CN113176970A - 基于FPGA的nor flash坏块管理***及方法 - Google Patents

基于FPGA的nor flash坏块管理***及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113176970A
CN113176970A CN202110716395.5A CN202110716395A CN113176970A CN 113176970 A CN113176970 A CN 113176970A CN 202110716395 A CN202110716395 A CN 202110716395A CN 113176970 A CN113176970 A CN 113176970A
Authority
CN
China
Prior art keywords
block
flash
bad block
backup
bad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110716395.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113176970B (zh
Inventor
汪亨
刘明星
吴志强
张文帅
赵洋
魏荣超
谌志强
徐孝芬
陈起
水璇璇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nuclear Power Institute of China
Original Assignee
Nuclear Power Institute of China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuclear Power Institute of China filed Critical Nuclear Power Institute of China
Priority to CN202110716395.5A priority Critical patent/CN113176970B/zh
Publication of CN113176970A publication Critical patent/CN113176970A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113176970B publication Critical patent/CN113176970B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/16—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
    • G06F11/20—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using active fault-masking, e.g. by switching out faulty elements or by switching in spare elements
    • G06F11/2053—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using active fault-masking, e.g. by switching out faulty elements or by switching in spare elements where persistent mass storage functionality or persistent mass storage control functionality is redundant
    • G06F11/2094—Redundant storage or storage space
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/0614—Improving the reliability of storage systems
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0638—Organizing or formatting or addressing of data
    • G06F3/064—Management of blocks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/0671—In-line storage system
    • G06F3/0673—Single storage device
