CN112374915A - 一种高发射率远红外发射日用陶瓷的制备方法 - Google Patents

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刘渊博
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Abstract

本发明涉及远红外发射日用陶瓷技术，具体涉及一种高发射率远红外发射日用陶瓷的制备方法，取日用陶瓷坯料并向其中加入日用陶瓷坯料质量10‑30％的远红外陶瓷粉混合制得远红外发射陶瓷釉浆，按1:2.5:1的质量比将远红外发射陶瓷釉浆、球石、水加入到球磨罐中球磨，过100目多孔筛得到远红外发射陶瓷浆料；将制得的远红外发射陶瓷浆料按照日用陶瓷施釉工艺均匀地涂覆在陶瓷坯体表面作为日用陶瓷底釉，随后放入干燥炉中烘干得到涂覆远红外发射混合粉的陶瓷坯体；将制得的陶瓷坯体表面进行面釉装饰，随后烘干置于日用陶瓷烧成炉中以5℃/min的升温速率进行升温，自室温升温至低于1250℃，保温1h‑2h，待自然冷却至室温后，得到高发射率的远红外日用陶瓷。

Description

一种高发射率远红外发射日用陶瓷的制备方法
技术领域
本发明涉及远红外发射日用陶瓷领域，具体涉及一种高发射率远红外发射日用陶瓷的制备方法。
背景技术
远红外发射日用陶瓷能够发射比正常陶瓷更多的远红外能量，远红外能量不仅对食物、饮料以及水具有活化作用，而且对人体还有保健功能，能够促进人体新陈代谢，加速乳酸分解，消除疲劳，提高人体免疫力等功能。
通常远红外发射陶瓷的制备是将远红外陶瓷粉与陶瓷釉浆混合，经施釉高温烧制后得到具有远红外发射的功能陶瓷材料。公开号为CN1141265A的中国专利申请文献公开了一种远红外陶瓷釉，通过在普通的陶瓷釉料中掺入远红外陶瓷粉制成的功能陶瓷釉浆，在陶瓷坯体表面施釉后经烧制得到远红外发射陶瓷。
该远红外发射陶瓷在烧制过程中，陶瓷釉中的玻璃相易侵蚀或溶解远红外陶瓷粉，致使陶瓷釉面中的远红外陶瓷粉发射能力下降，从而导致制得高发射率的远红外陶瓷困难。
发明内容
为克服现有技术的不足，本发明目的在于提供一种高发射率远红外发射日用陶瓷的其制备方法，解决远红外陶瓷粉在日用陶瓷釉面烧成过程被侵蚀或溶解，致使红外发射能力下降的问题。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种高发射率远红外发射日用陶瓷的制备方法，具体包括以下步骤；
步骤1：取日用陶瓷坯料并向其中加入日用陶瓷坯料质量10-30％的远红外陶瓷粉混合制得远红外发射陶瓷釉浆，按1:2.5:1的质量比为将远红外发射陶瓷釉浆、球石、水加入到球磨罐中球磨，球磨后过100目多孔筛得到远红外发射陶瓷浆料；
步骤2：将步骤1中制得的远红外发射陶瓷浆料按照日用陶瓷施釉工艺均匀地涂覆在陶瓷坯体表面作为日用陶瓷底釉，随后放入干燥炉中烘干得到涂覆远红外发射混合粉的陶瓷坯体；
步骤3：将步骤2中制得的陶瓷坯体表面进行面釉装饰，随后烘干置于日用陶瓷烧成炉中以5℃/min的升温速率自室温升温至低于1250℃，保温1h-2h，待自然冷却至室温后，得到高发射率的远红外日用陶瓷。
进一步地，步骤1中所述的远红外陶瓷粉的红外发射率大于0.9。
进一步地，步骤2中所述的日用陶瓷施釉工艺方式为浸釉或者喷釉或者淋釉。
进一步地，步骤3中所述的面釉为透明釉或者乳浊釉或者微晶釉。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1)本发明取日用陶瓷坯料并向其中加入日用陶瓷坯料质量10-30％的远红外陶瓷粉混合按照日用陶瓷釉浆的制备工艺制成远红外发射陶瓷浆料，并施于陶瓷坯体表面作为日用陶瓷底釉，待日用陶瓷底釉干燥后，再在其表面进行陶瓷釉面装饰，经烧制后得到高发射率的远红外日用陶瓷；利用熔融温度高于日用陶瓷釉料的坯粉将远红陶瓷粉保护在陶瓷坯体表面，减少远红外陶瓷粉在日用陶瓷釉料中的侵蚀和溶解，提高日用陶瓷的远红外发射率。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步详细描述，但不作为对本发明的限定。
实施例1：
一种高发射率远红外发射日用陶瓷的制备方法，具体包括以下步骤：
步骤1：取日用陶瓷坯料并向其中加入日用陶瓷坯料质量10％的红外发射率大于0.9的远红外陶瓷粉混合制得远红外发射陶瓷釉浆，按1:2.5:1的质量比为将远红外发射陶瓷釉浆、球石、水加入到球磨罐中球磨，球磨后过100目多孔筛得到远红外发射陶瓷浆料。
步骤2：将步骤1中制得的远红外发射陶瓷浆料采用浸釉的方式均匀地涂覆在陶瓷坯体表面作为日用陶瓷底釉，涂覆层厚度为1.5mm，随后放入干燥炉中烘干得到涂覆远红外发射混合粉的陶瓷坯体。
步骤3：将步骤2中制得的陶瓷坯体表面采用透明釉进行面釉装饰，随后烘干置于日用陶瓷烧成炉中以5℃/min的升温速率自室温升温至低于1250℃，保温1h，待自然冷却至室温后，得到高发射率的远红外日用陶瓷。
实施例2：
一种高发射率远红外发射日用陶瓷的制备方法，具体包括以下步骤：
步骤1：取日用陶瓷坯料并向其中加入日用陶瓷坯料质量15％的红外发射率大于0.9的远红外陶瓷粉混合制得远红外发射陶瓷釉浆，按1:2.5:1的质量比为将远红外发射陶瓷釉浆、球石、水加入到球磨罐中球磨，球磨后过100目多孔筛得到远红外发射陶瓷浆料。
步骤2：将步骤1中制得的远红外发射陶瓷浆料采用喷釉的方式均匀地涂覆在陶瓷坯体表面作为日用陶瓷底釉，涂覆层厚度为1.4mm，随后放入干燥炉中烘干得到涂覆远红外发射混合粉的陶瓷坯体。
步骤3：将步骤2中制得的陶瓷坯体表面采用微晶釉进行面釉装饰，随后烘干置于日用陶瓷烧成炉中以5℃/min的升温速率自室温升温至低于1250℃，保温1.5h，待自然冷却至室温后，得到高发射率的远红外日用陶瓷。
实施例3：
一种高发射率远红外发射日用陶瓷的制备方法，具体包括以下步骤：
步骤1：取日用陶瓷坯料并向其中加入日用陶瓷坯料质量20％的红外发射率大于0.9的远红外陶瓷粉混合制得远红外发射陶瓷釉浆，按1:2.5:1的质量比为将远红外发射陶瓷釉浆、球石、水加入到球磨罐中球磨，球磨后过100目多孔筛得到远红外发射陶瓷浆料。
步骤2：将步骤1中制得的远红外发射陶瓷浆料采用淋釉的方式均匀地涂覆在陶瓷坯体表面作为日用陶瓷底釉，涂覆层厚度为1.3mm，随后放入干燥炉中烘干得到涂覆远红外发射混合粉的陶瓷坯体。
步骤3：将步骤2中制得的陶瓷坯体表面采用微晶釉进行面釉装饰，随后烘干置于日用陶瓷烧成炉中以5℃/min的升温速率自室温升温至低于1250℃，保温2h，待自然冷却至室温后，得到高发射率的远红外日用陶瓷。
实施例4：
一种高发射率远红外发射日用陶瓷的制备方法，具体包括以下步骤：
步骤1：取日用陶瓷坯料并向其中加入日用陶瓷坯料质量25％的红外发射率大于0.9的远红外陶瓷粉混合制得远红外发射陶瓷釉浆，按1:2.5:1的质量比为将远红外发射陶瓷釉浆、球石、水加入到球磨罐中球磨，球磨后过100目多孔筛得到远红外发射陶瓷浆料。
步骤2：将步骤1中制得的远红外发射陶瓷浆料采用浸釉的方式均匀地涂覆在陶瓷坯体表面作为日用陶瓷底釉，涂覆层厚度为1.2mm，随后放入干燥炉中烘干得到涂覆远红外发射混合粉的陶瓷坯体。
步骤3：将步骤2中制得的陶瓷坯体表面采用透明釉进行面釉装饰，随后烘干置于日用陶瓷烧成炉中以5℃/min的升温速率自室温升温至低于1250℃，保温2h，待自然冷却至室温后，得到高发射率的远红外日用陶瓷。
实施例5：
一种高发射率远红外发射日用陶瓷的制备方法，具体包括以下步骤：
步骤1：取日用陶瓷坯料并向其中加入日用陶瓷坯料质量30％的红外发射率大于0.9的远红外陶瓷粉混合制得远红外发射陶瓷釉浆，按1:2.5:1的质量比为将远红外发射陶瓷釉浆、球石、水加入到球磨罐中球磨，球磨后过100目多孔筛得到远红外发射陶瓷浆料。
步骤2：将步骤1中制得的远红外发射陶瓷浆料采用喷釉的方式均匀地涂覆在陶瓷坯体表面作为日用陶瓷底釉，涂覆层厚度为1.1mm，随后放入干燥炉中烘干得到涂覆远红外发射混合粉的陶瓷坯体。
步骤3：将步骤2中制得的陶瓷坯体表面采用乳浊釉进行面釉装饰，随后烘干置于日用陶瓷烧成炉中以5℃/min的升温速率自室温升温至低于1250℃，保温1h，待自然冷却至室温后，得到高发射率的远红外日用陶瓷。
实施例6：
一种高发射率远红外发射日用陶瓷的制备方法，具体包括以下步骤：
步骤1：取日用陶瓷坯料并向其中加入日用陶瓷坯料质量30％的红外发射率大于0.9的远红外陶瓷粉混合制得远红外发射陶瓷釉浆，按1:2.5:1的质量比为将远红外发射陶瓷釉浆、球石、水加入到球磨罐中球磨，球磨后过100目的多孔筛得到远红外发射陶瓷浆料。
步骤2：将步骤1中制得的远红外发射陶瓷浆料采用淋釉的方式均匀地涂覆在陶瓷坯体表面作为日用陶瓷底釉，涂覆层厚度为1.0mm，随后放入干燥炉中烘干得到涂覆远红外发射混合粉的陶瓷坯体。
步骤3：将步骤2中制得的陶瓷坯体表面采用微晶釉进行面釉装饰，随后烘干置于日用陶瓷烧成炉中以5℃/min的升温速率自室温升温至低于1250℃，保温2h，待自然冷却至室温后，得到高发射率的远红外日用陶瓷。
综上所述，通过上述实施例的制备方法得到高发射率的远红外发射日用陶瓷利用熔融温度高于日用陶瓷釉料的坯粉将远红陶瓷粉保护在陶瓷坯体表面，减少远红外陶瓷粉在日用陶瓷釉料中的侵蚀和溶解，提高日用陶瓷的远红外发射率。
采用实施例的制备方法制得高发射率的远红外发射日用陶瓷广泛应用于远红外日用陶瓷餐具、陶瓷茶具和酒具，以及日用陶瓷杯的生产，也可用于陶瓷卫生洁具、浴盆、浴缸等领域。
参照上述实施例对本发明进行了详细说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者等同替换，而未脱离本发明精神和范围的任何修改或者等同替换，其均应涵盖在本权利要求范围当中。

Claims (5)

1.一种高发射率远红外发射日用陶瓷的制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤；
步骤1：取日用陶瓷坯料并向其中加入日用陶瓷坯料质量10-30％的远红外陶瓷粉混合制得远红外发射陶瓷釉浆，按1:2.5:1的质量比为将远红外发射陶瓷釉浆、球石、水加入到球磨罐中球磨，球磨后过100目多孔筛得到远红外发射陶瓷浆料；
步骤2：将步骤1中制得的远红外发射陶瓷浆料按照日用陶瓷施釉工艺均匀地涂覆在陶瓷坯体表面作为日用陶瓷底釉，随后放入干燥炉中烘干得到涂覆远红外发射混合粉的陶瓷坯体；
步骤3：将步骤2中制得的陶瓷坯体表面进行面釉装饰，随后烘干置于日用陶瓷烧成炉中以5℃/min的升温速率自室温升温至低于1250℃，保温1h-2h，待自然冷却至室温后，得到高发射率的远红外日用陶瓷。
2.根据权利要求1所述的一种高发射率远红外发射日用陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤1中所述的远红外陶瓷粉的红外发射率大于0.9。
3.根据权利要求1或2所述的一种高发射率远红外发射日用陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤2中所述的日用陶瓷施釉工艺方式为浸釉或者喷釉或者淋釉。
4.根据权利要求1所述的一种高发射率远红外发射日用陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤2中所述的日用陶瓷底釉的层厚为1-1.5mm。
5.根据权利要求1所述的一种高发射率远红外发射日用陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤3中所述的面釉为透明釉或者乳浊釉或者微晶釉。
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