CN113161387B - 有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种有机发光显示装置。有机发光显示装置包括多个子像素，该多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素。有机发光显示装置还包括：设置在多个子像素中的每一个中的阳极；覆盖阳极的边缘并且限定发射区域的堤层。有机发光显示装置还包括：设置在阳极上的有机发射层；设置在有机发射层上的阴极。第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个包括发射区域中的相应一个以及相应的非发射区域。第一子像素中发射区域的短轴长度、第二子像素中发射区域的短轴长度和第三子像素中发射区域的短轴长度彼此相同。第一子像素中发射区域的长轴长度、第二子像素中发射区域的长轴长度和第三子像素中发射区域的长轴长度彼此不同。

Description

有机发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年12月31日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0179896号的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开内容涉及有机发光显示装置，并且特别地，涉及在通过溶液工艺形成有机发射层时，通过使油墨的颜色混合和有机发射层的厚度偏差最小化来改善显示质量的有机发光显示装置。
背景技术
随着信息时代的发展，用于可视地显示电信息信号的显示装置领域得以迅速发展。因此，正在进行对显示装置的各种研究以改善性能，诸如减薄、减轻重量和低功耗。
在各种显示装置中，与液晶显示装置不同，有机发光显示装置是自发光显示装置并且不需要单独的光源。因此，有机发光显示装置可以制造成轻薄的形式。此外，由于有机发光显示装置以低电压驱动，因此其在功耗方面是有利的。此外，有机发光显示装置具有优异的颜色表现能力、高响应时间、宽视角和高对比度(CR)。因此，期望有机发光显示装置应用于各个领域。
发明内容
对于常规的有机发光显示装置，当在每个子像素中形成有机发射层时使用精细金属掩模(FMM)。然而，由于掩模的制造容差(fabrication tolerance)、下垂(sagging)和阴影效应，难以将FMM应用于大面积显示装置或高分辨率显示装置。特别地，随着对于大面积和高分辨率的需求增加，需要减小FMM的开口之间的间隙。在有机发光显示装置的制造期间，开口可能被有机材料堵塞，或者限定开口的金属可能粘在一起。此外，可能无法保持掩模的机械强度。
为了解决这些问题，本公开内容的发明人提出了一种通过将包含发光材料的油墨滴落至发射区域的溶液工艺形成有机发射层的方法。在溶液工艺中，在阳极上形成限定发射区域和非发射区域的堤。因此，注入器对油墨进行扫描，并且将油墨注入至发射区域并且使所注入的油墨硬化，以形成有机发射层。
因此，本公开内容要实现的目的是提供可以解决在通过溶液工艺形成有机发射层时所发生的油墨的颜色混合的有机发光显示装置。
本公开内容要实现的另一目的是提供可以通过使有机发射层的厚度偏差最小化来改善显示质量的有机发光显示装置。
本公开内容要实现的又一目的是提供通过使子像素内部的非发射区域最小化来具有高分辨率的有机发光显示装置。
本公开内容的目的不限于上面提及的目的，并且本领域技术人员可以根据以下描述清楚地理解上面未提及的其他目的。
根据本公开内容的一方面，提供了一种有机发光显示装置。该有机发光显示装置包括多个子像素，该多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素。该有机发光显示装置还包括：阳极，该阳极设置在多个子像素中的每个子像素中；以及堤层，该堤层覆盖阳极的边缘并且限定发射区域。该有机发光显示装置还包括：设置在阳极上的有机发射层；以及设置在有机发射层上的阴极。第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个子像素包括发射区域中的相应一个发射区域以及相应的非发射区域。第一子像素中的发射区域的短轴长度、第二子像素中的发射区域的短轴长度和第三子像素中的发射区域的短轴长度彼此相同。第一子像素中的发射区域的长轴长度、第二子像素中的发射区域的长轴长度和第三子像素中的发射区域的长轴长度彼此不同。
示例性实施方式的其他详细内容被包括在详细描述和附图中。
根据本公开内容，可以提供一种有机发射层均匀分布的有机发光显示装置。
根据本公开内容，可以提供一种能够使通过溶液工艺制造有机发光显示装置时所使用的油墨的量最小化的结构。
根据本公开内容，可以提供一种通过使子像素内部的非发射区域最小化而具有高分辨率的有机发光显示装置。
根据本公开内容，可以通过使阴极与低电位电压线之间的接触区域的尺寸最大化而使由劣化引起的缺陷最小化。
根据本公开内容的效果不限于上面例示的内容，并且在本说明书中包括更多不同的效果。
附图说明
根据结合附图进行的以下详细描述，将更清楚地理解本公开内容的上述其他方面、特征和其他优点，在附图中：
图1是根据本公开内容的示例性实施方式的有机发光显示装置的平面图；
图2是图1的区域A的示意性放大平面图；
图3是图2的第一像素PX1的放大平面图；
图4是沿图3的线IV-IV'截取的有机发光显示装置的截面图；
图5是沿图3的线V-V'截取的有机发光显示装置的截面图；
图6是沿图1的线VI-VI'截取的有机发光显示装置的截面图；
图7是根据本公开内容的另一示例性实施方式的有机发光显示装置的示意性放大平面图；
图8是沿图7的线VIII-VIII'截取的有机发光显示装置的截面图；
图9是根据本公开内容的又一示例性实施方式的有机发光显示装置的示意性放大平面图；以及
图10是图9的第一像素PX1和第二像素PX2的放大平面图。
具体实施方式
通过参照下面详细描述的示例性实施方式以及附图，本公开内容的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将是清楚的。然而，本公开内容不限于本文公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。仅通过示例的方式提供示例性实施方式，使得本领域技术人员可以完全理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。因此，本公开内容将仅由所附权利要求书的范围限定。
在附图中示出的用于描述本公开内容的示例性实施方式的形状、尺寸、比例、角度、数目等仅是示例，并且本公开内容不限于此。贯穿整个说明书，相似的附图标记通常表示相似的元件。此外，在本公开内容的以下描述中，可以省略已知相关技术的详细说明，以避免不必要地使本公开内容的主题模糊。除非以下术语与术语“仅”一起使用，否则本文所使用的诸如“包括”、“具有”和“由……组成”的术语通常旨在允许添加其他部件。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用可以包括复数。
即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通误差范围。
当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“邻接”的术语描述两个部件之间的位置关系时，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用，否则一个或更多个部件可以位于两个部件之间。
