CN113013177B - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
显示面板及其制作方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113013177B CN113013177B CN201911326560.5A CN201911326560A CN113013177B CN 113013177 B CN113013177 B CN 113013177B CN 201911326560 A CN201911326560 A CN 201911326560A CN 113013177 B CN113013177 B CN 113013177B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- organic material
- area
- display area
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 154
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 315
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 17
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 8
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 7
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 18
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 17
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，显示面板，包括显示区和开孔区，所述显示区围绕所述开孔区，所述显示面板在所述开孔区设置有有机材料层，使得所述显示面板位于所述开孔区的表面与所述显示面板位于所述显示区的表面的段差小于阈值，所述阈值为4um。通过本发明的技术方案，能够节省显示装置的制作工艺，加快显示装置的生产节拍，降低显示装置的生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是指一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
在全面屏显示产品中，在显示屏幕上进行打孔，将摄像头、传感器等器件安装在打孔区域，这样可以减少摄像头、传感器等器件占据的空间，增大屏占比。
相关技术中，在制作OLED显示面板时，为了方便后续对开孔区进行切割，在制作OLED显示面板时就去除开孔区的显示膜层，这样OLED显示面板位于开孔区的表面与OLED显示面板位于显示区的表面的段差比较大，在8-10um。后续在OLED显示面板上形成触控功能层时，出于工艺需求，需要首先对OLED显示面板进行平坦化处理，可以采用涂覆的方式在OLED显示面板上涂覆平坦化材料，但一次涂覆的厚度最多为4um，这样需要执行至少两次涂覆工艺，导致OLED显示面板的制作工艺较多，增加了OLED显示面板的生产时间，使得OLED显示面板的生产成本较高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，能够节省显示装置的制作工艺，加快显示装置的生产节拍，降低显示装置的生产成本。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
一方面，提供一种显示面板，包括显示区和开孔区，所述显示区围绕所述开孔区，所述显示面板在所述开孔区设置有有机材料层，使得所述显示面板位于所述开孔区的表面与所述显示面板位于所述显示区的表面的段差小于阈值，所述阈值为4um。
可选地，所述显示区包括：
位于衬底基板上的薄膜晶体管阵列层；
覆盖所述薄膜晶体管阵列层的平坦层；
位于所述平坦层上的像素界定层；
所述有机材料层包括层叠设置的第一有机材料子层和第二有机材料子层，所述第一有机材料子层与所述显示区的像素界定层采用相同的材料，所述第二有机材料子层与所述显示区的平坦层采用相同的材料。
可选地，所述第一有机材料子层的厚度大于所述显示区的像素界定层的厚度；
所述第二有机材料子层的厚度大于所述显示区的平坦层的厚度。
可选地，还包括：
覆盖所述开孔区和所述显示区的薄膜封装层。
本发明的实施例还提供了一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括显示区和开孔区，所述显示区围绕所述开孔区，所述显示区包括：位于衬底基板上的薄膜晶体管阵列层，覆盖所述薄膜晶体管阵列层的平坦层，位于所述平坦层上的像素界定层，所述制作方法包括：
通过一次构图工艺形成位于所述开孔区的第二有机材料子层和所述平坦层；
通过一次构图工艺形成位于所述开孔区的第一有机材料子层和所述像素界定层，所述第一有机材料子层与所述第二有机材料子层组成有机材料层。
可选地，所述显示面板位于所述开孔区的表面与所述显示面板位于所述显示区的表面的段差小于阈值，所述阈值为4um。
可选地，通过一次构图工艺形成位于所述开孔区的第二有机材料子层和所述平坦层包括：
形成感光有机材料层；
利用灰色调掩膜板对所述感光有机材料层进行曝光，所述灰色调掩膜板包括对应所述显示区的部分透光图形和对应所述开孔区的不透光图形；
显影后，所述开孔区的所述感光有机材料层被保留，形成位于所述开孔区的第二有机材料子层，所述显示区的部分所述感光有机材料层被去除，形成位于所述显示区的平坦层，所述第二有机材料子层的厚度大于所述显示区的平坦层的厚度。
可选地，通过一次构图工艺形成位于所述开孔区的第一有机材料子层和所述像素界定层包括：
形成感光有机材料层；
利用灰色调掩膜板对所述感光有机材料层进行曝光，所述灰色调掩膜板包括对应所述显示区的部分透光图形和对应所述开孔区的不透光图形；
显影后，所述开孔区的所述感光有机材料层被保留，形成位于所述开孔区的第一有机材料子层，所述显示区的部分所述感光有机材料层被去除，形成位于所述显示区的像素界定层，所述第一有机材料子层的厚度大于所述显示区的像素界定层的厚度。
可选地，还包括：
形成覆盖所述开孔区和所述显示区的薄膜封装层。
本发明的实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示面板，还包括位于所述显示面板的薄膜封装层上的平坦化层，位于所述平坦化层上的触控功能层。
本发明的实施例具有以下有益效果：
上述方案中，显示面板位于开孔区的表面与显示面板位于显示区的表面的段差小于阈值，这样显示面板位于开孔区的表面与显示面板位于显示区的表面之间的段差比较小，可以不大于一次涂覆工艺所形成的平坦化材料的厚度，这样后续在进行平坦化工艺时，在显示面板上进行一次涂覆工艺即可得到平坦的表面，能够节省显示装置的制作工艺，加快显示装置的生产节拍，降低显示装置的生产成本。
附图说明
图1为显示产品的示意图；
图2为相关技术显示面板的截面示意图；
图3为本发明实施例显示面板的截面示意图。
附图标记
1、14 开孔区
2 显示区
3 基板
4 平坦层
5 阳极
6 像素界定层
7 阴极
8 第一无机薄膜
9 有机薄膜
10 第二无机薄膜
11 发光层
12 第二隔离子墙
13 第一隔离子墙
15 第二有机材料子层
16 第一有机材料子层
17 显示区和开孔区之间的区域
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
如图1所示，显示产品中设置有开孔区1，显示区2围绕开孔区1，开孔区用于容置摄像头、传感器等器件，开孔区1可以为圆形、矩形或者异形，在开孔区1为圆形时，开孔区1的直径可以在4-10mm。
相关技术中，在制作OLED显示基板时，为了方便后续对开孔区2进行切割，在制作OLED显示基板时就去除开孔区2的显示膜层。如图2所示，在显示区，基板3上设置有平坦层4，位于平坦层4上的阳极5，像素界定层6，位于像素界定层6限定的区域内的发光层11，阴极7，第一无机薄膜8，有机薄膜9，第二无机薄膜10，其中，第一无机薄膜8，有机薄膜9，第二无机薄膜10组成封装薄膜层；在开孔区14，基板3上仅设置有薄膜封装层中的第一无机薄膜8和第二无机薄膜10。由图2可以看出，显示面板位于开孔区14的表面与显示面板位于显示区的表面的段差为D1，D1的值通常比较大，在8-10um。后续在显示面板上形成触控功能层时，出于工艺需求，需要对显示面板进行平坦化处理，目前可以采用涂覆的方式在显示面板上涂覆平坦化材料，但一次涂覆的厚度最多为4um，由于D1的值较大，需要执行至少两次涂覆工艺，导致显示面板的制作工艺较多，增加了显示面板的生产时间，使得显示面板的生产成本较高。
为了解决上述问题，本发明的实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，能够节省显示装置的制作工艺，加快显示装置的生产节拍，降低显示装置的生产成本。
本发明的实施例提供一种显示面板，包括显示区和开孔区，所述显示区围绕所述开孔区，所述显示面板在所述开孔区设置有有机材料层，使得所述显示面板位于所述开孔区的表面与所述显示面板位于所述显示区的表面的段差小于阈值，所述阈值为4um。
本实施例中，显示面板位于开孔区的表面与显示面板位于显示区的表面的段差小于阈值，这样显示面板位于开孔区的表面与显示面板位于显示区的表面之间的段差比较小，可以不大于一次涂覆工艺所形成的平坦化材料的厚度，这样后续在进行平坦化工艺时，在显示面板上进行一次涂覆工艺即可得到平坦的表面，能够节省显示装置的制作工艺，加快显示装置的生产节拍，降低显示装置的生产成本。
由于有机材料的形成厚度一般比较大，为微米级别，大于无机材料的形成厚度(纳米级别)，因此，可以在开孔区形成有机材料层，利用有机材料层来降低显示面板位于开孔区的表面与显示面板位于显示区的表面之间的段差。
由于一次涂覆所形成的平坦化材料的厚度为4um左右，因此，所述阈值可以为4um，即显示面板位于开孔区的表面与显示面板位于显示区的表面之间的段差不大于4um，这样后续在进行平坦化工艺时，在显示面板上进行一次涂覆工艺即可得到平坦的表面。
具体地，所述显示面板位于所述开孔区的表面与所述显示面板位于所述显示区的表面的段差可以为2-4um。
