能带来的不利影响，提高非晶磁粉芯的性能，减少资源浪费。
发明内容
为解决现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种非晶磁粉芯的冷处理方法。
为了实现上述目标，本发明采用如下的技术方案：
一种非晶磁粉芯的冷处理方法，以非晶磁粉芯作为基于帕尔帖原理的半导体制冷电路的冷端，进行冷处理。
上述半导体制冷电路包括串接的电源、第一铜基片、第二铜基片、N型半导体、P型半导体和非晶磁粉芯；
第一铜基片接电源正极，第二铜基片接电源负极，N型半导体的一端接第一铜基片，P型半导体的一端接第二铜基片，N型半导体的另一端和P型半导体的另一端分别接非晶磁粉芯的两端。
进一步的，上述电源为20-50A的直流电源。
更进一步的，上述直流电源为30A。
进一步的，上述电源设有PWM电流调制器。
进一步的，上述半导体制冷电路或电源设有开关，由控制装置根据与非晶磁粉芯接触的温度传感器的反馈驱动开关的启闭。
进一步的，上述电源设有PWM电流调制器，控制装置根据温度传感器的反馈通过PWM电流调制器调节电路中的电流强度。
上述非晶磁粉芯的冷处理为：温度不高于-70℃，时间不低于30min。
上述第一铜基片和第二铜基片的外表面分别设有散热基板。
进一步的，上述第一铜基片和第二铜基片的外表面共用散热基板。
上述非晶磁粉芯周围的湿度不大于70%。
本发明的有益效果在于：
本发明的一种非晶磁粉芯的冷处理方法，将非晶磁粉芯作为冷端串接入半导体制冷电路，先通过恒电流降温，再通电流恒温的方式进行温降冷处理，在急速降温的同时，通过电子在非晶磁粉芯内的导流对内部进行磁通的梳理，进而改善、消除由于粉末钝化、绝缘不均匀对非晶磁粉芯的电气性能造成的影响，使非晶磁粉芯的损耗降低、磁导率升高；
本发明的冷处理方法，利用现有的半导体制冷电路的温降效率，同时利用其电路中的电子，有效提高了非晶磁粉芯的性能，具有可调操作性，可自动化，可使用各种大小尺寸的非晶磁粉芯，电路成本低，材料易得，制作简便，具有很强的实用性和广泛的适用性。
附图说明
图1为半导体制冷电路的结构示意图。
附图中标记的含义如下：1、非晶磁粉芯，2、N型半导体，3、P型半导体，4、第一铜基片，5、第二铜基片。6、基板。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明作具体的介绍。
一种非晶磁粉芯的冷处理方法，包括以下步骤：
S1、将非晶磁粉芯1作为冷端串接入半导体制冷电路，该半导体制冷电路由直流电源、第一铜基片4、第二铜基片5、N型半导体2、P型半导体3和非晶磁粉芯串接而成。
接入方式如图1所示，第一铜基片接电源正极，第二铜基片接电源负极，N型半导体的一端接第一铜基片，P型半导体的一端接第二铜基片，N型半导体的另一端和P型半导体的另一端分别接非晶磁粉芯的两端。
优选的，直流电源设有PWM电流调制器。
电路还串接开关，该开关由控制装置根据与非晶磁粉芯接触的温度传感器的反馈驱动开关的启闭，进而控制电路的通断；或该开关为电源的启闭装置。
S2、启动直流电源，通入20-50A的直流电。
电子从电源负极出发到达第二铜基片和P型半导体的交界处，当电子从第二铜基片进入P型半导体时，即相当于电子的能量从费米能级进入半导体的价带（因为是P型，里面的载流子是在价带上的），而价带中电子的能量低于费米能，所以在热端放热。
电子继续移动，当电子从P型半导体进入冷端的非晶磁粉芯时，相当于电子从价带到了费米能级上，故在冷端吸热，形成制冷效果。
当电子从非晶磁粉芯进入N型半导体时，相当于电子从费米能级处进入导带（因为是N型，里面的载流子是在导带上的），导带中电子的能量较高，这个过程需要吸热。
电子从N型半导体进入热端的第一铜基片时能量降低所以又在热端放热最后回到电源正极。
因随着非晶磁粉芯温度的降低，其电阻随之的变化而导致电流强度的变化，进而影响温降的速度，通过PWM电流调制器使得电路中保持恒定的电流强度，进而维持、稳定、提高温降的速度和效率。
优选的，电路中的电流强度维持在30A。
随着非晶磁粉芯温度的降低，温度传感器监测着非晶磁粉芯的实时温度并反馈给控制装置，当温度降低至-70℃时，控制装置根据温度传感器的反馈通过PWM电流调制器调节电路中的电流强度，使得非晶磁粉芯的温度维持在-70℃或以下（优选的为-（70-80）℃），并维持不低于30min后断开电路。
根据非晶磁粉芯的体积，若非晶磁粉芯的体积较小，第一铜基片和第二铜基片的外表面可共用绝缘的散热基板6；若非晶磁粉芯的体积较大，第一铜基片和第二铜基片的外表面可分别设置散热基板。
优选的，降温时非晶磁粉芯周围的湿度不大于70%，以防止温度过低时，空气中的水汽过多的凝结在非晶磁粉芯的表面。
下表为实施及对比例：
对比例的冷却方式选用室温自然冷却。
密度 Kg/mm3 电源 磁导率 (H/m)(50kHz，0.05T) 磁损耗 (W/cm3)(50kHz，0.05mT)
实施例1 5.5 30A 145 43
对比例1 5.5 - 125 51
对比例2 5.9 30A 143 44
对比例2 5.9 - 129 53
由上表可知，本发明采用的冷却方法，冷却后磁导率较高，损耗较低，即磁性能较好，优于对比例。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，上述实施例不以任何形式限制本发明，凡采用等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案，均落在本发明的保护范围内。

