CN113066625B - 一种r-t-b系永磁材料及其制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种R‑T‑B系永磁材料及其制备方法和应用。该R‑T‑B系永磁材料包括如下质量含量的组分：R，26.5～32.0mas％；R为至少含有Nd的稀土元素；Cu，0.58～0.65mas％；Ga，0.21～0.33mas％；B，≥0.99mas％；Fe，64.0～69.5mas％；N，0.15～1.2mas％；所述N为Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；百分比为各组分质量占所述R‑T‑B系永磁材料总质量的质量百分比。本发明中R‑T‑B系永磁材料的重稀土元素分布均匀，且磁体性能优异、性能均一。

Description

一种R-T-B系永磁材料及其制备方法和应用
技术领域
本发明涉及一种R-T-B系永磁材料及其制备方法和应用。
背景技术
R-T-B系永磁材料(R指稀土元素，T指过渡金属元素及第三主族金属元素，B指硼元素)因其优异的磁性能而被广泛应用于电子产品、汽车、风电、家电、电梯及工业机器人等领域，例如硬盘、手机、耳机、和电梯曳引机、发电机等永磁电机中作为能量源等，其需求日益扩大，且各产商对于其剩磁、矫顽力等磁性能的要求也逐步提升。
任少卿等报道了一篇CuGa晶界添加对烧结钕铁硼永磁体磁性能及热稳定性的影响。研究发现将Ga添加到含Cu的钕铁硼磁粉中，可以形成Cu-Ga相，但Ga的添加也会使磁体基体中黑色孔洞明显增多，导致密度较低，进一步会导致剩磁和磁能积降低。可见，钕铁硼磁体中不同元素以及不同含量对于微观结构的影响是极为巨大的。但是该文献中形成的钕铁硼磁体材料的矫顽力仍然在较低的水平。
中国专利文献CN 111724955A公开了一种R-T-B系永久磁铁，其包括以下质量含量的组分：Nd、Pr、Dy和Tb的合计含量为30.00～32.20mas％、Co的含量为0.3～1.3mas％、Zr的含量为0.21～0.85mas％、B的含量为0.90～1.02mas％。磁体材料中重稀土元素具有从磁铁表面朝向内部降低的浓度梯度，制备工艺为重稀土涂覆或扩散工艺。虽然提高了材料的耐腐蚀性，但磁体性能一致性较差。且由于磁体中重稀土分布存在一定的浓度梯度，该工艺一般多用于取向较薄的产品。
因此，提供一种重稀土元素分布均匀，且高矫顽力、高剩磁的R-T-B系永磁材料是本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明旨在克服现有技术中R-T-B系永磁材料B＞0.99mas％时，极易产生富硼相，导致磁体性能恶化的缺陷，而提供了一种R-T-B系永磁材料及其制备方法和应用。本发明发明人经过大量研究和实验，发现通过添加Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种，同时将一定范围含量内的Ga和Cu与其他元素合适的配伍，能够制得本发明中重稀土元素分布均匀，且磁体性能优异、性能均一的R-T-B系永磁材料。
为了实现上述目的，本发明提供以下技术方案：
本发明提供的技术方案之一为：一种R-T-B系永磁材料，其包括如下质量含量的组分：
R，26.5～32.0mas％；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Cu，0.58～0.65mas％；
Ga，0.21～0.33mas％；
B，≥0.99mas％；
Fe，64.0～69.5mas％；
N，0.15～1.2mas％；所述N为Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；
百分比为各组分质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，所述R-T-B系永磁材料可包括富稀土相，硼化物和主相晶粒。
其中，所述富稀土相可为富钕相。所述硼化物可为ZrB、HfB、NbB和TiB中的一种或多种。所述主相晶粒一般为Nd2Fe14B晶粒。
所述富稀土相可分布有Cu和Ga。其中，所述Cu在富稀土相的分布量可为所述Cu的95％以上。所述Ga在富稀土相的分布量可为所述Ga的95％以上。所述主相晶粒的内部可分布有Ga。所述Ga在主相晶粒的内部的分布量可为所述Ga的5％以下。
所述富稀土相和所述硼化物的晶界处优选分布有N，所述晶界处分布的N可与B结合成硼化物。所述N在晶界处的分布量优选为所述N的95％以上。其中，所述N可取代所述主相晶粒中的Fe，并分布在所述主相晶粒的内部。取代主相晶粒中Fe的N的分布量优选为所述N的5％以下。
本发明中，所述R的含量优选为29.0～31.0mas％；更优选为29.2～29.95mas％；例如29.23mas％、29.36mas％、29.37mas％、29.51mas％、29.66mas％、29.85mas％、29.86mas％或29.89mas％；百分比为所述R的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
其中，所述Nd的含量优选为29.23～29.89mas％；更优选为29.36～29.86mas％；例如29.23mas％、29.36mas％、29.37mas％、29.51mas％、29.66mas％、29.85mas％、29.86mas％或29.89mas％；百分比为所述Nd的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
所述R还可含有Pr。当所述R中含有Pr时，所述Pr的含量可为本领域常规，例如0～0.3mas％且不为0mas％；百分比为所述Pr的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，所述Cu的含量优选为0.62～0.65mas％；例如0.63mas％、0.64mas％或0.65mas％；百分比为所述Cu的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，所述Ga的含量优选为0.28～0.32mas％；例如0.29mas％、0.30mas％、0.31mas％或0.32mas％；百分比为所述Ga的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，所述B的含量优选为0.99～1.15mas％；更优选为1.00～1.05mas％；例如1.00mas％或1.01mas％；百分比为所述B的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，所述R的原子百分比与所述B的原子百分比的比值可小于2.50；例如0.45。
本发明中，所述Fe的原子百分比与所述B的原子百分比的比值可小于14；例如0.08。
本发明中，所述Fe的含量优选为64.3～69.3mas％；例如64.38mas％、65.03mas％、65.06mas％、65.12mas％、65.8mas％、65.81mas％、66.23mas％、66.3mas％、66.31mas％、66.41mas％、66.62mas％、66.63mas％、66.67mas％、66.71mas％、66.73mas％、66.77mas％、66.81mas％、67.43mas％、67.76mas％、67.94mas％、68.18mas％或68.27mas％；百分比为所述Fe的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，所述N的含量可为0.4～0.78mas％；优选为0.44～0.64mas％；例如0.40mas％、0.41mas％、0.42mas％、0.44mas％、0.47mas％、0.50mas％、0.52mas％、0.55mas％、0.56mas％、0.60mas％、0.62mas％、0.64mas％、0.77mas％或0.78mas％；百分比为所述N的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比；
当N包含Zr时，所述Zr的含量可为0.22～0.44mas％；优选为0.32～0.34mas％；例如0.23mas％、0.25mas％、0.30mas％、0.31mas％或0.33mas％；百分比为所述Zr的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
当N包含Ti时，所述Ti的含量可为0～0.41mas％且不为0mas％，优选为0.18～0.3mas％；例如0.10mas％、0.15mas％、0.17mas％、0.20mas％、0.23mas％、0.24mas％、0.27mas％、0.34mas％、0.37mas％或0.40mas％；百分比为所述Ti的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
当N包含Nb时，所述Nb的含量可为0～1.0mas％且不为0mas％；优选为0.1～0.78mas％；例如0.13mas％、0.22mas％、0.27mas％、0.40mas％、0.47mas％或0.78mas％；百分比为所述Nb的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
当N包含Hf时，所述Hf的含量可为0～0.8mas％且不为0mas％；优选为0.47mas％；百分比为所述Hf的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，所述N优选为Nb。
其中，所述Nb的含量优选为0.4～0.8mas％；更优选为0.78mas％；百分比为所述Nb的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
或者，所述N优选为Zr和Ti。
其中，所述Zr的含量优选为0.25～0.44mas％；更优选为0.25mas％、0.31mas％、0.32mas％或0.33mas％；百分比为所述Zr的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。所述Ti的含量优选为0.1～0.27mas％；更优选为0.10mas％、0.15mas％、0.17mas％、0.23mas％、0.24mas％或0.27mas％；百分比为所述Ti的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。进一步优选地，所述N为0.33mas％Zr和0.23mas％Ti；或者，0.31mas％Zr和0.24mas％Ti；或者，0.34mas％Zr和0.1mas％Ti；或者，0.32mas％Zr和0.1mas％Ti；或者，0.25mas％Zr和0.27mas％Ti。
或者，所述N优选为Nb和Ti。
其中，所述Nb的含量优选为0.10～0.45mas％；更优选为0.13mas％或0.40mas％；百分比为所述Nb的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。所述Ti的含量优选为0～0.41mas％且不为0mas％；更优选为0.20mas％、0.34mas％或0.37mas％；百分比为所述Ti的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。进一步优选地，所述N为0.20mas％Ti和0.40mas％Nb；或者，0.34mas％Ti和0.13mas％Nb；或者，0.37mas％Ti和0.13mas％Nb。
或者，所述N优选为Zr、Nb和Ti。
其中，所述Zr、所述Nb和所述Ti的含量之和优选为0.405～0.78mas％；更优选为0.62mas％或0.64mas％；百分比为所述Zr、所述Nb和所述Ti的含量之和占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。所述Zr的含量优选为0.2～0.3mas％；更优选为0.22mas％或0.23mas％；百分比为所述Zr的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。所述Nb的含量优选为0.14～0.2mas％；更优选为0.15mas％或0.17mas％；百分比为所述Nb的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。所述Ti的含量优选为0.2～0.3mas％；更优选为0.22mas％或0.27mas％；百分比为所述Ti的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。进一步优选地，所述N为0.23mas％Zr、0.17mas％Ti和0.22mas％Nb；或者0.22mas％Zr、0.15mas％Ti和0.27mas％Nb。
本发明中，本领域技术人员知晓，所述的R-T-B系永磁材料中还包括在制备过程中引入的不可避免的杂质，例如C、O、Al和Mn中的一种或多种。
当R-T-B系永磁材料中包含C时，所述C的含量可为0.089～0.15mas％；例如0.09mas％；百分比为所述C的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
当R-T-B系永磁材料中包含O时，所述O的含量可为本领域常规，一般为＜0.09mas％；例如0.07mas％或0.08mas％；百分比为所述O的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
当R-T-B系永磁材料中包含Al时，所述Al的含量可为本领域常规，例如0.07mas％以下；百分比为所述Al的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