    • G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于FPGA的nor flash坏块管理***及方法，包括主nor flash模块、备份nor flash模块以及nor flash控制器；当所述主nor flash模块中的块出现故障时，所述nor flash控制器构建故障块与所述备份nor flash模块中可用备份块的映射关系，并根据所述映射关系，用所述可用备份块代替所述故障块。本发明的目的在于提供一种基于FPGA的nor flash坏块管理***及方法，在nor flash遇到存储操作异常时自动进行坏块管理，解决nor flash因长时间使用出现的老化、偶发性块故障的问题。

Description

基于FPGA的nor flash坏块管理***及方法
技术领域
本发明涉及核电厂安全级数字化控制技术领域，尤其涉及一种基于FPGA的norflash坏块管理***及方法。
背景技术
核电厂数字化控制***及某些其他安全等级较高的***要求数据存储的安全性高，不应因偶发性的故障影响整个存储芯片的正常运行。但实际在长时间使用之后，norflash芯片经过频繁多次的写入和擦除，难以避免出现芯片内部的某些块故障。nor flash芯片本身只能进行故障上报，并没有处理纠错机制，这对安全性要求较高的***来说是难以接受的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于FPGA的nor flash坏块管理***及方法，在norflash遇到存储操作异常时自动进行坏块管理，解决nor flash因长时间使用出现的老化、偶发性块故障的问题。
本发明通过下述技术方案实现：
基于FPGA的nor flash坏块管理***，包括主nor flash模块、备份nor flash模块以及nor flash控制器；当所述主nor flash模块中的块出现故障时，所述nor flash控制器构建故障块与所述备份nor flash模块中可用备份块的映射关系，并根据所述映射关系，用所述可用备份块代替所述故障块。
优选地，所述主nor flash模块包括主nor flash、坏块标志表和坏块编号表；
所述坏块标志表，用于标识所述主nor flash中的故障块；还用于记录与所述故障块存在映射关系的所述可用备用块；
所述坏块编号表，用于对所述坏块标志表中标识的所述故障块进行编号。
优选地，所述坏块标志表包括标志位和编号位；
所述标志位，用于标识所述主nor flash中的所述故障块；
所述编号位，用于标识与所述故障块存在映射关系的所述可用备份块。
优选地，所述备份nor flash包括备份nor flash和坏块替换表；所述坏块替换表，用于标识所述备份nor flash中的可用备份块的位置。
基于FPGA的nor flash坏块管理***的使用方法，包括以下步骤：
S1：获取坏块替换表；
S2：构建坏块标志表和坏块编号表；
S3：根据所述坏块替换表和所述坏块编号表构建映射关系；
S4：根据所述映射关系，将所述故障块对应的所述可用备份块的位置写入所述坏块标志表。
优选地，所述坏块替换表包括一一对应的标号位和地址位；
所述标号位，用于标识所述可用备份块在所述备份nor flash中的位置；
所述地址位，用于标识所述可用备份块的块地址。
优选地，所述S1包括以下子步骤：
S11：获取所述备份nor flash中的可用备份块；
S12：在所述标号位标示所述可用备份块在所述备份nor flash中的位置；
S13：在所述标号位对应的所述地址位标识所述可用备份块的块地址。
优选地，所述S2包括以下子步骤：
S21：判断所述主nor flash中的块是否故障，若当前块为故障块，则执行S22；
S22：对所述故障块进行标识，得到所述坏块标志表；
S22：对所述故障块进行标识，得到所述坏块标志表；
S23：对所述坏块标志表中的所述故障块进行标号，得到所述坏块编号表。
优选地，所述S21包括以下子步骤：
S211：对所述主nor flash中的块进行读取操作、写入操作以及擦除操作；
S212：若所述读取操作、所述写入操作以及所述擦除操作均能完成，则为正常块；否则，为故障块。
优选地，所述坏块标志表包括标志位和编号位；
所述标志位，用于标识所述主nor flash中的所述故障块；
所述编号位，用于标识与所述故障块存在映射关系的所述可用备份块。
本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
通过将备份nor flash中的可用备份块和实际运行的主nor flash中的故障块进行替换，保障出现偶发块故障时，nor flash仍然能够正常工作，提高nor flash的使用可靠性，延长其使用寿命。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明实施例的限定。在附图中：
图1为本发明nor flash坏块管理***的整体示意图；
图2为本发明nor flash坏块管理***初始化后的示意图；
图3为本发明主nor flash正在运行的块前面不存在故障块时的示意图；
图4为本发明主nor flash正在运行的块前面存在故障块时的示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。
实施例1