当元件或层设置在另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可以直接介于另一元件上或者直接介于其间。
虽然术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开。因此，下面要提及的第一部件可以是本公开内容的技术构思中的第二部件。
贯穿整个说明书，相似的附图标记通常表示相似的元件。
为了便于描述，示出了附图中所示的每个部件的尺寸和厚度，并且本公开内容不限于所示部件的尺寸和厚度。
本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此附着或结合，并且可以以技术上的各种方式互锁和操作，并且实施方式可以独立地或彼此相关联地执行。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的示例性实施方式的有机发光显示装置。
图1至图6是提供用于说明根据本公开内容的示例性实施方式的有机发光显示装置的图。图1是根据本公开内容的示例性实施方式的有机发光显示装置的平面图。图2是图1的区域A的示意性放大平面图。图3是图2的第一像素PX1的放大平面图。图4是沿图3的线IV-IV'截取的有机发光显示装置的截面图。图5是沿图3的线V-V'截取的有机发光显示装置的截面图。图6是沿图1的线VI-VI'截取的有机发光显示装置的截面图。
参照图1，根据本公开内容的示例性实施方式的有机发光显示装置100包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA是设置有多个像素PX并且显示图像的区域。在显示区域DA中，可以设置用于显示图像的包括发射区域的像素PX以及用于驱动像素PX的驱动电路。非显示区域NDA是包围显示区域DA并且其中不显示图像的区域。在非显示区域NDA中，设置有用于驱动在显示区域DA中设置的像素和驱动电路的各种线、驱动器IC和印刷电路板。例如，诸如栅极驱动器IC和数据驱动器IC的各种IC可以设置在非显示区域NDA中。如上所述，驱动器IC和印刷电路板可以设置在非显示区域NDA中，并且非显示区域NDA需要设置驱动器IC和印刷电路板的预定区域。
以矩阵形式布置多个像素PX，并且多个像素PX中的每个像素包括多个子像素SP。子像素是用于显示一种颜色的元件。子像素可以通过沿第一方向设置的多个栅极线和沿与第一方向不同的第二方向设置的多个数据线DL的相交来限定。本文中，第一方向可以是图1的水平方向或短轴方向，并且第二方向可以是图1的竖直方向或者长轴方向，但是不限于此。
图1示出了多个子像素SP中的每个子像素具有矩形形状，但是每个子像素SP的形状不限于此。每个子像素SP可以具有除矩形形状之外的各种形状，诸如圆形形状、椭圆形形状或多边形形状。
参照图2，每个像素PX包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。例如，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以沿第一方向(水平方向)顺序地布置，但是不限于此。本文中，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个子像素可以沿第二方向(竖直方向)重复地布置。也就是说，第一子像素SP1沿第二方向(竖直方向)重复地布置，并且第二子像素SP2沿第二方向(竖直方向)重复地布置。此外，第三子像素SP3沿第二方向(竖直方向)重复地布置。因此，发射相同颜色的子像素SP可以沿第二方向重复地布置。
第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以分别显示不同的颜色，或者如果需要的话，子像素SP中的一些子像素可以显示相同的颜色。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个子像素可以为红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素中的任意一个。图1所示的子像素的布局和顺序是示例，但是不限于此。
参照图2，子像素SP1、SP2和SP3包括相应的发射区域EA1、EA2和EA3以及相应的非发射区域NEA1、NEA2和NEA3。发射区域EA1、EA2和EA3发射用于显示图像的光。在发射区域EA1、EA2和EA3中，形成有机发射元件。
参照图2，第一子像素SP1的发射区域EA1、第二子像素SP2的发射区域EA2和第三子像素SP3的发射区域EA3沿第一方向(水平方向)布置。第一子像素SP1的发射区域EA1、第二子像素SP2的发射区域EA2和第三子像素SP3的发射区域EA3中的每个发射区域可以具有带有圆形边缘的矩形形状，但是不限于此。
参照图2，第一子像素SP1中的发射区域EA1的短轴长度x1、第二子像素SP2中的发射区域EA2的短轴长度x2和第三子像素SP3中的发射区域EA3的短轴长度x3彼此相同。然而，第一子像素SP1中的发射区域EA1的长轴长度y1、第二子像素SP2中的发射区域EA2的长轴长度y2和第三子像素SP3中的发射区域EA3的长轴长度y3彼此不同。
本文中，术语“长轴”是指沿子像素的矩形发射区域的较长侧的方向，并且术语“短轴”是指沿子像素的矩形发射区域的较短侧的方向。参照图2，长轴是指第二方向(Y轴方向)，短轴是指第一方向(X轴方向)，但是不限于此。
在根据本公开内容的示例性实施方式的有机发光显示装置100中，第一子像素SP1可以为蓝色子像素，第二子像素SP2可以为红色子像素，第三子像素SP3可以为绿色子像素。在这种情况下，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的发射区域EA1、EA2和EA3的相应的短轴长度x1、x2和x3被设置成彼此相同。此外，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的发射区域EA1、EA2和EA3的各个长轴长度y2、y2和y3被设置成彼此不同。因此，可以将第一子像素SP1中的发射区域EA1的尺寸、第二子像素SP2中的发射区域EA2的尺寸和第三子像素SP3中的发射区域EA3的尺寸控制成彼此不同。具体地，与作为蓝色子像素的第一子像素SP1中的发射区域EA1的长轴长度y1和作为绿色子像素的第三子像素SP3中的发射区域EA3的长轴长度y3相比，作为红色子像素的第二子像素SP2中的发射区域EA2的长轴长度y2可以较短。更具体地，作为红色子像素的第二子像素SP2中的发射区域EA2的长轴长度y2可以为最短，并且作为蓝色子像素的第一子像素SP1中的发射区域EA1的长轴长度y1可以为最长。由于长轴长度y1、y2和y3之间的差异，作为红色子像素的第二子像素SP2的发射区域EA2可以被设计成具有最小的尺寸，并且作为蓝色子像素的第一子像素SP1的发射区域EA1可以被设计成具有最大的尺寸。通常，蓝色发射效率最低并且红色发射效率最高。因此，在图2所示的有机发光显示装置中，作为蓝色子像素的第一子像素SP1中的发射区域EA1的长轴长度y1被设置为最长，并且作为红色子像素的第二子像素SP2中的发射区域EA2的长轴长度y2被设置为最短。由此，第一子像素SP1的发射区域EA1可以具有最大的尺寸。因此，可以提高蓝色发射层的发射效率。
同时，参照图4，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的发射区域EA1、EA2和EA3分别包括有机发射层132A、132B和132C。有机发射层132A、132B和132C中的每一个可以通过诸如喷墨印刷或喷嘴印刷的溶液工艺来形成。当通过溶液工艺在各个子像素SP1、SP2和SP3中形成有机发射层132A、132B和132C时，注入或滴落具有与各个子像素SP1、SP2和SP3对应的颜色的油墨，然后使其硬化。因此，可以形成有机发射层132A、132B和132C。与通过沉积工艺形成有机发射层的情况相比，如果通过溶液工艺形成有机发射层132A、132B和132C，则可以降低制造成本。此外，容易制造出大面积显示装置。同时，当通过溶液工艺形成有机发射层132A、132B和132C时，注入或滴落具有与各个子像素对应的颜色的油墨并且然后使其硬化，以形成有机发射层。在这种情况下，如果子像素的发射区域具有窄的宽度，则与该子像素对应的油墨可能流向另一相邻的子像素，并且因此可能容易发生颜色混合。特别地，如果减小子像素的宽度和堤的宽度以实现高分辨率，则颜色混合更加频繁地发生，这会导致缺陷。
如上所述，具有高发射效率的红色子像素具有比蓝色子像素更小的发射区域。与在根据本公开内容的示例性实施方式的有机发光显示装置中不同，第一子像素至第三子像素中的发射区域的长轴长度可以被设置成彼此相同，并且可以通过调节所述发射区域的短轴长度来调节所述发射区域的尺寸。在这种情况下，红色子像素的发射区域具有最短的短轴长度。因此，当通过溶液工艺形成有机发射层时，难以将油墨滴落至红色子像素中，并且可能发生诸如颜色混合的缺陷。此外，如果特定的发射区域具有短的短轴长度，则可能无法使油墨在发射区域内均匀地散布。这可能导致有机发射层的厚度偏差，并且因此导致发射效率的降低。
然而，在根据本公开内容的示例性实施方式的有机发光显示装置100中，发射区域EA1、EA2和EA3的短轴长度x1、x2和x3被设置成彼此相同，并且发射区域EA1、EA2和EA3的长轴长度y1、y2和y3被设置成彼此不同。因此，可以提供足够的空间以将油墨滴落至红色子像素中，并且还可以使油墨的颜色混合最小化。
如图2所示，由于发射区域EA1、EA2和EA3的长轴长度y1、y2和y3之间的差异，作为红色子像素的第二子像素SP2的发射区域EA2可以被设计成具有最小的尺寸，并且作为蓝色子像素的第一子像素SP1的发射区域EA1可以被设计成具有最大的尺寸。因此，第二子像素SP2的非发射区域NEA2具有最大的尺寸，并且第一子像素SP1的非发射区域NEA1具有最小的尺寸。由于发射区域EA1、EA2和EA3的短轴长度x1、x2和x3被固定成彼此相同，并且发射区域EA1、EA2和EA3的长轴长度y1、y2和y3彼此不同，因此可以在第二子像素SP2的下部中形成大的可用空间。因此在根据本公开内容的示例性实施方式的有机发光显示装置100中，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的阳极131A、131B和131C与驱动薄膜晶体管DT1、DT2和DT3之间的接触区域可以设置在第二子像素SP2的非发射区域NEA2中。除此以外，阴极133与低电位电压线VSSL之间的接触区域可以设置在第二子像素SP2的非发射区域NEA2中。将参照图3至图5描述其细节。
下文中，将参照图3至图5详细描述有机发光显示装置100的部件。图3是图1和图2所示的第一像素PX1的平面图；图4是沿第一方向(X轴方向)截取的图3所示的第一像素PX1的截面图。图4示出了第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的发射区域EA1、EA2和EA3的相应截面图。图5是沿第一方向(X轴方向)截取的图3所示的第一像素PX1的截面图。图5示出了第一子像素SP1的发射区域EA1、第二子像素SP2的非发射区域NEA2和第三子像素的发射区域EA3的相应截面图。
图3至图5示出了作为示例的有机发光显示装置100为顶部发射类型。然而，本公开内容不限于此。参照图3至图5，有机发光显示装置100包括基板110、薄膜晶体管、有机发射元件130、堤层140和封装单元150。
参照图4和图5，基板110用于支承和保护有机发光显示装置100的各种部件。基板110可以由玻璃或者具有柔性的塑料材料形成。如果基板110由塑料材料形成，则该基板110可以由例如聚酰亚胺(PI)形成，但是不限于此。
参照图3，在基板上设置彼此交叉的数据线DL和扫描线SL。虽然图3示出了直的数据线DL和扫描线SL，但是数据线DL和扫描线SL可以具有斜线形状、曲线形状或之字形状，但是不限于此。参照图4和图5，数据线DL可以设置在基板上和缓冲层111下，但是不限于此。扫描线SL可以设置在数据线DL下，但是不限于此。
可以在基板110上设置彼此交叉的高电位电压线VDDL和低电位电压线VSSL，但是不限于此。高电位电压线VDDL将高电位电压提供至各个子像素SP1、SP2和SP3的驱动薄膜晶体管DT1、DT2和DT3。低电位电压线VSSL将低电位电压提供至有机发射元件130A、130B和130C的阴极133。
在基板110上设置缓冲层111。缓冲层111可以改善形成在缓冲层111上的层与基板110之间的粘附性。此外，缓冲层111可以阻挡从基板110泄露的碱成分，并且抑制从基板110的外部渗透的湿气和/或氧的扩散。缓冲层111可以形成为硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或多层，但是不限于此。然而，还可以基于基板110的类型和材料以及薄膜晶体管的结构和类型而省略缓冲层111。
在缓冲层111上设置薄膜晶体管。参照图3，每个像素PX包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。在这种情况下，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个子像素具有包括两个薄膜晶体管和一个电容器的2T1C结构。具体地，各个子像素SP1、SP2和SP3可以包括驱动薄膜晶体管DT1、DT2和DT3以及开关薄膜晶体管ST1、ST2和ST3。然而，每个子像素的结构不限于2T1C结构。每个子像素可以被配置成具有各种附加补偿结构，诸如包括三个薄膜晶体管和一个电容器的3T1C结构，或者包括四个薄膜晶体管和两个电容器的4T2C结构。同时，从图3中省略了有机发射层以及有机发射元件的阴极的图示，并且示意性地示出了各个线的厚度和形状。
为了便于说明，将描述设置在第一子像素SP1中的驱动薄膜晶体管DT1和开关薄膜晶体管ST1。
开关薄膜晶体管ST1的栅电极G1连接至扫描线SL，并且开关薄膜晶体管ST1的源电极S1连接至数据线DL。此外，开关薄膜晶体管ST1的漏电极D1连接至由与扫描线SL相同的金属形成的电容器的连接电极CE1以及驱动薄膜晶体管DT1的栅电极G2。当开关薄膜晶体管ST1响应于通过扫描线SL施加的扫描信号Scan而被导通时，开关薄膜晶体管ST1将通过数据线DL提供的数据电压Vdata施加至驱动薄膜晶体管DT1的栅电极G2。
驱动薄膜晶体管DT1的栅电极G2连接至电容器的连接电极CE1，并且连接至开关薄膜晶体管ST1的漏电极D1。此外，驱动薄膜晶体管DT1的源电极S2连接至高电位电压线VDDL，并且驱动薄膜晶体管DT1的漏电极D2连接至有机发射元件130A的阳极131A。当开关薄膜晶体管ST1被导通并且将数据电压Vdata施加至驱动薄膜晶体管DT1的栅电极G2时，驱动薄膜晶体管DT1被导通，并且将电流提供至有机发射元件130A。电容器连接在驱动薄膜晶体管DT1的源电极S2与驱动薄膜晶体管DT1的栅电极G2之间。此外，电容器存储施加至驱动薄膜晶体管DT1的源电极S2的高电位电压与施加至驱动薄膜晶体管DT1的栅电极G2的数据电压Vdata之间的电压差。因此，电容器可以向有机发射元件130A提供恒定电流。有机发射元件130A的阴极133连接至低电位电压线VSSl，并且被提供有低电位电压。