当R-T-B系永磁材料中包含Mn时，所述Mn的含量可为本领域常规，例如＜0.01mas％；百分比为所述Mn的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，本领域技术人员知晓，为了进一步提升磁性能，所述R-T-B系永磁材料还可包括RH，所述RH为重稀土元素。
当所述R-T-B系永磁材料包括RH时，所述R-T-B系永磁材料优选还包括主相晶粒的壳层。
其中，所述主相晶粒的壳层优选包括RH2Fe14B晶粒。所述主相晶粒的壳层优选为分布有RH。所述RH在所述主相晶粒的壳层的分布量优选为所述RH的95％以上。
本发明中，所述RH的种类优选包括Dy、Tb和Ho中的一种或多种。所述RH的含量可为0.98～2.4mas％；优选为1.05～2.10mas％；更优选为1.05～1.6mas％；例如1.05mas％、1.2mas％、1.3mas％、1.5mas％、1.6mas％、1.65mas％、2.1mas％或2.25mas％；百分比为所述RH占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
当所述RH包含Dy时，所述Dy的含量优选为1.05～1.6mas％，例如1.2mas％、1.3mas％、1.60mas％或1.65mas％，百分比为所述Dy占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
当所述RH包含Tb时，所述Tb的含量优选为1.05～1.6mas％，例如1.3mas％，百分比为所述Tb占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，所述RH优选为Tb。所述Tb的含量优选为0.98～1.60mas％；更优选为1.05～1.60mas％；例如1.30mas％、1.50mas％；百分比为所述Tb的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
或者，所述RH优选为Dy。所述Dy的含量优选为1.00～1.80mas％；更优选为1.05～1.60mas；例如1.20mas％或1.30mas％；百分比为所述Dy的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
或者，所述RH优选为Tb和Dy。所述Tb的含量优选为1.00～1.65mas％；更优选为1.20mas％或1.60mas％；百分比为所述Tb的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。所述Dy的含量优选为1.00～1.60mas％；更优选为1.05mas％；百分比为所述Dy的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。进一步优选地，所述RH为1.20mas％Tb和1.05mas％Dy。
本发明中，所述R-T-B系永磁材料还可包括Co。
当所述R-T-B系永磁材料包括Co时，所述Co可取代所述主相晶粒中的Fe，并分布在所述主相晶粒的内部。取代主相晶粒中Fe的Co的分布量优选为所述Co的95％以上。富稀土相和硼化物的晶界处还可分布有Co。所述Co在晶界处的分布量优选为所述Co的5％以下。
本发明中，所述Co的含量可为0.8～2.2mas％；优选为1.5～2.0mas％；例如1.55mas％；百分比为所述Co的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
当所述R-T-B系永磁材料包括Co时，所述Co和所述Fe的原子百分比之和与所述B的原子百分比的比值可小于14；例如12.65或13.13。
本发明中，所述R-T-B系永磁材料可包括如下质量含量的组分：
R，29.0～31.0mas％；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Cu，0.62～0.65mas％；
Ga，0.28～0.32mas％；
B，0.99～1.15mas％；
Fe，64.3～69.3mas％；
N，0.4～0.78mas％；所述N为Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；
百分比为各组分质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，所述R-T-B系永磁材料优选包括如下质量含量的组分：
R，26.5～32.0mas％；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Cu，0.58～0.65mas％；
Ga，0.21～0.33mas％；
B，0.99～1.15mas％；
Fe，64.0～69.5mas％；
N，0.15～1.2mas％；所述N为Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；
RH，0.98～2.4mas％；所述RH为Dy、Tb和Ho中的一种或多种；
百分比为各组分质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，所述R-T-B系永磁材料更优选包括如下质量含量的组分：
R，29.0～31.0mas％；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Cu，0.62～0.65mas％；
Ga，0.28～0.32mas％；
B，0.99～1.15mas％；
Fe，64.3～69.3mas％；
N，0.4～0.78mas％；所述N为Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；
RH，0.98～2.4mas％；所述RH为Dy、Tb和Ho中的一种或多种；
Co，0.8～2.2mas％；
百分比为各组分质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
本发明提供的技术方案之二为：一种如前所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其包括如下步骤：将主合金和辅合金通过双合金法制备即可；
其中，所述的主合金和所述辅合金的中元素的种类分别包括R、Fe、B、Cu、Ga和N。
本发明中，所述主合金与所述辅合金的质量比优选为(4～49):1，更优选为(9～33):1；例如9:1、11.5:1、14.38:1、15.67:1、19:1、24:1或32.33:1。
根据本领域常识，按照质量比得到的主合金和辅合金中各元素的含量之和一般为所述的R-T-B系永磁材料的各组分含量。例如，主合金中Nd的含量乘以主合金在R-T-B系永磁材料中的占比，以及，辅合金中Nd的含量乘以主合金在R-T-B系永磁材料中的占比，二者之和为所述的R-T-B系永磁材料中的Nd的含量。
本发明中，所述的主合金中，所述R为至少含有Nd的稀土元素；所述R的含量优选为26.0～31.5mas％；优选为26.58mas％、29.5mas％、29.6mas％、29.7mas％、29.75mas％、29.85mas％、30.15mas％，30.16mas％，30.2mas％或30.46mas％；百分比为所述R的质量占所述辅合金总质量的质量百分比；其中，所述Nd的含量优选为26.5～31.0mas％；更优选为26.58mas％、29.5mas％、29.6mas％、29.7mas％、29.75mas％、29.85mas％、30.15mas％，30.16mas％，30.2mas％或30.46mas％；百分比为所述Nd的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
所述的主合金中，所述Cu的含量优选为0.3～0.5mas％；更优选为0.345mas％、0.35mas％、0.36mas％、0.38mas％、0.4mas％、0.445mas％、0.45mas％或0.47mas％；百分比为所述Cu的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
所述的主合金中，所述Ga的含量优选为0.15～0.38mas％；更优选为0.16mas％、0.29mas％、0.3mas％、0.31mas％、0.33mas％或0.37mas％；百分比为所述Ga的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
所述的主合金中，所述B的含量优选为0.9～1.05mas％；更优选为1.00mas％、1.02mas％、1.03mas％或1.04mas％；百分比为所述B的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
所述的主合金中，所述Fe的含量优选为65.0～72.0mas％；更优选为65.47mas％、66.16mas％、66.17mas％、66.23mas％、66.55mas％、66.95mas％、67.32mas％、67.61mas％、67.62mas％、67.85mas％、67.88mas％、67.94mas％、68.12mas％、68.17mas％、68.28mas％、68.31mas％、68.76mas％、68.81mas％或71.14mas％；百分比为所述Fe的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
所述的主合金中，所述N的含量优选为0.1～0.55mas％；更优选为0.11mas％、0.16mas％、0.22mas％、0.255mas％、0.265mas％、0.28mas％、0.285mas％、0.29mas％、0.41mas％、0.415mas％、0.42mas％、0.44mas％、0.5mas％或0.52mas％；百分比为所述N的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
其中，当N包含Zr时，所述Zr的含量可为0.05～0.2mas％；优选为0.16mas％；百分比为所述Zr的质量占所述主合金总质量的质量百分比。当N包含Ti时，所述Ti的含量可为0.10～0.3mas％；优选为0.11mas％、0.145mas％、0.15mas％、0.16mas％、0.18mas％、0.21mas％、0.22mas％、0.25mas％、0.255mas％、0.265mas％或0.28mas％；百分比为所述Ti的质量占所述主合金总质量的质量百分比。当N包含Nb时，所述Nb的含量可为0.1～0.55mas％；优选为0.14mas％、0.21mas％、0.235mas％、0.28mas％、0.5mas％或0.52mas％；百分比为所述Nb的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
所述的主合金中，本领域技术人员知晓，为了进一步提升磁性能，所述主合金还可包括RH，所述RH为重稀土元素。
所述RH的种类优选包括Dy、Tb和Ho中的一种或多种。所述RH的含量可采用本领域常规的含量，优选为0.5～0.8mas％；更优选为0.64mas％；百分比为所述RH占所述主合金总质量的质量百分比。其中，当所述RH包含Dy时，所述Dy的含量优选为0.05～0.35mas％，例如0.32mas％；百分比为所述Dy的质量占所述主合金总质量的质量百分比。当所述RH包含Tb时，所述Tb的含量优选为0.05～0.35mas％，例如0.32mas％；百分比为所述Tb的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
所述RH优选为Tb和Dy；更优选为0.32mas％Tb和0.32mas％Dy。
所述的主合金还可包括Co。所述Co的含量可为0.80～2.50mas％，优选为0.843mas％、1.63mas％、1.726mas％或2.32mas％；百分比为所述Co的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
本发明中，所述的主合金可包括如下质量含量的组分：
R，26.0～31.5mas％；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Cu，0.3～0.5mas％；
Ga，0.15～0.38mas％；
B，0.9～1.05mas％；
Fe，65.0～72.0mas％；
N，0.1～0.55mas％；所述N为Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；
百分比为各组分的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
本发明中，所述的主合金优选包括如下质量含量的组分：
R，26.0～31.5mas％；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Cu，0.3～0.5mas％；
Ga，0.15～0.38mas％；
B，0.9～1.05mas％；
Fe，65.0～72.0mas％；
N，0.1～0.55mas％；所述N为Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；
RH，0.5～0.8mas％；所述RH为Dy、Tb和Ho中的一种或多种；
百分比为各组分的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
本发明中，所述的主合金更优选包括如下质量含量的组分：
R，26.0～31.5mas％；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Cu，0.3～0.5mas％；
Ga，0.15～0.38mas％；
B，0.9～1.05mas％；
Fe，65.0～72.0mas％；
N，0.1～0.55mas％；所述N为Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；
RH，0.5～0.8mas％；所述RH为Dy、Tb和Ho中的一种或多种；
Co，0.80～2.50mas％；
百分比为各组分的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
本发明中，所述的辅合金中，所述Nd的含量优选为10.0～30.0mas％；更优选为25.0mas％；百分比为所述Nd的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
所述的辅合金中，所述Cu的含量优选为3.00～6.00mas％；更优选为5.00mas％或5.5mas％；百分比为所述Cu的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
所述的辅合金中，所述Ga的含量优选为3.00～6.00mas％；更优选为3.50mas％或5.00mas％；百分比为所述Ga的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
所述的辅合金中，所述B的含量优选为0.30～0.70mas％；更优选为0.40mas％、0.50mas％或0.60mas％；百分比为所述B的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
所述的辅合金中，所述Fe的含量优选为34.0～68.5mas％；更优选为34.4mas％、42mas％、43.7mas％、44mas％、44.5mas％、45mas％、45.5mas％、46.5mas％、47mas％、53.2mas％或68.2mas；百分比为所述Fe的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
所述的辅合金中，所述N的含量优选为3.00～6.00mas％；更优选为3.00mas％、3.3mas％、4mas％、4.5mas％、5.00mas％、5.50mas％或5.80mas％；百分比为所述N的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
其中，当N包含Zr时，所述Zr的含量可为3.00～5.60mas％；优选为3.3mas％、4mas％、4.5mas％、5mas％或5.50mas％；百分比为所述Zr的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。当N包含Ti时，所述Ti的含量可为3.0～5.00mas％；优选为4mas％或4.5mas％；百分比为所述Ti的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。当N包含Nb时，所述Nb的含量可为3.5～6.00mas％；优选为4mas％或5.8mas％；百分比为所述Nb的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
所述的辅合金中，本领域技术人员知晓，为了进一步提升磁性能，所述辅合金还可包括RH，所述RH为重稀土元素。
所述RH的种类优选包括Dy、Tb和Ho中的一种或多种。所述RH的含量可采用本领域常规的含量，优选为30.00～40.00mas％；更优选为37.5mas％；百分比为所述RH占所述辅合金总质量的质量百分比。
其中，当所述RH包含Dy时，所述Dy的含量优选为12.00～25.00mas％；更优选为15mas％、17.5mas％或20.00mas％；百分比为所述Dy占所述辅合金总质量的质量百分比。当所述RH包含Tb时，所述Tb的含量优选为10.00～25.0mas％；更优选为20mas％；百分比为所述Tb占所述辅合金总质量的质量百分比。
所述RH优选为Tb和Dy；更优选为20mas％Tb和17.5mas％Dy，或者，15mas％Tb和15mas％Dy。
本发明中，所述的辅合金可包括如下质量含量的组分：
R，10.0～30.0mas％；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Cu，3.00～6.00mas％；
Ga，3.00～6.00mas％；
B，0.30～0.70mas％；
Fe，34.0～68.5mas％；
N，3.00～6.00mas％；所述N为Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；
百分比为各组分的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
本发明中，所述的辅合金优选包括如下质量含量的组分：
R，10.0～30.0mas％；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Cu，3.00～6.00mas％；
Ga，3.00～6.00mas％；
B，0.30～0.70mas％；
Fe，34.0～68.5mas％；
N，3.00～6.00mas％；所述N为Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；
RH，30.00～40.00mas％；所述RH为Dy、Tb和Ho中的一种或多种；
百分比为各组分的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
本发明中，所述的双合金法的制备工艺一般可为将主合金和辅合金的混合合金粉依次经烧结、时效处理即可。
其中，所述的混合合金粉一般可通过主合金和辅合金混合得到。所述的混合优选为混合均匀。所述的混合均匀可为将主合金和辅合金混合后经氢破和气流磨处理，或者，分别将所述的主合金和辅合金经氢破和气流磨处理后混匀；优选为将主合金和辅合金混合后经氢破和气流磨处理。
所述氢破可为在0.067～0.098MPa的氢气压力下饱和吸氢，在480℃～580℃内脱氢；优选为在0.067～0.098MPa的氢气压力下饱和吸氢，在550℃下脱氢。经所述气流磨处理后的粉体的粒径可为3.8～4.2μm；优选为3.9μm。
其中，所述烧结的温度可为1000℃以上，优选为1050～1200℃，更优选为1070℃。所述烧结的时间可为4～7h，优选为6h。更优选地，所述烧结还可包括返烧步骤；所述返烧的温度可为1050～1100℃，优选为1080℃；所述返烧的时间可为3～5h，优选为4h。
其中，所述时效处理可包括一级时效处理和二级时效处理。
所述一级时效处理可为本领域常规的一级时效处理工艺；优选地，所述一级时效处理在氩气气氛条件下进行。所述氩气气氛中氩气的纯度为99.9％以上。所述一级时效处理的温度可为本领域常规的一级时效处理温度，优选为800～950℃，更优选为900℃。所述一级时效处理的时间可为2～4h，优选为3h。
所述二级时效处理的温度可为本领域常规的二级时效处理温度，优选为430～490℃，更优选为490℃。所述二级时效处理的时间可为2～4h，优选为3h。
升温至所述一级时效处理的温度或所述二级时效处理的温度的速率优选为3～5℃/min。所述升温的起点可为室温。所述室温一般是指25℃±5℃。
本发明中，所述主合金的制备方法可为将主合金中的各元素制备成主合金溶液；再将主合金溶液通过旋转的铜辊辊轮，并依次经过精炼和浇铸，冷却后制得主合金铸片。
其中，所述铜辊辊轮的转速优选为40±0.2rpm。所述精炼的温度优选为1520±20℃。所述浇铸的温度优选为1420±10℃。所述冷却可为冷却至50℃以下。
本发明中，所述辅合金的制备方法可为将辅合金中的各元素制备成辅合金溶液；再将辅合金溶液通过旋转的铜辊辊轮，并依次经过精炼和浇铸，冷却后制得辅合金铸片。
其中，所述铜辊辊轮的转速优选为40±0.2rpm。所述精炼的温度优选为1400～1570℃。所述浇铸的温度优选为1420～1470℃。所述冷却可为冷却至50℃以下。
本发明提供的技术方案之三为：一种R-T-B系永磁材料，其采用如前所述的制备方法制得。
本发明提供的技术方案之四为：一种如前所述的R-T-B系永磁材料作为电子元器件的应用。
其中，所述应用的领域可为汽车驱动领域、风电领域、伺服电机和家电领域(例如空调)。
在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
本发明所用试剂和原料均市售可得。
本发明的积极进步效果在于：
(1)本发明中的R-T-B系永磁材料磁性能优异：Br≥13.65kGs，Hcb≥13.15kOe，Hcj≥14.42kOe，(BH)max≥44.8MGOe，Hk≥14.28kOe，Hk/Hcj≥0.98，HD5≥13.22kOe；磁体温度稳定性好，20-80℃Br温度系数α％/℃的绝对值小于0.13，20-140℃Br温度系数α％/℃的绝对值小于0.14。
(2)本发明中的R-T-B系永磁材料相对磁导率低于1.03，方形度高于98.2％，磁体性能一致性好。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规方法和条件，或按照商品说明书选择。
实施例1～25和对比例1～5
1、实施例1～25按照表1中R-T-B系永磁材料的组分和含量配制主合金和辅合金。
对比例1～5按照表2中R-T-B系永磁材料的组分和含量配制主合金和辅合金。
表1
Figure BDA0002995075940000171
Figure BDA0002995075940000181
注：“/”表示R-T-B系永磁材料中不含该元素。
表2
Figure BDA0002995075940000182
注：“/”表示R-T-B系永磁材料中不含该元素。
2、主合金的制备工艺为：
将表1和表2中所示主合金中的各元素制备成主合金溶液；再将主合金溶液通过旋转的铜辊辊轮(转速为40±0.2rpm)，并依次经过精炼和浇铸，冷却后制得主合金铸片；其中，精炼温度为1520±20℃，精炼时间为8～30min，浇铸温度为1420±10℃，浇铸时间为1～3min，冷却为冷却至50℃以下。
3、辅合金的制备工艺为：
将表1和表2中所示辅合金中的各元素制备成辅合金溶液；再将辅合金溶液通过旋转的铜辊辊轮(转速为40±0.2rpm)，并依次经过精炼和浇铸，冷却后制得辅合金铸片；其中，精炼温度为1400～1570℃，精炼时间为8～30min，浇铸温度为1420～1470℃，浇铸时间为1～3min，冷却为冷却至50℃以下。
4、R-T-B系永磁材料的制备工艺如下：
(1)将表1和表2中所示的主合金和辅合金按比例混合后依次经氢破、气流磨处理和混料得混合合金粉体；
其中，氢破是在0.067MPa的氢气压力下饱和吸氢，在550℃下脱氢；混料是在三维混料机中处理3h，经气流磨处理后的混合合金粉体的粒径为3.8～4.2μm。
(2)将混合合金粉体在1050～1200℃下烧结6h，并在1080℃下再次烧结4h。
(3)在900℃下经3h的一级时效处理，并在490℃下经3h的二级时效处理，即得R-T-B系永磁材料。
其中，实施例1～25和对比例1～5中，经气流磨处理后的粉体的粒径如表3所示。
表3
Figure BDA0002995075940000191
Figure BDA0002995075940000201
效果实施例
1、成分测定：
使用高频电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES，仪器型号：Icap6300)，对实施例1～25和对比例1～5制得的R-T-B系永磁材料中各组分及其含量进行测定。测试结果表明，实施例1～25和对比例1～5中R-T-B系永磁材料中各组分及其含量与原料的添加量接近，无明显差异；具体如下表4。
表4
Nd Cu Ga B Zr Ti Nb Hf Tb Dy Co C O Al Fe
实施例1 29.23 0.62 0.33 0.99 0.33 0.23 / / / / / / / / 68.27
实施例2 29.85 0.63 0.31 1.01 0.30 / 0.47 / / / / / / / 67.43
实施例3 29.51 0.64 0.29 1.01 0.23 0.17 0.22 / / / / / / / 67.94
实施例4 29.66 0.65 0.28 1.01 0.22 0.15 0.27 / / / / / / / 67.76
实施例5 29.36 0.62 0.30 0.98 0.31 0.24 / / / / / / / / 68.18
实施例6 29.23 0.62 0.33 0.99 0.33 0.23 / / 1.50 / / / / / 66.77
实施例7 29.85 0.63 0.31 1.01 0.30 / 0.47 / / 1.20 / / / / 66.23
实施例8 29.23 0.63 0.31 1.01 0.30 / 0.47 / 1.20 1.05 / / / / 65.80
实施例9 29.86 0.62 0.33 0.99 0.34 0.10 / / 1.30 / / 0.09 0.07 ＜0.07 66.30
实施例10 29.23 0.65 0.28 0.99 0.32 0.10 / / 1.60 / / 0.09 0.07 ＜0.07 66.67
实施例11 29.86 0.62 0.33 0.99 0.34 0.10 / / / 1.30 / 0.09 0.07 ＜0.07 66.31
实施例12 29.23 0.65 0.28 0.99 0.32 0.10 / / / 1.60 / 0.09 0.07 ＜0.07 66.67
实施例13 26.50 0.58 / 1.00 0.25 0.27 / / 1.05 1.05 / 0.00 / / 69.30
实施例14 29.89 0.58 0.28 0.99 / 0.40 / / 1.05 / / / / / 66.81
实施例15 29.89 0.58 0.29 0.99 / / 0.78 / 1.05 / / / / / 66.41
实施例16 29.89 0.58 0.15 0.99 / 0.20 0.40 / 1.05 / / / / / 66.73
实施例17 29.86 0.62 0.33 0.99 0.34 0.10 / / 0.98 / / 0.09 0.07 ＜0.07 66.63
实施例18 29.23 0.65 0.28 0.99 0.32 0.10 / / / 1.65 / 0.09 0.07 ＜0.07 66.62
实施例19 29.23 0.62 0.33 0.99 0.33 0.23 / / / / 1.55 / / / 66.71
实施例20 29.89 0.63 0.29 0.99 / 0.34 0.13 / 1.05 / 1.55 / / 0.07 65.06
实施例21 29.89 0.63 0.29 0.99 / 0.37 0.13 / 1.05 / 1.55 / / 0.07 65.03
实施例22 29.89 0.63 0.29 0.99 / 0.41 / / 1.05 / 1.55 / / 0.07 65.12
实施例23 29.89 0.63 0.29 0.99 / 0.34 0.13 / 1.05 / 0.80 / / 0.07 65.81
实施例24 29.89 0.63 0.29 0.99 / 0.37 0.13 / 1.05 / 2.20 / / 0.07 64.38
实施例25 29.85 0.63 0.31 1.01 0.30 / / 0.47 / / / / / / 67.43
对比例1 29.23 0.30 0.33 0.99 0.33 0.23 / / / / / / / / 68.59
对比例2 29.85 0.63 0.08 1.01 0.30 / 0.47 / / / / / / / 67.67
对比例3 29.51 0.70 0.20 1.00 0.23 0.17 0.22 / / / / / / / 67.96
对比例4 29.85 0.63 0.31 0.95 0.30 / 0.47 / / / / / / / 67.49
对比例5 29.85 0.63 0.31 1.01 / / / / / / / / / / 68.20
注：“/”表示R-T-B系永磁材料中不含该元素；表4中的数值表示各组分质量占R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
2、磁性能的测试：使用中国计量院的NIM-10000H型BH大块稀土永磁无损测量***对实施例1～24和对比例1～4制得的R-T-B系永磁材料进行磁性能检测(测试样品为直径D10mm*厚度10mm圆柱)。测试结果如表5所示。
其中，
“Br”是指剩磁；永磁材料经过饱和磁化后，撤去外磁场所能保持的磁性，称为剩磁。
“Hc”是指矫顽力，Hcj是指磁极化强度矫顽力(内禀矫顽力)；Hcb是指磁感应强度矫顽力。
“(BH)max”是指最大磁能积。
“Hk”是指膝点矫顽力。
“Hk/Hcj”是指方形度。
“HD5”是定义方形度的技术指标，根据本领域常规，在J-H退磁曲线取a(H＝0.2Hcj)和b(H＝0.7Hcj)两点连成直线，然后通过0.95Br点做平行于ab的直线，该直线与J-H退磁曲线交点的横坐标值即为HD5。
Br温度系数α的公式为：
Figure BDA0002995075940000221
公式中的常温温度均为20℃，高温温度为80℃或140℃。
表5
Figure BDA0002995075940000222
Figure BDA0002995075940000231
Figure BDA0002995075940000241
3、磁性能一致性的测试：测试结果如表6所示。
(1)方形度SQ＝Hk/Hcj；其中，Hk为当B为90％Br时，所对应的外磁场H的值；Hcj为矫顽力。
(2)相对磁导率为Br/Hcb；其中，Br为剩磁，Hcb为磁感矫顽力，当B-H曲线存在拐点时，磁导率在拐点之前取值。
(3)Max(Hcj)-Min(Hcj)：同一批次产品中矫顽力最大值减去矫顽力最小值，若大于1.5kOe，则是磁性能一致性差。
表6
Figure BDA0002995075940000242
Figure BDA0002995075940000251
对表4和表5中磁性能和磁性能一致性的测试结果分析如下：
1)对比例1：基于实施例1，减少Cu的含量使之不足，其他条件不变。
常温下，相对于实施例1，对比例1中R-T-B系永磁材料的Br、Hcb、Hcj、(BH)max、Hk、Hk/Hcj和HD5均有所降低。高温下，相对于实施例1，对比例1中R-T-B系永磁材料Br温度系数α绝对值较大，高温性能较差。而且，相对磁导率较大，方形度较低，磁体性能一致性较差。
2)对比例2：基于实施例2，减少Ga的含量使之不足，其他条件不变。
常温下，相对于实施例2，对比例2中R-T-B系永磁材料的Hcb、Hcj、(BH)max、Hk、Hk/Hcj和HD5均有所降低。高温下，相对于实施例2，对比例2中R-T-B系永磁材料Br温度系数α绝对值较大，高温性能较差。而且，相对磁导率较大，方形度较低，磁体性能一致性较差。
3)对比例3：基于实施例3，增加Cu的含量使之过量，并减少Ga的含量使之不足，其他条件不变。
常温下，相对于实施例3，对比例3中R-T-B系永磁材料的Hcb、Hcj、(BH)max、Hk和Hk/Hcj均有所降低。高温下，相对于实施例3，对比例3中R-T-B系永磁材料Br温度系数α绝对值较大，高温性能较差。而且，相对磁导率较大，方形度较低，磁体性能一致性较差。
4)对比例4：基于实施例2，减少B的含量使之不足，其他条件不变。
常温下，相对于实施例2，对比例4中R-T-B系永磁材料的Hcb、Hcj、(BH)max、Hk、Hk/Hcj和HD5均有所降低。高温下，相对于实施例2，对比例4中R-T-B系永磁材料Br温度系数α绝对值较大，高温性能较差。而且，相对磁导率较大，磁体性能一致性不佳。
5)对比例5：基于实施例2，不添加N，其他条件不变。
常温下，相对于实施例3，对比例5中R-T-B系永磁材料的Hcj、(BH)max、Hk、Hk/Hcj和HD5均有所降低。高温下，相对于实施例2，对比例5中R-T-B系永磁材料Br温度系数α绝对值较大，高温性能较差。而且，相对磁导率较大，方形度较低，磁体性能一致性较差。
4、重稀土含量测试：使用ICP测试距离实施例1～25中R-T-B系永磁材料表面不同位置处的重稀土元素含量，结果表明其重稀土含量差异仅为0.01～0.07mas％，几乎相同。由此可见，实施例1～25中的R-T-B系永磁材料重稀土元素分布均匀，性能均一。

Claims (188)

1.一种R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R-T-B系永磁材料包括如下质量含量的组分：
R，26.5~32.0mas%；所述R为至少含有Nd的稀土元素；所述Nd的含量为29.23~29.89mas%；所述R还含有Pr；所述Pr的含量为0~0.3mas%且不为0mas%；
Cu，0.58~0.65mas%；
Ga，0.21~0.33mas%；
B，≥0.99mas%；
Fe，64.0~69.5mas%；
N，0.44~0.64mas%；所述N为Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；
所述N包含Zr时，所述Zr的含量为0.22~0.34mas%；所述N包含Ti时，所述Ti的含量为0.1~0.37mas%；所述N包含Nb时，所述Nb的含量为0.13~0.4mas%；
百分比为各组分质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比；
所述R-T-B系永磁材料包括富稀土相，硼化物和主相晶粒；
其中，所述富稀土相为富钕相；所述硼化物为ZrB、HfB、NbB和TiB中的一种或多种；所述主相晶粒为Nd2Fe14B晶粒；
所述富稀土相分布有Cu和Ga；其中，所述Cu在富稀土相的分布量为所述Cu的95%以上；所述Ga在富稀土相的分布量为所述Ga的95%以上；所述主相晶粒的内部分布有Ga；所述Ga在主相晶粒的内部的分布量为所述Ga的5%以下；
所述富稀土相和所述硼化物的晶界处分布有N，所述晶界处分布的N与B结合成硼化物；所述N在晶界处的分布量为所述N的95%以上；其中，所述N取代所述主相晶粒中的Fe，并分布在所述主相晶粒的内部；取代主相晶粒中Fe的N的分布量为所述N的5%以下。
2.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R的含量为29.0~31.0mas%；百分比为所述R的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
3.如权利要求2所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R的含量为29.2~29.95mas%；百分比为所述R的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
4.如权利要求3所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R的含量为29.23mas%、29.36mas%、29.37mas%、29.51mas%、29.66mas%、29.85mas%、29.86mas%或29.89mas%；百分比为所述R的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
5.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Nd的含量为29.36~29.86mas%；百分比为所述Nd的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
6.如权利要求5所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Nd的含量为29.37mas%、29.51mas%、29.66mas%或29.85mas%；百分比为所述Nd的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
7.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Cu的含量为0.62~0.65mas%；百分比为所述Cu的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
8.如权利要求7所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Cu的含量为0.63mas%、0.64mas%或0.65mas%；百分比为所述Cu的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
9.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Ga的含量为0.28~0.32mas%；百分比为所述Ga的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
10.如权利要求9所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Ga的含量为0.29mas%、0.30mas%、0.31mas%或0.32mas%；百分比为所述Ga的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
11.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述B的含量为0.99~1.15mas%；百分比为所述B的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
12.如权利要求11所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述B的含量为1.00~1.05mas%；百分比为所述B的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
13.如权利要求12所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述B的含量为1.01mas%；百分比为所述B的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
14.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R的原子百分比与所述B的原子百分比的比值小于2.50。
15.如权利要求14所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R的原子百分比与所述B的原子百分比的比值为0.45。
16.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Fe的原子百分比与所述B的原子百分比的比值小于14.0。
17.如权利要求16所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Fe的原子百分比与所述B的原子百分比的比值为0.08。
18.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Fe的含量为64.3~69.3mas%；百分比为所述Fe的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
19.如权利要求18所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Fe的含量为64.38mas%、65.03mas%、65.06mas%、65.12mas%、65.8mas%、65.81mas%、66.23mas%、66.3mas%、66.31mas%、66.41mas%、66.62mas%、66.63mas%、66.67mas%、66.71mas%、66.73mas%、66.77mas%、66.81mas%、67.43mas%、67.76mas%、67.94mas%、68.18mas%或68.27mas%；百分比为所述Fe的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
