CN111569674A - 一种太赫兹材料制作pet膜的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种太赫兹材料制作PET膜的制作方法，涉及PET膜技术领域。实现了提升降低反射效果、制作成本低的效果。该太赫兹材料制作PET膜的制作方法，包括以下步骤：S1、灼烧：选择30×30cm2的硅基，将选用的硅基置于燃烧炉中进行灼烧，S2、化学清洗：对灼烧后的硅基置于清洗溶液内，进行化学清洗，S3、物理清洗：将酸洗后的硅基置于平板擦洗机内进行物理清洗。该太赫兹材料制作PET膜的制作方法，在制作前对硅基进行灼烧和清洗，硅基去除了杂质，避免了杂质对后续使用的干扰，采用层叠结构的双层金‑聚酰亚胺薄膜，降低了双波段反射率，制作成本低，比以往太赫兹材料制作PET膜更具有广阔的应用前景。

Description

一种太赫兹材料制作PET膜的制作方法
技术领域
本发明涉及PET膜技术领域，具体为一种太赫兹材料制作PET膜的制作方法。
背景技术
PET膜又名耐高温聚酯薄膜。可广泛的应用于磁记录、感光材料、电子、电气绝缘、工业用膜、包装装饰、屏幕保护、光学级镜面表面保护等领域。
太赫兹波指介于0.1-10 THz频率范围的电磁波,其频谱介于无线电波和红外光之间。以近年来，随着太赫兹辐射产生和探测技术的发展，对太赫兹功能器件的需求逐步增多，深入研究太赫兹功能器件，实现对太赫兹波的有效控制，已成为当今国际太赫兹学术界公认的前沿性基础研究方向。
2009年，有学者提出可通过制作浮雕结构来降低反射，他们在硅中刻蚀不同密度的空气柱，以此来调节空气与硅的比率，达到了阻抗匹配的要求，降低了反射。2014年又有学者提出利用石墨烯来制作太赫兹增透膜,石墨烯的阻抗值会随着堆叠层数而变化，当堆叠石墨烯的阻抗值与空气和硅的阻抗值相匹配时,即可达到降低反射的效果，通过上述两种方法制作太赫兹材料的PET膜，在降低反射方面性能不佳，同时制作成本较高，无法满足市场的需求。
发明内容
本发明提供的发明目的在于提供一种太赫兹材料制作PET膜的制作方法。该太赫兹材料制作PET膜的制作方法，可以解降低反射效果不佳、制作成本高的问题。
为了实现上述降低反射效果不佳、制作成本高的问题，本发明提供如下技术方案：一种太赫兹材料制作PET膜的制作方法，包括以下步骤：
S1、灼烧：选择30×30cm2的硅基，将选用的硅基置于燃烧炉中进行灼烧。
S2、化学清洗：对灼烧后的硅基置于清洗溶液内，进行化学清洗。
S3、物理清洗：将酸洗后的硅基置于平板擦洗机内，进行物理清洗。
S4、风干处理：对物理清洗后的硅基置于风干机中进行风干，得到待用的硅基。
S5、压印非金属介质薄膜：将待用的硅基置于热压机中，在150-200°C条件下，将非金属介质薄膜压印到硅基上。
S6、压印金-聚酰亚胺薄膜：在150-200°C条件下，将金-聚酰亚胺薄膜通过热压机压印到非金属介质薄膜上，在150-200°C条件下，将另一片金-聚酰亚胺薄膜通过热压机压印到前一个金-聚酰亚胺薄膜上，即可得到太赫兹超材料增透膜。
S7、压印PET膜：在250-280°C条件下，将S6中得到的太赫兹超材料增透膜通过热压机压印到PET膜上，即可得到太赫兹材料制作PET膜。
进一步的，根据S1中的操作步骤，高温灼烧的温度为600-700°C，灼烧时间为2-3min。
进一步的，根据S2中的操作步骤，清洗溶液为酸溶液，选自SPM酸溶液,SPM酸溶液由95%浓硫酸和25%双氧水按照35:1的比例混合制成，清洗温度为105-120°C条件下，清洗时间为15-25min。
进一步的，根据S3中的操作步骤，将硅基水平放置在平板擦洗机的滚轴上，由滚轴带动硅基向前移动，硅基正面接触与滚轴同向旋转的刷头，实现物理清洗，再将硅基翻面，对另一侧进行物理清洗。
进一步的，根据S4中的操作步骤，由风干机对硅基进行风干，风干温度为40-50°C条件下，风速为2.5-3.5m/s。