在根据本公开内容的示例性实施方式的有机发光显示装置100中，薄膜晶体管DT1和ST1被配置为底栅薄膜晶体管，但是不限于此。在底栅薄膜晶体管DT1或ST1中，在栅电极G1或G2上设置有源层A1或A2，并且在该有源层A1或A2上分别设置源电极S1或S2以及漏电极D1或D2。也就是说，栅电极G1或G2被设置为最下层。
具体地，参照图5，在基板110上设置驱动薄膜晶体管DT1的栅电极G2。栅电极G2可以由诸如钼(Mo)，铝(Al)，铬(Cr)，金(Au)，钛(Ti)，镍(Ni)，钕(Nd)和铜(Cu)的各种金属材料中的一种金属材料、它们中的两种或更多种的合金、或者它们的多层来形成，但是不限于此。
在栅电极G2上设置栅极绝缘层112。栅极绝缘层112用于使栅电极G2和有源层A2电绝缘，并且可以由绝缘材料形成。例如，栅极绝缘层112可以被形成为诸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的无机材料的单层或多层，但是不限于此。
在栅极绝缘层112上设置有源层A2。有源层A2被设置成与栅电极G2交叠。例如，有源层A2可以由氧化物半导体、非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)或有机半导体形成。
在有源层A2上设置蚀刻阻止层113。蚀刻阻止层113可以被形成为当通过蚀刻来图案化以及形成源电极S2和漏电极D2时抑制等离子体对有源层A2的表面的损坏。蚀刻阻止层113的一端可以与源电极S2交叠，并且另一端可以与漏电极D2交叠。也可以省略蚀刻阻止层。
在有源层A2和蚀刻阻止层113上设置源电极S2和漏电极D2。源电极S2和漏电极D2在同一层上彼此分离。源电极S2和漏电极D2可以电连接至有源层A2以与有源层A2接触。源电极S2和漏电极D2中的每一个可以由诸如钼(Mo)，铝(Al)，铬(Cr)，金(Au)，钛(Ti)，镍(Ni)，钕(Nd)和铜(Cu)的各种金属材料中的一种金属材料、它们中的两种或更多种的合金、或者它们的多层来形成，但是不限于此。
参照图5，在驱动薄膜晶体管DT1上设置用于保护驱动薄膜晶体管DT1的钝化层114。在钝化层114中形成用于使驱动薄膜晶体管DT1的漏电极D2露出的接触孔。虽然图5示出了用于使漏电极D2露出的接触孔形成在钝化层114中，但是在钝化层114中也可以形成用于使源电极S2露出的接触孔。钝化层114可以被形成为硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或多层。然而，在一些实施方式中也可以省略钝化层114。
在钝化层114上设置用于使驱动薄膜晶体管DT1的上部平坦化的外涂层115。在外涂层115中形成用于使驱动薄膜晶体管DT1的漏电极D2露出的接触孔。虽然图5中示出了用于使漏电极D2露出的接触孔形成在外涂层115中，但是在外涂层115中也可以形成用于使源电极S2露出的接触孔。外涂层115可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯和光刻胶中的一种形成，但是不限于此。
在外涂层115上设置有机发射元件130A、130B和130C。本公开内容的有机发射元件130A、130B和130C是自发光元件，并且可以通过设置在各个子像素SP1、SP2和SP3中的驱动薄膜晶体管DT1、DT2和DT3来驱动。各个有机发射元件130A、130B和130C包括阳极131A、131B和131C，有机发射层132A、132B和132C，以及阴极133。
在外涂层115上设置阳极131A、131B和131C。阳极131A、131B和131C可以形成在外涂层115上，以在第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中分离开。阳极131A、131B和131C通过形成在外涂层115和钝化层114中的接触孔分别电连接至驱动薄膜晶体管DT1、DT2和DT3的漏电极D2。
阳极131A、131B和131C用于向各个有机发射层132A、132B和132C提供空穴，并且由具有高的功函数的导电材料形成。例如，阳极131A、131B和131C可以由选自透明导电氧化物中的一种或更多种来形成，该透明导电氧化物包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、锡氧化物(SnO2)、锌氧化物(ZnO)、铟铜氧化物(ICO)和Al：ZnO(AZO)，但是不限于此。如果以顶部发射模式驱动有机发光显示装置100，则阳极131A、131B和131C可以具有使由透明导电氧化物形成的层和由金属材料形成的反射层层叠的结构。反射层可以由具有高反射率的金属形成，以向上反射从有机发射层132A、132B和132C发射的光。
参照图3，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的阳极131A、131B和131C分别具有不同的尺寸。子像素SP1、SP2和SP3的发射区域EA1、EA2和EA3可以分别由阳极131A、131B和131C的形状限定。如上参照图2所述，作为红色子像素的第二子像素SP2的发射区域EA2具有最小的尺寸，并且作为蓝色子像素的第一子像素SP1的发射区域EA1具有最大的尺寸。因此，第一子像素SP1的阳极131A可以在尺寸上最大，第三子像素SP3的阳极131C可以在尺寸上第二大，并且第二子像素SP2的阳极131B可以在尺寸上最小。
同时，第一子像素SP1的阳极131A的一部分和第三子像素SP3的阳极131C的一部分朝向第二子像素SP2的非发射区域NEA2突出。参照图3，第一子像素SP1的阳极131A在右侧具有从其下部向与其相邻的第二子像素SP2伸长延伸的突起。此外，第三子像素SP3的阳极131C在左侧具有从其下部向与其相邻的第二子像素SP2伸长延伸的突起。第一子像素SP1的阳极131A的突起和第三子像素SP3的阳极131C的突起在第二子像素SP2的非发射区域NEA2中分别连接至驱动薄膜晶体管的漏电极。
具体地，参照图3和图5，第一子像素SP1中的驱动薄膜晶体管DT1的漏电极D2连接至第二子像素SP2的非发射区域NEA2中设置的第一辅助电极AE1。此外，第三子像素SP3中的驱动薄膜晶体管DT3的漏电极连接至第二子像素SP2的非发射区域NEA2中设置的第二辅助电极AE2。第一子像素SP1的阳极131A通过第一接触孔CT1连接至第二子像素SP2的非发射区域NEA2中设置的第一辅助电极AE1。此外，第三子像素SP3的阳极131C通过第三接触孔CT3连接至第二子像素SP2的非发射区域NEA2中设置的第二辅助电极AE2。同时，与第一子像素SP1和第三子像素SP3中不同，第二子像素SP2中的阳极131B不具有突起。此外，阳极131B在第二子像素SP2的非发射区域NEA2中通过第二接触孔CT2连接至第二子像素SP2的驱动薄膜晶体管DT2的漏电极D2。因此，所有第一接触孔CT1、第二接触孔CT2和第三接触孔CT3都设置在第二子像素的非发射区域NEA2中。
如从图3可以看出的，作为红色子像素的第二子像素SP2的阳极131A具有最小的尺寸。因此，没有设置第二子像素SP2的阳极131A的区域，即非发射区域NEA2，在尺寸上最大。因此，第二子像素SP2中未布置阳极131A的可用空间可以用于在其中聚集接触孔CT1、CT2和CT3，该接触孔CT1、CT2和CT3用于连接各个子像素SP1、SP2和SP3的阳极131A、131B和131C和驱动薄膜晶体管DT1、DT2和DT3。因此，可以使非发射区域最小化。
在阳极131A、131B和131C以及外涂层115上设置堤层140。堤层140形成在多个子像素SP1、SP2和SP3之间的边界处，以区分相邻的子像素。此外，堤层140可以在各个子像素SP1、SP2和SP3中将发射区域EA1、EA2和EA3与非发射区域NEA1、NEA2和NEA3分开。由于在发射区域EA1、EA2和EA3中未设置堤层140，因此有机发射层132A、132B和132C位于阳极131A、131B和131C的正上方。因此，可以从有机发射层132A、132B和132C生成光。也就是说，设置堤层140的区域可以被限定为非发射区域NEA1、NEA2和NEA3，而未设置堤层140的区域可以被限定为发射区域EA1、EA2和EA3。
堤层140包括亲水性堤层141和疏水性堤层142。
亲水性堤层141可以由亲水性材料形成。亲水性堤层141被设置成覆盖阳极131A、131B和131C的边缘，并且限定发射区域EA1、EA2和EA3。亲水性堤层141可以在除了发射区域EA1、EA2和EA3之外的整个区域中形成。也就是说，在非发射区域NEA1、NEA2和NEA3中，亲水性堤层141设置在外涂层115上。
疏水性堤层142可以由疏水性材料形成。例如，疏水性堤层142可以由疏水性有机绝缘材料形成，或者可以是通过对绝缘材料的表面进行疏水性处理得到的结构。
疏水性堤层142设置在亲水性堤层141上，以与亲水性堤层141的一部分交叠。此处，在非发射区域NEA1、NEA2和NEA3中，疏水性堤层142将沿第二方向(竖直方向)伸长延伸、并且沿第一方向(水平方向)对齐的第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3分开。
根据本公开内容的示例性实施方式的有机发光显示装置100包括由亲水性堤层141和位于亲水性堤层141上的疏水性堤层142组成的两种类型的堤层。因此，亲水性堤层141和疏水性堤层142用于减小有机发射层132A、132B和132C之间的厚度偏差。具体地，具有相对高的能量的亲水性堤层141位于疏水性堤层142下方，并且因此具有相对于用于形成有机发射层132A、132B和132C的油墨的优异的润湿性。因此，在用于形成有机发射层132A，132B和132C的溶液工艺期间，可以抑制可能在堤层的侧表面处发生的堆积(pile-up)现象。
虽然图2至图5示出了亲水性堤层141形成为包围阳极的矩阵形状，但是亲水性堤层141可以具有沿第一方向(水平方向)延伸的另一形状，而不是矩阵形状。在这种情况下，亲水性堤层是沿第二方向(竖直方向)分开发射区域的水平堤，而疏水性堤层沿第一方向(水平方向)分开发射区域。
参照图6，在根据本公开内容的示例性实施方式的有机发光显示装置100中，外堤层144沿非显示区域NDA设置，以包围显示区域DA中的多个子像素SP。在溶液工艺期间，外堤层144抑制油墨从显示区域向设置有驱动电路单元和焊盘单元的非显示区域溢出。外堤层144可以由疏水性材料形成。
同时，可以在外堤层144的侧表面上形成辅助堤层145。具体地，可以在外堤层144上沿外堤层144的内侧表面形成辅助堤层145，但是不限于此。也就是说，还可以在外堤层144的上表面或外侧表面上形成辅助堤层145。
辅助堤层145由疏水性材料形成。辅助堤层145使得沿第二方向(竖直方向)涂覆的油墨能够均匀地散布。因此，发射相同颜色并且沿第二方向(竖直方向)对齐的子像素中的整个有机发射层可以被形成为具有均匀的厚度。
有机发射层132A、132B和132C被设置成分别与子像素SP1、SP2和SP3中的阳极131A、131B和131C以及堤层140接触。例如，有机发射层132A、132B和132C可以分别设置在阳极131A、131B和131C上，并且在发射区域EA1、EA2和EA3中被堤层140包围。
有机发射层132A、132B和132C用于发射特定颜色的光，并且针对各个子像素SP1、SP2和SP3可以彼此分离。例如，布置在作为蓝色子像素的第一子像素SP1中的有机发射层132A为蓝色发射层。此外，布置在作为红色子像素的第二子像素SP2中的有机发射层132B为红色发射层。此外，布置在作为绿色子像素的第三子像素SP3中的有机发射层132C为绿色发射层。布置在第一子像素SP1中的有机发射层132A、布置在第二子像素SP2中的有机发射层132B和布置在第三子像素SP3中的有机发射层132C被布置成彼此分离。
有机发射层132A、132B和132C中的每个有机发射层可以通过诸如喷墨打印或者喷嘴打印的溶液工艺来形成。然而，溶液工艺不限于此。有机发射层132A、132B和132C可以通过各种已知的溶液工艺形成。当通过溶液工艺在各个子像素SP1、SP2和SP3中形成有机发射层132A、132B和132C时，注入或滴落具有与各个子像素SP1、SP2和SP3对应的颜色的油墨，然后使其硬化，以形成有机发射层132A、132B和132C。与通过沉积工艺形成有机发射层的情况相比，如果通过溶液工艺形成有机发射层132A、132B和132C，则可以降低制造成本。可以提供大面积显示装置。
在有机发射层132A、132B和132C上设置阴极133。参照图4和图5，在发射区域EA1、EA2和EA3中，阴极133作为单个连续层设置在有机发射层132A、132B和132C以及堤层140上。例如，阴极133可以被设置成与有机发射层132A、132B和132C接触，并且沿有机发射层132A、132B和132C的形状来设置。针对第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个子像素，阴极133可以不分开，而是可以形成为连续层。
同时，阴极133可以不形成为单个连续层，而是可以像阳极131A、131B和131C一样被图案化。例如，阴极133可以被设置成仅对应于发射区域EA1、EA2和EA3，并且可以不设置在非发射区域NEA1、ENA2和NEA3中。
如果以顶部发射模式驱动有机发光显示装置100，则阴极133可以是由诸如银(Ag)，铜(Cu)，镁-银合金(Mg：Ag)的金属材料形成为非常小的厚度的半穿透半反射式电极(transflective electrode)。除此之外，阴极133可以是包含透明导电氧化物或镱(Yb)合金的透明电极，但是不限于此。
参照图3，低电位电压线VSSL沿第一方向(水平方向)延伸，以便穿过第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。此处，低电位电压线VSSL在第二子像素SP2的非发射区域NEA2中连接至阴极133。具体地，沿第一方向(水平方向)延伸的低电位电压线VSSL在第二子像素SP2中朝向非发射区域NEA2突出。低电位电压线VSSL可以通过接触区域C/A电连接至阴极133。
如上文关于第一接触孔CT1、第二接触孔CT2和第三接触孔CT3所述的，作为红色子像素的第二子像素SP2的发射区域EA2具有最小的尺寸。因此，第二子像素SP2的非发射区域NEA2具有最大的尺寸。因此，低电位电压线VSSL连接至阴极133的接触区域C/A可以设置在第二子像素SP2的非发射区域NEA2(其是可用空间)中。
在顶部发射有机发光显示装置中，阴极133形成为小的厚度以用于光透射。因此，由于阴极133的高的薄层电阻(sheet resistance)，阴极133与低电位电压线VSSL之间的接触区域可能劣化，并且与该接触区域相邻的有机材料可能被损坏。这种劣化可以通过增加阴极133与低电位电压线VSSL之间的接触区域来解决。在常规的有机发光显示装置中，需要附加空间来增加阴极133与低电位电压线VSSL之间的接触区域，这导致非发射区域的尺寸增加。然而，在根据本公开内容的示例性实施方式的有机发光显示装置中，阴极133在作为红色子像素的第二子像素SP2的大的非发射区域中连接至低电位电压线VSSL。因此，接触区域可以具有大的尺寸。
在阴极133上设置封装单元150。封装单元150设置在堤层140和有机发射元件130A、130B和130C上。封装单元150可以抑制氧和湿气从外部渗透至有机发光显示装置100中。例如，当有机发光显示装置100暴露于湿气或氧时，可能发生使发射区域EA1、EA2和EA3减小的像素收缩现象，或者在发射区域EA1、EA2和EA3中可能出现暗点。因此，封装单元150可以阻挡氧和湿气以保护有机发光显示装置100。
封装单元150包括第一封装层151、第二封装层152和第三封装层153。第一封装层151可以沿阴极133的形状设置在阴极133上，并且可以抑制湿气和氧的渗透。第一封装层151可以由诸如硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)或铝氧化物(AlyOz)的无机材料形成，但是不限于此。
第二封装层152设置在第一封装层151上，并且可以使表面平坦化。此外，第二封装层152可以覆盖有机发光显示装置100的制造过程期间可能生成的异物或颗粒。第二封装层152可以由诸如碳氧化硅(SiOxCz)、丙烯酸树脂或环氧基树脂的有机材料形成，但是不限于此。
第三封装层153可以设置在第二封装层152上，并且可以如第一封装层151一样抑制湿气或氧的渗透。第三封装层153可以由诸如硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、硅氧化物(SiOx)或铝氧化物(AlyOz)的无机材料形成，但是不限于此。
根据本公开内容的示例性实施方式的有机发光显示装置通过溶液工艺而不使用FMM来制造。本文中，可以使用由疏水性材料和亲水性材料形成的两种类型的堤层来将发射区域与非发射区域分开。在根据本公开内容的示例性实施方式的有机发光显示装置中，蓝色子像素、红色子像素和绿色子像素的发射区域在短轴长度上彼此相同。此外，长轴长度按照蓝色子像素、绿色子像素和红色子像素的顺序增加。当通过溶液工艺在各个子像素中形成有机发射层时，发射区域具有如上所述的尺寸。因此，可以抑制油墨的颜色混合和工艺期间可能发生的缺陷。
此外，在根据本公开内容的示例性实施方式的有机发光显示装置中，通过调节发射区域的尺寸，在红色子像素的非发射区域中形成用于连接其他子像素的阳极和薄膜晶体管的接触孔。因此，可以使用可用空间。此外，在红色子像素的非发射区域中形成阴极与低电位电压线之间的接触区域。因此，可以使阴极与低电位电压线之间的接触区域最大化。
图7和图8是提供用于说明根据本公开内容的另一示例性实施方式的有机发光显示装置的图。
图7是根据本公开内容的另一示例性实施方式的有机发光显示装置的示意性放大平面图。图8是沿图7的线VIII-VIII'截取的有机发光显示装置的截面图。图8是沿第一方向截取的图7所示的像素的截面图。特别地，图8示出了第一子像素SP1的发射区域EA1、第二子像素SP2的非发射区域NEA2和第三子像素SP3的发射区域EA3的相应截面。除了堤层240之外，图7和图8所示的有机发光显示装置200与图1至图6所示的有机发光显示装置100基本上相同。因此，将省略其冗余的描述。
参照图7，堤层240包括亲水性堤层241和疏水性堤层242。如在图1至图6所示的有机发光显示装置100中，亲水性堤层241被设置成覆盖阳极131A、131B和131C的边缘，并且限定发射区域EA1、EA2和EA3。此外，疏水性堤层242在非发射区域NEA1、NEA2和NEA3中将沿第二方向(竖直方向)伸长延伸、并且沿第一方向对齐的第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3分开。
此处，疏水性堤层242包括突起242P，突起242P与位于第二子像素SP2的非发射区域NEA2中的亲水性堤层241的一部分交叠。突起242P是从第一子像素SP1与第二子像素SP2之间沿第二方向(竖直方向)伸长延伸的疏水性堤层242朝向第二子像素SP2突出的堤层。此外，突起242P是从第二子像素SP2与第三子像素SP3之间沿第二方向(竖直方向)伸长延伸的疏水性堤层242朝向第二子像素SP2突出的堤层。在第二子像素SP2的非发射区域NEA2中，疏水性堤层242的突起242P被设置在亲水性堤层241上并且覆盖亲水性堤层241。也就是说，在第二子像素SP2的非发射区域NEA2中，通过疏水性堤层242的突起242P形成将沿第二方向(竖直方向)彼此相邻的两个第二子像素SP2的发射区域EA2连接的凹槽260。此处，凹槽260的短轴长度比第二子像素的发射区域EA2的短轴长度x2短。
凹槽260可以用作连接第二子像素SP2的发射区域EA2的通道。具体地，当通过溶液工艺将包含有机发光材料的油墨滴落至第二子像素SP2的发射区域EA2以形成有机发射层132A、132B和132C时，在发射区域EA2中达到预定高度的油墨132B’流经亲水性堤层241进入凹槽260中。也就是说，填充在第二子像素SP2的发射区域EA2中的油墨132B’填充在连接凹槽260中。油墨132B’通过凹槽260流入沿第二方向(竖直方向)与第二子像素SP2相邻的另一第二子像素SP2的发射区域EA2中，并且顺序地填充在发射区域EA2中。
在根据本公开内容的另一示例性实施方式的有机发光显示装置中，在具有最大非发射区域的红色子像素中设置沿第二方向(竖直方向)延伸的疏水性堤层的突起。因此，突起可以减少要设置在非发射区域中的油墨的量。
图9和图10是提供用于说明根据本公开内容的又一示例性实施方式的有机发光显示装置的图。
图9是根据本公开内容的又一示例性实施方式的有机发光显示装置的示意性放大平面图。图10是图9的第一像素PX1和第二像素PX2的放大平面图。除了子像素SP1、SP2和SP3的发射区域EA1、EA2和EA3的不同布置之外，图9和图10所示的有机发光显示装置300与图1至图6所示的有机发光显示装置100基本上相同。因此，将省略其冗余的描述。
参照图9，第一像素PX1和第二像素PX2中的每个像素包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。此外，第一像素PX1和第二像素PX2沿第二方向(Y轴方向)彼此相邻设置。此处，第一像素PX1和第二像素PX2沿第二方向(Y轴方向)在形状上彼此对称。
具体地，在第一像素PX1中，第一子像素SP1的发射区域EA1、第二子像素SP2的发射区域EA2和第三子像素SP3的发射区域EA3的各个上边缘彼此成直线布置。此外，在第二子像素中，第一子像素SP1的发射区域EA1、第二子像素SP2的发射区域EA2和第三子像素SP3的发射区域EA3的各个下边缘彼此成直线布置。因此，第一像素PX1中的各个子像素SP1、SP2和SP3的非发射区域形成在下侧，而第二像素PX2中的各个子像素SP1、SP2和SP3的非发射区域形成在上侧。因此，第一像素PX1的非发射区域和第二像素PX2的非发射区域在第一像素PX1与第二像素PX2之间的边界处彼此接触，并且分别被集成至非发射区域NEA1'、NEA2'和NEA3'中。特别地，在第一像素PX1的第二子像素SP2和第二像素PX2的第二子像素SP2中，可以形成具有大尺寸的集成非发射区域NEA1'、NEA2'和NEA3'。因此，更容易放置线和接触区域。
更具体地，参照图10，在第一像素PX1的第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中，阳极和驱动薄膜晶体管分别通过形成在第二子像素SP2的集成非发射区域NEA2'中的第一接触孔CT1、第二接触孔CT2和第三接触孔CT3连接。此外，在第二像素PX2的第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中，阳极和驱动薄膜晶体管分别通过形成在第二子像素SP2的集成非发射区域NEA2'中的第四接触孔CT4、第五接触孔CT5和第六接触孔CT6连接。
参照图10，低电位电压线VSSL被设置成沿第一方向(水平方向)在第一像素PX1与第二像素PX2之间延伸。此处，低电位电压线VSSL在第二子像素SP2的集成非发射区域NEA2'中连接至阴极133。具体地，在第二子像素SP2中，沿第一方向(水平方向)延伸的低电位电压线VSSL朝着沿第二方向(竖直方向)的两侧突出。低电位电压线VSSL可以通过接触区域C/A电连接至阴极133。因此，可以通过单个低电位电压线VSSl将低电位电压同时施加至沿第二方向彼此相邻的两个像素中的阴极133。因此，可以减少低电位电压线VSSL的数目。
与图3所示的有机发光显示装置100相比，在图10所示的有机发光显示装置300中，低电位电压线VSSL与阴极133接触的接触区域C/A具有更大的尺寸。因此，可以解决在阴极与低电位电压线之间可能发生的劣化。
本公开内容的示例性实施方式还可以被描述如下：
根据本公开内容的一方面，提供了一种有机发光显示装置。该有机发光显示装置包括：多个子像素，所述多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素；阳极，该阳极设置在所述多个子像素中的每个子像素中；堤层，该堤层覆盖阳极的边缘并且限定发射区域；在阳极上的有机发射层；以及在有机发射层上的阴极。第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个子像素包括发射区域中的相应一个发射区域以及相应的非发射区域，第一子像素中的发射区域的短轴长度、第二子像素中的发射区域的短轴长度和第三子像素中的发射区域的短轴长度彼此相同，并且第一子像素中的发射区域的长轴长度、第二子像素中的发射区域的长轴长度和第三子像素中的发射区域的长轴长度彼此不同。
第一子像素、第二子像素和第三子像素可以沿短轴方向顺序地布置，并且与第一子像素的发射区域和第三子像素的发射区域相比，第二子像素的发射区域可以具有更短的长轴长度。
与第一子像素的非发射区域和第三子像素的非发射区域相比，第二子像素的非发射区域可以具有更大的尺寸。
第二子像素可以为红色子像素，并且第一子像素可以为绿色子像素和蓝色子像素中的一个，第三子像素可以为绿色子像素和蓝色子像素中的另一个。
第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个子像素还可以包括电连接至阳极的驱动薄膜晶体管，并且第一子像素的阳极在第二子像素的非发射区域中连接至第一子像素的驱动薄膜晶体管，并且第三子像素的阳极在第二子像素的非发射区域中连接至第三子像素的驱动薄膜晶体管。
有机发光显示装置还可以包括：第一辅助电极和第二辅助电极，该第一辅助电极和第二辅助电极设置在第二子像素的非发射区域中，并且分别连接至第一子像素的薄膜晶体管的漏电极和第三子像素的薄膜晶体管的漏电极。第一子像素的阳极向第二子像素的非发射区域延伸并且电连接至第一辅助电极，第三子像素的阳极向第二子像素的非发射区域延伸并且电连接至第二辅助电极。
用于连接第一子像素的薄膜晶体管和阳极的第一接触孔、用于连接第二子像素的薄膜晶体管和阳极的第二接触孔、以及用于连接第三子像素的薄膜晶体管和阳极的第三接触孔被设置成与第二子像素的非发射区域交叠。
第一子像素、第二子像素和第三子像素的阴极可以被设置为单个连续层，并且有机发光显示装置还可以包括低电位电压线，该低电位电压线用于向阴极施加低电位电压，并且该阴极可以在第二子像素的非发射区域中电连接至低电位电压线。
阴极与低电位电压线接触的接触区域可以被第一子像素的发射区域、第二子像素的发射区域和第三子像素的发射区域包围。
堤层可以包括：亲水性堤层，该亲水性堤层覆盖阳极的边缘并且由亲水性材料制成；以及疏水性堤层，该疏水性堤层沿长轴方向延伸并且由疏水性材料制成。
疏水性堤层可以包括突起，该突起与位于第二子像素的非发射区域中的亲水性堤层的一部分交叠。
第二子像素的非发射区域可以包括凹槽，该凹槽由疏水性堤层形成并且具有比发射区域更短的短轴长度。
有机发光显示装置还可以包括：外堤层，该外堤层包围多个子像素；以及辅助堤层，该辅助堤层被布置成与外堤层的内侧表面接触并且由亲水性材料制成。
有机发光显示装置还可以包括：第一像素和第二像素，该第一像素和第二像素均包括沿短轴方向顺序地布置的第一子像素、第二子像素和第三子像素。第一像素和第二像素沿长轴方向彼此相邻并且在形状上彼此对称，该有机发光显示装置还可以包括布置在第一像素与第二像素之间的低电位电压线，并且该低电位电压线在第一像素的第二子像素的发射区域与第二像素的第二子像素的发射区域之间的非发射区域中连接至阴极，该阴极作为单个连续层设置在第一像素和第二像素中。
低电位电压线可以包括朝第一像素和第二像素两者突出的接触区域。
虽然已经参照附图详细描述了本公开内容的示例性实施方式，但是本公开内容不限于此，并且可以在不脱离本公开内容的技术构思的情况下以许多不同的形式来实施。因此，提供本公开内容的示例性实施方式仅出于说明性目的，而不意图限制本公开内容的技术构思。本公开内容的技术构思的范围不限于此。因此，应该理解，上述示例性实施方式在所有方面都是说明性的，而不限制本公开内容。本公开内容的保护范围应当基于以下权利要求书来解释，并且在其等同范围内的所有技术构思应被解释为落入本公开内容的范围内。

Claims (14)

1.一种有机发光显示装置，包括：
多个子像素，所述多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素；
阳极，所述阳极设置在所述多个子像素中的每个子像素中；
堤层，所述堤层覆盖所述阳极的边缘并且限定发射区域；
在所述阳极上的有机发射层；以及
在所述有机发射层上的阴极，
其中，
所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每个子像素包括所述发射区域中的相应一个发射区域以及相应的非发射区域，
所述第一子像素中的发射区域的短轴长度、所述第二子像素中的发射区域的短轴长度和所述第三子像素中的发射区域的短轴长度彼此相同，
所述第一子像素中的发射区域的长轴长度、所述第二子像素中的发射区域的长轴长度和所述第三子像素中的发射区域的长轴长度彼此不同，
所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每个子像素还包括电连接至所述阳极的驱动薄膜晶体管，并且
所述第一子像素的阳极在所述第二子像素的非发射区域中连接至所述第一子像素的驱动薄膜晶体管，并且所述第三子像素的阳极在所述第二子像素的非发射区域中连接至所述第三子像素的驱动薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素沿短轴方向顺序地布置，并且
与所述第一子像素的发射区域和所述第三子像素的发射区域相比，所述第二子像素的发射区域具有更短的长轴长度。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，与所述第一子像素的非发射区域和所述第三子像素的非发射区域相比，所述第二子像素的非发射区域具有更大的尺寸。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第二子像素为红色子像素，所述第一子像素是绿色子像素和蓝色子像素中的一个，所述第三子像素是所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的另一个。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述堤层包括：亲水性堤层，所述亲水性堤层覆盖所述阳极的边缘并且由亲水性材料制成；以及疏水性堤层，所述疏水性堤层沿长轴方向延伸并且由疏水性材料制成。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括：
第一辅助电极，所述第一辅助电极放置在所述第二子像素的非发射区域中并且连接至所述第一子像素的薄膜晶体管的漏电极；以及
第二辅助电极，所述第二辅助电极放置在所述第二子像素的非发射区域中并且连接至所述第三子像素的薄膜晶体管的漏电极，
其中，所述第一子像素的阳极向所述第二子像素的非发射区域延伸并且电连接至所述第一辅助电极，所述第三子像素的阳极向所述第二子像素的非发射区域延伸并且电连接至所述第二辅助电极。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，用于连接所述第一子像素的薄膜晶体管和阳极的第一接触孔、用于连接所述第二子像素的薄膜晶体管和阳极的第二接触孔、以及用于连接所述第三子像素的薄膜晶体管和阳极的第三接触孔被设置成与所述第二子像素的非发射区域交叠。
8.一种有机发光显示装置，包括：
多个子像素，所述多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素；
阳极，所述阳极设置在所述多个子像素中的每个子像素中；
堤层，所述堤层覆盖所述阳极的边缘并且限定发射区域；
在所述阳极上的有机发射层；
在所述有机发射层上的阴极；以及
低电位电压线，所述低电位电压线用于向所述阴极施加低电位电压，
其中，
所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每个子像素包括所述发射区域中的相应一个发射区域以及相应的非发射区域，
所述第一子像素中的发射区域的短轴长度、所述第二子像素中的发射区域的短轴长度和所述第三子像素中的发射区域的短轴长度彼此相同，
所述第一子像素中的发射区域的长轴长度、所述第二子像素中的发射区域的长轴长度和所述第三子像素中的发射区域的长轴长度彼此不同，
所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的阴极被设置为单个连续层，以及
所述阴极在所述第二子像素的非发射区域中电连接至所述低电位电压线。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中，所述阴极与所述低电位电压线接触的接触区域被所述第一子像素的发射区域、所述第二子像素的发射区域和所述第三子像素的发射区域包围。
10.一种有机发光显示装置，包括：
多个子像素，所述多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素；
阳极，所述阳极设置在所述多个子像素中的每个子像素中；
堤层，所述堤层覆盖所述阳极的边缘并且限定发射区域；
在所述阳极上的有机发射层；以及
在所述有机发射层上的阴极，
其中，
所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每个子像素包括所述发射区域中的相应一个发射区域以及相应的非发射区域，
所述第一子像素中的发射区域的短轴长度、所述第二子像素中的发射区域的短轴长度和所述第三子像素中的发射区域的短轴长度彼此相同，
所述第一子像素中的发射区域的长轴长度、所述第二子像素中的发射区域的长轴长度和所述第三子像素中的发射区域的长轴长度彼此不同，
所述堤层包括：亲水性堤层，所述亲水性堤层覆盖所述阳极的边缘并且由亲水性材料制成；以及疏水性堤层，所述疏水性堤层沿长轴方向延伸并且由疏水性材料制成，并且
所述疏水性堤层包括突起，所述突起与位于所述第二子像素的非发射区域中的所述亲水性堤层的一部分交叠。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，其中，所述第二子像素的非发射区域包括凹槽，所述凹槽由所述疏水性堤层形成并且具有比发射区域更短的短轴长度。
12.一种有机发光显示装置，包括：
多个子像素，所述多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素；
阳极，所述阳极设置在所述多个子像素中的每个子像素中；
堤层，所述堤层覆盖所述阳极的边缘并且限定发射区域；
在所述阳极上的有机发射层；
在所述有机发射层上的阴极；
外堤层，所述外堤层包围所述多个子像素；以及
辅助堤层，所述辅助堤层被布置成与所述外堤层的内侧表面接触并且由亲水性材料制成，
其中，
所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每个子像素包括所述发射区域中的相应一个发射区域以及相应的非发射区域，
所述第一子像素中的发射区域的短轴长度、所述第二子像素中的发射区域的短轴长度和所述第三子像素中的发射区域的短轴长度彼此相同，
所述第一子像素中的发射区域的长轴长度、所述第二子像素中的发射区域的长轴长度和所述第三子像素中的发射区域的长轴长度彼此不同，并且
所述堤层包括：亲水性堤层，所述亲水性堤层覆盖所述阳极的边缘并且由亲水性材料制成；以及疏水性堤层，所述疏水性堤层沿长轴方向延伸并且由疏水性材料制成。
13.一种有机发光显示装置，包括：
多个子像素，所述多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素；
第一像素和第二像素，所述第一像素和所述第二像素均包括沿短轴方向顺序地布置的所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素，其中，所述第一像素和所述第二像素沿长轴方向彼此相邻并且在形状上彼此对称；
布置在所述第一像素与所述第二像素之间的低电位电压线；
阳极，所述阳极设置在所述多个子像素中的每个子像素中；
堤层，所述堤层覆盖所述阳极的边缘并且限定发射区域；
在所述阳极上的有机发射层；以及
在所述有机发射层上的阴极，
其中，
所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每个子像素包括所述发射区域中的相应一个发射区域以及相应的非发射区域，
所述第一子像素中的发射区域的短轴长度、所述第二子像素中的发射区域的短轴长度和所述第三子像素中的发射区域的短轴长度彼此相同，
所述第一子像素中的发射区域的长轴长度、所述第二子像素中的发射区域的长轴长度和所述第三子像素中的发射区域的长轴长度彼此不同，并且
所述低电位电压线在所述第一像素的第二子像素的发射区域与所述第二像素的第二子像素的发射区域之间的非发射区域中连接至所述阴极，所述阴极作为单个连续层设置在所述第一像素和所述第二像素中。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，所述低电位电压线包括朝所述第一像素和所述第二像素两者突出的接触区域。
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