20.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述N的含量为0.47mas%、0.50mas%、0.52mas%、0.55mas%、0.56mas%、0.60mas%或0.62mas%；百分比为所述N的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
21.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述N包含Zr时，所述Zr的含量为0.23mas%、0.25mas%、0.30mas%、0.31mas%或0.33mas%；百分比为所述Zr的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
22.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述N包含Ti时，所述Ti的含量为0.15mas%、0.17mas%、0.20mas%、0.23mas%、0.24mas%、0.27mas%或0.34mas%；百分比为所述Ti的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
23.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述N包含Nb时，所述Nb的含量为0.22mas%或0.27mas%；百分比为所述Nb的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
24.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述N包含Hf时，所述Hf的含量为0~0.47mas%且不为0mas%；百分比为所述Hf的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
25.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述N为Zr和Ti。
26.如权利要求25所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Zr的含量为0.25mas%、0.31mas%、0.32mas%或0.33mas%；百分比为所述Zr的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
27.如权利要求25所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Ti的含量为0.1~0.27mas%；百分比为所述Ti的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
28.如权利要求27所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Ti的含量为0.10mas%、0.15mas%、0.17mas%、0.23mas%、0.24mas%或0.27mas%；百分比为所述Ti的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
29.如权利要求25所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述N为0.33mas% Zr和0.23mas% Ti；或者，0.31mas% Zr和0.24mas% Ti；或者，0.34mas% Zr和0.1mas% Ti；或者，0.32mas% Zr和0.1mas% Ti；或者，0.25mas% Zr和0.27mas% Ti。
30.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述N为Nb和Ti。
31.如权利要求30所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Ti的含量为0.20mas%、0.34mas%或0.37mas%；百分比为所述Ti的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
32.如权利要求30所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述N为0.20mas% Ti和0.40mas% Nb；或者，0.34mas% Ti和0.13mas% Nb；或者，0.37mas% Ti和0.13mas% Nb。
33.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述N为Zr、Nb和Ti。
34.如权利要求33所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Zr、所述Nb和所述Ti的含量之和为0.62 mas%或0.64mas%。
35.如权利要求33所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Zr的含量为0.22mas%或0.23mas%；百分比为所述Zr的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
36.如权利要求33所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Nb的含量为0.14~0.2mas%；百分比为所述Nb的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
37.如权利要求36所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Nb的含量为0.15mas%或0.17mas%；百分比为所述Nb的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
38.如权利要求33所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Ti的含量为0.2~0.3mas%；百分比为所述Ti的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
39.如权利要求38所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Ti的含量为0.22mas%或0.27mas%；百分比为所述Ti的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
40.如权利要求33所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述N为0.23 mas%Zr、0.17mas%Ti和0.22mas%Nb；或者0.22 mas%Zr、0.15mas%Ti和0.27mas%Nb。
41.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R-T-B系永磁材料还包括RH，所述RH为重稀土元素。
42.如权利要求41所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，当所述R-T-B系永磁材料包括RH时，所述R-T-B系永磁材料还包括主相晶粒的壳层。
43.如权利要求42所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述主相晶粒的壳层包括RH2Fe14B晶粒。
44.如权利要求42所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述主相晶粒的壳层分布有RH。
45.如权利要求44所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述RH在所述主相晶粒的壳层的分布量为所述RH的95%以上。
46.如权利要求41所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述RH的种类包括Dy、Tb和Ho中的一种或多种。
47.如权利要求41所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述RH的含量为0.98~2.4mas%；百分比为所述RH占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
48.如权利要求47所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述RH的含量为1.05~2.10mas%；百分比为所述RH占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
49.如权利要求48所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述RH的含量为1.05~1.6mas%；百分比为所述RH占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
50.如权利要求47所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述RH的含量为1.05mas%、1.2mas%、1.3mas%、1.5mas%、1.6mas%、1.65mas%、2.1mas%或2.25mas%；百分比为所述RH占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
51.如权利要求46所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，当所述RH包含Dy时，所述Dy的含量为1.05~1.6mas%；百分比为所述Dy占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
52.如权利要求51所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Dy的含量为1.2mas%、1.3mas%或1.60mas%；百分比为所述Dy占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
53.如权利要求46所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，当所述RH包含Tb时，所述Tb的含量为1.05~1.6mas%；百分比为所述Tb占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
54.如权利要求53所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Tb的含量为1.3mas%；百分比为所述Tb占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
55.如权利要求46所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述RH为Tb；所述Tb的含量为0.98~1.60mas%；百分比为所述Tb的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
56.如权利要求55所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述RH为Tb；所述Tb的含量为1.05~1.60mas%；百分比为所述Tb的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
57.如权利要求56所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述RH为Tb；所述Tb的含量为1.30mas%或1.50mas%；百分比为所述Tb的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
58.如权利要求46所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述RH为Dy；所述Dy的含量为1.00~1.80mas%；百分比为所述Dy的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
59.如权利要求58所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述RH为Dy；所述Dy的含量为1.05~1.60mas；百分比为所述Dy的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
60.如权利要求59所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述RH为Dy；所述Dy的含量为1.20mas%或1.30mas%；百分比为所述Dy的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
61.如权利要求46所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述RH为Tb和Dy。
62.如权利要求61所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Tb的含量为1.00~1.65mas%；百分比为所述Tb的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
63.如权利要求62所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Tb的含量为1.20mas%或1.60mas%；百分比为所述Tb的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
64.如权利要求61所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Dy的含量为1.00~1.60mas%；百分比为所述Dy的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
65.如权利要求64所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Dy的含量为1.05mas%；百分比为所述Dy的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
66.如权利要求61所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述RH为1.20mas% Tb和1.05mas% Dy。
67.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R-T-B系永磁材料还包括Co。
68.如权利要求67所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，当所述R-T-B系永磁材料包括Co时，所述Co为取代主相晶粒中的Fe，并分布在所述主相晶粒的内部；取代主相晶粒中Fe的Co的分布量为所述Co的95%以上。
69.如权利要求68所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，富稀土相和硼化物的晶界处还分布有Co；所述Co在晶界处的分布量为所述Co的5%以下。
70.如权利要求67所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Co的含量为0.8~2.2mas%；百分比为所述Co的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
71.如权利要求70所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Co的含量为1.5~2.0mas%；百分比为所述Co的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
72.如权利要求71所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Co的含量为1.55mas%；百分比为所述Co的质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
73.如权利要求67所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，当所述R-T-B系永磁材料包括Co时，所述Co和所述Fe的原子百分比之和与所述B的原子百分比的比值小于14。
74.如权利要求73所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，当所述R-T-B系永磁材料包括Co时，所述Co和所述Fe的原子百分比之和与所述B的原子百分比的比值为12.65或13.13。
75.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R-T-B系永磁材料包括如下质量含量的组分：
R，29.0~31.0mas%；所述R为至少含有Nd的稀土元素；所述Nd的含量为29.23~29.89mas%；所述R还含有Pr；所述Pr的含量为0~0.3mas%且不为0mas%；
Cu，0.62~0.65mas%；
Ga，0.28~0.32mas%；
B，0.99~1.15mas%；
Fe，64.3~69.3mas%；
N，0.44~0.64mas%；所述N为Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；
所述N包含Zr时，所述Zr的含量为0.22~0.34mas%；所述N包含Ti时，所述Ti的含量为0.1~0.37mas%；所述N包含Nb时，所述Nb的含量为0.13~0.4mas%；
百分比为各组分质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
76.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R-T-B系永磁材料包括如下质量含量的组分：
R，26.5~32.0mas%；所述R为至少含有Nd的稀土元素；所述Nd的含量为29.23~29.89mas%；所述R还含有Pr；所述Pr的含量为0~0.3mas%且不为0mas%；
Cu，0.58~0.65mas%；
Ga，0.21~0.33mas%；
B，0.99~1.15mas%；
Fe，64.0~69.5mas%；
N，0.44~0.64mas%；所述N为Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；
所述N包含Zr时，所述Zr的含量为0.22~0.34mas%；所述N包含Ti时，所述Ti的含量为0.1~0.37mas%；所述N包含Nb时，所述Nb的含量为0.13~0.4mas%；
RH，0.98~2.4mas%；所述RH为Dy、Tb和Ho中的一种或多种；
百分比为各组分质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
77.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R-T-B系永磁材料包括如下质量含量的组分：
R，29.0~31.0mas%；所述R为至少含有Nd的稀土元素；所述Nd的含量为29.23~29.89mas%；所述R还含有Pr；所述Pr的含量为0~0.3mas%且不为0mas%；
Cu，0.62~0.65mas%；
Ga，0.28~0.32mas%；
B，0.99~1.15mas%；
Fe，64.3~69.3mas%；
N，0.44~0.64mas%；所述N为Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；所述N包含Zr时，所述Zr的含量为0.22~0.34mas%；所述N包含Ti时，所述Ti的含量为0.1~0.37mas%；所述N包含Nb时，所述Nb的含量为0.13~0.4mas%；
RH，0.98~2.4mas%；所述RH为Dy、Tb和Ho中的一种或多种；
Co，0.8~2.2mas%；
百分比为各组分质量占所述R-T-B系永磁材料总质量的质量百分比。
78.一种如权利要求1~77中任一项所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：将主合金和辅合金通过双合金法制备即可；
其中，所述的主合金和所述辅合金的中元素的种类分别包括R、Cu、Ga、B、Fe和N。
79.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述主合金与所述辅合金的质量比为（4~49）:1。
80.如权利要求79所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述主合金与所述辅合金的质量比为（9~33）:1。
81.如权利要求80所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述主合金与所述辅合金的质量比为9:1、11.5:1、14.38:1、15.67:1、19:1、24:1或32.33:1。
82.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的主合金中，所述R为至少含有Nd的稀土元素；所述R的含量为29.5mas%、29.6mas%、29.7mas%、29.75mas%或29.85mas%；百分比为所述R的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
83.如权利要求82所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的主合金中，所述Cu的含量为0.3~0.5mas%；百分比为所述Cu的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
84.如权利要求83所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的主合金中，所述Cu的含量为0.345mas%、0.35mas%、0.36mas%、0.38mas%、0.4mas%、0.445mas%、0.45mas%或0.47mas%；百分比为所述Cu的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
85.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的主合金中，所述Ga的含量为0.15~0.38mas%；百分比为所述Ga的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
86.如权利要求85所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的主合金中，所述Ga的含量为0.16mas%、0.29mas%、0.3mas%、0.31mas%、0.33mas%或0.37mas%；百分比为所述Ga的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
87.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的主合金中，所述B的含量为0.9~1.05mas%；百分比为所述B的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
88.如权利要求87所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的主合金中，所述B的含量为1.00mas%、1.02mas%、1.03mas%或1.04mas%；百分比为所述B的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
89.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的主合金中，所述Fe的含量为65.0~72.0mas%；百分比为所述Fe的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
90.如权利要求89所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的主合金中，所述Fe的含量为65.47mas%、66.16mas%、66.17mas%、66.23mas%、66.55mas%、66.95mas%、67.32mas%、67.61mas%、67.62mas%、67.85mas%、67.88mas%、67.94mas%、68.12mas%、68.17mas%、68.28mas%、68.31mas%、68.76mas%、68.81mas%或71.14mas%；百分比为所述Fe的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
91.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的主合金中，所述N的含量为0.1~0.55mas%；百分比为所述N的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
92.如权利要求91所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的主合金中，所述N的含量为0.11mas%、0.16mas%、0.22mas%、0.255mas%、0.265mas%、0.28mas%、0.285mas%、0.29mas%、0.41mas%、0.415mas%、0.42mas%、0.44mas%、0.5mas%或0.52mas%；百分比为所述N的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
93.如权利要求92所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，当N包含Zr时，所述Zr的含量为0.05~0.2mas%；百分比为所述Zr的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
94.如权利要求93所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，当N包含Zr时，所述Zr的含量为0.16mas%；百分比为所述Zr的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
95.如权利要求92所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，当N包含Ti时，所述Ti的含量为0.10~0.3mas%；百分比为所述Ti的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