基于FPGA的nor flash坏块管理***，包括主nor flash模块、备份nor flash模块以及nor flash控制器；当主nor flash模块中的块出现故障时，nor flash控制器构建故障块与备份nor flash模块中可用备份块的映射关系，并根据该映射关系，用可用备份块代替故障块。
其中，本实施例中所说的可用备份块指的是备份nor flash中没有出现故障的块，即：可以进行读取、写入以及擦除操作的块。
具体地，在本实施例中，主nor flash模块包括主nor flash、坏块标志表和坏块编号表；
坏块标志表，包括标志位和编号位，其中，标志位用于标识主nor flash中的故障块，如图1和图2所示，在图1中，主nor flash中的故障块用0表示，好块（未出现故障的块）用1表示；编号位用于标识与故障块存在映射关系的可用备份块，如图2和图3所示，好块的编号位记为0xff，故障块的编号位记为对应可用备份块的编号。
坏块编号表，用于对坏块标志表中标识的故障块进行编号。其中坏块编号表的构建方法有两种：
第一种构建方法，坏块编号表中事先存储有编号，且编号从小到大依次递增，当主nor flash中的当前块故障时，根据该故障块是主nor flash中的第几个故障块，将该故障块与坏块编号表中的编号一一对应起来；例如，坏块编号表中事先存储有编号0、1、2、3、....n，n为自然数，当该故障块是主nor flash中的第1个故障块时，将该故障块与编号0进行绑定，当该故障块是主nor flash中的第5个故障块时，将该故障块与编号4进行绑定，从而使得任意一个故障块有对应的编号。
第二种构建方法，坏块编号表为空，当检测到主nor flash中存在故障块时，依次对坏块编号表进行填充，从而形成一一对应关系；例如，当检测到主nor flash中存在一个故障块时，在坏块标志表中填充一个数字0，再次检测到主nor flash中存在故障块时，在坏块标志表中最后记录的数字上加1，从而形成对应关系。
由于使用第二种构建方法时，需要nor flash控制器根据坏块编号表实时与坏块标志表构建映射关系，增加***的工作量，降低运行效率，因此在本方案中采用第一种构建方法进行构建，采用第一种构建方法时，坏块编号表与坏块标志表的映射关系在***运行前已经建立完成，从而不会对运行中的***造成额外负担。
备份nor flash包括备份nor flash和坏块替换表；坏块替换表，用于标识备份norflash中的可用备份块的位置。
具体地，在本实施例中，坏块替换表包括一一对应的标号位和地址位，初始状态时，标号位和地址位均为空；当需要构建坏块替换表时，对备份nor flash中的每一个块进行读取、写入以及擦除操作，检查备份nor flash中的块是否有故障，若没有故障，则认为此块为可用备份块，将该可用备份块在备份nor flash中的位置记录在标号位中，将该可用备份块的块地址写入地址位中，从而形成一一对应的标号位和地址位，如图1-4所示，在图1-4中，可用备份块的位置用序号表示。
在本方案中，坏块替换表中记录了可用备份块的位置及块地址，坏块编号表中记录了故障块的编号，通过构建坏块替换表和坏块编号表的映射关系，使得故障块的位置与可用备份块的位置形成一一对应关系，当主nor flash中的块故障时，根据该映射关系可以用备份主nor flash中的可用备份块替换相应的故障块，从而解决因主nor flash异常无法正常工作的现象。
以下对本方案的具体实现过程进行说明：
①当主nor flash正在运行的块前面不存在故障块时：
首先对坏块标志表和坏块替换表进行初始化，如图2所示；
初始化坏块标志表：
由于主nor flash中各个块的状态（好块或是故障块）事先未知，因此在初始化时，默认为主nor flash的各个块均为好块，并用1表示，即：坏块标志表中的标志位为全1，坏块标志表中的编号位全为0xff；
初始化坏块替换表：
nor flash管理器和接口驱动自动寻找备份nor flash中的可用备份块，即对备份nor flash的每一个块进行读取、写入以及擦除等一系列操作，检查备份nor flash中的块是否有故障上报，若有，则认为此块为坏块，若没有，则认为此块为可用备份块，并将该可用备份块的块地址和位置存入坏块替换表；
坏块替换表和坏块标志表初始化完成，nor flash控制器便根据坏块替换表和坏块标志表构建映射关系。
初始化完成后，***便开始正常的工作，如图3所示，若主nor flash在运行的操作（读取、写入或擦除）过程中遇到故障，即主nor flash中的块出现故障，在最后一步操作结束后，在坏块标志表对应标志位写0，同时根据故障块的个数与坏块编号表中的编号形成对应关系，然后根据故障块对应的编号在坏块替换表中寻找对应的可用备份块的编号，并写入坏块标志表中的编号位；最后将主nor flash中坏块的地址和片选信号替换为可用备份块，并重新对可用备份块进行同样的操作（读取、写入或擦除）即可。
②当主nor flash正在运行的块前面存在故障块时：
首先对坏块标志表和坏块替换表进行初始化，如图2所示；
初始化坏块标志表：
