CN112850649B - 一种铋氧溴纳米片的制备方法 - Google Patents
一种铋氧溴纳米片的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112850649B CN112850649B CN202011601059.8A CN202011601059A CN112850649B CN 112850649 B CN112850649 B CN 112850649B CN 202011601059 A CN202011601059 A CN 202011601059A CN 112850649 B CN112850649 B CN 112850649B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- adjusting
- bismuth
- bismuth nitrate
- ammonium bromide
- reaction kettle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002135 nanosheet Substances 0.000 title claims abstract description 37
- OZKCXDPUSFUPRJ-UHFFFAOYSA-N oxobismuth;hydrobromide Chemical compound Br.[Bi]=O OZKCXDPUSFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 46
- RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N hydron;methyl 4-methoxypyridine-2-carboxylate;chloride Chemical compound Cl.COC(=O)C1=CC(OC)=CC=N1 RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- SWLVFNYSXGMGBS-UHFFFAOYSA-N ammonium bromide Chemical compound [NH4+].[Br-] SWLVFNYSXGMGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 15
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 9
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims abstract description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 30
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 2
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 abstract description 2
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 6
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 238000004729 solvothermal method Methods 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical group [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010335 hydrothermal treatment Methods 0.000 description 1
- 230000004298 light response Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000002055 nanoplate Substances 0.000 description 1
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000004083 survival effect Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B11/00—Oxides or oxyacids of halogens; Salts thereof
- C01B11/20—Oxygen compounds of bromine
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/20—Particle morphology extending in two dimensions, e.g. plate-like
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
本发明铋氧溴纳米片的制备方法,包括:1)称取硝酸铋溶于乙二醇中,调节所形成的硝酸铋溶液浓度为:0.05~0.4mol/L;2)称取溴化铵溶解于去离子水中,调节所形成的溴化铵溶液浓度为:0.01~0.06mol/L;3)将步骤1)所得硝酸铋溶液倒入步骤2)所得的溴化铵溶液中,调节其中氯化铵和硝酸铋的摩尔比为2:1~3:1,搅拌后转移到高压反应釜中;4)将反应釜密闭,在100~160℃下进行热处理,后降至室温,倒出上清液,调节pH值,搅拌后转移到高压反应釜中;5)将反应釜密闭,在80~100℃下保温8~12小时进行热处理,后降至室温,过滤,依次用去离子水、无水乙醇清洗,60℃~80℃温度下烘干,得到铋氧溴纳米片。本发明工艺过程简单,易于控制,无环境污染,成本低,易于规模化生产。
Description
技术领域
本发明属于无机非金属材料制造技术领域,具体涉及一种BiOBr纳米片的制备方法。
背景技术
能源是人类生存发展的最重要的物质基础,随着传统化石能源的日益紧缺与人类对能源需求的不断增长,新能源特别是可再生能源成为了当前社会与科学发展的热点。BiOBr作为一种在可见光下有优异光催化性能的半导体材料,成为了目前光催化领域研究的热点。BiOBr的结构为四方氟氯铅矿型,有较小的禁带宽度以及较好的可见光响应,且卤素资源丰富,对环境友好稳定性好等优点,因此具有广阔的应用前景。
目前合成BiOBr的主要方法包括微波、沉积和水热法等。其中,水热溶剂热法因容易控制晶体生长反应动力学,产物结晶度高等优点而广泛用于制备各种纳米材料,而不同颗粒形貌的呈现不同的电化学性能。目前,国内外所合成的BiOBr一般工艺复杂,且晶粒尺寸较大,抑制了其光催化活性。
发明内容
为解决上述现有技术存在的问题,本发明提出了一种工艺简单、易于控制的BiOBr纳米片的水热合成制备方法。
本发明采取如下技术方案:
一种铋氧溴纳米片的制备方法,其包括以下步骤:
1)计量称取硝酸铋溶于乙二醇中,调节所形成的硝酸铋溶液浓度为:0.05~0.4mol/L;
2)计量称取溴化铵溶解于去离子水中,调节所形成的溴化铵溶液浓度为:0.01~0.06mol/L;
3)将步骤1)所得硝酸铋溶液倒入步骤2)所得的溴化铵溶液中,调节其中氯化铵和硝酸铋的摩尔比为2:1~3:1,搅拌后转移到高压反应釜中;
4)将高压反应釜密闭,在100~160℃下进行热处理,后降至室温,倒出上清液,调节pH值,搅拌后;
5)将高压反应釜密闭,在80~100℃下保温8~12小时进行热处理,后降至室温,过滤,依次用去离子水、无水乙醇清洗,60℃~80℃温度下烘干,得到铋氧溴纳米片。
优选的,步骤4),先加入盐酸调节pH为1~3,后加入氢氧化钾调节pH为8~10。
优选的,所用的原料溴化铵、硝酸铋、盐酸、氢氧化钾和溶剂乙二醇及去离子水、无水乙醇的纯度均不低于化学纯。
优选的,所制备的铋氧溴为纳米片状,铋氧溴纳米片宽度不大于300纳米,厚度不大于20纳米,且沿(001)面生长。
本发明以硝酸铋、溴化铵等为原料,通过调配混合溶剂中各项原料物质的量,优选利用盐酸和氢氧化钾作为pH调节剂,调控水热处理的时间和温度来控制BiOBr的生长过程,从而实现BiOBr纳米片的合成。本发明对水/溶剂热合成产物的清洗是为了清除过量的反应物,得到纯的BiOBr纳米片。采用无水乙醇脱水和不高于80℃的烘干,是为了得到分散性良好的BiOBr纳米片。
本发明工艺过程简单,易于控制,无环境污染,成本低,易于规模化生产;制得的BiOBr纳米片宽度不大于300纳米,厚度不大于20纳米,且沿(001)面生长;产品质量稳定,纯度高,粉体颗粒分散性好。
附图说明
图1本发明合成的BiOBr纳米片的X射线衍射(XRD)图谱;
图2本发明合成的BiOBr纳米片的透射电子显微镜(TEM)照片。
具体实施方式
以下结合实施例进一步说明本发明。
实施例1
按以下工艺步骤合成BiOBr纳米片:
1)计量量取硝酸铋溶于乙二醇中,调节所形成的硝酸铋溶液浓度为:0.2mol/L;
2)计量称取溴化铵溶解于去离子水中,调节所形成的溴化铵溶液浓度为:0.04mol/L;
3)将步骤1)中所得溶液缓慢倒入步骤2)中所得溶液中,调节其中氯化铵和硝酸铋的摩尔比为3:1,搅拌后转移到高压反应釜中,用去离子水调节使其体积占反应釜容积的4/5;
4)将配置有反应物料的反应釜密闭,在140℃下保温8小时进行热处理。而后,降至室温,倒出上清液,加入盐酸调节其pH为1,而后加入氢氧化钾调节其pH为10,搅拌后用去离子水调节使其体积占反应釜容积的4/5;
5)将配置有反应物料的反应釜密闭,在100℃下保温8小时进行热处理。而后,降至室温,过滤,依次用去离子水、无水乙醇清洗,60℃温度下烘干,得到BiOBr纳米片。
本实施例所合成的BiOBr纳米片的X射线衍射(XRD)图谱示于图1;其透射电子显微镜(TEM)照片示于图2。
本实施例水/溶剂热法合成宽度不大于300纳米,厚度不大于20纳米的BiOBr纳米片。
实施例2
按以下工艺步骤合成BiOBr纳米片:
1)计量量取硝酸铋溶于乙二醇中,调节所形成的硝酸铋溶液浓度为:0.1mol/L;
2)计量称取溴化铵溶解于去离子水中,调节所形成的溴化铵溶液浓度为:0.02mol/L;
3)将步骤1)中所得溶液缓慢倒入步骤2)中所得溶液中,调节其中氯化铵和硝酸铋的摩尔比为2:1,搅拌后转移到高压反应釜中,用去离子水调节使其体积占反应釜容积的2/3;
4)将配置有反应物料的反应釜密闭,在120℃下保温24小时进行热处理。而后,降至室温,倒出上清液,加入盐酸调节其pH为3,而后加入氢氧化钾调节其pH为8,搅拌后,用去离子水调节使其体积占反应釜容积的4/5;
5)将配置有反应物料的反应釜密闭,在100℃下保温12小时进行热处理。而后,降至室温,过滤,依次用去离子水、无水乙醇清洗,80℃温度下烘干,得到BiOBr纳米片。
实施例3
按以下工艺步骤合成BiOBr纳米片:
1)计量量取硝酸铋溶于乙二醇中,调节所形成的硝酸铋溶液浓度为:0.1mol/L;
2)计量称取溴化铵溶解于去离子水中,调节所形成的溴化铵溶液浓度为:0.02mol/L;
3)将步骤1)中所得溶液缓慢倒入步骤2)中所得溶液中,调节其中氯化铵和硝酸铋的摩尔比为3:1,搅拌后转移到高压反应釜中,用去离子水调节使其体积占反应釜容积的3/4;
4)将配置有反应物料的反应釜密闭,在120℃下保温8小时进行热处理。而后,降至室温,倒出上清液,加入盐酸调节其pH为2,而后加入氢氧化钾调节其pH为9,搅拌后,用去离子水调节使其体积占反应釜容积的4/5;
5)将配置有反应物料的反应釜密闭,在100℃下保温12小时进行热处理。而后,降至室温,过滤,依次用去离子水、无水乙醇清洗,60℃温度下烘干,得到BiOBr纳米片。
实施例4
按以下工艺步骤合成BiOBr纳米片:
1)计量量取硝酸铋溶于乙二醇中,调节所形成的硝酸铋溶液浓度为:0.4mol/L;
2)计量称取溴化铵溶解于去离子水中,调节所形成的溴化铵溶液浓度为:0.06mol/L;
3)将步骤1)中所得溶液缓慢倒入步骤2)中所得溶液中,调节其中氯化铵和硝酸铋的摩尔比为2:1,搅拌后转移到高压反应釜中,用去离子水调节使其体积占反应釜容积的4/5;
4)将配置有反应物料的反应釜密闭,在160℃下保温12小时进行热处理。而后,降至室温,倒出上清液,加入盐酸调节其pH为3,而后加入氢氧化钾调节其pH为10,搅拌后,用去离子水调节使其体积占反应釜容积的4/5;
5)将配置有反应物料的反应釜密闭,在100℃下保温12小时进行热处理。而后,降至室温,过滤,依次用去离子水、无水乙醇清洗,80℃温度下烘干,得到BiOBr纳米片。
实施例5
按以下工艺步骤合成BiOBr纳米片:
1)计量量取硝酸铋溶于乙二醇中,调节所形成的硝酸铋溶液浓度为:0.05mol/L;
2)计量称取溴化铵溶解于去离子水中,调节所形成的溴化铵溶液浓度为:0.01mol/L;
3)将步骤1)中所得溶液缓慢倒入步骤2)中所得溶液中,调节其中氯化铵和硝酸铋的摩尔比为2:1,搅拌后转移到高压反应釜中,用去离子水调节使其体积占反应釜容积的3/4;
4)将配置有反应物料的反应釜密闭,在100℃下保温9小时进行热处理。而后,降至室温,倒出上清液,加入盐酸调节其pH为1,而后加入氢氧化钾调节其pH为8,搅拌后,用去离子水调节使其体积占反应釜容积的4/5;
5)将配置有反应物料的反应釜密闭,在80℃下保温8小时进行热处理。而后,降至室温,过滤,依次用去离子水、无水乙醇清洗,60℃温度下烘干,得到BiOBr纳米片。
本发明制备操作简单,采用了常用的原料试剂,成本低廉。通过本发明这种简单水热法制备的BiOBr纳米片厚度不大于20nm,减少BiOBr的颗粒尺寸,增大材料的比表面积,有利于后续的负载处理。
Claims (3)
1.一种铋氧溴纳米片的制备方法,其特征是包括以下步骤:
1) 计量称取硝酸铋溶于乙二醇中,调节所形成的硝酸铋溶液浓度为:0.05~0.4mol/L;
2) 计量称取溴化铵溶解于去离子水中,调节所形成的溴化铵溶液浓度为:0.01~0.06mol/L;
3) 将步骤1)所得硝酸铋溶液倒入步骤2)所得的溴化铵溶液中,调节其中氯化铵和硝酸铋的摩尔比为2:1~3:1,搅拌后转移到高压反应釜中;
4) 将高压反应釜密闭,在100~160℃下进行热处理,后降至室温,倒出上清液,调节pH值,先加入盐酸调节pH为1~3,后加入氢氧化钾调节pH为8~10;
5) 将高压反应釜密闭,在80~100℃下保温8~12小时进行热处理,后降至室温,过滤,依次用去离子水、无水乙醇清洗,60℃ ~80℃ 温度下烘干,得到铋氧溴纳米片。
2.如权利要求1所述铋氧溴纳米片的制备方法,其特征是,所用的原料溴化铵、硝酸铋、盐酸、氢氧化钾和溶剂乙二醇及去离子水、无水乙醇的纯度均不低于化学纯。
3.如权利要求1-2任一项所述铋氧溴纳米片的制备方法,其特征是,所制备的铋氧溴为纳米片状,铋氧溴纳米片宽度不大于300纳米,厚度不大于20纳米,且沿面生长。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011601059.8A CN112850649B (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 一种铋氧溴纳米片的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011601059.8A CN112850649B (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 一种铋氧溴纳米片的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112850649A CN112850649A (zh) | 2021-05-28 |
CN112850649B true CN112850649B (zh) | 2022-03-25 |
Family
ID=75998304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011601059.8A Expired - Fee Related CN112850649B (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 一种铋氧溴纳米片的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112850649B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114540882B (zh) * | 2022-03-25 | 2023-08-11 | 四川大学 | 具有丰富活性位点的金属铋纳米片及其制备方法和应用 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103708424A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-04-09 | 江苏大学 | {001}晶面暴露的BiOBr方形纳米片的制备方法 |
CN104071842A (zh) * | 2013-03-28 | 2014-10-01 | 浙江伟星实业发展股份有限公司 | 氯氧化铋的制备方法 |
CN104131353A (zh) * | 2014-07-15 | 2014-11-05 | 福建师范大学 | 一种新型氟代氯氧化铋的制备方法 |
CN105251517A (zh) * | 2015-10-30 | 2016-01-20 | 武汉工程大学 | 一种Fe掺杂卤氧铋纳米材料的制备方法 |
CN107335452A (zh) * | 2017-06-15 | 2017-11-10 | 江苏大学 | 室温条件下合成溴氧化铋超薄纳米片光催化剂的方法 |
CN109759122A (zh) * | 2019-03-19 | 2019-05-17 | 辽宁大学 | 一种溴氧化铋三元异质结构光催化剂及其制备方法和应用 |
CN111036243A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-21 | 福州大学 | 含氧空缺的过渡金属掺杂的BiOBr纳米片光催化剂及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9399576B2 (en) * | 2014-01-14 | 2016-07-26 | King Fahd University Of Petroleum And Minerals | 450 nm visible light-induced photosensitized degradation of rhodamine B molecules over BiOBr in aqueous solution |
-
2020
- 2020-12-29 CN CN202011601059.8A patent/CN112850649B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104071842A (zh) * | 2013-03-28 | 2014-10-01 | 浙江伟星实业发展股份有限公司 | 氯氧化铋的制备方法 |
CN103708424A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-04-09 | 江苏大学 | {001}晶面暴露的BiOBr方形纳米片的制备方法 |