为了不增加额外的构图工艺，可以在形成显示区的部分功能膜层的同时，在开孔区也形成功能膜层，这样能够增加显示面板在开孔区的厚度，减少显示面板位于开孔区的表面与显示面板位于显示区的表面之间的段差。即，所述有机材料层与所述显示区的部分功能膜层采用相同的材料。
一具体示例中，所述显示区包括：
位于衬底基板上的薄膜晶体管阵列层；
覆盖所述薄膜晶体管阵列层的平坦层；
位于所述平坦层上的像素界定层；
其中，显示区的像素界定层和平坦层采用有机材料制成，因此，可以在形成显示区的像素界定层和平坦层的同时，在开孔区形成相同材料的有机材料层。
可选地，所述有机材料层包括层叠设置的第一有机材料子层和第二有机材料子层，所述第一有机材料子层与所述显示区的像素界定层采用相同的材料，所述第二有机材料子层与所述显示区的平坦层采用相同的材料，这样可以在形成显示区的像素界定层的同时，在开孔区形成第一有机材料层；在形成显示区的平坦层的同时，在开孔区形成第二有机材料层。
如图2所示，相关技术中，在显示区设置有像素界定层6和平坦层4，在开孔区14未保留像素界定层6和平坦层4，导致显示面板位于开孔区14的表面与显示面板位于显示区的表面的段差D1为8-10um左右。
如图3所示，本实施例中，在开孔区14设置有第二有机材料子层15和第二有机材料子层16，第二有机材料子层15采用与平坦层4相同的材料，第二有机材料子层16采用与像素界定层6相同的材料，通过第二有机材料子层15和第二有机材料子层16组成有机材料层，增加显示面板在开孔区的厚度，可以使得显示面板位于开孔区14的表面与显示面板位于显示区的表面的段差降低至D2，D2在2-4um。
其中，第二有机材料子层15的厚度可以与显示区的平坦层4的厚度相同，也可以小于显示区的平坦层4的厚度，也可以大于显示区的平坦层4的厚度；第二有机材料子层16的厚度可以与显示区的像素界定层6的厚度相同，也可以小于显示区的像素界定层6的厚度，也可以大于显示区的像素界定层6的厚度，只要保证显示面板位于开孔区14的表面与显示面板位于显示区的表面的段差不大于4um即可。
在第二有机材料子层15的厚度与显示区的平坦层4的厚度不同时，可以采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板来制作第二有机材料子层15和平坦层4；在第二有机材料子层16的厚度与显示区的像素界定层6的厚度不同时，可以采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板来制作第二有机材料子层16和像素界定层6。
一具体示例中，所述第一有机材料子层的厚度可以大于所述显示区的像素界定层的厚度；所述第二有机材料子层的厚度可以大于所述显示区的平坦层的厚度。
具体地，如图3所示，在显示区靠近开孔区的边缘设置有隔离墙，隔离墙限定出开孔区，隔离墙包括第二隔离子墙12和第一隔离子墙13，第二隔离子墙12与平坦层4采用相同的材料，第一隔离子墙13与像素界定层6采用相同的材料。相关技术中，第二隔离子墙12的厚度与显示区的平坦层4的厚度相同，可以在2um左右，第一隔离子墙13的厚度可以比显示区的像素界定层6的厚度大2um左右。本实施例中，显示区的平坦层4的厚度可以仍为2um左右，第二有机材料子层15的厚度可以为4um左右，显示区的像素界定层6的厚度可以为2um左右，第二有机材料子层16的厚度可以为4um左右，第二有机材料子层16的厚度可以与第一隔离子墙13的厚度相同，这样可以使得显示面板位于开孔区14的表面与显示面板位于显示区的表面的段差在2-4um。
进一步地，显示面板还包括覆盖所述开孔区和所述显示区的薄膜封装层。如图3所示，薄膜封装层由第一无机薄膜8，有机薄膜9和第二无机薄膜10组成，其中，有机薄膜9仅设置在显示区，在隔离墙和开孔区位置处仅设置有第一无机薄膜8和第二无机薄膜10。显示面板的表面即为薄膜封装层远离基板3的表面。
在利用显示面板制备显示装置时，需要去除开孔区，以便在开孔区容置摄像头、传感器等器件。为了方便去除开孔区，开孔区的有机材料层与显示区的膜层可以是相互独立的，如图3所述，在开孔区和显示区之间的区域17仅设置有第一无机薄膜8和第二无机薄膜10，开孔区的第二有机材料子层15与第二隔离子墙12相互独立，第一有机材料子层16与第一隔离子墙13相互独立。
本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，显示面板包括显示区和开孔区，所述显示区围绕所述开孔区，所述显示区包括：位于衬底基板上的薄膜晶体管阵列层，覆盖所述薄膜晶体管阵列层的平坦层，位于所述平坦层上的像素界定层，所述制作方法包括：
通过一次构图工艺形成位于所述开孔区的第二有机材料子层和所述平坦层；
通过一次构图工艺形成位于所述开孔区的第一有机材料子层和所述像素界定层，所述第一有机材料子层与所述第二有机材料子层组成有机材料层。
本实施例中，在开孔区设置有机材料层，这样可以使得显示面板位于开孔区的表面与显示面板位于显示区的表面之间的段差比较小，可以不大于一次涂覆工艺所形成的平坦化材料的厚度，这样后续在进行平坦化工艺时，在显示面板上进行一次涂覆工艺即可得到平坦的表面，能够节省显示装置的制作工艺，加快显示装置的生产节拍，降低显示装置的生产成本。
由于有机材料的形成厚度一般比较大，为微米级别，大于无机材料的形成厚度(纳米级别)，因此，可以在开孔区形成有机材料层，利用有机材料层来降低显示面板位于开孔区的表面与显示面板位于显示区的表面之间的段差。
在形成有机材料层后，所述显示面板位于所述开孔区的表面与所述显示面板位于所述显示区的表面的段差小于阈值，由于一次涂覆所形成的平坦化材料的厚度为4um左右，因此，所述阈值可以为4um，即显示面板位于开孔区的表面与显示面板位于显示区的表面之间的段差不大于4um，这样后续在进行平坦化工艺时，在显示面板上进行一次涂覆工艺即可得到平坦的表面。
具体地，所述显示面板位于所述开孔区的表面与所述显示面板位于所述显示区的表面的段差可以为2-4um。
为了不增加额外的构图工艺，本实施例在形成显示区的部分功能膜层的同时，在开孔区也形成功能膜层，即，在形成显示区的部分功能膜层时，通过相同的构图工艺在所述开孔区形成有机材料层。显示区的像素界定层和平坦层采用有机材料制成，因此，在形成显示区的像素界定层和平坦层的同时，在开孔区形成相同材料的有机材料层。
如图2所示，相关技术中，在显示区设置有像素界定层6和平坦层4，在开孔区14未保留像素界定层6和平坦层4，导致显示面板位于开孔区14的表面与显示面板位于显示区的表面的段差D1为8-10um左右。
如图3所示，本实施例中，在开孔区14设置有第二有机材料子层15和第二有机材料子层16，第二有机材料子层15采用与平坦层4相同的材料，第二有机材料子层16采用与像素界定层6相同的材料，通过第二有机材料子层15和第二有机材料子层16组成有机材料层，增加显示面板在开孔区的厚度，可以使得显示面板位于开孔区14的表面与显示面板位于显示区的表面的段差降低至D2，D2在2-4um。
其中，第二有机材料子层15的厚度可以与显示区的平坦层4的厚度相同，也可以小于显示区的平坦层4的厚度，也可以大于显示区的平坦层4的厚度；第二有机材料子层16的厚度可以与显示区的像素界定层6的厚度相同，也可以小于显示区的像素界定层6的厚度，也可以大于显示区的像素界定层6的厚度，只要保证显示面板位于开孔区14的表面与显示面板位于显示区的表面的段差不大于4um即可。
在第二有机材料子层15的厚度与显示区的平坦层4的厚度不同时，可以采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板来制作第二有机材料子层15和平坦层4；在第二有机材料子层16的厚度与显示区的像素界定层6的厚度不同时，可以采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板来制作第二有机材料子层16和像素界定层6。
一具体实施例中，通过一次构图工艺形成位于所述开孔区的第二有机材料子层和所述平坦层包括：
形成感光有机材料层；
利用灰色调掩膜板对所述感光有机材料层进行曝光，所述灰色调掩膜板包括对应所述显示区的部分透光图形和对应所述开孔区的不透光图形；
显影后，所述开孔区的所述感光有机材料层被保留，形成位于所述开孔区的第二有机材料子层，所述显示区的部分所述感光有机材料层被去除，形成位于所述显示区的平坦层，所述第二有机材料子层的厚度大于所述显示区的平坦层的厚度。
另一具体实施例中，通过一次构图工艺形成位于所述开孔区的第一有机材料子层和所述像素界定层包括：
形成感光有机材料层；
利用灰色调掩膜板对所述感光有机材料层进行曝光，所述灰色调掩膜板包括对应所述显示区的部分透光图形和对应所述开孔区的不透光图形；
显影后，所述开孔区的所述感光有机材料层被保留，形成位于所述开孔区的第一有机材料子层，所述显示区的部分所述感光有机材料层被去除，形成位于所述显示区的像素界定层，所述第一有机材料子层的厚度大于所述显示区的像素界定层的厚度。
具体地，如图3所示，在显示区靠近开孔区的边缘设置有隔离墙，隔离墙限定出开孔区，隔离墙包括第二隔离子墙12和第一隔离子墙13，第二隔离子墙12与平坦层4采用相同的材料，第一隔离子墙13与像素界定层6采用相同的材料。相关技术中，第二隔离子墙12的厚度与显示区的平坦层4的厚度相同，可以在2um左右，第一隔离子墙13的厚度可以比显示区的像素界定层6的厚度大2um左右。本实施例中，显示区的平坦层4的厚度可以仍为2um左右，第二有机材料子层15的厚度可以为4um左右，显示区的像素界定层6的厚度可以为2um左右，第二有机材料子层16的厚度可以为4um左右，第二有机材料子层16的厚度可以与第一隔离子墙13的厚度相同，这样可以使得显示面板位于开孔区14的表面与显示面板位于显示区的表面的段差在2-4um。
进一步地，显示面板还包括覆盖所述开孔区和所述显示区的薄膜封装层。
显示面板的制作方法还包括：
形成覆盖所述开孔区和所述显示区的薄膜封装层。
如图3所示，薄膜封装层由第一无机薄膜8，有机薄膜9和第二无机薄膜10组成，其中，有机薄膜9仅设置在显示区，在隔离墙和开孔区位置处仅设置有第一无机薄膜8和第二无机薄膜10。
在利用显示面板制备显示装置时，需要去除开孔区，以便在开孔区容置摄像头、传感器等器件。为了方便去除开孔区，开孔区的有机材料层与显示区的膜层可以是相互独立的，如图3所述，在开孔区和显示区之间的区域17仅设置有第一无机薄膜8和第二无机薄膜10，开孔区的第二有机材料子层15与第二隔离子墙12相互独立，第一有机材料子层16与第一隔离子墙13相互独立。
一具体实施例中，在开孔区的第二有机材料子层15与第二隔离子墙12相互独立时，所述制作方法具体包括：
形成感光有机材料层；
利用灰色调掩膜板对所述感光有机材料层进行曝光，所述灰色调掩膜板包括对应所述显示区的部分透光图形、对应所述开孔区的不透光图形和对应所述区域17的透光图形；
显影后，所述开孔区的所述感光有机材料层被保留，形成位于所述开孔区的第二有机材料子层15，所述显示区的部分所述感光有机材料层被去除，形成位于所述显示区的平坦层4和第二隔离子墙12，所述第二有机材料子层的厚度大于所述显示区的平坦层4和第二隔离子墙12的厚度；区域17的感光有机材料层被全部去除。
另一具体实施例中，在开孔区的第一有机材料子层16与第一隔离子墙13相互独立时，所述制作方法具体包括：
形成感光有机材料层；
利用灰色调掩膜板对所述感光有机材料层进行曝光，所述灰色调掩膜板包括对应所述显示区的部分透光图形和对应所述开孔区的不透光图形；
显影后，所述开孔区的所述感光有机材料层被保留，形成位于所述开孔区的第一有机材料子层16，所述显示区的部分所述感光有机材料层被去除，形成位于所述显示区的像素界定层6和第一隔离子墙13，所述第一有机材料子层16的厚度大于所述显示区的像素界定层6的厚度；区域17的感光有机材料层被全部去除。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示面板，还包括位于所述显示面板的薄膜封装层上的平坦化层，位于所述平坦化层上的触控功能层。
其中，在形成该平坦化层时，由于显示面板位于开孔区的表面与显示面板位于显示区的表面之间的段差比较小，不大于一次涂覆工艺所形成的平坦化材料的厚度，因此，在显示面板上进行一次涂覆工艺即可完成平坦化层的制备。
在制作显示装置时，可以将所述显示面板切割成多个基板，并去除所述开孔区，具体地，可以采用激光切割或者机械冲压的方式形成所述开孔区。
该显示装置包括但不限于：射频单元、网络模块、音频输出单元、输入单元、传感器、显示单元、用户输入单元、接口单元、存储器、处理器、以及电源等部件。本领域技术人员可以理解，上述显示装置的结构并不构成对显示装置的限定，显示装置可以包括上述更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。在本发明实施例中，显示装置包括但不限于显示器、手机、平板电脑、电视机、可穿戴电子设备、导航显示设备等。
所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (7)
1.一种显示面板，包括显示区和开孔区，所述显示区围绕所述开孔区，其特征在于，所述显示面板在所述开孔区设置有有机材料层，使得所述显示面板位于所述开孔区的表面与所述显示面板位于所述显示区的表面的段差小于阈值，所述阈值为4um；
所述有机材料层包括层叠设置的第一有机材料子层和第二有机材料子层，所述第一有机材料子层的厚度大于所述显示区的像素界定层的厚度；所述第二有机材料子层的厚度大于所述显示区的平坦层的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示区包括：
位于衬底基板上的薄膜晶体管阵列层；
覆盖所述薄膜晶体管阵列层的平坦层；
位于所述平坦层上的像素界定层；
所述第一有机材料子层与所述显示区的像素界定层采用相同的材料，所述第二有机材料子层与所述显示区的平坦层采用相同的材料。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的显示面板，其特征在于，还包括：
覆盖所述开孔区和所述显示区的薄膜封装层。
4.一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括显示区和开孔区，所述显示区围绕所述开孔区，所述显示区包括：位于衬底基板上的薄膜晶体管阵列层，覆盖所述薄膜晶体管阵列层的平坦层，位于所述平坦层上的像素界定层，其特征在于，所述制作方法包括：
通过一次构图工艺形成位于所述开孔区的第二有机材料子层和所述平坦层；
通过一次构图工艺形成位于所述开孔区的第一有机材料子层和所述像素界定层，所述第一有机材料子层与所述第二有机材料子层组成有机材料层；
通过一次构图工艺形成位于所述开孔区的第二有机材料子层和所述平坦层包括：
形成感光有机材料层；利用灰色调掩膜板对所述感光有机材料层进行曝光，所述灰色调掩膜板包括对应所述显示区的部分透光图形和对应所述开孔区的不透光图形；显影后，所述开孔区的所述感光有机材料层被保留，形成位于所述开孔区的第二有机材料子层，所述显示区的部分所述感光有机材料层被去除，形成位于所述显示区的平坦层，所述第二有机材料子层的厚度大于所述显示区的平坦层的厚度；
和/或
通过一次构图工艺形成位于所述开孔区的第一有机材料子层和所述像素界定层包括：
形成感光有机材料层；利用灰色调掩膜板对所述感光有机材料层进行曝光，所述灰色调掩膜板包括对应所述显示区的部分透光图形和对应所述开孔区的不透光图形；显影后，所述开孔区的所述感光有机材料层被保留，形成位于所述开孔区的第一有机材料子层，所述显示区的部分所述感光有机材料层被去除，形成位于所述显示区的像素界定层，所述第一有机材料子层的厚度大于所述显示区的像素界定层的厚度。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示面板位于所述开孔区的表面与所述显示面板位于所述显示区的表面的段差小于阈值，所述阈值为4um。
6.根据权利要求4-5中任一项所述的显示面板的制作方法，其特征在于，还包括：
形成覆盖所述开孔区和所述显示区的薄膜封装层。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-3中任一项所述的显示面板，还包括位于所述显示面板的薄膜封装层上的平坦化层，位于所述平坦化层上的触控功能层。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911326560.5A CN113013177B (zh) | 2019-12-20 | 2019-12-20 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
| US16/926,486 US11696464B2 (en) | 2019-12-20 | 2020-07-10 | Display panel, manufacturing method thereof and display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911326560.5A CN113013177B (zh) | 2019-12-20 | 2019-12-20 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113013177A CN113013177A (zh) | 2021-06-22 |
| CN113013177B true CN113013177B (zh) | 2024-05-07 |
Family
ID=76382697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911326560.5A Active CN113013177B (zh) | 2019-12-20 | 2019-12-20 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11696464B2 (zh) |
| CN (1) | CN113013177B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107255896A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-10-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种显示面板、阵列基板及其制造方法 |
| CN109378316A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-02-22 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
| CN209401262U (zh) * | 2019-01-18 | 2019-09-17 | 苏州欧菲光科技有限公司 | 显示屏、触控显示模组及电子终端 |
| CN110429118A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-08 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102326069B1 (ko) * | 2015-07-29 | 2021-11-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 |
| KR20200098742A (ko) * | 2019-02-11 | 2020-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20200115943A (ko) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조방법 |
| KR20200118266A (ko) * | 2019-04-03 | 2020-10-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
-
2019
- 2019-12-20 CN CN201911326560.5A patent/CN113013177B/zh active Active
-
2020
- 2020-07-10 US US16/926,486 patent/US11696464B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107255896A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-10-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种显示面板、阵列基板及其制造方法 |