由于主nor flash中各个块的状态（好块或是故障块）事先未知，因此在初始化时，默认为主nor flash的各个块均为好块，并用1表示，即：坏块标志表中的标志位为全1，坏块标志表中的编号位全为0xff；
读取上一次存储的坏块标志表，并用上一次建立好的坏块标志表修正当前坏块标志表中的标志位，若某一个块为故障块，则根据上一次建立好的坏块标志表中的编号位对故障块进行坏块替换表寻址，找到可用备份块的位置，自动替换主nor flash故障块的块操作地址和片选信号；若为好块，则不进行任何操作。
初始化坏块替换表：
nor flash管理器和接口驱动自动寻找备份nor flash中的好块，即对备份norflash的每一个块进行读取、写入以及擦除等一系列操作，检查备份nor flash中的块是否有故障上报，若有，则认为此块为坏块，若没有，则认为此块为可用备份块，并将该可用备份块的块地址存入坏块替换表
初始化完成，便开始正常的工作，如图3所示，若主nor flash在运行的操作（读取、写入或擦除）过程中遇到故障，即主nor flash中的块出现故障，在最后一步操作结束后，在坏块标志表对应标志位写0，同时根据坏块编号表对故障块进行编号，然后根据坏块编号表寻找坏块替换表对应的可用备份块的编号，写入坏块标志表中；最后将主nor flash中坏块的地址和片选信号替换为可用备份块，并重新对可用备份块进行同样的操作（读取、写入或擦除）即可。
实施例2
本实施例提供了一种基于FPGA的nor flash坏块管理***的使用方法，包括以下步骤：
S1：获取坏块替换表；
在本实施例中，坏块替换表包括一一对应的标号位和地址位，初始状态时，标号位和地址位均为空；当需要构建坏块替换表时，对备份nor flash中的每一个块进行读取、写入以及擦除操作，检查备份nor flash中的块是否有故障，若没有故障，则认为此块为可用备份块，将该可用备份块在备份nor flash中的位置记录在标号位中，将该可用备份块的块地址写入地址位中，从而形成一一对应的标号位和地址位，如图1-4所示，在图1-4中，可用备份块的位置用序号表示。
S2：构建坏块标志表和坏块编号表；
本实施例中的坏块标志表包括标志位和编号位，其中，标志位用于标识主norflash中的故障块，如图1和图2所示，在图1中，主nor flash中的故障块用0表示，好块（未出现故障的块）用1表示；编号位用于标识与故障块存在映射关系的可用备份块，如图2和图3所示，好块的编号位记为0xff，故障块的编号位记为对应可用备份块的编号。
坏块编号表，用于对坏块标志表中标识的故障块进行编号。其中坏块编号表的构建方法有两种：
第一种构建方法，坏块编号表中事先存储有编号，且编号从小到大依次递增，当主nor flash中的当前块故障时，根据该故障块是主nor flash中的第几个故障块，将该故障块与坏块编号表中的编号一一对应起来；例如，坏块编号表中事先存储有编号0、1、2、3、....n，n为自然数，当该故障块是主nor flash中的第1个故障块时，将该故障块与编号0进行绑定，当该故障块是主nor flash中的第5个故障块时，将该故障块与编号4进行绑定，从而使得任意一个故障块有对应的编号。
第二种构建方法，坏块编号表为空，当检测到主nor flash中存在故障块时，依次对坏块编号表进行填充，从而形成一一对应关系；例如，当检测到主nor flash中存在一个故障块时，在坏块标志表中填充一个数字0，再次检测到主nor flash中存在故障块时，在坏块标志表中中最后记录的数字上加1，从而形成对应关系。
由于使用第二种构建方法时，需要nor flash控制器根据坏块编号表实时与坏块标志表构建映射关系，增加***的工作量，降低运行效率，因此在本方案中采用第一种构建方法进行构建，采用第一种构建方法时，坏块编号表与坏块标志表的映射关系在***运行前已经建立完成，从而不会对运行中的***造成额外负担。
S3：根据坏块替换表和坏块编号表构建映射关系；
S4：根据映射关系，将故障块对应的可用备份块写入坏块标志表。
坏块替换表中记录了可用备份块的位置及块地址，坏块编号表中记录了故障块的编号，通过构建坏块替换表和坏块编号表的映射关系，使得故障块的位置与可用备份块的位置形成一一对应关系，当主nor flash中的块故障时，根据该映射关系可以用备份主norflash中的可用备份块替换相应的故障块，从而解决因主nor flash异常无法正常工作的现象。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.基于FPGA的nor flash坏块管理***，其特征在于，包括主nor flash模块、备份norflash模块以及nor flash控制器；当所述主nor flash模块中的块出现故障时，所述norflash控制器构建故障块与所述备份nor flash模块中可用备份块的映射关系，并根据所述映射关系，用所述可用备份块代替所述故障块。
2.根据权利要求1所述的基于FPGA的nor flash坏块管理***，其特征在于，所述主norflash模块包括主nor flash、坏块标志表和坏块编号表；
所述坏块标志表，用于标识所述主nor flash中的故障块；还用于标识与所述故障块存在映射关系的所述可用备用块；