CN104131353A (zh) * | 2014-07-15 | 2014-11-05 | 福建师范大学 | 一种新型氟代氯氧化铋的制备方法 |
CN105251517A (zh) * | 2015-10-30 | 2016-01-20 | 武汉工程大学 | 一种Fe掺杂卤氧铋纳米材料的制备方法 |
CN107335452A (zh) * | 2017-06-15 | 2017-11-10 | 江苏大学 | 室温条件下合成溴氧化铋超薄纳米片光催化剂的方法 |
CN109759122A (zh) * | 2019-03-19 | 2019-05-17 | 辽宁大学 | 一种溴氧化铋三元异质结构光催化剂及其制备方法和应用 |
CN111036243A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-21 | 福州大学 | 含氧空缺的过渡金属掺杂的BiOBr纳米片光催化剂及其制备方法和应用 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
BiOCl纳米片微球的制备及其形成机理;刘红旗等;《催化学报》;20110120(第01期);全文 * |
Modulation of Photocatalytic Properties by Strain in 2D BiOBr Nanosheets;Haifeng Feng et al.;《ACS Appl. Mater. Interfaces》;20151207;第7卷(第50期);第27592-27596页 * |
离子液体辅助合成BiOBr微球和纳米片及其光催化性能;刘超等;《材料导报》;20160425(第08期);全文 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112850649A (zh) | 2021-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106159254B (zh) | 纳米片状三元或富锂锰基固溶体正极材料前驱体制备方法 | |
CN112875755B (zh) | 一种钨酸铋纳米粉体的制备方法 | |
CN109806902B (zh) | 一种W18O49/NiWO4/NF自支撑电催化材料的制备方法 | |
CN108840313B (zh) | 一种多级球状二硒化镍的制备方法 | |
CN112536050A (zh) | Bi2O2SiO3-Si2Bi24O40-BiOX双异质结复合光催化剂的制备方法 | |
CN109437313B (zh) | 尺寸可控的超细CuFeO2纳米片及其制备和应用 | |
CN112850649B (zh) | 一种铋氧溴纳米片的制备方法 | |
CN103754935B (zh) | 一种室温下合成钼酸铅塔状晶体的方法 | |
CN112701280A (zh) | 中空双晶相过硒化钴镍微球材料的制备方法 | |
CN103833080B (zh) | 一种钼酸镉多孔球的制备方法 | |
CN112357971A (zh) | 一种电池用掺铝大粒度碳酸钴的制备方法 | |
CN102877130A (zh) | 一种铁酸铋BiFeO3单晶微米片的制备方法 | |
CN103882558B (zh) | 一种钙钛矿结构AgNbO3纤维及其制备方法 | |
CN112678868B (zh) | 一种Bi12O17Cl2/Bi2O2CO3复合纳米材料的制备方法 | |
CN104326467B (zh) | 一种花状磷酸锰锂纳米颗粒的制备方法及产品 | |
CN109621959B (zh) | 非晶硼酸钴纳米棒高效析氧电催化剂的制备方法及应用 | |
CN112551575B (zh) | 一种Bi12O17Cl2纳米粉体的制备方法 | |
CN113184823B (zh) | 一种制备磷酸钴镍微球材料的方法 | |
CN102285689A (zh) | 一种γ相纳米氧化锰材料的制备方法 | |
CN107777718B (zh) | 一种y2o3纳米粉体及其制备方法 | |
CN111229240B (zh) | 铁酸铋催化剂及其制备方法和用途 | |
CN112846222B (zh) | 一种花状Bi/Bi2WO6纳米材料的制备方法 | |
CN115341236A (zh) | 一种二硒化钴电催化剂及其制备方法与应用 | |
CN110241433B (zh) | 尺寸可控的AgCuO2纳米材料及其制备和应用 | |
CN114349054A (zh) | 花苞状硫化钼-二氧化钛-b复合材料的制备方法及其产品和应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20220325 |