CN112789741A - 有机发光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供驱动电压、效率和寿命得到改善的有机发光器件。
Description
技术领域
与相关申请的相互引用
本申请主张基于2019年3月14日的韩国专利申请第10-2019-0029417号和2020年3月12日的韩国专利申请第10-2020-0030984号的优先权,包含该韩国专利申请的文献中公开的全部内容作为本说明书的一部分。
本发明涉及驱动电压、效率和寿命得到改善的有机发光器件。
背景技术
通常情况下,有机发光现象是指利用有机物质将电能转换为光能的现象。利用有机发光现象的有机发光器件具有宽视角、优异的对比度、快速响应时间,亮度、驱动电压和响应速度特性优异,因此正在进行大量的研究。
有机发光器件通常具有包括阳极和阴极以及位于上述阳极与阴极之间的有机物层的结构。为了提高有机发光器件的效率和稳定性,上述有机物层大多情况下由分别利用不同的物质构成的多层结构形成,例如,可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等形成。对于这样的有机发光器件的结构而言,如果在两电极之间施加电压,则空穴从阳极注入有机物层,电子从阴极注入有机物层,当所注入的空穴和电子相遇时会形成激子(exciton),该激子重新跃迁至基态时就会发出光。
对于如上所述的有机发光器件,持续要求开发驱动电压、效率和寿命得到改善的有机发光器件。
现有技术文献
专利文献
(专利文献1)韩国专利公开号第10-2000-0051826号
(专利文献2)韩国专利公开号第10-2010-0023783号
发明内容
技术课题
本发明涉及驱动电压、效率和寿命得到改善的有机发光器件。
课题的解决方法
本发明提供下述的有机发光器件,其中,包括:
阳极,
阴极,
上述阳极与阴极之间的发光层,
上述发光层包含由下述化学式1表示的化合物和由下述化学式2表示的化合物,
[化学式1]
在上述化学式1中,
Ar1为取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个的C2-60杂芳基,
L为单键、或者取代或未取代的C6-60亚芳基,
R1、R2、R3和R4各自独立地为氢;氘;卤素;氰基;硝基;氨基;取代或未取代的C1-60烷基;取代或未取代的C3-60环烷基;取代或未取代的C2-60烯基;取代或未取代的C6-60芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个的C2-60杂芳基,R1、R2、R3和R4中的相邻的两个可以彼此结合而形成C6-60芳香族环;或者包含选自N、O和S中的任一个或更多个的C2-60芳香族杂环,
R5、R6、R7和R8各自独立地为氢;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个的C2-60杂芳基,
[化学式2]
在上述化学式2中,
Ar2和Ar3各自独立地为取代或未取代的C6-60芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个的C2-60杂芳基。
发明效果
上述有机发光器件的驱动电压、效率和寿命优异。
附图说明
图1图示了由基板1、阳极2、发光层3和阴极4构成的有机发光器件的例子。
图2图示了由基板1、阳极2、空穴注入层5、空穴传输层6、发光层3、空穴阻挡层7、电子注入和传输层8、以及阴极4构成的有机发光器件的例子。
具体实施方式
下面,为了帮助理解本发明而更详细地进行说明。
在本说明书中,“取代或未取代的”这一用语是指被选自氘;卤素基团;腈基;硝基;羟基;羰基;酯基;酰亚胺基;氨基;氧化膦基;烷氧基;芳氧基;烷基硫基(alkyl thioxy);芳基硫基( aryl thioxy);烷基磺酰基(alkyl sulfoxy);芳基磺酰基(aryl sulfoxy);甲硅烷基;硼基;烷基;环烷基;烯基;芳基;芳烷基;芳烯基;烷基芳基;烷基胺基;芳烷基胺基;杂芳基胺基;芳基胺基;芳基膦基;或者包含N、O和S原子中的1个以上的杂环基中的1个以上的取代基取代或未取代,或者被上述例示的取代基中的2个以上的取代基连接而成的取代基取代或未取代。例如,“2个以上的取代基连接而成的取代基”可以为联苯基。即,联苯基可以为芳基,也可以被解释为2个苯基连接而成的取代基。
在本说明书中,羰基的碳原子数没有特别限定,但优选碳原子数为1至40。具体而言,可以为如下结构的化合物,但并不限定于此。
在本说明书中,酯基中,酯基的氧可以被碳原子数1至25的直链、支链或环状的烷基、或者碳原子数6至25的芳基取代。具体而言,可以为下述结构式的化合物,但并不限定于此。
在本说明书中,酰亚胺基的碳原子数没有特别限定,但优选碳原子数为1至25。具体而言,可以为如下结构的化合物,但并不限定于此。
在本说明书中,甲硅烷基具体有三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等,但并不限定于此。
在本说明书中,硼基具体有三甲基硼基、三乙基硼基、叔丁基二甲基硼基、三苯基硼基、苯基硼基等,但并不限定于此。
在本说明书中,作为卤素基团的例子,有氟、氯、溴或碘。
在本说明书中,上述烷基可以为直链或支链,碳原子数没有特别限定,但优选为1至40。根据一实施方式,上述烷基的碳原子数为1至20。根据另一实施方式,上述烷基的碳原子数为1至10。根据另一实施方式,上述烷基的碳原子数为1至6。作为烷基的具体例,有甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1-甲基-丁基、1-乙基-丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、环戊基甲基、环己基甲基、辛基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基-丙基、1,1-二甲基-丙基、异己基、2-甲基戊基、4-甲基己基、5-甲基己基等,但并不限定于此。
在本说明书中,上述烯基可以为直链或支链,碳原子数没有特别限定,但优选为2至40。根据一实施方式,上述烯基的碳原子数为2至20。根据另一实施方式,上述烯基的碳原子数为2至10。根据另一实施方式,上述烯基的碳原子数为2至6。作为具体例,有乙烯基、1-丙烯基、异丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、3-甲基-1-丁烯基、1,3-丁二烯基、烯丙基、1-苯基乙烯-1-基、2-苯基乙烯-1-基、2,2-二苯基乙烯-1-基、2-苯基-2-(萘-1-基)乙烯-1-基、2,2-双(二苯-1-基)乙烯-1-基、茋基、苯乙烯基等,但并不限定于此。
在本说明书中,环烷基没有特别限定,但优选为碳原子数3至60的环烷基,根据一实施方式,上述环烷基的碳原子数为3至30。根据另一实施方式,上述环烷基的碳原子数为3至20。根据另一实施方式,上述环烷基的碳原子数为3至6。具体而言,有环丙基、环丁基、环戊基、3-甲基环戊基、2,3-二甲基环戊基、环己基、3-甲基环己基、4-甲基环己基、2,3-二甲基环己基、3,4,5-三甲基环己基、4-叔丁基环己基、环庚基、环辛基等,但并不限定于此。
在本说明书中,芳基没有特别限定,但优选为碳原子数6至60的芳基,可以为单环芳基或多环芳基。根据一实施方式,上述芳基的碳原子数为6至30。根据一实施方式,上述芳基的碳原子数为6至20。关于上述芳基,作为单环芳基,可以为苯基、联苯基、三联苯基等,但并不限定于此。作为上述多环芳基,可以为萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、基、芴基等,但并不限定于此。
在本说明书中,杂环基是包含O、N、Si和S中的1个以上作为杂原子的杂环基,碳原子数没有特别限定,但优选碳原子数为2至60。根据一实施方式,上述杂环基的碳原子数为6至30。根据一实施方式,上述杂环基的碳原子数为6至20。作为杂环基的例子,有噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、唑基、二唑基、***基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、***基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基(phenanthroline)、噻唑基、异唑基、二唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、吩噻嗪基和二苯并呋喃基等,但不仅限于此。
在本说明书中,芳烷基、芳烯基、烷基芳基、芳基胺基中的芳基与上述芳基的例示相同。在本说明书中,芳烷基、烷基芳基、烷基胺基中的烷基与上述烷基的例示相同。在本说明书中,杂芳基胺中的杂芳基可以适用上述关于杂环基的说明。在本说明书中,芳烯基中的烯基与上述烯基的例示相同。在本说明书中,亚芳基为2价基团,除此以外,可以适用上述关于芳基的说明。在本说明书中,亚杂芳基为2价基团,除此以外,可以适用上述关于杂环基的说明。在本说明书中,烃环不是1价基团,而是2个取代基结合而成,除此以外,可以适用上述关于芳基或环烷基的说明。在本说明书中,杂环不是1价基团,而是2个取代基结合而成,除此以外,可以适用上述关于杂环基的说明。
下面,按照各构成详细地说明本发明。
阳极和阴极
在本发明中使用的阳极和阴极是指用于有机发光器件的电极。
作为上述阳极物质,通常为了使空穴能够顺利地向有机物层注入,优选为功函数大的物质。作为上述阳极物质的具体例,有钒、铬、铜、锌、金等金属或它们的合金;氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等金属氧化物;ZnO:Al或SnO2:Sb等金属与氧化物的组合;聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧)噻吩](PEDOT)、聚吡咯和聚苯胺等导电性高分子等,但不仅限于此。
作为上述阴极物质,通常为了使电子容易地向有机物层注入,优选为功函数小的物质。作为上述阴极物质的具体例,有镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅等金属或它们的合金;LiF/Al或LiO2/Al等多层结构物质等,但不仅限于此。
空穴注入层
根据本发明的有机发光器件在上述阳极与下述的空穴传输层之间可以进一步包括空穴注入层。
上述空穴注入物质是注入来自电极的空穴的层,作为空穴注入物质,优选为如下化合物:具有传输空穴的能力,具有注入来自阳极的空穴的效果,具有对于发光层或发光材料的优异的空穴注入效果,防止发光层中生成的激子向电子注入层或电子注入材料迁移,而且薄膜形成能力优异的化合物。优选空穴注入物质的HOMO(最高占有分子轨道,highestoccupied molecular orbital)介于阳极物质的功函数与周围有机物层的HOMO之间。
作为空穴注入物质的具体例,有金属卟啉(porphyrin)、低聚噻吩、芳基胺系有机物、六腈六氮杂苯并菲系有机物、喹吖啶酮(quinacridone)系有机物、苝(perylene)系有机物、蒽醌及聚苯胺和聚噻吩系导电性高分子等,但不仅限于此。
空穴传输层
本发明中使用的空穴传输层是从阳极或形成在阳极上的空穴注入层接受空穴并将其传输至发光层的层,空穴传输物质是能够从阳极或空穴注入层接受空穴并将其转移至发光层的物质,对空穴的迁移率大的物质是适合的。
作为空穴传输物质的具体例,有芳基胺系有机物、导电性高分子、以及同时存在共轭部分和非共轭部分的嵌段共聚物等,但不仅限于此。
发光层
在本发明中使用的发光层是能够使从阳极和阴极接收的空穴和电子结合而发出可见光区域的光的层,优选为对于荧光或磷光的量子效率高的物质。
通常情况下,发光层包含主体材料和掺杂剂材料,可以包含由上述化学式1和上述化学式2表示的化合物作为主体。
优选地,上述化学式1可以由下述化学式1-1至化学式1-3中的任一个表示:
[化学式1-1]
[化学式1-2]
[化学式1-3]
在上述化学式1-1至化学式1-3中,
对于Ar1、L、R5、R6、R7和R8的说明与上述化学式1中的定义相同。
优选地,Ar1可以为取代或未取代的包含2个以上的N的C2-60杂芳基,更优选地,Ar1可以为取代或未取代的包含2个以上的N的C2-20杂芳基,更优选地,Ar1可以为取代或未取代的喹唑啉基、或者取代或未取代的喹喔啉基,最优选地,Ar1可以为选自下述基团中的任一个:
优选地,L可以为单键、或者取代或未取代的C6-20亚芳基,更优选地,L可以为单键。
优选地,R1、R2、R3和R4中相邻的两个可以彼此结合而形成苯环。
优选地,R5、R6、R7和R8可以各自独立地为氢;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个的C2-20杂芳基,更优选地,R5、R6、R7和R8可以各自独立地为氢或咔唑基,上述咔唑基可以未被取代,或者被苯基、联苯基、萘基、萘基苯基和苯基萘基中的任一个取代,最优选地,R5、R6、R7和R8可以各自独立地为氢或者选自下述基团中的任一个:
优选地,R5、R6、R7和R8中的至少一个可以为取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个的C2-20杂芳基,更优选地,R5、R6、R7和R8中的至少一个可以为取代或未取代的咔唑基。
由上述化学式1表示的化合物的代表性的例子如下所示:
作为一个例子,由上述化学式1表示的化合物可以通过如下述反应式1-1所示的制造方法进行制造,在R5、R6和R8为氢,R7为咔唑基时,作为一个例子,可以通过如下述反应式1-2所示的制造方法进行制造,除此以外的其余化合物也可以类似地进行制造。
[反应式1-1]
[反应式1-2]
在上述反应式1-1和1-2中,Ar1、L和R1至R8与上述化学式1中的定义相同,X1和X2各自独立地为卤素,优选地,X1和X2各自独立地为氯或溴。
上述反应式1-1和1-2作为胺取代反应,优选在钯催化剂和碱存在下进行,用于胺取代反应的反应基团能够根据该领域中已知的技术进行变更。上述制造方法可以在后述的制造例中更具体化。
优选地,Ar2和Ar3可以各自独立地为取代或未取代的C6-20芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个的C2-20杂芳基,更优选地,Ar2和Ar3可以各自独立地为取代或未取代的C6-20芳基,最优选地,Ar2和Ar3可以各自独立地为苯基、联苯基、三联苯基、二甲基芴基、萘基、萘基苯基、或苯基萘基。
由上述化学式2表示的化合物的代表性的例子如下所示:
作为一个例子,由上述化学式2表示的化合物可以通过如下述反应式2所示的制造方法进行制造,除此以外的其余化合物也可以类似地进行制造。
[反应式2]
在上述反应式2中,Ar2和Ar3与上述化学式2中的定义相同,X3为卤素,优选地,X3为氯或溴。
上述反应式2作为胺取代反应,优选在钯催化剂和碱存在下进行,用于胺取代反应的反应基团能够根据该领域中已知的技术进行变更。上述制造方法可以在后述的制造例中更具体化。
优选地,在上述发光层中,由上述化学式1表示的化合物和由上述化学式2表示的化合物的重量比为10:90至90:10,更优选为20:80至80:20、30:70至70:30或者40:60至60:40。
另一方面,上述发光层除主体以外还可以进一步包含掺杂剂。上述掺杂剂材料只要是用于有机发光器件的物质就没有特别限定。作为一个例子,有芳香族胺衍生物、苯乙烯基胺化合物、硼配合物、荧蒽化合物、金属配合物等。具体而言,芳香族胺衍生物是具有取代或未取代的芳基氨基的芳香族稠环衍生物,有具有芳基氨基的芘、蒽、、二茚并芘等,苯乙烯基胺化合物是在取代或未取代的芳基胺上取代有至少1个芳基乙烯基的化合物,被选自芳基、甲硅烷基、烷基、环烷基和芳基氨基中的1个或2个以上的取代基取代或未取代。具体而言,有苯乙烯基胺、苯乙烯基二胺、苯乙烯基三胺、苯乙烯基四胺等,但并不限定于此。此外,作为金属配合物,有铱配合物、铂配合物等,但并不限定于此。
作为一个例子,可以用作掺杂剂材料的代表性的化合物如下所示:
空穴阻挡层
上述空穴阻挡层是为了防止从阳极注入的空穴未在发光层中再结合而转移至电子传输层,从而置于电子传输层与发光层之间的层,也称为空穴抑制层或空穴阻断层。空穴阻挡层优选离子化能量大的物质。
电子传输层
根据本发明的有机发光器件可以在上述发光层与阴极之间包括电子传输层。
上述电子传输层是从阴极或形成在阴极上的电子注入层接收电子并将电子传输至发光层,而且抑制从发光层传递空穴的层,电子传输物质是能够从阴极良好地接受电子并将其转移至发光层的物质,优选为对电子的迁移率大的物质。电子传输物质是能够从阴极良好地接受电子并将其转移至发光层的物质,优选为对电子的迁移率大的物质。
作为上述电子传输物质的具体例,有8-羟基喹啉的Al配合物、包含Alq3的配合物、有机自由基化合物、羟基黄酮-金属配合物等,但不仅限于此。电子传输层可以如现有技术中所使用的那样与任意期望的阴极物质一同使用。特别是,合适的阴极物质的例子是具有低功函数且伴有铝层或银层的通常的物质。具体为铯、钡、钙、镱和钐等,在各情况下均伴有铝层或银层。
电子注入层
根据本发明的有机发光器件可以在上述电子传输层与阴极之间进一步包括电子注入层。上述电子注入层是注入来自电极的电子的层,优选为如下化合物:具有传输电子的能力,具有注入来自阴极的电子的效果,具有对于发光层或发光材料的优异的电子注入效果,防止发光层中生成的激子向空穴注入层迁移,而且薄膜形成能力优异的化合物。
可以用作上述电子注入层的物质的具体例有:芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻喃二氧化物、唑、二唑、***、咪唑、苝四羧酸、亚芴基甲烷、蒽酮等和它们的衍生物、金属配位化合物、以及含氮五元环衍生物等,但并不限定于此。
作为上述金属配位化合物,有8-羟基喹啉锂、双(8-羟基喹啉)锌、双(8-羟基喹啉)铜、双(8-羟基喹啉)锰、三(8-羟基喹啉)铝、三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)镓、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、双(10-羟基苯并[h]喹啉)锌、双(2-甲基-8-喹啉)氯化镓、双(2-甲基-8-喹啉)(邻甲酚)镓、双(2-甲基-8-喹啉)(1-萘酚)铝、双(2-甲基-8-喹啉)(2-萘酚)镓等,但并不限定于此。
有机发光器件
将根据本发明的有机发光器件的结构例示于图1和图2。图1图示了由基板1、阳极2、发光层3和阴极4构成的有机发光器件的例子。图2图示了由基板1、阳极2、空穴注入层5、空穴传输层6、发光层3、空穴阻挡层7、电子注入和传输层8、以及阴极4构成的有机发光器件的例子。
根据本发明的有机发光器件可以通过依次蒸镀上述构成而制造。这时可以如下制造:利用溅射法(sputtering)或电子束蒸发法(e-beam evaporation)之类的PVD(physicalVapor Deposition:物理气相沉积)方法,在基板上蒸镀金属或具有导电性的金属氧化物或它们的合金而形成阳极,然后在该阳极上形成上述的各层,然后在其上蒸镀可用作阴极的物质而制造。除了这种方法以外,也可以在基板上依次蒸镀阴极物质、有机物层、阳极物质而制造有机发光器件。此外,发光层不仅可以利用真空蒸镀法,还可以利用溶液涂布法来形成主体和掺杂剂。在这里,所谓溶液涂布法是指旋涂法、浸涂法、刮涂法、喷墨印刷法、丝网印刷法、喷雾法、辊涂法等,但不仅限于此。
除了这些方法以外,也可以在基板上依次蒸镀阴极物质、有机物层、阳极物质而制造有机发光器件(WO 2003/012890)。但是,制造方法并不限定于此。
另一方面,根据所使用的材料,根据本发明的有机发光器件可以为顶部发光型、底部发光型或双向发光型。
下面,为了帮助理解本发明而提示优选的实施例。但是,下述的实施例只是为了更容易地理解本发明而提供的,本发明的内容并不限定于此。
制造例1:化合物1的制造
在氮气氛下,将中间体1-1(20g,83.3mmol)、中间体1-2(38.2g,83.3mmol)、磷酸三钾(tripotassium phosphate)(35.4g,166.6mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0))(0.9g,1.7mmol)。2小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物1(35.3g,收率64%,MS:[M+H]+=663)。
制造例2:化合物2的制造
在氮气氛下,将中间体2-1(20g,83.3mmol)、中间体2-2(38.2g,83.3mmol)、磷酸三钾(35.4g,166.6mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.9g,1.7mmol)。2小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物2(37.5g,收率68%,MS:[M+H]+=663)。
制造例3:化合物3的制造
在氮气氛下,将中间体3-1(20g,83.3mmol)、中间体3-2(44.5g,83.3mmol)、磷酸三钾(35.4g,166.6mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.9g,1.7mmol)。3小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物3(33.2g,收率54%,MS:[M+H]+=739)。
制造例4:化合物4的制造
在氮气氛下,将中间体4-1(20g,83.3mmol)、中间体4-2(44.5g,83.3mmol)、磷酸三钾(35.4g,166.6mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.9g,1.7mmol)。2小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物4(33.8g,收率55%,MS:[M+H]+=739)。
制造例5:化合物5的制造
在氮气氛下,将中间体5-1(20g,83.3mmol)、中间体5-2(48.7g,83.3mmol)、磷酸三钾(35.4g,166.6mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.9g,1.7mmol)。2小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物5(33.5g,收率51%,MS:[M+H]+=789)。
制造例6:化合物6的制造
在氮气氛下,将中间体6-1(20g,43.9mmol)、中间体6-2(7.3g,43.9mmol)、叔丁醇钠(sodium tert-butoxide)(8.4g,87.9mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.4g,0.9mmol)。2小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物6(13.4g,收率52%,MS:[M+H]+=587)。
制造例7:化合物7的制造
在氮气氛下,将中间体7-1(20g,69mmol)、中间体7-2(35g,69mmol)、磷酸三钾(29.3g,137.9mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.7g,1.4mmol)。2小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物7(35.2g,收率67%,MS:[M+H]+=763)。
制造例8:化合物8的制造
在氮气氛下,将中间体8-1(20g,54.6mmol)、中间体8-2(29.2g,54.6mmol)、磷酸三钾(23.2g,109.3mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.6g,1.1mmol)。2小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物8(27.4g,收率58%,MS:[M+H]+=865)。
制造例9:化合物9的制造
在氮气氛下,将中间体9-1(20g,69mmol)、中间体9-2(40.3g,69mmol)、磷酸三钾(29.3g,137.9mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.7g,1.4mmol)。3小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物9(32.9g,收率57%,MS:[M+H]+=839)。
制造例10:化合物10的制造
在氮气氛下,将中间体10-1(20g,39.6mmol)、中间体10-2(6.6g,39.6mmol)、叔丁醇钠(7.6g,79.2mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.4g,0.8mmol)。2小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物10(14.1g,收率56%,MS:[M+H]+=637)。
制造例11:化合物11的制造
在氮气氛下,将中间体11-1(20g,54.6mmol)、中间体11-2(25g,54.6mmol)、磷酸三钾(23.2g,109.3mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.6g,1.1mmol)。3小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物11(21.5g,收率50%,MS:[M+H]+=789)。
制造例12:化合物12的制造
在氮气氛下,将中间体12-1(20g,54.6mmol)、中间体12-2(27.8g,54.6mmol)、磷酸三钾(23.2g,109.3mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.6g,1.1mmol)。2小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物12(29.3g,收率64%,MS:[M+H]+=839)。
制造例13:化合物13的制造
在氮气氛下,将中间体13-1(20g,63.3mmol)、中间体13-2(33.8g,63.3mmol)、磷酸三钾(26.9g,126.6mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.6g,1.3mmol)。3小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物13(31.9g,收率62%,MS:[M+H]+=815)。
制造例14:化合物14的制造
在氮气氛下,将中间体14-1(20g,63.3mmol)、中间体14-2(33.8g,63.3mmol)、磷酸三钾(26.9g,126.6mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.6g,1.3mmol)。2小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物14(25.8g,收率50%,MS:[M+H]+=815)。
制造例15:化合物15的制造
在氮气氛下,将中间体15-1(20g,37.7mmol)、中间体15-2(6.3g,37.7mmol)、叔丁醇钠(7.2g,75.3mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.4g,0.8mmol)。3小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物15(17g,收率68%,MS:[M+H]+=663)。
制造例16:化合物16的制造
在氮气氛下,将中间体16-1(20g,50.8mmol)、中间体16-2(16.3g,50.8mmol)、叔丁醇钠(9.8g,101.5mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.5g,1mmol)。3小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物16(19.3g,收率60%,MS:[M+H]+=636)。
制造例17:化合物17的制造
在氮气氛下,将中间体17-1(20g,50.8mmol)、中间体17-2(20.2g,50.8mmol)、叔丁醇钠(9.8g,101.5mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.5g,1mmol)。3小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物17(19.5g,收率54%,MS:[M+H]+=712)。
制造例18:化合物18的制造
在氮气氛下,将中间体18-1(20g,50.8mmol)、中间体18-2(18.3g,50.8mmol)、叔丁醇钠(9.8g,101.5mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.5g,1mmol)。2小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物18(18.9g,收率55%,MS:[M+H]+=676)。
制造例19:化合物19的制造
在氮气氛下,将中间体19-1(20g,50.8mmol)、中间体19-2(18.3g,50.8mmol)、叔丁醇钠(9.8g,101.5mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.5g,1mmol)。2小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物19(18.5g,收率54%,MS:[M+H]+=676)。
制造例20:化合物20的制造
在氮气氛下,将中间体20-1(20g,50.8mmol)、中间体20-2(20.4g,50.8mmol)、叔丁醇钠(9.8g,101.5mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.5g,1mmol)。2小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物20(23.6g,收率65%,MS:[M+H]+=716)。
制造例21:化合物21的制造
在氮气氛下,将中间体21-1(20g,50.8mmol)、中间体21-2(18.8g,50.8mmol)、叔丁醇钠(9.8g,101.5mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.5g,1mmol)。3小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物21(20.5g,收率59%,MS:[M+H]+=686)。
制造例22:化合物22的制造
在氮气氛下,将中间体22-1(20g,50.8mmol)、中间体22-2(20.2g,50.8mmol)、叔丁醇钠(9.8g,101.5mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.5g,1mmol)。2小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物22(22.4g,收率62%,MS:[M+H]+=712)。
制造例23:化合物23的制造
在氮气氛下,将中间体23-1(20g,50.8mmol)、中间体23-2(17g,50.8mmol)、叔丁醇钠(9.8g,101.5mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.5g,1mmol)。2小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物23(16.8g,收率51%,MS:[M+H]+=650)。
制造例24:化合物24的制造
在氮气氛下,将中间体24-1(20g,50.8mmol)、中间体24-2(15g,50.8mmol)、叔丁醇钠(9.8g,101.5mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.5g,1mmol)。2小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物24(21g,收率68%,MS:[M+H]+=610)。
制造例25:化合物25的制造
在氮气氛下,将中间体25-1(20g,50.8mmol)、中间体25-2(18.8g,50.8mmol)、叔丁醇钠(9.8g,101.5mmol)加入到400ml的二甲苯(Xylene)中,搅拌及回流。然后,加入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.5g,1mmol)。3小时后,反应结束,冷却至常温,减压去除溶剂。然后,将化合物再次完全溶解于氯仿,用水洗涤2次后,分离有机层,用无水硫酸镁处理后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化,从而得到了化合物25(21.6g,收率62%,MS:[M+H]+=686)。
比较例1
将ITO(氧化铟锡,indium tin oxide)以的厚度被涂布成薄膜的玻璃基板放入溶解有洗涤剂的蒸馏水中,利用超声波进行洗涤。这时,洗涤剂使用菲希尔公司(Fischer Co.)制品,蒸馏水使用了利用密理博公司(Millipore Co.)制造的过滤器(Filter)过滤两次的蒸馏水。将ITO洗涤30分钟后,用蒸馏水重复两次而进行10分钟超声波洗涤。在蒸馏水洗涤结束后,用异丙醇、丙酮、甲醇的溶剂进行超声波洗涤并干燥后,输送至等离子体清洗机。此外,利用氧等离子体,将上述基板清洗5分钟后,将基板输送至真空蒸镀机。
在这样准备的ITO透明电极上,作为空穴注入层,将下述化合物HI-1以的厚度形成,并且将下述化合物A-1以1.5%的浓度进行p-掺杂(p-doping)。在上述空穴注入层上,将下述化合物HT-1进行真空蒸镀而形成了膜厚度的空穴传输层。接着,将上述制造的化合物1和下述化合物Dp-7以98:2的重量比进行真空蒸镀而形成厚度的红色发光层。在上述发光层上,以膜厚度将下述化合物HB-1进行真空蒸镀而形成空穴阻挡层。接着,在上述空穴阻挡层上,将下述化合物ET-1和下述化合物LiQ以2:1的重量比进行真空蒸镀,从而以的厚度形成电子注入和传输层。在上述电子注入和传输层上,依次将氟化锂(LiF)以的厚度、将铝以的厚度进行蒸镀而形成阴极。
比较例2至比较例25
在比较例1的有机发光器件中,使用下述表1中记载的化合物代替化合物1,除此以外,通过与上述比较例1相同的方法制造了有机发光器件。
比较例26至比较例73
在比较例1的有机发光器件中,分别将下述表2中记载的化合物代替化合物1和化合物HT-1用于发光层和空穴传输层,除此以外,通过与上述比较例1相同的方法制造了有机发光器件。
比较例74至比较例105
在比较例1的有机发光器件中,将表3中记载的第一主体和第二主体化合物以1:1的重量比代替化合物1用于发光层,除此以外,通过与上述比较例1相同的方法制造了有机发光器件。表3中记载的化合物C-1至C-4如下所示。
比较例106至比较例137
在比较例1的有机发光器件中,将表4中记载的第一主体和第二主体化合物以1:1的重量比代替化合物1用于发光层,除此以外,通过与上述比较例1相同的方法制造了有机发光器件。表4中记载的化合物C-5至C-12如下所示。
实施例1至实施例70
在比较例1的有机发光器件中,将表5中记载的第一主体和第二主体化合物以1:1的重量比代替化合物1用于发光层,除此以外,通过与上述比较例1相同的方法制造了有机发光器件。
实验例
在对上述实施例和比较例中制造的有机发光器件施加具有10mA/cm2的电流密度的电流时,测定(6000尼特基准)了电压、效率、寿命,将其结果示于下述表1至表5。寿命T95是指亮度从初始亮度(6000尼特)减少至95%所需的时间。
【表1】
区分 | 发光层 | 驱动电压(V) | 效率(cd/A) | 寿命T95(hr) | 发光色 |
比较例1 | 化合物1 | 4.22 | 17.8 | 157 | 红色 |
比较例2 | 化合物2 | 4.41 | 16.5 | 191 | 红色 |
比较例3 | 化合物3 | 4.45 | 16.1 | 193 | 红色 |
比较例4 | 化合物4 | 4.48 | 16.3 | 181 | 红色 |
比较例5 | 化合物5 | 4.28 | 17.2 | 138 | 红色 |
比较例6 | 化合物6 | 4.30 | 17.5 | 194 | 红色 |
比较例7 | 化合物7 | 4.46 | 15.7 | 190 | 红色 |
比较例8 | 化合物8 | 4.40 | 16.5 | 197 | 红色 |
比较例9 | 化合物9 | 4.29 | 17.0 | 131 | 红色 |
比较例10 | 化合物10 | 4.35 | 17.1 | 191 | 红色 |
比较例11 | 化合物11 | 4.27 | 17.2 | 140 | 红色 |
比较例12 | 化合物12 | 4.20 | 17.1 | 164 | 红色 |
比较例13 | 化合物13 | 4.51 | 15.6 | 152 | 红色 |
比较例14 | 化合物14 | 4.47 | 15.8 | 137 | 红色 |
比较例15 | 化合物15 | 4.33 | 17.0 | 194 | 红色 |
比较例16 | 化合物16 | 5.01 | 7.3 | 31 | 红色 |
比较例17 | 化合物17 | 4.98 | 8.0 | 27 | 红色 |
比较例18 | 化合物18 | 5.07 | 7.5 | 34 | 红色 |
比较例19 | 化合物19 | 5.05 | 7.8 | 32 | 红色 |
比较例20 | 化合物20 | 5.04 | 8.2 | 29 | 红色 |
比较例21 | 化合物21 | 4.96 | 7.9 | 30 | 红色 |
比较例22 | 化合物22 | 5.00 | 8.1 | 22 | 红色 |
比较例23 | 化合物23 | 4.92 | 9.3 | 24 | 红色 |
比较例24 | 化合物24 | 5.05 | 7.4 | 26 | 红色 |
比较例25 | 化合物25 | 5.09 | 7.6 | 29 | 红色 |
【表2】
【表3】
【表4】
【表5】
对于通过实施例1至70和比较例1至137而制作的有机发光器件,得到了上述表1至表5的结果。从上述结果来看,在发光层中,将由化学式1表示的化合物和由化学式2表示的化合物用作共同主体而共蒸镀的有机发光器件的驱动电压、效率、寿命的测定结果最优异。在发光层中,使用由化学式1表示的化合物和由化学式2表示的化合物的有机发光器件与只包含由化学式1表示的化合物或由化学式2表示的化合物作为单一主体的有机发光器件(比较例1至比较例25)相比,显示出优异的结果。此外,本发明的一实施例与将由化学式2表示的化合物用于空穴传输区域的情况(比较例26至比较例73)相比优异,与包含由化学式1表示的化合物或由化学式2表示的化合物且将未包含在本发明中的化合物C-1至C-12中的任一个作为共同主体包含的有机发光器件(比较例74至比较例137)相比也显示了优异的结果。
从上述结果可以推测,如果组合由化学式1表示的化合物和由化学式2表示的化合物,则在发光层内,空穴的量增多,同时,发光层内的电子和空穴维持更稳定的平衡,从而效率和寿命提高。总而言之,在将本发明的化合物组合用作发光层的主体时,可以改善有机发光器件的驱动电压、发光效率和寿命特性。
符号说明
1:基板 2:阳极
3:发光层 4:阴极
5:空穴注入层 6:空穴传输层
7:空穴阻挡层 8:电子注入和传输层。
Claims (12)
1.一种有机发光器件,其中,包括:
阳极,
阴极,
设置在所述阳极与所述阴极之间的发光层,
其中所述发光层包含由下述化学式1表示的化合物和由下述化学式2表示的化合物:
化学式1
在所述化学式1中,
Ar1为取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个的C2-60杂芳基,
L为单键、或者取代或未取代的C6-60亚芳基,
R1、R2、R3和R4各自独立地为氢;氘;卤素;氰基;硝基;氨基;取代或未取代的C1-60烷基;取代或未取代的C3-60环烷基;取代或未取代的C2-60烯基;取代或未取代的C6-60芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个的C2-60杂芳基;或者R1、R2、R3和R4中的相邻的两个彼此结合而形成C6-60芳香族环,或者包含选自N、O和S中的任一个或更多个的C2-60芳香族杂环,
R5、R6、R7和R8各自独立地为氢;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个的C2-60杂芳基,
化学式2
在所述化学式2中,
Ar2和Ar3各自独立地为取代或未取代的C6-60芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个的C2-60杂芳基。
3.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中,Ar1为取代或未取代的包含2个以上的N的C2-60杂芳基。
4.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中,Ar1为取代或未取代的喹唑啉基、或者取代或未取代的喹喔啉基。
6.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中,L为单键。
7.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中,R5、R6、R7和R8各自独立地为氢或咔唑基,
其中所述咔唑基未被取代,或者被苯基、联苯基、萘基、萘基苯基和苯基萘基中的任一个取代。
9.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中,R5、R6、R7和R8中的至少一个为取代或未取代的咔唑基。
11.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中,Ar2和Ar3各自独立地为苯基、联苯基、三联苯基、二甲基芴基、萘基、萘基苯基、或苯基萘基。
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