所述坏块编号表，用于对所述坏块标志表中标识的所述故障块进行编号。
3.根据权利要求2所述的基于FPGA的nor flash坏块管理***，其特征在于，所述坏块标志表包括标志位和编号位；
所述标志位，用于标识所述主nor flash中的所述故障块；
所述编号位，用于标识与所述故障块存在映射关系的所述可用备份块。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的基于FPGA的nor flash坏块管理***，其特征在于，所述备份nor flash包括备份nor flash和坏块替换表；所述坏块替换表，用于标识所述备份nor flash中的所述可用备份块的位置。
5.如权利要求4所述的基于FPGA的nor flash坏块管理***的使用方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：获取坏块替换表；
S2：构建坏块标志表和坏块编号表；
S3：根据所述坏块替换表和所述坏块编号表构建映射关系；
S4：根据所述映射关系，将所述故障块对应的所述可用备份块的位置写入所述坏块标志表。
6.根据权利要求5所述的基于FPGA的nor flash坏块管理***的使用方法，其特征在于，所述坏块替换表包括一一对应的标号位和地址位；
所述标号位，用于标识所述可用备份块在所述备份nor flash中的位置；
所述地址位，用于标识所述可用备份块的块地址。
7.根据权利要求6所述的基于FPGA的nor flash坏块管理***的使用方法，其特征在于，所述S1包括以下子步骤：
S11：获取所述备份nor flash中的可用备份块；
S12：在所述标号位标示所述可用备份块在所述备份nor flash中的位置；
S13：在所述标号位对应的所述地址位标识所述可用备份块的块地址。
8.根据权利要求5所述的基于FPGA的nor flash坏块管理***的使用方法，其特征在于，所述S2包括以下子步骤：
S21：判断所述主nor flash中的块是否故障，若当前块为故障块，则执行S22；
S22：对所述故障块进行标识，得到所述坏块标志表；
S23：对所述坏块标志表中的所述故障块进行标号，得到所述坏块编号表。
9.根据权利要求8所述的基于FPGA的nor flash坏块管理***的使用方法，其特征在于，所述S21包括以下子步骤：
S211：对所述主nor flash中的块进行读取操作、写入操作以及擦除操作；
S212：若所述读取操作、所述写入操作以及所述擦除操作均能完成，则为正常块；否则，为故障块。
10.根据权利要求5所述的基于FPGA的nor flash坏块管理***的使用方法，其特征在于，所述坏块标志表包括标志位和编号位；
所述标志位，用于标识所述主nor flash中的所述故障块；
所述编号位，用于标识与所述故障块存在映射关系的所述可用备份块。
CN202110716395.5A 2021-06-28 2021-06-28 基于FPGA的nor flash坏块管理***及方法 Active CN113176970B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110716395.5A CN113176970B (zh) 2021-06-28 2021-06-28 基于FPGA的nor flash坏块管理***及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110716395.5A CN113176970B (zh) 2021-06-28 2021-06-28 基于FPGA的nor flash坏块管理***及方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113176970A true CN113176970A (zh) 2021-07-27
CN113176970B CN113176970B (zh) 2021-10-22

Family

ID=76927870

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110716395.5A Active CN113176970B (zh) 2021-06-28 2021-06-28 基于FPGA的nor flash坏块管理***及方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113176970B (zh)

Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1932778A (zh) * 2006-07-23 2007-03-21 海信集团有限公司 一种对nand flash存储器进行虚拟空间管理的方法
CN101281493A (zh) * 2008-05-26 2008-10-08 中兴通讯股份有限公司 与非闪存器及其管理方法
CN201156432Y (zh) * 2007-10-30 2008-11-26 北京同方微电子有限公司 一种实现nor flash坏块管理的控制电路