Claims (7)

1.一种非晶磁粉芯的冷处理方法，其特征在于，以非晶磁粉芯作为基于帕尔帖原理的半导体制冷电路的冷端，以先通恒电流降温、再通电流恒温的方式进行冷处理；同时利用半导体制冷电路中的电子在非晶磁粉芯内的导流对非晶磁粉芯的内部进行磁通的梳理；
所述半导体制冷电路的电源设有PWM电流调制器；
控制装置根据与非晶磁粉芯接触的温度传感器的反馈通过PWM电流调制器调节电路中的电流强度；
冷处理的温度不高于-70℃，时间不低于30min。
2.根据权利要求1所述的一种非晶磁粉芯的冷处理方法，其特征在于，所述半导体制冷电路包括串接的电源、第一铜基片、第二铜基片、N型半导体、P型半导体和磁粉芯；
第一铜基片接电源正极，第二铜基片接电源负极，N型半导体的一端接第一铜基片，P型半导体的一端接第二铜基片，N型半导体的另一端和P型半导体的另一端分别接非晶磁粉芯的两端。
3.根据权利要求2所述的一种非晶磁粉芯的冷处理方法，其特征在于，所述电源为20-50A的直流电源。
4.根据权利要求3所述的一种非晶磁粉芯的冷处理方法，其特征在于，所述直流电源为30A。
5.根据权利要求2所述的一种非晶磁粉芯的冷处理方法，其特征在于，所述半导体制冷电路或电源设有开关，所述开关由所述控制装置根据所述温度传感器的反馈驱动启闭。
6.根据权利要求2所述的一种非晶磁粉芯的冷处理方法，其特征在于，所述第一铜基片和第二铜基片的外表面分别设有散热基板。
7.根据权利要求2所述的一种非晶磁粉芯的冷处理方法，其特征在于，所述第一铜基片和第二铜基片的外表面共用散热基板。
CN202110730712.9A 2021-06-30 2021-06-30 一种非晶磁粉芯的冷处理方法 Active CN113192747B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110730712.9A CN113192747B (zh) 2021-06-30 2021-06-30 一种非晶磁粉芯的冷处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110730712.9A CN113192747B (zh) 2021-06-30 2021-06-30 一种非晶磁粉芯的冷处理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113192747A CN113192747A (zh) 2021-07-30
CN113192747B true CN113192747B (zh) 2021-09-21

Family

ID=76976752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110730712.9A Active CN113192747B (zh) 2021-06-30 2021-06-30 一种非晶磁粉芯的冷处理方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113192747B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113459229A (zh) * 2021-08-04 2021-10-01 南京林业大学 一种木材热处理方法及装置
CN115612811A (zh) * 2022-10-31 2023-01-17 江苏鸿康电器有限公司 一种金属工件处理工艺及加工装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN88102434A (zh) * 1987-04-22 1988-11-09 夏普公司 超导设备
CN101884075A (zh) * 2007-10-24 2010-11-10 亚尔科·萨洛迈基 用于制造磁芯的方法和磁芯
CN103667673A (zh) * 2013-12-06 2014-03-26 青岛云路新能源科技有限公司 一种非晶磁粉芯的冷却处理方法
CN110718624A (zh) * 2019-08-27 2020-01-21 天津大学 Tdc芯片帕尔贴效应降温装置和方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN88102434A (zh) * 1987-04-22 1988-11-09 夏普公司 超导设备
CN101884075A (zh) * 2007-10-24 2010-11-10 亚尔科·萨洛迈基 用于制造磁芯的方法和磁芯
CN103667673A (zh) * 2013-12-06 2014-03-26 青岛云路新能源科技有限公司 一种非晶磁粉芯的冷却处理方法
CN110718624A (zh) * 2019-08-27 2020-01-21 天津大学 Tdc芯片帕尔贴效应降温装置和方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113192747A (zh) 2021-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113192747B (zh) 一种非晶磁粉芯的冷处理方法
CN103887339B (zh) 一种晶体管、晶体管的散热结构以及晶体管的生产方法
CN102610368A (zh) 一种防爆变压器太阳能半导体散热装置
CN104900689A (zh) 降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法
CN105444461B (zh) 一种热电制冷器
CN203895471U (zh) 一种太阳能电池片的焊带
CN103341624B (zh) 一种制备Cu-Cu2O核壳铁磁性纳米颗粒的方法
WO2020063385A1 (zh) 一种用于大电流高温超导电流引线的液氦浸泡式低温超导组件
CN103008805A (zh) 冷电极不对称散热电火花加工方法
CN106997873A (zh) 一种封装结构及封装方法
CN203118955U (zh) 一种晶体管及晶体管的散热装置
CN202306359U (zh) 户外机柜工作温度调控电路装置
CN203120360U (zh) 一种大功率电力电子器件的循环散热***
CN201138108Y (zh) 半导体海水缸制冷装置
CN109037062B (zh) 一种具有温差发电机构的iii-v hemt器件
CN201638139U (zh) 一种pc机芯片散热装置
CN206411589U (zh) 一种电子制冷笔记本电脑散热垫
CN204274046U (zh) 一种电子制冷罩
CN202562127U (zh) 具有高导热系数致冷芯片的冷热交换装置
CN208045933U (zh) 一种激光器的温度控制装置
CN203080015U (zh) 一种退火冷却***
CN206787286U (zh) 银蒸发用坩埚
CN207063039U (zh) 一种高效的空气取水的半导体制冷组件
CN208159079U (zh) 一种带热管的散热铜排
CN204732415U (zh) 一种安装在电子冰箱芯片电路中的半导体二极管

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant