CN111352188A - 一种光纤熔接方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光纤熔接方法，用于超细径光纤熔接，包括：(1)去除光纤涂覆层30～40mm，并用无水乙醇擦拭干净；(2)用夹具夹持光纤，并使带有涂覆层的光纤伸出夹具1～2mm；(3)使用切割机对光纤进行切割，切割角度≤1°；(4)将切割好的光纤放置于熔接机中进行熔接，将光纤的包层直径输入熔接机中，设定清洁放电功率为特殊100bit～特殊200bit，清洁放电时间为60～100ms，光纤端面间隔10～15μm，光纤预熔功率为特殊60bit～特殊120bit，光纤预熔时间为10～50ms，主放电功率为特殊30bit～特殊100bit，主放电时间为1500～2000ms，再放电功率为特殊200bit～特殊300bit，再放电时间为600～800ms，并将光纤对轴方法设定为关闭；(5)使用涂覆机对完成熔接的光纤熔接点进行涂覆。本发明提供的光纤熔接方法，适用于超细经光纤熔接，熔接效果好，在光纤技术中具有实用价值。

Description

一种光纤熔接方法
技术领域
本发明涉及光纤熔接技术领域，具体涉及一种光纤熔接方法。
背景技术
光纤是目前主流传输媒介，且具有传输带宽，通信容量大、损耗低、不受电磁干扰、直径小、重量轻、原材料来源丰富等优点，因此，被广泛地应用在通信、电视、数据传输网络中。对于光纤器件，光纤直径直接影响着光纤器件的物理体积，例如在制作光纤陀螺仪时，采用超细径光纤可以缩小光纤陀螺仪体积，相同体积的陀螺可以增大光纤长度从而提高光纤陀螺精度。此外，超细径光纤在相同曲率半径下产生的应变低，可以提高光传输的稳定性、性能温度敏感性、可靠性等，因此，采用超细径光纤是光纤器件发展的重要趋势。
在构建通讯光缆和制作使用光纤器件时，经常需要将两根光纤彼此熔接连接。目前，光纤熔接技术主要是针对普通直径的光纤，而对于超细径光纤的熔接没有合适的熔接方法，若将普通光纤的熔接方法直接应用于超细经光纤，会导致超细经光纤出现熔化过度等不良现象，导致光纤熔接失败。因此，需要一种适用于超细径光纤熔接的熔接方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种适用于超细径光纤熔接的熔接方法。
为实现上述目的，本发明提供一种光纤熔接方法，用于超细径光纤熔接，包括：
(1)去除光纤涂覆层30～40mm，并用无水乙醇擦拭干净；
(2)用夹具夹持光纤，并使带有涂覆层的光纤伸出夹具1～2mm；
(3)使用切割机对光纤进行切割，切割角度≤1°；
(4)将切割好的光纤放置于熔接机中进行熔接，将所述光纤的包层直径输入所述熔接机中，设定清洁放电功率为特殊100bit～特殊200bit，清洁放电时间为60～100ms，光纤端面间隔10～15μm，光纤预熔功率为特殊60bit～特殊120bit，光纤预熔时间为10～50ms，主放电功率为特殊30bit～特殊100bit，主放电时间为1500～2000ms，再放电功率为特殊200bit～特殊300bit，再放电时间为600～800ms，并将光纤对轴方法设定为关闭，熔接机可选用FSM-100P熔接机；
(5)使用涂覆机对完成熔接的光纤熔接点进行涂覆，涂覆可选用FSR-02涂覆机对熔接点进行涂覆；
其中，所述超细径光纤的包层直径为35～60μm。
较佳地，步骤(1)中光纤涂覆层的去除采用化学剥离法，将所述光纤在二氯甲烷溶液中浸泡1～2min后将光纤涂覆层剥离。
较佳地，：步骤(4)中光纤放置于熔接机中进行熔接时，待熔接光纤的重叠量为8～15μm，该范围内光纤熔接点的强度较强。
较佳地，步骤(4)中所述光纤预熔功率与所述主放电功率的差值不超过特殊30bit，光纤预熔功率与主放电功率差值不超过特殊30bit时，光纤熔接质量高，损耗小。
较佳地，步骤(4)中所述清洁放电功率优选为特殊120bit～特殊160bit，所述清洁放电时间优选为70～90ms，所述光纤端面间隔优选为12～14μm，所述光纤预熔功率优选为特殊70bit～特殊100bit，所述光纤预熔时间优选为20～40ms，所述主放电功率优选为特殊40bit～特殊90bit，所述主放电时间优选为1700～1900ms，所述再放电功率优选为特殊220bit～特殊280bit，所述再放电时间优选为620～750ms。
较佳地，所述超细径光纤的包层直径为35～45μm。
较佳地，所述超细径光纤为Panda型保偏光纤。
较佳地，所述切割机的切割刀为CT-38，所述熔接机为FSM-100P。
与现有技术相比，本发明提供的光线熔接方法，适用于包层直径为35～60μm的超细经光纤熔接，在切割时，切割角度≤1°，保证切割端面平齐且垂直，便于后续熔接，在熔接时，设定清洁放电功率为特殊100bit～特殊200bit，清洁放电时间为60～100ms，不仅可以去除超细经光纤表面的乙醇残留和微小灰尘放电，且不会造成超细经光纤端面变形；设定待熔接光纤间的端面间隔为10～15μm，即待熔接的两侧超细经光纤端面在预熔放电阶段的间隔为10～15μm，在该间隔距离下，超细经光纤不会出现在预熔阶段被过分熔化的现象；设定光纤预熔功率为特殊60bit～特殊120bit，光纤预熔时间为10～50ms，主放电功率为特殊30bit～特殊100bit，主放电时间为1500～2000ms，再放电功率为特殊200bit～特殊300bit，再放电时间为600～800ms，在这些放电量条件下，超细经光纤不会出现熔化不完全或熔化过度的情况，可保证超细经光纤熔接的完整性。本发明提供的光纤熔接方法，适用于超细经光纤熔接，熔接效果好，在光纤技术中具有一定的实用价值。
具体实施方式
为更好地说明本发明的目的、技术方案和有益效果，下面将结合具体实施例对本发明作进一步说明。需说明的是，下述实施方法是对本发明做的进一步解释说明，不应当作为对本发明的限制。
本发明提供一种光纤熔接方法，用于超细径光纤熔接，包括：
(1)去除光纤涂覆层30～40mm，并用无水乙醇擦拭干净；具体地，光纤涂覆层的去除采用化学剥离法，将光纤在二氯甲烷溶液中浸泡1～2min后将光纤涂覆层剥离，去除光纤涂覆层的长度具体可以为30mm、32mm、34mm、36mm或40mm。
(2)用夹具夹持光纤，并使带有涂覆层的光纤伸出夹具1～2mm，夹具采用100型夹具。
(3)使用切割机对光纤进行切割，切割角度≤1°，具体可采用CT-38切割刀对光纤进行切割；
(4)将切割好的光纤放置于熔接机中进行熔接，将光纤的包层直径输入熔接机中，设定消洁放电功率为特殊100bit～特殊200bit，具体可以为特殊100bit、特殊120bit、特殊150bit、特殊170bit、特殊190bit或特殊200bit，清洁放电时间为60～100ms，具体可以为60ms、70ms、75ms、80ms或100ms，光纤端面间隔10～15μm，具体可以为10μm、12μm、13μm、14μm或15μm，光纤预熔功率为特殊60bit～特殊120bit，具体可以为特殊60bit、特殊80bit、特殊85bit、特殊90bit、特殊100bit或特殊120bit，光纤预熔时间为10～50ms，具体可以为10ms、20ms、35ms、40ms或50ms，主放电功率为特殊30bit～特殊100bit，具体可以为特殊30bit、特殊50bit、特殊60bit、特殊70bit、特殊90bit或特殊100bit，主放电时间为1500～2000ms，具体可以为1500ms、1700ms、1800ms、1900ms或2000ms，再放电功率为特殊200bit～特殊300bit，具体可以为特殊200bit、特殊220bit、特殊240bit、特殊260bit、特殊290bit或特殊300bit，再放电时间为600～800ms，具体可以为600ms、650ms、700ms、750ms或800ms，并将光纤对轴方法设定为关闭，此外，待熔接光纤的重叠量为8～15μm，光纤预熔功率与主放电功率的差值不超过特殊30bit。
需要说明的是，清洁放电功率优选为特殊120bit～特殊160bit，清洁放电时间优选为70～90ms，光纤端面间隔优选为12～14μm，光纤预熔功率优选为特殊70bit～特殊100bit，光纤预熔时间优选为20～40ms，主放电功率优选为特殊40bit～特殊90bit，主放电时间优选为1700～1900ms，再放电功率优选为特殊220bit～特殊280bit，再放电时间优选为620～750ms。
(5)使用涂覆机对完成熔接的光纤熔接点进行涂覆；
其中，所述超细径光纤的包层直径为35～60μm，且超细径光纤为Panda型保偏光纤。
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
在本实施例中，超细径光纤的包层直径为40μm，该超细径光纤的熔接方法包括：
(1)去除光纤涂覆层30mm，并用无水乙醇擦拭干净，具体地，光纤涂覆层的去除采用化学剥离法，将光纤在二氯甲烷溶液中浸泡1min后将光纤涂覆层剥离；
(2)用100型夹具夹持光纤，并使带有涂覆层的光纤伸出夹具1～2mm；
(3)使用CT-38切割刀对光纤进行切割，切割角度≤1°；
(4)将切割好的光纤放置于熔接机FSM-100P中进行熔接，将光纤的包层直径40μm输入熔接机中，设定清洁放电功率为特殊100bit，消洁放电时间为60ms，光纤端面间隔10μm，光纤预熔功率为特殊60bit，光纤预熔时间为10ms，主放电功率为特殊30bit，主放电时间为2000ms，再放电功率为特殊200bit，再放电时间为800ms，待熔接光纤的重叠量为15μm，并将光纤对轴方法设定为关闭；
(5)使用涂覆机FSR-02对完成熔接的光纤熔接点进行涂覆。
对完成熔接后的超细径光纤进行测试，结果显示，熔接后的超细径光纤纤芯平直、外径平直、熔接点处未出现气泡且光纤熔接损耗小。
实施例2
在本实施例中，超细径光纤的包层直径为60μm，该超细径光纤的熔接方法包括：
(1)去除光纤涂覆层35mm，并用无水乙醇擦拭干净，具体地，光纤涂覆层的去除采用化学剥离法，将光纤在二氯甲烷溶液中浸泡2min后将光纤涂覆层剥离；
(2)用100型夹具夹持光纤，并使带有涂覆层的光纤伸出夹具1～2mm；
(3)使用CT-38切割刀对光纤进行切割，切割角度≤1°；
(4)将切割好的光纤放置于熔接机FSM-100P中进行熔接，将光纤的包层直径60μm输入熔接机中，设定清洁放电功率为特殊200bit，清洁放电时间为80ms，光纤端面间隔15μm，光纤预熔功率为特殊120bit，光纤预熔时间为30ms，主放电功率为特殊100bit，主放电时间为1700ms，再放电功率为特殊300bit，再放电时间为700ms，待熔接光纤的重叠量为10μm，并将光纤对轴方法设定为关闭；
(5)使用涂覆机FSR-02对完成熔接的光纤熔接点进行涂覆。
对完成熔接后的超细径光纤进行测试，结果显示，熔接后的超细径光纤纤芯平直、外径平直、熔接点处未出现气泡且光纤熔接损耗小。
实施例3
在本实施例中，超细径光纤的包层直径为35μm，该超细径光纤的熔接方法包括：
(1)去除光纤涂覆层40mm，并用无水乙醇擦拭干净，具体地，光纤涂覆层的去除采用化学剥离法，将光纤在二氯甲烷溶液中浸泡1.5min后将光纤涂覆层剥离；
(2)用100型夹具夹持光纤，并使带有涂覆层的光纤伸出夹具1～2mm；
(3)使用CT-38切割刀对光纤进行切割，切割角度≤1°；
(4)将切割好的光纤放置于熔接机FSM-100P中进行熔接，将光纤的包层直径35μm输入熔接机中，设定清洁放电功率为特殊120bit，清洁放电时间为70ms，光纤端面间隔12μm，光纤预熔功率为特殊70bit，光纤预熔时间为10ms，主放电功率为特殊40bit，主放电时间为1500ms，再放电功率为特殊250bit，再放电时间为600ms，待熔接光纤的重叠量为8μm，并将光纤对轴方法设定为关闭；
(5)使用涂覆机FSR-02对完成熔接的光纤熔接点进行涂覆。
对完成熔接后的超细径光纤进行测试，结果显示，熔接后的超细径光纤纤芯平直、外径平直、熔接点处未出现气泡且光纤熔接损耗小。
实施例4
在本实施例中，超细径光纤的包层直径为55μm，该超细径光纤的熔接方法包括：
(1)去除光纤涂覆层35mm，并用无水乙醇擦拭干净，具体地，光纤涂覆层的去除采用化学剥离法，将光纤在二氯甲烷溶液中浸泡2min后将光纤涂覆层剥离；
(2)用100型夹具夹持光纤，并使带有涂覆层的光纤伸出夹具1～2mm；
(3)使用CT-38切割刀对光纤进行切割，切割角度≤1°；
(4)将切割好的光纤放置于熔接机FSM-100P中进行熔接，将光纤的包层直径55μm输入熔接机中，设定清洁放电功率为特殊150bit，清洁放电时间为100ms，光纤端面间隔15μm，光纤预熔功率为特殊80bit，光纤预熔时间为50ms，主放电功率为特殊60bit，主放电时间为1800ms，再放电功率为特殊250bit，再放电时间为800ms，待熔接光纤的重叠量为10μm，并将光纤对轴方法设定为关闭；
(5)使用涂覆机FSR-02对完成熔接的光纤熔接点进行涂覆。
对完成熔接后的超细径光纤进行测试，结果显示，熔接后的超细径光纤纤芯平直、外径平直、熔接点处未出现气泡且光纤熔接损耗小。
实施例5
在本实施例中，超细径光纤的包层直径为45μm，该超细径光纤的熔接方法包括：
(1)去除光纤涂覆层35mm，并用无水乙醇擦拭干净，具体地，光纤涂覆层的去除采用化学剥离法，将光纤在二氯甲烷溶液中浸泡2min后将光纤涂覆层剥离；
(2)用100型夹具夹持光纤，并使带有涂覆层的光纤伸出夹具1～2mm；
(3)使用CT-38切割刀对光纤进行切割，切割角度≤1°；
(4)将切割好的光纤放置于熔接机FSM-100P中进行熔接，将光纤的包层直径45μm输入熔接机中，设定清洁放电功率为特殊150bit，清洁放电时间为90ms，光纤端面间隔12μm，光纤预熔功率为特殊80bit，光纤预熔时间为40ms，主放电功率为特殊60bit，主放电时间为1700ms，再放电功率为特殊250bit，再放电时间为750ms，待熔接光纤的重叠量为10μm，并将光纤对轴方法设定为关闭；
(5)使用涂覆机FSR-02对完成熔接的光纤熔接点进行涂覆。
对完成熔接后的超细径光纤进行测试，结果显示，熔接后的超细径光纤纤芯平直、外径平直、熔接点处未出现气泡且光纤熔接损耗小。
本发明提供的光线熔接方法，适用于包层直径为35～60μm的超细经光纤熔接，在切割时，切割角度≤1°，保证切割端面平齐且垂直，便于后续熔接，在熔接时，设定清洁放电功率为特殊100bit～特殊200bit，清洁放电时间为60～100ms，不仅可以去除超细经光线表面的乙醇残留和微小灰尘放电，且不会造成超细经光纤端面变形；设定待熔接光纤间的端面间隔为10～15μm，即待熔接的两侧超细经光纤端面在预熔放电阶段的间隔为10～15μm，在该间隔距离下，超细经光纤不会出现在预熔阶段被过分熔化的现象；设定光纤预熔功率为特殊60bit～特殊120bit，光纤预熔时间为10～50ms，主放电功率为特殊30bit～特殊100bit，主放电时间为1500～2000ms，再放电功率为特殊200bit～特殊300bit，再放电时间为600～800ms，在这些放电量条件下，超细经光纤不会出现熔化不完全或熔化过度的情况，可保证超细经光纤熔接的完整性。本发明提供的光纤熔接方法，适用于超细经光纤熔接，熔接效果好，在光纤技术中具有一定的实用价值。
以上所揭露的仅为本发明的较佳实例而已，不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，均属于本发明所涵盖的范围。

Claims (8)

1.一种光纤熔接方法，用于超细径光纤熔接，其特征在于，包括：
(1)去除光纤涂覆层30～40mm，并用无水乙醇擦拭干净；
(2)用夹具夹持光纤，并使带有涂覆层的光纤伸出夹具1～2mm；
(3)使用切割机对光纤进行切割，切割角度≤1°；
(4)将切割好的光纤放置于熔接机中进行熔接，将所述光纤的包层直径输入所述熔接机中，设定清洁放电功率为特殊100bit～特殊200bit，清洁放电时间为60～100ms，光纤端面间隔10～15μm，光纤预熔功率为特殊60bit～特殊120bit，光纤预熔时间为10～50ms，主放电功率为特殊30bit～特殊100bit，主放电时间为1500～2000ms，再放电功率为特殊200bit～特殊300bit，再放电时间为600～800ms，并将光纤对轴方法设定为关闭；
(5)使用涂覆机对完成熔接的光纤熔接点进行涂覆；
其中，所述超细径光纤的包层直径为35～60μm。
2.如权利要求1所述的光纤熔接方法，其特征在于：步骤(1)中光纤涂覆层的去除采用化学剥离法，将所述光纤在二氯甲烷溶液中浸泡1～2min后将光纤涂覆层剥离。
3.如权利要求1所述的光纤熔接方法，其特征在于：步骤(4)中光纤放置于熔接机中进行熔接时，待熔接光纤的重叠量为8～15μm。
4.如权利要求1所述的光纤熔接方法，其特征在于：步骤(4)中所述光纤预熔功率与所述主放电功率的差值不超过特殊30bit。
5.如权利要求1所述的光纤熔接方法，其特征在于：步骤(4)中所述清洁放电功率优选为特殊120bit～特殊160bit，所述清洁放电时间优选为70～90ms，所述光纤端面间隔优选为12～14μm，所述光纤预熔功率优选为特殊70bit～特殊100bit，所述光纤预熔时间优选为20～40ms，所述主放电功率优选为特殊40bit～特殊90bit，所述主放电时间优选为1700～1900ms，所述再放电功率优选为特殊220bit～特殊280bit，所述再放电时间优选为620～750ms。
6.如权利要求5所述的光纤熔接方法，其特征在于：所述超细径光纤的包层直径为35～45μm。
7.如权利要求1所述的光纤熔接方法，其特征在于：所述超细径光纤为Panda型保偏光纤。
8.如权利要求1所述的光纤熔接方法，其特征在于：所述切割机的切割刀为CT-38，所述熔接机为FSM-100P。
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