进一步的，根据S6中的操作步骤，两个金-聚酰亚胺薄膜，金的电导率为:σgold==4.561 X107 S.m-1，厚度t=0.2μm,聚酰亚胺的介电常数为Eplyide=3.5+9.45×10-3i,厚度为t=15μm。
本发明提供了一种太赫兹材料制作PET膜的制作方法，具备以下有益效果：
在制作前对硅基进行灼烧和清洗，硅基去除了杂质，避免了杂质对后续使用的干扰，采用层叠结构的双层金-聚酰亚胺薄膜，降低了双波段反射率，制作成本低，比以往太赫兹材料制作PET膜更具有广阔的应用前景。
具体实施方式
本发明提供一种技术方案：一种太赫兹材料制作PET膜的制作方法，包括以下步骤：
S1、灼烧：选择30×30cm2的硅基，将选用的硅基置于燃烧炉中进行灼烧。
S2、化学清洗：对灼烧后的硅基置于清洗溶液内，进行化学清洗。
S3、物理清洗：将酸洗后的硅基置于平板擦洗机内，进行物理清洗。
S4、风干处理：对物理清洗后的硅基置于风干机中进行风干，得到待用的硅基；
S5、压印非金属介质薄膜：将待用的硅基置于热压机中，在150-200°C条件下，将非金属介质薄膜压印到硅基上。
S6、压印金-聚酰亚胺薄膜：在150-200°C条件下，将金-聚酰亚胺薄膜通过热压机压印到非金属介质薄膜上，在150-200°C条件下，将另一片金-聚酰亚胺薄膜通过热压机压印到前一个金-聚酰亚胺薄膜上，即可得到太赫兹超材料增透膜。
S7、压印PET膜：在250-280°C条件下，将S6中得到的太赫兹超材料增透膜通过热压机压印到PET膜上，即可得到太赫兹材料制作PET膜。
进一步的，根据S1中的操作步骤，高温灼烧的温度为600-700°C，灼烧时间为2-3min。
进一步的，根据S2中的操作步骤，清洗溶液为酸溶液，选自SPM酸溶液，SPM酸溶液由95%浓硫酸和25%双氧水按照35:1的比例混合制成，清洗温度为105-120°C条件下，清洗时间为15-25min。
进一步的，根据S3中的操作步骤，将硅基水平放置在平板擦洗机的滚轴上，由滚轴带动硅基向前移动，硅基正面接触与滚轴同向旋转的刷头，实现物理清洗，再将硅基翻面，对另一侧进行物理清洗。
进一步的，根据S4中的操作步骤，由风干机对硅基进行风干，风干温度为40-50°C条件下，风速为2.5-3.5m/s。
进一步的，根据S6中的操作步骤，两个金-聚酰亚胺薄膜，金的电导率为:σgold==4.561 X107 S.m-1，厚度t=0.2μm,聚酰亚胺的介电常数为Eplyide=3.5+9.45×10-3i,厚度为t=15μm。
实施例的方法进行检测分析，并与现有技术进行对照，得出如下数据：
反射率 制作成本
实施例 较低 较低
现有技术 较高 较高
根据上述表格数据可以得出，当实施实施例时，通过本发明太赫兹材料制作PET膜的制作方法获得反射率较低，制作成本较低的效果。
本发明提供了种太赫兹材料制作PET膜的制作方法，包括以下步骤：S1、灼烧：选择30×30cm2的硅基，将选用的硅基置于燃烧炉中进行灼烧，高温灼烧的温度为600-700°C，灼烧时间为2-3min，S2、化学清洗：对灼烧后的硅基置于清洗溶液内，进行化学清洗，清洗溶液为酸溶液，选自SPM酸溶液，SPM酸溶液由95%浓硫酸和25%双氧水按照35:1的比例混合制成，清洗温度为105-120°C条件下，清洗时间为15-25min，采用SPM酸溶液进行处理，SPM酸溶液具有氧化性，能够将金属催化剂中的金属离子氧化，去除硅基底表面的金属催化剂及清洗过程中带入的有机杂质，S3、物理清洗：将酸洗后的硅基置于平板擦洗机内进行物理清洗，将硅基水平放置在平板擦洗机的滚轴上，由滚轴带动硅基向前移动，硅基正面接触与滚轴同向旋转的刷头，实现物理清洗，再将硅基翻面，对另一侧进行物理清洗，采用平板擦洗机进行清洗，清洗速率为1min/片，去除残余的碳及其他杂质颗粒，并且效率更高，清洗效果更好，S4、风干处理：对物理清洗后的硅基置于风干机中进行风干，得到待用的硅基，S5、压印非金属介质薄膜：将待用的硅基置于热压机中，在150-200°C条件下，将非金属介质薄膜压印到硅基上，太赫兹超材料增透膜的主要理论基础为阻抗匹配原理，为提高电磁波的透射，需在折射率较低的自由空间和折射率较高的硅基之间添加折射率介于二者之间的材料，使其能够分别在两个界面，S6、压印金-聚酰亚胺薄膜：在150-200°C条件下，将金-聚酰亚胺薄膜通过热压机压印到非金属介质薄膜上，在150-200°C条件下，将另一片金-聚酰亚胺薄膜通过热压机压印到前一个金-聚酰亚胺薄膜上，即可得到太赫兹超材料增透膜，两层金属聚合物超材料结构金属表面的电场强度明显高于单层SRRs聚合物和单层矩形聚合物超材料结构金属表面的电场强度，因此采用双层金-聚酰亚胺薄膜，两个金-聚酰亚胺薄膜，金的电导率为:σgold==4.561 X107 S.m-1，厚度t=0.2μm,聚酰亚胺的介电常数为Eplyide=3.5+9.45×10-3i,厚度为t=15μm，S7、压印PET膜：在250-280°C条件下，将S6中得到的太赫兹超材料增透膜通过热压机压印到PET膜上，即可得到太赫兹材料制作PET膜。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种太赫兹材料制作PET膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、灼烧：选择30×30cm2的硅基，将选用的硅基置于燃烧炉中进行灼烧；
S2、化学清洗：对灼烧后的硅基置于清洗溶液内，进行化学清洗；
S3、物理清洗：将酸洗后的硅基置于平板擦洗机内，进行物理清洗；
S4、风干处理：对物理清洗后的硅基置于风干机中进行风干，得到待用的硅基；
S5、压印非金属介质薄膜：将待用的硅基置于热压机中，在150-200°C条件下，将非金属介质薄膜压印到硅基上；
S6、压印金-聚酰亚胺薄膜：在150-200°C条件下，将金-聚酰亚胺薄膜通过热压机压印到非金属介质薄膜上，在150-200°C条件下，将另一片金-聚酰亚胺薄膜通过热压机压印到前一个金-聚酰亚胺薄膜上，即可得到太赫兹超材料增透膜；
S7、压印PET膜：在250-280°C条件下，将S6中得到的太赫兹超材料增透膜通过热压机压印到PET膜上，即可得到太赫兹材料制作PET膜。
2.根据权利要求1所述的一种太赫兹材料制作PET膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：根据S1中的操作步骤，高温灼烧的温度为600-700°C，灼烧时间为2-3min。
3.根据权利要求1所述的一种太赫兹材料制作PET膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：根据S2中的操作步骤，清洗溶液为酸溶液，选自SPM酸溶液,SPM酸溶液由95%浓硫酸和25%双氧水按照35:1的比例混合制成，清洗温度为105-120°C条件下，清洗时间为15-25min。
4.根据权利要求1所述的一种太赫兹材料制作PET膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：根据S3中的操作步骤，将硅基水平放置在平板擦洗机的滚轴上，由滚轴带动硅基向前移动，硅基正面接触与滚轴同向旋转的刷头，实现物理清洗，再将硅基翻面，对另一侧进行物理清洗。
5.根据权利要求1所述的一种太赫兹材料制作PET膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：根据S4中的操作步骤，由风干机对硅基进行风干，风干温度为40-50°C条件下，风速为2.5-3.5m/s。
6. 根据权利要求1所述的一种太赫兹材料制作PET膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：根据S6中的操作步骤，两个金-聚酰亚胺薄膜，金的电导率为:σgold==4.561 X107S.m-1，厚度t=0.2μm，聚酰亚胺的介电常数为Eplyide=3.5+9.45×10-3i，厚度为t=15μm。
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