| CN109378316A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-02-22 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
| CN209401262U (zh) * | 2019-01-18 | 2019-09-17 | 苏州欧菲光科技有限公司 | 显示屏、触控显示模组及电子终端 |
| CN110429118A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-08 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210193961A1 (en) | 2021-06-24 |
| US11696464B2 (en) | 2023-07-04 |
| CN113013177A (zh) | 2021-06-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11101339B2 (en) | Flexible display panel and manufacturing method thereof, and display device | |
| CN110034152B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| CN111180496B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置 | |
| CN107731888B (zh) | 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置 | |
| CN106086781B (zh) | 掩膜组件及其制造方法、显示装置 | |
| EP3179513B1 (en) | Organic electroluminescent display panel and manufacturing method therefor, and display device | |
| US11581511B2 (en) | Display panel and display device including the same | |
| CN110212091B (zh) | 蒸镀掩膜板、oled显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| US10381382B2 (en) | Array substrate, method for manufacturing the same and display device | |
| KR20220037524A (ko) | 디스플레이 패널의 제조 방법, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치 | |
| US11538883B2 (en) | OLED display panel and OLED device with wire overlying step in via-holes, and manufacturing method thereof | |
| US10651244B2 (en) | Touch display panel, method for fabricating the same, and display device | |
| CN111092098A (zh) | 显示基板及其制备方法和显示面板、显示装置 | |
| CN110176474B (zh) | 显示面板及其制造方法、显示装置 | |
| CN112071866B (zh) | 显示面板及制备方法 | |
| CN105633099B (zh) | 一种阵列基板、其制作方法及显示面板 | |
| CN109904118A (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| CN111524957B (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN107369777B (zh) | 一种oled基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN113725232A (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN109449186B (zh) | Oled显示基板母板及其制作方法、和oled显示装置 | |
| CN111564572A (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| CN113540201B (zh) | 显示基板及显示装置 | |
| EP3690619B1 (en) | Touch panel, manufacturing method thereof and display device | |
| CN113013177B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |