CN111727492A - 用于在固体中产生短的亚临界裂纹的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于在固体(1)的内部中产生改性部(9)的方法。所述方法包括:将激光器(29)的激光辐射(14)经由固体(1)的第一表面(8)引入到固体(1)的内部中,其中固体(1)构成晶体结构,并且其中通过激光辐射(14)在固体(1)的内部中的产生平面(4)上的预定部位处产生改性部(9),其中与相对于第二表面相比,改性部(9)相对于第一表面(8)更近地间隔开,其中第二表面平行于第一表面(8)构成,其中通过改性部(9)产生多个线形构造(103),其中固体(1)在相应的改性部(9)的区域中亚临界地裂开,其中亚临界裂纹正交于相应的线形构造的纵向延伸方向具有小于150μm的平均裂纹长度,其中属于同一线形构造(103)且依次产生的改性部(9)彼此相距一定间距产生,所述间距通过函数(d‑x)/d<‑0.31限定,其中在此适用x>d。

Description

用于在固体中产生短的亚临界裂纹的方法
技术领域
当前主题根据权利要求1和3分别涉及用于在固体的内部中产生改性部的方法,根据权利要求14涉及用于将至少一个固体层与固体分离的方法,并且根据权利要求15和16分别涉及具有有利形貌的固体。
背景技术
出版物DE102017206178A1公开一种晶片制造方法,其包括由柱形的SiC单晶锭制造晶片,所述SiC单晶锭具有柱形的环周面,所述环周面具有第一定向平面和第二定向平面以及圆形的顶面,第二定向平面比第一定向平面短且垂直于第一定向平面,其中柱形的SiC单晶锭具有从垂直于圆形的顶面的竖直轴线朝向第二定向平面倾斜的c轴,以及在垂直于c轴的c平面与顶面之间构成的偏移角度,其中所述晶片制造方法包括:用于加工输送方向的检测步骤,所述检测步骤包括:确认c轴倾斜的方向和第二定向平面是否彼此垂直;以及检测垂直于c轴倾斜的方向的加工输送方向;
用于强度降低的区域的构成步骤,所述构成步骤包括:从圆形的顶面开始在柱形的SiC单晶锭中的深度中定位激光射束的焦点,其中深度对应于待制造的晶片的厚度,并且在柱形的SiC单晶锭和焦点沿着在用于加工输送方向的检测步骤中已经检测到的加工输送方向相对移动期间,借助于激光射束照射柱形的SiC单晶锭,所述激光射束具有透过SiC的波长,以便由此构成强度降低的直线区域,所述区域由平行于圆形的顶面的改性层和裂纹构造,所述裂纹从改性层在对应于待制造的晶片的厚度的深度中沿着c平面延伸;剥离面构成步骤,所述剥离面构成步骤包括:通过以在垂直于加工输送方向的方向上的预定的间隔多次实施用于强度降低的区域的构成步骤,在柱形的SiC单晶锭中构成剥离面;以及在剥离面构成步骤之后的晶片制造步骤,所述晶片制造步骤包括:由柱形的SiC单晶锭通过从用作为边界面的剥离面剥离柱形的SiC单晶锭的部段来制造晶片;其中用于加工输送方向的检测步骤包括:采样步骤,其包括实施采样照射,以从圆形的顶面开始在柱形的SiC单晶锭中的预定的深度中定位激光射束的焦点,和在柱形的SiC单晶锭和焦点相对于彼此移动时,借助于激光射束照射柱形的SiC单晶锭,所述激光射束具有如下波长,所述波长沿着平行于第二定向平面的方向以及顺时针和逆时针通过相应的预定角度从第二定向平面开始倾斜的多个方向透过SiC,以便由此在柱形的SiC单晶锭中构成强度降低的多个采样直线区域,其中强度降低的采样直线区域的每个采样直线区域由平行于圆形的顶面的改性层和裂纹构造,所述裂纹从改性层沿着c平面延伸;以及确定步骤,所述确定步骤包括,借助于成像机构拍摄强度降低的采样直线区域的相应的图像,测量在其图像中的一个图像中在强度降低的采样直线区域的每个采样直线区域中在每单位长度存在的节点数量,以及确定强度降低的采样直线区域作为加工输送方向延伸的方向,在所述采样直线区域中,所测量的节点数量是零。
出版物DE102016208958A1公开用于由六方单晶锭制造六方单晶晶片的晶片制造方法。晶片制造方法包括分离开始点构成步骤,所述分离开始点构成步骤包括:将具有对于锭而言的透射波长的激光射束的焦点设定到锭的内部中的从锭的顶面开始预定的深度上,其中深度对应于待制造的晶片的厚度;并且接着在焦点和锭相对移动时,将激光射束施加到锭的顶面上,以便借此构成平行于锭的顶面的改性层和从改性层延伸的裂纹,以便因此构成分离开始点。施加激光射束,以便在如下状态中构成改性层,在所述状态中,遵循关系-0.3≤(d-x)/d≤0.5,其中d是激光射束的焦点的直径,并且x是激光射束的彼此并排的焦点之间的间距。在此适用:d=1.22*λ/Na,其中λ代表激光的波长,并且Na代表成像的数值孔径。
前述方法是不利的,因为近地并排地选择焦点,使得紧接着的焦点处于发生了相变的部分中。然而这引起,吸收非常强烈地增加。如果现在出现材料参数波动,如例如缺陷、夹杂物或掺杂物,则吸收能够再次明显提升,由此材料转变的过程变得不可控,或固体的内部中的大部分不受控地转变。因此,出现正反馈。然后,通过所述正反馈转变更大量的材料,由此在固体的内部中出现更大的压应力。所述更大的压应力引起,裂纹扩展更强地进行。因为在碳化硅的情况下,裂纹扩展通常在晶格平面方向上进行,并且晶格在碳化硅锭或晶锭的情况下通常以4°的角度倾斜。延伸到远处的裂纹引起周围固体结构的损伤。然后,所述损伤的部分必须借助于磨削方法移除。因此,减小损伤直接意味着提升产量和降低后处理耗费。
发明内容
因此,目的是提供引起固体材料的减小损伤的解决方案。
前述目的例如通过根据权利要求1所述的用于在固体的内部中产生改性部的方法来实现。在此,所述方法优选地至少具有如下步骤:将激光器的激光辐射经由固体的第一表面引入到固体的内部中,其中固体构成晶体结构,并且其中通过激光辐射,在固体的内部中的产生平面上的预定部位处产生改性部。在此,与相对于第二表面相比,改性部优选地相对于第一表面更近地间隔开,其中第二表面优选地平行于第一表面构成。在此,用于产生改性部的激光辐射优选地经由第一表面或第二表面进入到固体中。
然而,替选地也可行的是,与相对于第一表面相比,改性部相对于第二表面更近地间隔开。在此,用于产生改性部的激光辐射优选地经由第一表面或第二表面进入到固体中。
因此,激光射束能够优选地经由第一表面进入到固体中,并且然后与第二表面相比,改性部与第一表面更远地间隔开地产生。与相对于第一表面相比,产生平面相对于第二表面更近地间隔开。
通过改性部,优选地产生多个线形构造、尤其写入线。线形构造优选地多数弯曲地或直线地延伸。固体在相应的改性部的区域中优选地亚临界地裂开。亚临界裂纹优选地正交于相应的线形构造的纵向延伸方向具有小于150μm、尤其小于120μm或小于110μm或小于90μm或小于75μm或小于60μm的平均裂纹长度。优选地,亚临界裂纹比两倍的线间距(=Hatch)更短。
属于同一线形构造且依次产生的改性部优选地彼此相距一定间距产生,所述间距通过函数(d-x)/d<-0.31,尤其<-0.4来限定,其中在此优选地适用x>d。
在产生平面的高度上或优选地平行于产生平面,亚临界裂纹能够扩展并且由此构成剥离平面。因此,与产生平面相比,剥离平面能够相对于第一表面更近地间隔开,或与产生平面相比,剥离平面能够相对于第一表面更远地间隔开。
在此,在改性部的“区域中”能够理解为,固体在改性的或材料转变的部分中和在与此相邻的固体部分中裂开。然而,同样可行的是,改性的区域不裂开,而是裂纹在固体纵向方向上在一个改性部/多个改性部的上方或下方裂开。如果固体在一个改性部/多个改性部的上方或下方裂开,则裂纹(尤其亚临界裂纹)相对于产生平面的间距优选地小于20μm,尤其小于15μm或小于10μm或小于5μm或小于4μm或小于3μm或小于2μm或小于1μm。
所述解决方案是有利的,因为通过给出的条件(d-x)/d<-0.31,同一线形构造的依次产生的改性部的焦点彼此间隔开,使得在之后进行的材料转变时,先前产生的材料转变不引起或仅引起轻微的效果,尤其不引起或仅引起轻微提升的吸收。这是有利的,因为由此能够非常精确地产生改性部,由此能够更好地控制亚临界裂纹更强地扩展的倾向。
另外的优选的实施方式是从属权利要求和以下说明书部分的主题。
根据另一优选的实施方式,激光辐射限定地偏振。在此,激光辐射的偏振方向优选地相对于固体的晶体轴线以限定角度、尤其固定角度0°或90°,或以限定角度范围,尤其-20°至20°或-10°至10°或-5°至5°或-1°至1°或70°至110°或80°至100°或85°至95°或89°至91°取向。替选地,借助于激光射束在固体的内部中产生的改性部的纵向延伸方向能够相对于在产生平面与晶格平面之间的相交部位处得出的交线、尤其虚拟相交平面以限定角度、尤其固定角度0°或90°,或以限定角度范围、尤其-20°至20°或-10°至10°或-5°至5°或-1°至1°或70°至110°或80°至100°或85°至95°或89°至91°定向。
在激光平行于主平面偏振时,在SiC衬底的C侧中进行激光加工时确定,需要以大约50%更高的激光能量,以便构成相对于所述配置中垂直于主平面的激光偏振类似的损伤图样。如果使用圆偏振光,则在抵抗穿透偏振的偏振器的情况下,测量以1/3减小的透射的激光功率。这意味着,对于圆偏振光,所使用的激光能量相对于线性的理想偏振可能必须提高直至50%的数值。然而,尤其通过对于SiC中对圆偏振光的多光子效应的有效截面和过程的非线性,所述不同也会更小。与之相应地在理想的激光偏振的阈值能量和相对于理想的激光偏振以90°转动的激光偏振的阈值能量之间的值也是可行的,因为在旋转的激光偏振的过程中瞬时扫过两个偏振。然而,多光子效应通常对于线偏振的光具有更好的有效截面,使得对于理想圆偏振光还必须耗用更大的能量。
前述目的能够同样通过根据权利要求3所述的用于在固体的内部中产生改性部的方法来实现。在此,所述方法优选地至少具有如下步骤:将激光器的激光辐射经由固体的第一表面引入到固体的内部中,其中固体构成晶体结构,并且其中通过激光辐射,在固体的内部中的产生平面上的预定部位处产生改性部。在此,与相对于第二表面相比,改性部优选地相对于第一表面更近地间隔开,其中第二表面优选地平行于第一表面构成。在此,用于产生改性部的激光辐射优选地经由第一表面或第二表面进入到固体中。
然而,替选地也可行的是,与相对于第一表面相比,改性部相对于第二表面更近地间隔开。在此,用于产生改性部的激光辐射优选地经由第一表面或第二表面进入到固体中。
因此,激光射束能够优选地经由第一表面进入到固体中,并且然后与第二表面相比,改性部与第一表面更远地间隔开地产生。与相对于第一表面相比,产生平面相对于第二表面更近地间隔开。
通过改性部,优选地产生多个线形构造、尤其写入线。线形构造优选地多数弯曲地或直线地延伸。固体在相应的改性部的区域中优选地亚临界地裂开。亚临界裂纹优选地正交于相应的线形构造的纵向延伸方向具有小于150μm、尤其小于120μm或小于110μm或小于90μm或小于75μm或小于60μm的平均裂纹长度。优选地,亚临界裂纹比两倍的Hatch更短。
优选地,激光辐射限定地偏振,或是限定地偏振的。激光辐射的偏振方向相对于固体的晶体轴线优选地以限定角度、尤其固定角度0°或90°,或以限定角度范围、尤其-20°至20°或-10°至10°或-5°至5°或-1°至1°或70°至110°或80°至100°或85°至95°或89°至91°取向。替选地,借助于激光射束在固体的内部中产生的改性部的纵向延伸方向能够相对于在产生平面与晶格平面之间的相交部位处得出的交线以限定角度、尤其固定角度0°或90°,或以限定角度范围、尤其-20°至20°或-10°至10°或-5°至5°或-1°至1°或70°至110°或80°至100°或85°至95°或89°至91°定向。
在此,平均裂纹长度优选地在平面中确定,也就是说在相对于线形构造的纵向延伸方向的正交方向上的裂纹扩展一方面在同一平面中检测而另一方面在线形构造的平面中检测,并且优选以改性分辨的方式进行评估或确定。
在此,固体能够具有碳化硅或由碳化硅、尤其由经掺杂的碳化硅构成。
根据另一优选的实施方式,属于同一线形构造且依次产生的改性部彼此相距一定间距产生,所述间距通过函数(d-x)/d<0,尤其<-0,3或<-0.31或<-0.4或<-0.45或<-0.5或<-0.55或<-0.6或<-0.65或<-0.7或<-0.75来限定,其中在此优选地适用x>d。在此,结论<-0.31意味着小于-0.31,在此这是绝对值更大的数字,如例如-0.5。相反,-0.1在绝对值方面小于-0.31的绝对值,因此,不包括-0.1。
根据另一优选的实施方式,线形构造的依次产生的改性部通过未改性的固体材料彼此分离。也就是说,在各个改性部之间优选地不进行通过激光改性引起的相改变。因此,线性构造的各个改性部优选地在空间上彼此分离,使得先前进行的材料转变不影响在直接在此之后对于同一线性构造产生的改性部中的吸收。因此,从中得出点图样,或通过点图样形成线形构造。
根据另一优选的实施方式,各两个直接彼此并排的线形构造之间的间距小于50μm,尤其小于40μm或小于30μm或小于25μm或小于20μm或小于15μm或小于10μm。所述解决方案是有利的,因为实现裂纹前缘,所述裂纹前缘使留下的剩余固体的露出的表面和所分离的固体层的露出的表面具有表征性构造。所述表征性构造在固体层的侧面上和/或在剩余固体的侧面上优选地构成锯齿形的***部和/或凹陷部。这适用于所有固体,所述固体的晶体平面和/或滑移面、也就是说优选的裂纹平面相对于第一表面倾斜,通过所述第一表面将激光辐射引入到固体中。
根据另一优选的实施方式,在固体中产生的改性部的第一部分在固体相对于激光器的光学装置的第一相对移动期间产生,并且第二部分在固体相对于激光器的光学装置的第二相对移动期间产生。在此,第一相对移动优选地是在第一方向上的直线移动,并且在此,第二相对移动优选地是在第二方向上的直线移动,其中经过路径优选地彼此平行。优选地,整个经过路径构成蜿蜒形或通过X-Y台引起的行进移动。
根据另一优选的实施方式,在第一相对移动期间至少激光器参数的设定、尤其偏振与在第二相对移动期间的设定有偏差,其中第一相对移动对应于在第一方向上的线性移动,并且第二相对移动对应于在第二方向上的线性移动,其中第一方向和第二方向彼此平行错开地取向。
根据另一优选的实施方式,激光辐射线偏振或椭圆偏振或圆偏振。所述实施方式是有利的,因为能够通过激光辐射的所限定的偏振产生改性部,所述改性部能够实现亚临界裂纹的非常短的、尤其短于100μm的裂纹扩展。
根据另一优选的实施方式,所述方法优选地同样具有如下步骤:在进入到固体中之前改变激光射束的射束特性,其中射束特性是焦点中的强度分布,其中射束特性的改变或调整由至少一个或恰好一个空间光调制器和/或由至少一个或恰好一个DOE引起,其中空间光调制器和/或DOE设置在激光辐射在固体与辐射源之间的射束路径中。
根据另一优选的实施方式,在激光辐射的路径中,在激光辐射进入到供体衬底中或固体中之前设置有衍射光学元件(DOE)。激光辐射通过DOE划分到多个光路上以产生多个焦点。DOE优选地在200μm的长度上引起图像场曲,所述图像场曲小于或等于50μm,尤其小于或等于30μm或小于或等于10μm或小于或等于5μm或小于或等于3μm,其中通过DOE同时产生至少2个和优选地至少3个或恰好3个或至少4个或恰好4个或至少5个或恰好5个或至少10个或恰好10个或直至10个或至少20个或恰好20个或直至20个或至少50个或恰好50个或直至50个或直至100个焦点,用于改变供体衬底或固体的材料特性。所述实施方式是有利的,因为能够实现显著的工艺加速。
因此已认识到,大的功率借助于衍射光学元件(DOE)划分到焦平面中的多个焦点上。DOE在焦平面之前已经显示出干涉现象,已认识到,干涉在表面处,在焦平面之前能够产生局部强度最大值,所述局部强度最大值可能引起表面的损伤并且可能引起激光辐射对于在深度中加工的降低的透射性。此外已认识到,一些材料(例如:SiC)具有例如通过材料掺杂(通常出现:掺杂斑)引起的局部的折射率差异和其他材料特性差异(例如吸收、透射、散射)。此外已认识到,根据激光耦合输入表面处的材料的表面粗糙度能够显著损害材料的深度中的激光的波阵面,使得焦点具有降低的强度(更小的多光子跃迁概率),这又随着上述问题需要更高的强度。
激光射束以布儒斯特角入射到固体或供体衬底上或其中是复杂的或能够是要求高的,因为不同的射束部分在更高折射率的介质中经过不同长度的路径。焦点必须与此相应地通过更高能量调整和/或通过射束成型调整。在此,优选地例如经由一个或多个衍射光学元件(DOE)进行射束成型,这根据经由激光射束轮廓来补偿所述差异。布儒斯特角是相对大的,这在高的数值孔径的情况下提出对光学装置及其尺寸和工作间距的要求。尽管如此,所述解决方案是有利的,因为表面处的减小的反射也有助于减小的表面损伤,因为光强度更好地耦合输入到材料中。在当前主题的意义上,激光射束也能够在所有另外的在所述出版物中公开的实施方式中以布儒斯特角或者主要地或多数地以布儒斯特角入射。对于布儒斯特角耦合输入,就此参照文献“Optical Properties of Spin-Coated TiO2Antireflection Films on Textured Single-Crystalline Silicon Substrates”(Hindawi Publishing Corporation International Journal of Photoenergy,2015卷,文章ID 147836,第8页,http://dx.doi.org/10.1155/2015/147836)。所述文献通过参引全面用于本申请的主题。前述的和引用的文献尤其公开用于对于不同材料的最优的入射角从而折射率的计算。激光或激光加载装置的能量并非大程度地根据材料、而是更确切地说根据在特定角度下的可能的透射来调整。因此,如果最优的透射例如为93%,则必须考虑相对于垂直入射的实验的所述损失以及例如那么17%的损失,并且与此相应地调整激光功率。