CN101320596A (zh) * 2008-06-10 2008-12-10 北京时代民芯科技有限公司 一种面向大容量flash固存的坏块管理方法
CN101425334A (zh) * 2007-10-30 2009-05-06 北京同方微电子有限公司 一种实现nor flash坏块管理的方法及其控制电路
CN101510445A (zh) * 2009-03-19 2009-08-19 北京中星微电子有限公司 存储器坏块表的保存和读取的方法以及装置
CN102169462A (zh) * 2011-04-27 2011-08-31 中国科学院光电技术研究所 基于NAND Flash的数据记录方法与记录控制器
CN103186471A (zh) * 2011-12-30 2013-07-03 深圳市共进电子股份有限公司 存储设备中坏块的管理方法及***
CN103294607A (zh) * 2012-02-27 2013-09-11 北京华虹集成电路设计有限责任公司 一种存储管理方法
CN104360958A (zh) * 2014-12-09 2015-02-18 哈尔滨工业大学 基于块保留区替换的坏块管理***及管理方法
CN104750565A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 重庆重邮信科通信技术有限公司 Nand坏块处理方法及nand闪存设备
CN105702300A (zh) * 2016-01-11 2016-06-22 浙江大学 一种基于FPGA的NAND Flash容错***
CN105718328A (zh) * 2016-01-12 2016-06-29 珠海煌荣集成电路科技有限公司 存储器坏区的数据备份方法及***
CN105740163A (zh) * 2016-01-29 2016-07-06 山东鲁能智能技术有限公司 一种Nand Flash坏块管理方法
US20170046081A1 (en) * 2015-08-10 2017-02-16 International Business Machines Corporation Back-up and restoration of data between volatile and flash memory
CN106909519A (zh) * 2017-02-24 2017-06-30 济南浪潮高新科技投资发展有限公司 一种基于FPGA的Nand Flash存储映射***
CN110297606A (zh) * 2019-06-28 2019-10-01 深圳忆联信息***有限公司 基于固态硬盘的坏块管理方法、装置和计算机设备
CN110795044A (zh) * 2019-10-31 2020-02-14 深圳市友华通信技术有限公司 NAND Flash存储器的坏块管理方法和***
CN112530508A (zh) * 2019-09-17 2021-03-19 北京振兴计量测试研究所 一种nand flash存储器并行测试及坏块回写方法

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1932778A (zh) * 2006-07-23 2007-03-21 海信集团有限公司 一种对nand flash存储器进行虚拟空间管理的方法
CN201156432Y (zh) * 2007-10-30 2008-11-26 北京同方微电子有限公司 一种实现nor flash坏块管理的控制电路
CN101425334A (zh) * 2007-10-30 2009-05-06 北京同方微电子有限公司 一种实现nor flash坏块管理的方法及其控制电路
CN101281493A (zh) * 2008-05-26 2008-10-08 中兴通讯股份有限公司 与非闪存器及其管理方法
CN101320596A (zh) * 2008-06-10 2008-12-10 北京时代民芯科技有限公司 一种面向大容量flash固存的坏块管理方法
CN101510445A (zh) * 2009-03-19 2009-08-19 北京中星微电子有限公司 存储器坏块表的保存和读取的方法以及装置
CN102169462A (zh) * 2011-04-27 2011-08-31 中国科学院光电技术研究所 基于NAND Flash的数据记录方法与记录控制器
CN103186471A (zh) * 2011-12-30 2013-07-03 深圳市共进电子股份有限公司 存储设备中坏块的管理方法及***
CN103294607A (zh) * 2012-02-27 2013-09-11 北京华虹集成电路设计有限责任公司 一种存储管理方法
CN104750565A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 重庆重邮信科通信技术有限公司 Nand坏块处理方法及nand闪存设备