96.如权利要求95所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，当N包含Ti时，所述Ti的含量为0.11mas%、0.145mas%、0.15mas%、0.16mas%、0.18mas%、0.21mas%、0.22mas%、0.25mas%、0.255mas%、0.265mas%或0.28mas%；百分比为所述Ti的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
97.如权利要求92所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，当N包含Nb时，所述Nb的含量为0.1~0.55mas%；百分比为所述Nb的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
98.如权利要求97所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，当N包含Nb时，所述Nb的含量为0.14mas%、0.21mas%、0.235mas%、0.28mas%、0.5mas%或0.52mas%；百分比为所述Nb的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
99.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述主合金还包括RH，所述RH为重稀土元素。
100.如权利要求99所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述RH的种类包括Dy、Tb和Ho中的一种或多种。
101.如权利要求99所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述RH的含量为0.5~0.8mas%；百分比为所述RH占所述主合金总质量的质量百分比。
102.如权利要求101所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述RH的含量为0.64mas%；百分比为所述RH占所述主合金总质量的质量百分比。
103.如权利要求100所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，当所述RH包含Dy时，所述Dy的含量为0.05~0.35mas%；百分比为所述Dy的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
104.如权利要求103所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，当所述RH包含Dy时，所述Dy的含量为0.32mas%；百分比为所述Dy的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
105.如权利要求100所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，当所述RH包含Tb时，所述Tb的含量为0.05~0.35mas%；百分比为所述Tb的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
106.如权利要求105所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，当所述RH包含Tb时，所述Tb的含量为0.32mas%；百分比为所述Tb的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
107.如权利要求100所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述RH为Tb和Dy。
108.如权利要求107所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述RH为0.32mas% Tb和0.32mas% Dy。
109.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的主合金还包括Co。
110.如权利要求109所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述Co的含量为0.80~2.50mas%；百分比为所述Co的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
111.如权利要求109所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述Co的含量为0.843mas%、1.63mas%、1.726mas%或2.32mas%；百分比为所述Co的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
112.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的主合金包括如下质量含量的组分：
R，26.0~31.5mas%；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Cu，0.3~0.5mas%；
Ga，0.15~0.38mas%；
B，0.9~1.05mas%；
Fe，65.0~72.0mas%；
N，0.1~0.55mas%；所述N为Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；
百分比为各组分的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
113.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的主合金包括如下质量含量的组分：
R，26.0~31.5mas%；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Cu，0.3~0.5mas%；
Ga，0.15~0.38mas%；
B，0.9~1.05mas%；
Fe，65.0~72.0mas%；
N，0.1~0.55mas%；所述N为Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；
RH，0.5~0.8mas%；所述RH为Dy、Tb和Ho中的一种或多种；
百分比为各组分的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
114.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的主合金包括如下质量含量的组分：
R，26.0~31.5mas%；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Cu，0.3~0.5mas%；
Ga，0.15~0.38mas%；
B，0.9~1.05mas%；
Fe，65.0~72.0mas%；
N，0.1~0.55mas%；所述N为Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；
RH，0.5~0.8mas%；所述RH为Dy、Tb和Ho中的一种或多种；
Co，0.80~2.50mas%；
百分比为各组分的质量占所述主合金总质量的质量百分比。
115.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的辅合金中，所述R为至少含有Nd的稀土元素。
116.如权利要求115所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述R的含量为10.0~30.0mas%；百分比为所述R的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
117.如权利要求116所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述R的含量为25.0mas%；百分比为所述R的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
118.如权利要求115所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述Nd的含量为10.0~30.0mas%；百分比为所述Nd的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
119.如权利要求118所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述Nd的含量为25.0mas%；百分比为所述Nd的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
120.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的辅合金中，所述Cu的含量为3.00~6.00mas%；百分比为所述Cu的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
121.如权利要求120所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的辅合金中，所述Cu的含量为5.00mas%或5.5mas%；百分比为所述Cu的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
122.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的辅合金中，所述Ga的含量为3.00~6.00mas%；百分比为所述Ga的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
123.如权利要求122所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的辅合金中，所述Ga的含量为3.50mas%或5.00mas%；百分比为所述Ga的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
124.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的辅合金中，所述B的含量为0.30~0.70mas%；百分比为所述B的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
125.如权利要求124所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的辅合金中，所述B的含量为0.40mas%、0.50mas%或0.60mas%；百分比为所述B的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
126.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的辅合金中，所述Fe的含量为34.0~68.5mas%；百分比为所述Fe的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
127.如权利要求126所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的辅合金中，所述Fe的含量为34.4mas%、42mas%、43.7mas%、44mas%、44.5mas%、45mas%、45.5mas%、46.5mas%、47mas%、53.2mas%或68.2mas；百分比为所述Fe的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
128.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的辅合金中，所述N的含量为3.00~6.00mas%；百分比为所述N的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
129.如权利要求128所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的辅合金中，所述N的含量为3.00mas%、3.3mas%、4mas%、4.5mas%、5.00mas%、5.50mas%或5.80mas%；百分比为所述N的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
130.如权利要求128所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，当N包含Zr时，所述Zr的含量为3.00~5.60mas%；百分比为所述Zr的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
131.如权利要求130所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，当N包含Zr时，所述Zr的含量为3.3mas%、4mas%、4.5mas%、5mas%或5.50mas%；百分比为所述Zr的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
132.如权利要求128所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，当N包含Ti时，所述Ti的含量为3.0~5.00mas%；百分比为所述Ti的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
133.如权利要求132所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，当N包含Ti时，所述Ti的含量为4mas%或4.5mas%；百分比为所述Ti的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
134.如权利要求128所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，当N包含Nb时，所述Nb的含量为3.5~6.00mas%；百分比为所述Nb的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
135.如权利要求134所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，当N包含Nb时，所述Nb的含量为4mas%或5.8mas%；百分比为所述Nb的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
136.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述辅合金还包括RH，所述RH为重稀土元素。
137.如权利要求136所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述RH的种类包括Dy、Tb和Ho中的一种或多种。
138.如权利要求136所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述RH的含量为30.00~40.00mas%；百分比为所述RH占所述辅合金总质量的质量百分比。
139.如权利要求138所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述RH的含量为37.5mas%；百分比为所述RH占所述辅合金总质量的质量百分比。
140.如权利要求137所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，当所述RH包含Dy时，所述Dy的含量为12.00~25.00mas%；百分比为所述Dy占所述辅合金总质量的质量百分比。
141.如权利要求140所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，当所述RH包含Dy时，所述Dy的含量为15mas%、17.5mas%或20.00mas%；百分比为所述Dy占所述辅合金总质量的质量百分比。
142.如权利要求137所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，当所述RH包含Tb时，所述Tb的含量为10.00~25.0mas%；百分比为所述Tb占所述辅合金总质量的质量百分比。
143.如权利要求142所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，当所述RH包含Tb时，所述Tb的含量为20mas%；百分比为所述Tb占所述辅合金总质量的质量百分比。
144.如权利要求137所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述RH为Tb和Dy。
145.如权利要求137所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述RH为20mas% Tb和17.5mas% Dy，或者，15mas% Tb和15mas% Dy。
146.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的辅合金包括如下质量含量的组分：
R，10.0~30.0mas%；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Cu，3.00~6.00mas%；
Ga，3.00~6.00mas%；
B，0.30~0.70mas%；
Fe，34.0~68.5mas%；
N，3.00~6.00mas%；所述N为Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；
百分比为各组分的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
147.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的辅合金包括如下质量含量的组分：
R，10.0~30.0mas%；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Cu，3.00~6.00mas%；
Ga，3.00~6.00mas%；
B，0.30~0.70mas%；
Fe，34.0~68.5mas%；
N，3.00~6.00mas%；所述N为Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种；
RH，30.00~40.00mas%；所述RH为Dy、Tb和Ho中的一种或多种；
百分比为各组分的质量占所述辅合金总质量的质量百分比。
148.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的双合金法的制备工艺为将主合金和辅合金的混合合金粉依次经烧结、时效处理即可。
149.如权利要求148所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的混合合金粉为通过主合金和辅合金混合得到。
150.如权利要求149所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的混合为混合均匀。
151.如权利要求150所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的混合均匀为将主合金和辅合金混合后经氢破和气流磨处理，或者，分别将所述的主合金和辅合金经氢破和气流磨处理后混匀。
152.如权利要求151所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述氢破为在0.067～0.098MPa的氢气压力下饱和吸氢，在480℃～580℃内脱氢。
153.如权利要求152所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述氢破为在0.067～0.098MPa的氢气压力下饱和吸氢，在550℃下脱氢。
154.如权利要求151所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，经所述气流磨处理后的粉体的粒径为3.8~4.2μm。
155.如权利要求154所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，经所述气流磨处理后的粉体的粒径为3.9μm。
156.如权利要求148所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述烧结的温度为1000℃以上。
157.如权利要求156所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述烧结的温度为1050~1200℃。
158.如权利要求157所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述烧结的温度为1070℃。
159.如权利要求148所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述烧结的时间为4~7h。
160.如权利要求159所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述烧结的时间为6h。
161.如权利要求148所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述烧结还包括返烧步骤。
162.如权利要求161所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述返烧的温度为1050~1100℃。
163.如权利要求162所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述返烧的温度为1080℃。
164.如权利要求161所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述返烧的时间为3~5h。
165.如权利要求164所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述返烧的时间为4h。
166.如权利要求148所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述时效处理包括一级时效处理和二级时效处理。
167.如权利要求166所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述一级时效处理为在氩气气氛条件下进行；所述氩气气氛中氩气的纯度为99.9%以上。
168.如权利要求166所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述一级时效处理的温度为800~950℃。
169.如权利要求168所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述一级时效处理的温度为900℃。
170.如权利要求166所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述一级时效处理的时间为2~4h。
171.如权利要求170所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述一级时效处理的时间为3h。
172.如权利要求166所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述二级时效处理的温度为430~490℃。
173.如权利要求172所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述二级时效处理的温度为490℃。
174.如权利要求166所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述二级时效处理的时间为2~4h。
175.如权利要求174所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述二级时效处理的时间为3h。
176.如权利要求166所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，升温至所述一级时效处理的温度或所述二级时效处理的温度的速率为3~5℃/min。
177.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述主合金的制备方法为将主合金中的各元素制备成主合金溶液；再将主合金溶液通过旋转的铜辊辊轮，并依次经过精炼和浇铸，冷却后制得主合金铸片。
178.如权利要求177所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述铜辊辊轮的转速为40±0.2rpm。
179.如权利要求177所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述精炼的温度为1520±20℃。
180.如权利要求177所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述浇铸的温度为1420±10℃。
181.如权利要求177所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述冷却为冷却至50℃以下。
182.如权利要求78所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述辅合金的制备方法为将辅合金中的各元素制备成辅合金溶液；再将辅合金溶液通过旋转的铜辊辊轮，并依次经过精炼和浇铸，冷却后制得辅合金铸片。
183.如权利要求182所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述铜辊辊轮的转速为40±0.2rpm。
184.如权利要求182所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述精炼的温度为1400~1570℃。
185.如权利要求182所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述浇铸的温度为1420~1470℃。
186.如权利要求182所述的R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述冷却为冷却至50℃以下。
187.一种R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R-T-B系永磁材料由权利要求78~186中任一项所述的R-T-B系永磁材料的制备方法制得。
188.一种如权利要求1~77和187中任一项所述的R-T-B系永磁材料作为电子元器件的应用。
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