实例:垂直于以一定角度的93%的透射的83%的透射表示:为了实现在深度中的相同的能量,还需要在垂直入射时使用的激光功率的89%(0.83/0.93=0.89)。在当前主题的意义上,倾斜入射的一部分因此优选地用于,使更少的光通过表面反射损失并且更多地置于深度中。由此在特定形势中能够出现的可能的后续问题是,焦点在所述深度中能够含有“倾斜的”轮廓,从而所实现的强度——用于多光子加工的关键变量——又是更小的,即可能甚至比在垂直入射时更小,在垂直入射时,所有射束部分经过材料中的相同的光学路径。然后,这能够优选地通过一个衍射光学元件或通过多个衍射元件或一个经过的光楔或多个经过的光楔——和/或其他光学元件——在射束路径中发生,所述射束路径补偿附加的路径和/或对各个射束的影响——尤其在射束轮廓上的不同的球面像差。所述DOE能够数字式借助于合适的软件解决方案(例如耶拿的Lighttrans的Virtuallab)计算并且然后完成或提供。
根据另一优选的实施方式,改性部优选地借助于多光子激励、尤其两光子激励产生。
方法能够包括一个或多个或所有以下步骤:
相对于激光加载装置移动固体,借助于激光加载装置依次产生多个激光射束以产生分别至少一个改性部,其中激光加载装置尤其连续地、根据至少一个参数、尤其多个参数来设定,用于激光射束的限定的聚焦和/或用于激光能量的调整。
激光射束优选地经由供体衬底的平坦的表面进入到供体衬底中。优选地,激光射束相对于供体衬底或固体的、尤其平坦的表面倾斜,使得激光射束相对于供体衬底的纵轴线以不等于0°或180°的角度进入到供体衬底中。优选地,聚焦激光射束,以产生供体衬底中的改性部。
固体优选地具有晶格平面,所述晶格平面相对于平坦的主表面倾斜,其中固体的主表面沿着固体的纵向方向在一侧限界,其中晶格平面法线相对于主表面法线沿第一方向倾斜,其中改性部是供体衬底的材料特性的改变部。材料特性的改变部通过激光辐射在固体中的进入位置的改变至少部段地构成线形构造,其中线形构造能够构成为点线、虚线或实线。优选地,一个线形构造或多个线形构造或者所有或大量线形构造具有大于1mm或大于5mm或大于10mm或大于20mm或大于30mm的长度或直至1mm或直至5mm或直至10mm或直至20mm或直至30mm或直至50mm或直至100mm的长度。材料特性的改变部优选地在产生平面上、尤其在至少一个产生平面上或在恰好一个产生平面上产生。优选地,固体的晶格平面相对于产生平面倾斜地定向。线形构造优选地相对于在产生平面与晶格平面之间的相交部位处得出的交线倾斜地定向,尤其以一定角度,尤其在2°至30°之间的角度,尤其以3°至9°之间的角度或以至少或恰好或直至3°的角度或者以至少或恰好或直至4°的角度或者以至少或恰好或直至5°的角度或者以至少或恰好或直至6°的角度或者以至少或恰好或直至7°的角度或者以至少或恰好或直至8°的角度或者以恰好或直至15°的角度。
根据另一优选的实施方式,借助于小于5ns或小于2ns、尤其小于1ns或小于700ps或小于500ps或小于400ps或小于300ps或小于200ps或小于150ps或小于100ps或小于50ps或小于10ps的脉冲长度来产生激光辐射。
优选地,分别借助于激光脉冲产生材料特性的改变部或改性部,所述激光脉冲短于5ns,尤其短于2ns或1ns。特别优选地,各个激光脉冲的持续时间处于50ps至4000ps之间或50ps至2000ps之间或50ps至1000ps之间、尤其50ps至900ps之间或50ps至700ps之间或50ps至500ps之间或50ps至300ps之间或300ps至900ps之间或500ps至900ps之间或700ps至900ps之间或300ps至500ps之间或500ps至700ps之间或300ps至700ps之间或短于900ps或短于700ps或短于500ps或短于300ps或短于100ps或短于50ps。
根据另一优选的实施方式,借助于脉冲能量产生激光辐射,其中脉冲能量处于100nJ至1mJ之间或500nJ至100μJ之间或1μJ至50μJ之间。优选地,在物镜下游或在最后的光学扩展机构下游和在激光辐射进入到固体中之前,每单发的脉冲能量为0.1μJ-50μJ。如果例如应借助于DOE产生多个焦点,则在物镜下游或在最后的光学扩展机构下游和在激光辐射进入到固体中之前,与每个单个焦点相关联的激光辐射具有0.1μJ-50μJ的脉冲能量。
根据另一优选的实施方式,将脉冲密度在0.1nJ/μm2至10000nJ/μm2之间、优选在1nJ/μm2至1000nJ/μm2之间、特别优选在3nJ/μm2至200nJ/μm2之间的激光辐射引入到固体中,用于所限定的调温或用于产生改性部或用于改变、尤其局部改变供体衬底的材料特性。
根据另一优选的实施方式,产生用于触发亚临界裂纹的触发改性部,其中用于产生触发改性部的至少一个工艺参数与用于产生基本改性部的至少一个工艺参数不同,优选地,多个工艺参数彼此不同。附加地或替选地,能够在如下方向上产生触发改性部,所述方向相对于产生基本改性部所沿着的线的伸展方向倾斜或间隔开。
尤其通过触发改性部和/或通过限定剥离区域或剥离平面的改性部或通过构成线形构造的改性部产生的亚临界裂纹优选地扩展小于5mm、尤其小于3mm或小于1mm或小于0.5mm或小于0.25mm或小于0.1mm。在此,倾斜定向例如能够对应于0°至90°之间的角度、优选地85°至90°之间的角度以及特别优选地90°的角度。
涉及以下膨胀过程(Schwellprozess):在超过临界强度(即功率/面积)时,该膨胀过程被触发。也就是说,短的脉冲需要更少的能量/脉冲,更高的数值孔径将能量集中到更小的点上,即还需要更低的能量以便实现膨胀强度。
所述方法优选地同样包括以下提及的步骤中的一个或多个步骤:提供所述供体衬底或提供供体衬底(或固体),所述供体衬底具有相对于平坦的主表面倾斜的晶格平面。在此,供体衬底的主表面优选地沿供体衬底的纵向方向在一侧限界,其中晶格平面法线相对于主表面法线沿第一方向倾斜。提供至少一个激光器。将激光器的激光辐射优选地经由主表面引入到固体的内部中,用于改变至少一个激光焦点的区域中的固体的材料特性。激光焦点优选地通过激光器的由激光器发射的激光射束形成。材料特性的改变通过激光辐射进入到供体衬底中的进入位置的改变来构成线形构造。材料特性的改变优选地在产生平面上产生,所述产生平面优选地平行于主表面伸展。线形构造优选地至少部段地直线地或弯曲地延伸。供体衬底的晶格平面相对于产生平面优选倾斜地定向。线形构造、尤其至少直线地延伸的部段或弯曲地延伸的部段相对于在产生平面与晶格平面之间的相交部位处得出的交线或相交直线倾斜,由此已改变的材料特性使供体衬底以亚临界裂纹的形式裂开。优选地,通过将外力导入到供体衬底中进行分离固体层的步骤,用于连接亚临界裂纹,或在产生平面上借助于激光辐射改变如下多的材料,即使得在连接亚临界裂纹的情况下,固体层从供体衬底剥离。在此,主表面优选地视为/限定为理想平坦的表面。
所述方法是有利的,因为通过线形构造相对于在产生平面与晶格平面之间的相交部位处得出的交线或相交直线倾斜的方式,垂直于写入方向限界裂纹生长。因此,不在相同的晶格平面中产生每写入线的改性部。因此,例如每写入线的改性部的前1%-5%仅还能够与晶格平面的一小部分、尤其小于75%或小于50%或小于25%或小于10%或不与晶格平面相交,改性部的后1%-5%与相同的写入线相交。在此,写入线优选地长于1cm或长于10cm或长于20cm或直至20cm长或直至30cm长或直至40cm长或直至50cm长。因此,每写入线明显更少的改性部在相同的晶格平面中产生,由此裂纹扩展沿着所述晶格平面限界。在此,倾斜应理解为不平行或不叠加,并且因此例如能够已经从0.05°的角度开始存在,其中也在非常小的角度、尤其小于1°的情况下,在线形构造的延伸长度上彼此不同的晶格平面、尤其滑移面,通过一个改性部或多个改性部局部相交或改性或改变。
这引起第二优点,即不必强制性实施写入方向,使得另外的产生的裂纹必须与最后产生的裂纹叠加。现在也可行的是,写入方向是相反的。由于裂纹可能是短的,因此不通过最后实现的裂纹进行切断。这能够实现,尽管写入方向相反,然而例如能够实现小于100μm、尤其小于75μm或小于50μm或小于30μm或小于20μm或小于10μm或小于5μm或小于2μm的线间隔。
在此,改变材料特性能够优选地理解为产生材料改性部或产生晶格缺陷,尤其引起局部限界的相改变。
根据第一优选的实施方式,线形构造或写入线相对于交线在0.05°至87°之间的角度范围、尤其以3°或5°至60°之间的角度范围并且优选地以10°至50°之间、尤其10°至30°之间、如例如12°至20°之间或13°至15°之间、或20°至50°之间、尤其25°至40°之间或30°至45°之间或28°至35°之间的角度范围倾斜。所述解决方案是有利的,因为倾斜是大的,使得充分多的不同的晶格平面是同一线形构造或写入线的每个另外的改性部的组成部分。
根据另一优选的实施方式,在构成一个线形构造或多个线形构造的情况下改变供体衬底的多的材料,使得从各个晶格平面的由于固体层分离露出的端部和材料改变中得出莫尔条纹,其中为此产生多个线形地和优选直线地延伸的且彼此平行定向的材料改变区域。
在此,线形构造优选地视为构成直的或弯曲的线的点集。在此,各个点的中心之间的间隔优选地小于250μm,尤其小于150μm或小于50μm或小于15μm或小于10μm或小于5μm或小于2μm。
优选地,在相同的产生平面上产生多个线形构造,优选地,线形构造中的至少多个线形构造以彼此间相同的间隔设置。优选地,线形构造能够弧形地、尤其圆弧形地或直地构成。
根据另一优选的实施方式,所述方法能够具有相对于激光器移动固体的步骤,其中优选地连续地根据至少一个参数和优选地多个参数、尤其至少两个参数来设定激光器,用于激光辐射的所限定的聚焦和/或用于激光能量的调整,其中参数优选地是固体在固体的尤其与固体表面间隔开的预定位置处或预定区域中、尤其内部中的掺杂度。
根据另一优选的实施方式,附加的或替选的参数是固体材料的掺杂度,所述掺杂度优选地通过分析向回散射的光(优选拉曼散射)来确定,其中与用于触发向回散射限定地入射的光相比,向回散射的光具有不同的波长或不同的波长范围,其中拉曼装置优选地是设备的组成部分,并且掺杂度优选地借助于拉曼装置确定,其中所述参数中的一个或多个或所有参数优选地借助于共同的探测头、尤其同时检测。拉曼光谱学优选地同样在玻璃、蓝宝石、氧化铝陶瓷中使用。拉曼方法是有利的,因为所述方法在材料的深度中测量,但是仅从一侧测量,不需要高的透射,并且通过拉曼光谱拟合输出能够与激光参数关联的载流子密度/掺杂。
根据另一优选的实施方式,附加的或替选的参数是固体在固体的尤其与固体表面间隔开的预定位置处或预定区域中、尤其内部中的掺杂度。优选地,掺杂度与位置信息相关联,使得产生处理地图或提供位置分辨的处理指示,所述处理指示位置相关地预设激光参数、尤其激光焦点和/或激光能量,和/或另外的机器参数、尤其进给速度。
根据另一优选的实施方式,掺杂度通过分析具有非弹性散射(拉曼散射)的向回散射的光来确定,其中与用于触发向回散射限定入射的光相比,向回散射的光具有不同的波长或不同的波长范围,其中向回散射的光从预限定的位置开始或从预定的区域开始向回散射。
所述实施方式是有利的,因为在激光方法中,尤其在SiC(但是也可以是不同的材料)上必须位置调整地引导过程(例如不同的激光能量等)。已经认识到,例如在SiC的情况下为此尤其掺杂是决定性的,因为所述掺杂改变材料对于加工波长的透明性并且使得需要更高的激光能量。
根据另一优选的实施方式,掺杂度借助于椭圆光度测量(例如具有后侧反射的穆勒基质椭圆光度法)来确定。椭圆光度测量优选地基于材料的光学透射。
根据另一优选的实施方式,掺杂度借助于纯光学校准的透射测量来确定,其中校准借助于霍尔测量和4点测量引起。所述方法能够同样求取材料中的自由载流子的掺杂/数量,所述自由载流子的掺杂/数量能够求取工艺所需要的激光能量。
根据另一优选的实施方式,掺杂度借助于涡流测量来确定,其中优选地确定和评估固体材料中的电导率差。
在涡流测量的情况下或在使用涡流传感器的情况下或在涡流测量技术中,优选地使用发送线圈和接收线圈,以便探测局部的电导率差。在发送线圈中,产生高频的电磁初级交变场。在有导电能力的材料中,感应出涡流(局部流动的电流),所述涡流又引起次级的反向的电磁交变场。能够测量、分离和评估所述场的叠加。借此,主要更薄的导电层的不同的质量特征(层厚度,层电阻,材料均匀性)但是也能够由块材料测量。在透射布置(发送线圈与接收线圈之间的检查体)中,实现最优的分辨,但是两个线圈在试样侧上的设置对于反射测量是可行的。通过频率选择和线圈的配合的设计,能够使用不同的进入深度和敏感性。
因此,原则上存在多个测量方法,借助所述测量方法,原理上能够测量掺杂。在此,重要的是快速的、无接触的、无损坏的方法。
在此,第一参数能够是供体衬底的材料的平均折射率或在供体衬底的如下区域中的供体衬底的材料的折射率:所述区域应由激光辐射横穿以产生所限定的材料改变,以及
在此,第二或替选的第一参数能够是供体衬底的如下区域中的加工深度:所述区域应由激光辐射横穿以产生所限定的材料改变。第一参数优选地借助于折射率确定机构、尤其借助于光谱反射来确定,和/或第二参数优选地借助于形貌确定机构、尤其借助于共焦彩色距离传感器来确定。
根据另一优选的实施方式,第一参数是固体的材料的平均折射率或是在固体的如下区域中的固体的材料的折射率:所述区域应由激光射束横穿以产生所限定的改性部,或是固体在固体的所限定的部位处和优选地对于所限定的固体深度的透射。根据另一优选的实施方式,第二或替选的第一参数是在固体的如下区域中的加工深度,所述区域要由激光射束横穿以产生所限定的改性部。根据另一优选的实施方式,第一参数借助于折射率确定机构、尤其借助于光谱反射来确定,和/或第二参数借助于形貌确定机构、尤其借助于共焦彩色距离传感器来确定。
根据另一优选的实施方式,第一参数是进给方向,在所述进给方向上,线形构造构成为产生平面中的改性部的结果、尤其驶向和/或驶回。因此,第一参数能够代表在驶向时的激光参数,并且第二参数能够代表在驶回时,尤其在借助于X-Y台蜿蜒形加工时的激光参数。
根据另一优选的实施方式,将关于参数、尤其关于第一参数和第二参数的数据在数据存储装置中提供和至少在产生材料改变之前输送给控制装置,其中控制装置根据要产生的材料改变的相应的位置设定激光器,其中用于设定激光器的控制装置优选地同样处理关于距离参数的距离数据,其中距离参数描绘相应位置相对于激光器的间隔,在所述位置处,将激光辐射在材料改变的时刻导入到供体衬底中以产生材料改变,其中借助于传感器装置检测距离数据。
根据另一优选的实施方式,将关于参数、尤其关于第一参数和关于第二参数的数据在数据存储装置中提供并且至少在产生改性部之前输送给控制装置,其中控制装置根据要产生的改性部的相应的位置设定激光加载装置。
前述目的同样通过用于将至少一个固体层与固体分离的方法来实现。在此,所述方法优选地具有以下步骤:执行根据权利要求1至13中任一项所述的方法或在此描述的用于在固体中产生改性部的方法;以及将外力导入到固体中以在固体中产生应力的步骤和/或在固体中产生内力的步骤,其中外力和/或内力是强的,使得从中得出沿着剥离区域的裂纹扩展。通过内力和/或外力引起或触发连接亚临界裂纹的主裂纹。
根据另一优选的实施方式,为了导入外力,在待分离的固体层的露出的表面处设置接收层,其中接收层具有聚合物材料、尤其PDMS,并且为了尤其机械地在固体中产生应力,热加载接收层,其中热加载是将接收层冷却到低于环境温度的温度,尤其冷却到低于0°的温度或冷却到低于-10°的温度或冷却到-20°至-200°之间的温度,其中冷却进行成,使得接收层的聚合物材料发生玻璃化转变,并且其中通过应力,固体中的裂纹沿着剥离区域扩展,所述裂纹将第一固体层与固体分离,和/或以声、尤其超声加载固体以导入外力,和/或将固体的环绕的表面在剥离平面的高度上热学和/或切削地加载,和/或在固体的内部中产生一定数量的改性部以产生内力,使得亚临界裂纹连接成分离固体层的裂纹。
此外,一个主题涉及固体层,尤其根据权利要求14所述的方法制造的固体层。固体层或晶片优选地具有SiC或由SiC构成。优选地,固体层构成表面,其中表面构成形貌,其中形貌具有长形的锯齿形的或波浪式的***部,其中长形的锯齿形的或波浪式的***部多数地和分别总体上在一个方向或多个方向上延伸,所述方向与平行于晶格平面和平行于表面的方向不同,尤其相对于此以2°至30°之间、尤其3°至15°之间、尤其4°至9°之间的角度倾斜,其中相对于表面的最深部位,锯齿形的或波浪式的***部的平均高度或锯齿形的或波浪式的***部的最大高度小于100μm,尤其小于75μm或小于50μm或小于30μm。在此,优选地仅如下部位视为最深部位:所述部位与固体层或晶片的边缘间隔开至少1mm或至少5mm或至少10mm。优选地,固体层涉及与SiC锭或SiC晶锭所分离的晶片。
所述解决方案是有利的,因为产生如下固体层:所述固体层的表面结构减小或阻止裂纹的不受控制的扩展。
此外,一个主题涉及固体层、尤其根据权利要求14所述的方法制造的固体层。在此,固体层优选地具有SiC或由SiC构成。固体层构成表面,其中作为表面的组成部分并且沿着彼此平行的且沿着表面延伸的和彼此间隔开的延伸方向存在发生了相变的材料组成部分,其中彼此平行的和彼此间隔开的延伸方向相对于平行于晶格平面和平行于表面取向的方向以2°至30°之间、尤其3°至15°之间的角度倾斜。
优选地,表面构成形貌,其中形貌具有长形的锯齿形的***部,其中长形的锯齿形的***部多数地和分别总体上在一个方向或多个方向上延伸,所述方向与平行于晶格平面和平行于表面的方向不同,尤其相对于其以2°至30°之间、尤其3°至15°之间、尤其4°至9°之间的角度倾斜,其中相对于表面的最深部位,锯齿形的***部的平均高度或锯齿形的***部的最大高度小于100μm,尤其小于75μm或小于50μm或小于30μm。
附图说明
所描述的一个或多个主题的其他优点、目标和特性根据在下文中对附图的描述来阐述,在所述附图中,示例性示出分离方法。在此,在所述方法中优选地使用和/或在图中至少多数地在其功能方面协调的构件或元件能够以相同的附图标记表示,其中所述构件或元件不必在全部图中编号或阐述。在附图中示出:
图1a示出写入线与偏振激光辐射之间的关系的第一示意图;
图1b示出写入线与偏振激光辐射之间的关系的第二示意图;
图2a-图2e示出不同的偏振的不同的示例图,
图3a示出写入线与偏振激光辐射之间的关系的第三示意图;
图3b示出写入线与偏振激光辐射之间的关系的第四示意图;
图4示出具有相对于纵轴线以不等于90°的角度定向的晶格平面和所产生的激光写入线的供体衬底,
图5示出具有相对于纵轴线以不等于90°的角度定向的晶格平面和所产生的激光写入线的另一供体衬底,其中激光写入线或线式构造的定向借助于平面限定,
图6示出线形构造的改性部与多个不同的晶格平面相交,
图7示出具有对于4HSiC的滑移面的晶格的示例,
图8a示出具有对于Si的滑移面110的晶格的示例,
图8b示出具有对于Si的滑移面100的晶格的示例,
图8c示出具有对于Si的滑移面111的晶格的示例,
图9a-图10a示出当借助于旋转装置使供体衬底移动经过激光装置下方时,线形构造相对于晶体平面的端部的倾斜的改变,
图10b示出示例性旋转装置的俯视图,
图10c示出加工设施的侧视图,其中加工设施具有优选地可线性移动的激光元件以及包括多个在其上设置的供体衬底的旋转装置,
图11a示出公式(d-x)/x的理论关系的示意图;
图11b示出所分离的固体层的固体表面的典型表面结构,
图11c示出由于不同限定的参数产生的写入线的示图,
图11d示出不同的锯齿形线,
图12示出在固体的内部中产生机械应力以对亚临界裂纹的扩展限界的示意图,
图13示出在固体的内部中产生机械应力以对亚临界裂纹的扩展限界的另一示意性示图,
图14a-图14c示出用于改变激光射束特性的光学机构。
具体实施方式
图1a示出固体1在处理期间、尤其在固体1的内部中产生改性部9期间的示意图。在此,改性部9优选地是固体材料、尤其SiC的借助于多光子激励产生的相变。根据所述示图,产生改性部9,使得改性部彼此间隔开。所述解决方案是有利的,因为由此已经产生的改性部9不改变或影响或仅微弱地改变或影响激光射束的吸收。改性部9优选地以线形构造或写入线103的形式产生。在此,写入线103优选地直线地构成。写入线103根据所述示图优选地平行于交线10取向。在此,交线10优选地由产生平面4与晶格平面6之间的相交部位引起(参见图4)。此外,根据所述示图可看出,改性部9连续地在相同的方向上定向。这由如下引起:激光辐射限定地偏振。因此,根据图1a使用第一偏振,而根据图1b使用另一偏振。由不同的偏振优选地也引起不同的损伤图样。
图2a至图2e示出不同偏振的激光辐射的多个示例。在此,图2a的示例对应于图1a中的示例,并且在此,图2b中的示例对应于图1b中的示例。
此外,能够为多个或所有写入线103设定偏振,用于构成相对于写入线103的纵向延伸方向的限定角度。在此,角度能够优选地处于0°至90°之间、尤其5°至85°之间、尤其15°至75°之间、尤其30°至60°之间、尤其40°至50°之间或处于45°或处于45°周围。这例如通过图2c至图2e示出。
图2d示出,不同的写入线103的改性部9能够不同地取向。同样可行的是,写入线的改性部9能够部段地或逐点地不同限定地偏振。
图2e示出一个变型方案,根据所述变型方案,产生大于2个、尤其3个或大于3个不同的偏振的写入线103。
同样可考虑,线形构造的各个或多个改性部或大量改性部的定向R彼此偏差。尤其在弯曲的或螺旋形的线形构造中,改性部的定向R能够彼此偏差。因此,改性部的定向R例如能够连续地或分级地或分块地改变,其中块优选地由多个、尤其2-200个或2至100个或2至50个改性部构成。
图3a示出,写入线能够相对于交线10倾斜。根据偏振相对于写入方向的定向,如此产生的改性部9能够相对于交线10倾斜地定向。图3b示出,改性部能够相对于交线10以90°定向产生,而写入线相对于交线10倾斜或在平面中转动。
图4示意性示出,激光器的激光辐射14(参见图10c)经由主表面8引入到固体1的内部中以改变固体1在至少一个激光焦点的区域中的材料特性,其中通过激光器的由激光器发射的激光射束形成激光焦点。材料特性的改变通过激光辐射进入到供体衬底1中的进入位置的改变构成线形构造103,其中在至少一个、尤其相同的产生平面4上产生材料特性的改变。在此,供体衬底1的晶格平面6相对于产生平面4倾斜地定向,尤其以0.1°至9°之间、优选地2°或4°或8°的角度定向。在此,线形构造103或写入线相对于在产生平面4与晶格平面6之间的相交部位处得出的交线10倾斜。通过改变的材料特性,供体衬底1以亚临界裂纹的形式裂开。通过将外力导入到供体衬底1中以连接亚临界裂纹来分离固体层2的步骤在此未示出。相对于此替选地,能够在产生平面4上借助于激光辐射改变材料,使得在连接亚临界裂纹的情况下将固体层2与供体衬底1剥离。产生平面4优选地平行于主表面8。
以产生线形构造103或写入线或线的形式进行加工,所述线形构造或写入线或线通过以限定的间隔设置各个激光射击而形成。
具体地,例如由碳化硅制造晶片是可行的,所述碳化硅尤其是Polytyp 4H,其具有0001表面,具有/不具有掺杂,具有沿晶体轴线>0°(工业标准4°或8°——围绕主轴线的方向)的偏角。因为六方晶体结构的滑移面平行于0001平面伸展,得出0001晶体平面与晶片表面的相交直线,因为0001晶体平面相对于晶片表面以偏角倾斜。
因此,新方法的基本构思是,激光线103的加工方向与所述相交直线的方向偏差。同样地,加工方向优选地不应沿着晶体的主方向中的一个主方向或沿着晶体的优选滑移面与晶体的表面的相交直线伸展。
此外,例如由Polytyp 4H的碳化硅制造晶片是可行的。Polytyp 4H的碳化硅具有六方晶系,所述六方晶系具有纤锌矿结构和0001平面中的六重对称性。与此对应地,所有60°出现晶体的新主轴线。如果加工激光进入到待加工的材料件中所穿过的表面沿着0001-平面相交,则在围绕表面法线旋转时又产生六重对称性。在此,得出线写入方向,所述线写入方向以30°相对于相应的主轴线旋转,从而在两个主轴线之间取向。以这种方式确保,写入的线与晶体的晶胞尽可能相交,并且包括更大区域且一次涉及多个晶胞的裂纹更难于构成。Polytyp 4H的碳化硅通常相对于0001-平面以4°的偏角相交,以便在之后的加工中简化外延步骤。在此已经证实,晶体的主轴线的投影彼此间还具有差不多60°,因此30°+/-3°是用于加工的优选的写入角度。
此外,例如由立方体SiC(所谓3C)制造晶片是可行的。立方体SiC如立方体晶系那样表现,即具有111-平面作为优选滑移面,从中得出22.5°+/-3°的优选的线写入方向。
此外,例如由硅制造晶片是可行的,所述硅具有100表面,具有/不具有掺杂,具有晶体轴线为0°的偏角。
对于具有其立方体结构(钻石结构)的硅的优选滑移面是111平面,所述111平面与晶片表面相对于晶体主轴线以45°角度相交。从中借此得出相对于晶体的主轴线以及滑移面与晶片表面的相交直线的22.5°+/-3°的所追求的线写入角度,滑移面与晶片表面彼此以45°角度取向。
因为硅-衬底也能够以偏角相交,所以在此另一加工角度又能够是优选的。在围绕主轴线以角度a倾斜时,在衬底的表面处,4重对称性由于倾斜而变成2重对称性。没有倾斜的主轴线的投影长度,那么与cos(a)成比例地缩放,这引起主轴线与相交直线之间的理想角度的改变,所述相交直线是滑移面与所述表面的相交直线。由于对称性变化而实现的两个线写入角度b要么是b1=tan-1(cos a)/2,要么是b2=tan-1(1/cos a)/2。
对于氮化镓,其具有六方纤锌矿结构,具有0001-平面中的6重晶体对称性,其优选滑移面是0001-平面,从对于晶体的主轴线的从中得出的60°的角度中得出相对于主轴线成30°+/-3°的优选线方向。
对于蓝宝石或氧化铝,其具有六方刚玉结构,具有0001-平面中的6重晶体对称性,从对于晶体的主轴线的从中得出的60°的角度中得出相对于所谓的C面蓝宝石的主轴线成30°+/-3°的优选线方向。
对于A面切割(geschnitten)的蓝宝石,主轴线取向成90°角度,具有180°对称性,从中得出45°+/-3°的优选线写入角度。
蓝宝石的C面衬底相交成,使得在表面处呈现六重对称性,并且表面与滑移面一致,即30°+/-3°的角度是优选的。
对于M面切割的蓝宝石,主轴线取向成90°角度,具有180°对称性,从中得出45°+/-3°的优选线写入角度。
R面蓝宝石不具有旋转对称性,但是主轴线投影相对于滑移面的投影直线成45°,因此在此22.5°+/-3°写入方向也是优选的。
对于钽酸锂,其具有与六方晶系相近的三斜晶结构,根据衬底的取向得出相对于各个主轴线及其到衬底表面中的投影的10°+/-3°与45°+/-3°之间的写入方向。
对于砷化镓,其具有闪锌矿结构,具有100-平面中的4重晶体对称性,其优选滑移面是111-平面,从对于晶体的主轴线的从中得出的90°的角度中得出相对于具有100-表面的衬底或供体衬底1的主轴线为22.5°+/-3°的优选线方向。
对于氧化镓,其具有单斜晶的立方体结构,具有100-面中的4重的晶体对称性,其优选滑移面是111-平面,从对于晶体的主轴线的从中得出的90°的角度得出相对于具有100-表面的衬底的主轴线为22.5°+/-3°的优选线方向。
对于锗,其具有钻石结构,具有100-平面中的4重晶体对称性,其优选滑移面是111-平面,从对于晶体的主轴线的从中得出的90°的角度得出相对于具有100-表面的衬底的主轴线为22.5°+/-3°的优选线方向。
对于磷化铟,其具有闪锌矿结构,具有100-平面中的4重晶体对称性,其优选滑移面是111-平面,从对于晶体的主轴线的从中得出的90°的角度得出相对于具有100-表面的衬底的主轴线为22.5°+/-3°的优选线方向。
对于钇铝石榴石,其具有立方体结构,具有100-平面中的4重晶体对称性,其优选滑移面是111-平面,从对于晶体的主轴线的从中得出的90°的角度得出相对于具有100-表面的衬底的主轴线为22.5°+/-3°的优选线方向。
图5示出用于将至少一个固体层2与供体衬底1分离的方法的步骤以及写入线103的定向或线形构造的定向的几何推导。
根据所述示图,方法也或替选地能够包括以下步骤:
提供供体衬底1,其中供体衬底1具有晶格平面6,所述晶格平面相对于平坦的主表面8倾斜,其中主表面8在供体衬底1的纵向方向L上对供体衬底1在一侧限界,其中晶格平面法线60相对于主表面法线80沿第一方向倾斜;提供至少一个激光器29;将激光器的激光辐射14经由主表面8引入到固体或供体衬底1的内部中,以改变固体在至少一个激光焦点的区域中的材料特性,其中激光焦点通过激光器的由激光器发射的激光射束形成,其中材料特性的改变通过激光辐射进入到供体衬底1中的进入位置的改变构成线形构造,其中线形构造优选地至少部段地直线地延伸,并且其中线形构造,尤其至少直线地延伸的部段,平行于主表面8产生,并且在此在第二方向上延伸,第二方向相对于第一方向以不同于90°的角度倾斜,其中通过改变的材料特性,供体衬底1以亚临界裂纹的形式裂开,通过将外力导入到供体衬底中以连接亚临界裂纹来分离固体层,或在产生平面上借助于激光辐射改变材料,使得在连接亚临界裂纹的情况下,固体层从供体衬底剥离。在此,主表面优选地是所分离的固体层2的组成部分。
在此,第二方向优选地相对于第一方向在45°至87°之间的角度范围中、尤其在70°至80°之间的角度范围中并且优选地以76°倾斜。
图6示出,线形构造103或写入线相对于晶格平面的端部或如在图5中示出的那样相对于在产生平面4与晶格平面6之间的相交部位处得出的交线10或相交直线倾斜。通过所述定向,裂纹生长朝向晶格平面6(尤其滑移面)限界。因此,每写入线的改性部9不在相同的晶格平面6中产生。因此,例如每写入线103的改性部的前1%-5%仅还能够与晶格平面的一小部分、尤其小于75%或小于50%或小于25%或小于10%或不与晶格平面相交,改性部的后1%-5%与同一写入线103在衬底纵向方向L上相交。所述关系尤其由此示意性表明,改性部9a与晶格平面6a-6c相交,并且改性部9b与晶格平面6a、6d和6e相交。因此,两个改性部9a和9b尽管其是同一线性构造103或写入线的组成部分,然而与不同的晶格平面相交。还可看出,例如与改性部9a相比,改性部9c和9d优选地与不同的、尤其多数不同或完全不同的晶格平面相交。
晶格平面6的在主表面8上终止的端部7在显微剖面图中优选地构成锯齿样式类型。
各个晶格平面6优选地相对于纵轴线L以0.1°至10°之间、尤其2°至9°之间、如例如4°或8°的角度倾斜。优选地,供体衬底1的各个晶格平面彼此平行地定向。
图7示出具有对于4HSiC的滑移面的晶格的示例;图8a示出具有对于Si的滑移面110的晶格的示例;图8b示出具有对于Si的滑移面100的晶格的示例,并且图8c示出具有对于Si的滑移面111的晶格的示例。
优选地,晶格平面6涉及特定类型的滑移面。如果晶体结构是面心立方体的,则优选地,滑移面是平面{111}并且滑移方向是方向<110>。如果晶体结构是体心立方体的,则优选地,滑移面是平面{110}并且滑移方向是方向<111>,或优选地,滑移面是平面{112}并且滑移方向是方向<111>,或优选地,滑移面是平面{123}并且滑移方向是方向<111>。如果晶体结构是六边形的,则优选地,滑移面是平面{0001}并且滑移方向是方向<1120>,或优选地,滑移面是平面{1010}并且滑移方向是方向<1120>,或优选地,滑移面是平面{1011}并且滑移方向是方向<1120>。
图9a至图10a示意性示出借助于激光或激光装置在供体衬底1中产生线形构造103。在此,线形构造103弧形或弯曲地产生。在此,激光装置或改性部产生的位置优选地不改变。也就是说,改性部产生的位置和旋转装置45的转动中心50优选地保持彼此间相同的定向。因此,优选地仅仅实现供体衬底1移动经过激光装置29或移动经过用于激光辐射32的出口。供体衬底1优选地设置在旋转装置上,使得晶格平面6的构成线的端部7相对于正交于旋转装置45的旋转中心50与供体衬底1的中心49之间的连接路段51延伸的方向52倾斜地定向,尤其以3°至87°之间的角度和优选地以10°至60°或14°至45°之间的角度。
能够从图9a-图10a的总体考虑中看出,随着旋转装置45的累进旋转,供体衬底1引导经过激光装置,并且产生或延长线形构造103。在线形构造开始时(图9a),所述线形构造相对于交线10或相对于通过晶格平面的端部构成的线以角度e产生。在线形构造的中部(图9b),所述线形构造相对于交线10或相对于通过晶格平面的端部构成的线以角度m产生。在线形构造结束时(图10a),所述线形构造相对于交线10或相对于通过晶格平面的端部构成的线以角度s产生。在此,角度e优选地大于角度m,并且角度m优选地大于角度s。在此然而同样可考虑,角度s在绝对值方面大于角度m。
角度优选地确定成,使得两个相邻改性部的中心彼此假想地连接,并且确定从中得出的线段相对于交线10或相对于通过晶格平面6的端部7构成的线的角度。
根据图9a-图10a,在设置旋转衬底时的理想的写入角度选择成在晶片边缘处的切线与晶片中部的切线的角度之间的平均角度,也就是说对于SiC,30°平均角度能够例如——根据旋转台的半径和衬底半径——意味着25°至35°之间的角度区间,借此例如30°的优选写入角度对于六方体系在平均值中保持。
图10b纯示例性地示出旋转装置45的俯视图。在所述旋转装置45上,能够同时设置有多个、尤其大于2个或大于3个或大于5个或大于10个优选地直至15个或直至20个或直至30个供体衬底、尤其晶锭或锭或晶片。
图10c示出用于在供体衬底1或固体的内部中产生改性部9的设施的示意性侧视图。优选地,在优选空间固定地设置的移置或重新定位装置30处设置有激光装置的元件29、尤其激光头,或与激光器连接的射束导体。移置或重新定位装置30优选地能够实现在优选线性的方向上、尤其在旋转装置45的径向方向上移动激光装置的元件29或移动激光装置。因此,激光装置的元件29或激光装置在产生一个或多个所限定的写入线103之后在优选多个或所有供体衬底1上重新定位。通过重新定位,将所发射的激光射束在另一位置5处导入到相应的供体衬底1中以产生改性部。
图11a示出对于条件(d-x)/d<y的理论基础,其中y优选地是-0.31或小于0.31或小于0.35或小于0.4。在此,优选地还适用d=1.22*λ/Na——衍射限制的焦点尺寸。x优选地是点的间距或两个依次在线形构造上产生的焦点的中心的间距。优选地,还适用x>d。优选地使用大于0.5或大于0.6或大于0.65或大于0.7或大于0.75或大于0.8或大于0.85的数值孔径。
图11b示出与固体分离的固体层的通过分离步骤露出的表面200。在此,表面200具有形貌,其中形貌具有长形的锯齿形的***部。长形的锯齿形的***部多数地和分别在其整体上在一个方向204或多个方向204上延伸,所述方向与平行于晶格平面和平行于表面的方向不同,尤其相对于此以2°至30°之间、尤其3°至15°之间、尤其4°至9°之间的角度倾斜。优选地,尤其相对于表面的最深部位,锯齿形的***部的平均高度或锯齿形的***部的最大高度小于100μm,尤其小于75μm或小于50μm或小于30μm。
因为用于产生相同的裂纹图像或变黑、也就是说相变/激光改性的激光能量阈值,在写入线相对于主面的角度不为零的情况下,与经过方向相关,所以能够有利的是:调整用于相应的加工方向的激光能量。这在图11c中示出,在那里已执行用于加工的蜿蜒行进,并且与分别相邻的线212(加工方向2)相比,每隔一个的线210(加工方向1)具有不同的改性强度。与此相应地,更弱地构成的线针对相应更高的激光能量进行调整,以便尽可能均匀地构成损伤图,从而在每个线行进中获得相同大小的裂纹形成概率。
图11d示出四个不同的锯齿形的线(1)-(4)。所述线示意性预设能够具有***部202或凹陷部的示例。在此,***部202或凹陷部能够部段地相同形状地或大致相同形状地重复。均匀重复的锯齿样式通过样式(1)和(2)示出。在此,***部和凹陷部优选地始终具有沿第一方向延伸的第一部分以及沿第二方向延伸的第二部分。优选地,所述部分沿着方向204、尤其沿着写入方向或沿着产生线形构造的改性部的方向重复。然而,在此也可行的是,“每锯齿”或在“单锯齿”的情况下的第一部分相对于平均长度更长地延伸或更短地延伸。然而,在此附加地或替选地也可行的是,“每锯齿”或在“单锯齿”的情况下的第二部分相对于平均长度更长地延伸或更短地延伸。优选地,每锯齿的第一方向能够在0°至45°之间的角度范围中、尤其在0°至20°之间或0°至5°之间的角度范围中改变。优选地,附加地或替选地,每锯齿的第二方向能够在0°至45°之间的角度范围中、尤其在0°至20°之间或0°至5°之间的角度范围中改变。示例(3)和(4)示出具有可变的长度部分和角度的裂纹伸展。
图12示出另一优选的实施方式。根据所述实施方式,用于在固体1的内部中产生改性部9的方法优选地至少具有如下特征:将激光器29的激光辐射14经由固体1的第一表面8引入到固体1的内部中,其中固体1构成晶体结构,并且其中通过激光辐射14在所述固体1的内部中的产生平面4上的预定部位处产生改性部9。在此,与相对于第二表面相比,改性部9优选地相对于第一表面8更近地间隔开地产生,其中第二表面优选地平行于第一表面8构成。此外,所述方法优选地具有如下特征:通过改性部9产生多个线形构造103、尤其写入线,其中固体1在相应改性部9的区域中亚临界地裂开。
此外,所述方法能够优选地同样具有如下特征:将固体1设置到载体单元115的弯曲的表面117上。固体1通过设置在载体单元115处转变成弯曲的状态。在此,表面117优选地凹槽形弯曲。优选地,固体多数地和特别优选完全地弯曲。在此,表面117的弯曲部优选地对应于圆形带的局部。在此,圆形带优选地具有如下半径:所述半径优选地处于:(固体1的第一表面8的平方根)*0.25至(固体1的第一表面8的平方根)*100之间、尤其(固体1的第一表面8的平方根)*0.5至(固体1的第一表面8的平方根)*75之间、尤其(固体1的第一表面8的平方根)*1至(固体1的第一表面8的平方根)*50之间、尤其(固体1的第一表面8的平方根)*2至(固体1的第一表面8的平方根)*25之间的范围中。
固体1例如能够借助于真空耦联在载体单元112上,附加地或替选地,固体1能够粘贴到载体单元112上。
通过弯曲,在固体中产生对亚临界裂纹的扩展进行限界的应力13。
替选地,然而同样可考虑,固体1耦联到向外拱曲的载体单元的表面上。在此,表面的弯曲部优选地对应于圆形带的局部。在此,圆形带优选地具有如下半径:所述半径优选地处于:(固体1的第一表面8的平方根)*0.25至(固体1的第一表面8的平方根)*100之间、尤其(固体1的第一表面8的平方根)*0.5至(固体1的第一表面8的平方根)*75之间、尤其(固体1的第一表面8的平方根)*1至(固体1的第一表面8的平方根)*50之间、尤其(固体1的第一表面8的平方根)*2至(固体1的第一表面8的平方根)*25之间的范围中。
图13示出另一实施方式。根据所述实施方式,用于产生改性部的激光辐射在进入到固体1中之前穿透对激光辐射至少部分透明的压紧体122。在此,压紧体122优选地贴靠在第一表面8上。优选地,固体1在此耦联、尤其粘贴和/或借助于真空固定和/或压紧在载体单元115上。
优选地,压紧体具有对应于固体的折射率的折射率。
通过压紧体,在改性部产生期间在固体中产生附加的应力,其中所述附加的应力对抗亚临界裂纹的扩展。
此外可行的是,图12和图13的实施方式彼此组合。在这种情况下,压紧体同样具有弯曲的压紧表面,其中压紧表面与弯曲的固体表面配合地构成,压紧表面与固体表面置于接触中。
图14a示出入射光锥5700,通过所述入射光锥,在固体1中产生焦点5700。在此,示出由具有高斯射束轮廓的激光透射的物镜的焦点图像。
图14b示意性示出由具有非高斯射束轮廓的激光透射的物镜的焦点图像5702,例如在射束通过SLM改变之后。在此,空间光调制器(SLM)是用于光的空间调制器进而是如下设备:通过所述设备,可对光施加空间调制。相对于高斯射束轮廓,焦点的Z-扩展明显减小或可减小。
图14c示意性示出由具有非高斯射束轮廓的激光透射的物镜的焦点图像5703,例如在射束通过衍射光学元件(DOE)改变之后。在此,射束优选地通过DOE划分以构成多个焦点。在此,DOE优选地用于使激光射束衍射,以便改变焦点的空间成像。
衍射光学元件(DOE)通过衍射作用于激光辐射。在此,使用处于激光波长的数量级的结构。借助于对衍射结构处的光衍射进行数值模拟,对元件进行计算,然后这能够以更大件数制造。一般地,激光射束轮廓中的光的空间分布改变,要么直接在元件下游要么在聚焦元件下游的焦点中。这意味着,例如一个射束能够划分成多个射束,使得——通常出现的——高斯射束强度轮廓转化成不同的形状,或激光辐射在焦点中的强度分布以通过传统透镜不可实现的方式改变,例如通过有意地引入或抑制所期望的激光相互作用需要的副最大值。
与此相对,用于光的空间调制器(英文:Spatial Light Modulator(SLM))是对光施加空间调制的设备。
通常,SLM调制光射束的强度,然而也可行的是,调制相或也同时调制相和强度。
所述空间调制在DOE的情况下通过元件中的结构进行,相反在SLM的情况下通过SLM处的各个像素进行。特别在成像或聚焦强度调制的和相调制的射束之后,借此实现焦点中的可编程的强度分布。因此,DOE静态地和可再现地作用于激光射束,同时能够例如借助于SLM在激光加工设备中动态地切换射束的数量或也动态地切换所使用的激光射束轮廓。在工艺进行中的动态调整也是可行的,例如根据同时监控工艺进展的反馈。
就此提出的方法具有如下步骤:在进入到固体中之前改变激光射束的射束特性,其中射束特性是焦点中的强度分布,其中射束特性的改变或调整由至少或恰好一个空间光调制器和/或由至少或恰好一个DOE引起,其中空间光调制器和/或DOE设置在固体与辐射源之间的激光辐射的射束路径中。
为了阐述DOE和空间光调制器的工作方式,参照以下提及的出版物:Flexiblebeam shaping system for the next generation of process development in lasermicromachining,LANE 2016,9th International Conference on PhotonicTechnologies LANE 2016,Tobias Klerks,Stephan Eifel。
与通常常见的高斯形式偏差的激光射束强度轮廓描述为非高斯射束轮廓,并且能够用于获得其他加工结果。因此,例如可考虑在垂直于射束传播方向的维度中与在第二维度中相比具有明显不同的扩展的线焦点。这能够实现在加工步骤中借助于激光射束扫过工件的更宽的区域。如下轮廓描述为“顶帽(top-hat)”轮廓:所述轮廓在射束的中心中具有恒定强度,这提供如下优点:在加工中在焦点中不存在不同强度的区域或至少仅存在高于激光加工阈值的相同强度的区域。这例如能够用于在分离之后最小化磨削损失。
因此,当前主题优选地涉及用于在固体1的内部中产生改性部9的方法。在此,所述方法优选地具有步骤:将激光器29的激光辐射14经由固体1的第一表面8引入到固体1的内部中。激光辐射14进入到固体1所经过的表面8优选地是待分离的固体层的组成部分。优选地,待分离的固体层与留下的剩余固体部分相比更薄。
优选地,固体1构成晶体结构,并且通过激光辐射14在所述固体1的内部中的产生平面4上的预定部位处产生改性部9。在此,产生平面优选地平行于第一表面8。与相对于第二表面相比,改性部9优选地相对于第一表面8更近地间隔开,其中第二表面优选地平行于第一表面8构成。通过改性部9产生多个线形构造103、尤其点状的或连续的写入线,其中固体1在相应改性部9的区域中亚临界地裂开,其中亚临界裂纹正交于相应线形构造的纵向延伸方向具有小于150μm、尤其小于120μm或小于110μm或小于90μm或小于75μm或小于60μm的裂纹长度或平均裂纹长度。
属于同一线形构造103且依次产生的改性部9,优选地彼此间以一定间距产生,所述间距通过函数(d-x)/d<-0.31,尤其<-0.4来限定。
附加地或替选地,激光辐射能够限定地偏振。在此,激光辐射14的偏振方向优选地相对于固体1的晶体轴线以限定角度或以限定角度范围取向,或借助于激光射束14在固体1的内部中产生的改性部9的纵向延伸方向R相对于在产生平面4与晶格平面6之间的相交部位处得出的交线10以限定角度或以限定角度范围定向。
此外,当前主题能够涉及用于制造至少一个固体层、尤其用于将至少一个固体层与固体分离的方法。在此,所述方法优选地至少具有如下步骤:执行根据权利要求1至13中任一项所述的方法;将外力导入到固体1中以在固体1中产生应力和/或在固体1中产生内力,其中外力和/或内力是强的,使得从中引起沿着剥离区域8的裂纹扩展。
附图标记列表
1 固体/供体衬底
2 固体层
4 产生平面
5 用于改性部产生的位置
6 晶格平面
6a/6b/6c 晶格平面
7 晶格平面的端部
8 主表面/第一表面
9 改性部
9a/9b 改性部
10 交线
12 亚临界裂纹
11 平面
13 机械应力
14 激光辐射
29 激光
30 重新定位装置
32 激光辐射
45 旋转装置
49 中心
50 转动中心
51 连接路段
52 方向
60 晶格平面法线
80 主表面法线
90 法平面
92 与法平面的正交平面
94 晶格平面的端部的延伸方向
103 激光线/写入线
115 卡盘/载体单元
117 弯曲的表面
120 连接部位
122 对激光辐射至少部分透明的本体
200 固体层的通过分离露出的表面
202 锯齿形的***部
204 锯齿形的一个***部/多个***部的延伸的方向
210 第一方向
212 (与第一方向210相反的)第二方向
5700 光锥
5702 焦点图像
5703 焦点图像
R 改性部的纵向延伸方向

Claims (16)

1.一种用于在固体(1)的内部中产生改性部(9)的方法,所述方法至少包括:
将激光器(29)的激光辐射(14)经由所述固体(1)的第一表面(8)引入到所述固体(1)的内部中,
其中所述固体(1)构成晶体结构,并且
其中通过所述激光辐射(14),在所述固体(1)的内部中的产生平面(4)上的预定部位处产生改性部(9),
其中第二表面平行于所述第一表面(8)构成,
其中通过所述改性部(9)产生多个线形构造(103),
其中所述固体(1)在相应的改性部(9)的区域中亚临界地裂开,
其中亚临界裂纹正交于相应的线形构造的纵向延伸方向具有小于150μm的平均裂纹长度,
其中属于同一线形构造(103)且依次产生的改性部(9)彼此相距一定间距产生,所述间距通过函数(d-x)/d<-0.31限定,其中在此适用x>d。
2.根据权利要求1所述的方法,
其特征在于,
所述激光辐射(14)限定地偏振,
其中所述激光辐射的偏振方向相对于所述固体的晶体轴线以限定的角度或限定的角度范围取向
其中借助于所述激光射束(14)在所述固体(1)的内部中产生的改性部(9)的纵向延伸方向(R)相对于在所述产生平面(4)
与晶格平面(6)之间的相交部位处得出的交线(10)以限定的角度或限定的角度范围定向。
3.一种用于在固体(1)的内部中产生改性部(9)的方法,所述方法至少包括:
将激光器(29)的激光辐射(14)经由所述固体(1)的第一表面(8)引入到所述固体(1)的内部中,
其中所述固体(1)构成晶体结构,并且
其中通过所述激光辐射(14),在所述固体(1)的内部中的产生平面(4)上的预定部位处产生改性部(9),
其中第二表面平行于所述第一表面(8)构成,
其中通过所述改性部(9)产生多个线形构造(103),
其中所述固体(1)在相应的改性部(9)的区域中亚临界地裂开,
其中亚临界裂纹正交于相应的线形构造的纵向延伸方向具有小于150μm的平均裂纹长度,
其中所述激光辐射限定地偏振,
其中所述激光辐射(14)的偏振方向相对于所述固体(1)的晶体轴线以限定的角度或限定的角度范围取向
其中借助于所述激光射束(14)在所述固体(1)的内部中产生的改性部(9)的纵向延伸方向(R)相对于在所述产生平面(4)与晶格平面(6)之间的相交部位处得出的交线(10)以限定的角度或限定的角度范围定向。
4.根据权利要求1或3所述的方法,
其特征在于,
属于同一线形构造(103)且依次产生的改性部(9)以彼此相距一定间距的方式产生,所述间距通过函数(d-x)/d<0限定,其中在此适用x>d。
5.根据权利要求4所述的方法,
其特征在于,
线形构造的依次产生的改性部通过未改性的固体材料彼此分离。
6.根据上述权利要求中任一项所述的方法,
其特征在于,
各两个直接彼此并排的线形构造(103)之间的间距小于50μm。
7.根据上述权利要求中任一项所述的方法,
其特征在于,
在所述固体(1)中产生的改性部(9)的第一部分在所述固体(1)相对于所述激光器(29)的光学装置的第一相对移动期间产生,并且第二部分在所述固体(1)相对于所述激光器(29)的光学装置的第二相对移动期间产生。
8.根据权利要求7所述的方法,
其特征在于,
激光参数在所述第一相对移动期间的设定至少不同于在所述第二相对移动期间的设定,其中所述第一相对移动对应于在第一方向上的直线移动,并且所述第二相对移动对应于在第二方向上的直线移动,其中所述第一方向和所述第二方向彼此平行地取向。
9.根据上述权利要求中任一项所述的方法,
其特征在于,
所述激光辐射(14)是线偏振的
是椭圆偏振的
是圆偏振的。
10.根据上述权利要求中任一项所述的方法,
其特征在于,
在所述激光辐射(14)的路径中在所述激光辐射(14)进入到所述固体(1)之前设置有衍射光学元件(DOE),其中所述激光辐射(14)通过所述DOE划分到多个光路上以产生多个焦点。
11.根据上述权利要求中任一项所述的方法,
其特征在于,
所述固体(1)具有相对于所述第一表面(8)倾斜的晶格平面(6),其中所述固体(1)的第一表面(8)沿所述固体(1)的纵向方向在一侧限界,其中晶格平面法线(60)相对于主表面法线(80)朝第一方向倾斜,
其中在产生平面(4)上产生材料特性的改变,
其中所述固体(1)的晶格平面(6)相对于所述产生平面(4)倾斜地定向,
其中所述线形构造(103)相对于在所述产生平面(4)与所述晶格平面(6)之间的相交部位处得出的交线倾斜地定向。
12.根据上述权利要求中任一项所述的方法,
其特征在于,
在构成线形构造(103)的情况下改变所述固体(1)的材料,使得由于固体层分离,从各个晶格平面(6)的露出的端部和材料改变中得出莫尔条纹,其中为此线形地产生多个材料改变区域。
13.根据上述权利要求中任一项所述的方法,所述方法还包括以下步骤:
相对于激光器移动所述固体(1);
其中连续地根据至少一个参数来设定所述激光器,用于所述激光辐射的限定的聚焦和/或用于激光能量的调整,其中
参数是所述固体(1)在预定位置处或在预定区域中的掺杂度。
14.一种用于制造至少一个固体层的方法,所述方法至少包括以下步骤:
执行根据权利要求1至13中任一项所述的方法;
将外力导入到所述固体(1)中以在所述固体(1)中产生应力和/或在所述固体(1)中产生内力,其中所述外力和/或所述内力强到使得从中引起沿着剥离区域(8)的裂纹扩展。
15.一种固体层,其特征在于,
所述固体层(2)具有SiC或由SiC构成,
并且构成表面(200),其中所述表面(200)构成形貌,
其中所述形貌具有长形的锯齿形***部,
其中所述长形的锯齿形***部多数地和分别在其总体上在一个方向(204)或多个方向(204)上延伸,所述方向与平行于晶格平面和平行于所述表面的方向不同并且倾斜,
其中相对于所述表面的最深部位,所述锯齿形***部的平均高度或所述锯齿形***部的最大高度小于100μm。
16.一种固体层,其特征在于,
所述固体层(2)具有SiC或由SiC构成,
并且构成表面(200),
其中作为所述表面(200)的组成部分,并且沿着彼此平行的且沿着所述表面延伸的和彼此间隔开的延伸方向,存在发生了相变的材料组成部分,
其中彼此平行的和彼此间隔开的所述延伸方向相对于平行于晶格平面和平行于所述表面取向的方向以2°至30°之间、尤其3°至15°之间的角度倾斜。
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