CN104360958A (zh) * 2014-12-09 2015-02-18 哈尔滨工业大学 基于块保留区替换的坏块管理***及管理方法
US20170046081A1 (en) * 2015-08-10 2017-02-16 International Business Machines Corporation Back-up and restoration of data between volatile and flash memory
CN105702300A (zh) * 2016-01-11 2016-06-22 浙江大学 一种基于FPGA的NAND Flash容错***
CN105718328A (zh) * 2016-01-12 2016-06-29 珠海煌荣集成电路科技有限公司 存储器坏区的数据备份方法及***
CN105740163A (zh) * 2016-01-29 2016-07-06 山东鲁能智能技术有限公司 一种Nand Flash坏块管理方法
CN106909519A (zh) * 2017-02-24 2017-06-30 济南浪潮高新科技投资发展有限公司 一种基于FPGA的Nand Flash存储映射***
CN110297606A (zh) * 2019-06-28 2019-10-01 深圳忆联信息***有限公司 基于固态硬盘的坏块管理方法、装置和计算机设备
CN112530508A (zh) * 2019-09-17 2021-03-19 北京振兴计量测试研究所 一种nand flash存储器并行测试及坏块回写方法
CN110795044A (zh) * 2019-10-31 2020-02-14 深圳市友华通信技术有限公司 NAND Flash存储器的坏块管理方法和***

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
温子祺 等: "《ARM Cortex-M4 微控制器原理与实践》", 29 February 2016, 北京航空航天大学出版社 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN113176970B (zh) 2021-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7240178B2 (en) Non-volatile memory and non-volatile memory data rewriting method
CN101593157B (zh) 非线性闪存的坏块管理方法及装置
US8015438B2 (en) Memory circuit
CN112542199B (zh) 检测flash存储出错的方法、电路、存储介质和终端
CN103631721A (zh) 一种隔离内存中坏块的方法及***
CN103455386A (zh) 一种修复出错数据的方法和设备
US10509697B2 (en) Data storage device and operating method therefor
TWI726514B (zh) 記憶體修復電路、方法與使用其的記憶體模組
JP2007004955A (ja) 不揮発性半導体記憶装置
CN111522684A (zh) 一种同时纠正相变存储器软硬错误的方法及装置
EP3392885B1 (en) Non-volatile memory repair circuit
CN102929740A (zh) 检测存储设备坏块的方法和装置
CN114530189A (zh) 芯片的修复方法、修复装置、芯片
CN113176970B (zh) 基于FPGA的nor flash坏块管理***及方法
US20140075093A1 (en) Method and system for implicit or explicit online repair of memory
CN117742588A (zh) 使用Flash模拟EEPROM的数据存储方法及***
CN109698008B (zh) Nor型存储器位线故障的修复方法及装置
US20090199043A1 (en) Error correction in an integrated circuit with an array of memory cells
CN104461379A (zh) 提高nand闪存的稳定性的方法和nand闪存
JP3675375B2 (ja) 不揮発性メモリ並びに不揮発性メモリのデータ書き換え方法
CN109215724B (zh) 存储器自动检测和修复的方法及装置
CN113434086B (zh) 数据存储方法、装置、非易失性存储器件和存储器
CN109390029B (zh) 自动修复nor型存储阵列字线故障的方法及装置
CN105575439A (zh) 一种存储单元失效纠错的方法及存储器
CN110633056B (zh) 在操作***层面的Flash芯片的页面管理方法及存储设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant