CN111223794A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents
基板处理装置和基板处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111223794A CN111223794A CN201911074538.6A CN201911074538A CN111223794A CN 111223794 A CN111223794 A CN 111223794A CN 201911074538 A CN201911074538 A CN 201911074538A CN 111223794 A CN111223794 A CN 111223794A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- standby
- drying
- processing
- substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本发明提供一种适合于多片基板的同时处理和多片基板的个别处理这两种处理的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包括上游处理部、下游处理部、第一待机部、第二待机部以及搬送机器人。上游处理部对多片基板逐片依次进行处理。下游处理部可对通过上游处理部进行了处理的两片基板同时进行处理。第一待机部使作为被上游处理部处理过的基板的第一基板待机。第二待机部使作为被上游处理部处理过的基板的、且为第一基板的下一基板的第二基板待机。搬送机器人可取出第一基板与第二基板两者、仅第一基板、和仅第二基板的任一种作为搬送对象,且可将所述搬送对象搬送至下游处理部。
Description
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
已知晓具有多个处理装置的涂布机/显影机(coater/developer)装置。例如,在专利文献1记载的涂布机/显影机装置中,自载置于分度器(indexer)部的匣盒(cassette)中取出的多片基板依次被投入清洗装置中,然后,按顺序经由脱水烘烤装置、抗蚀剂涂布装置、预烘烤装置、曝光装置、显影装置和后烘烤装置,并再次被收容至匣盒中。
所述涂布机/显影机装置中混合存在以下两种类型的处理装置。即,混合存在平流处理装置与可变搬送型的处理装置。在所述平流处理装置中,基板是逐片地搬入。平流处理装置沿一个方向依次搬送所述基板并对基板逐片进行处理。所述平流处理装置例示有清洗装置和显影装置。
在可变搬送型的处理装置中,基板也是逐片地搬入。可变搬送型的处理装置具有:多个处理部、以及对所述多个处理部搬送基板的基板搬送部件。基板搬送部件具有:接收基板的手(hand)、以及使所述手向各处理部移动的移动机构。所述基板搬送部件自上游侧的装置逐片接收基板并将基板传递至处理部。另外,基板搬送部件还可在处理部的相互之间搬送基板。所述可变搬送型的处理装置例如例示有脱水烘烤装置。在所述脱水烘烤装置中设置有加热部和冷却部作为多个处理部。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2015-156426号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
然而,在此种可变搬送型的处理装置的各处理部中,例如自上游侧的平流装置逐片地搬送基板,且各处理部对基板逐片进行处理。因此,存在基板处理的生产率(throughput)低这一问题。
因此,考虑使可变搬送型的处理装置的各处理部对多片基板同时进行处理。由此可提高基板处理的生产率。
然而,可变搬送型的处理装置的各处理部总是对多片基板同时进行处理的情况不一定理想,也有理想的是各处理部对一片基板进行处理的情况。以下简单进行说明。
例如,在平流处理装置中,在先行的基板(以下称为先行基板)的处理结束之后,对继所述先行基板之后流入的基板(以下称为后续基板)进行处理。因此,先行基板需要等待后续基板的处理结束,在所述先行基板的待机期间,先行基板的状态可能会随时间变化。因此,在后续基板的处理结束时的时间点,先行基板和后续基板的状态可相互不同。当如上所述先行基板和后续基板的状态的差异变大时,等待平流处理装置中的后续基板的处理结束的情况并不优选。因此,理想的是将先行基板和后续基板依次搬送至下游侧的可变搬送型的处理装置的各处理部中,并对先行基板和后续基板逐片个别地进行处理。由此,可对状态上无差异的基板进行处理。
另一方面,若所述差异小,则理想的是下游侧的可变搬送型的处理装置的各处理部对先行基板和后续基板同时进行处理。由此,可提高生产率。
然而,以前并未考虑此种处理方法的不同,并且未提出适合于此两种处理方法的基板处理装置。
因此,本发明是鉴于所述课题而成的,其目的在于提供一种适合于多片基板的同时处理和多片基板的个别处理这两种处理的基板处理装置和基板处理方法。
[解决问题的技术手段]
基板处理装置的第一形态包括:上游处理部,对多片基板逐片依次进行处理;下游处理部,能够对通过所述上游处理部进行了处理的两片基板同时进行处理;第一待机部,使作为被所述上游处理部处理过的基板的第一基板待机;第二待机部,使作为被所述上游处理部处理过的基板的、且为所述第一基板的下一基板的第二基板待机;以及搬送机器人,能够取出在所述第一待机部待机的所述第一基板与在所述第二待机部待机的所述第二基板两者、在所述第一待机部待机的仅所述第一基板、和在所述第二待机部待机的仅所述第二基板的任一种作为搬送对象,且能够将所述搬送对象搬送至所述下游处理部。
基板处理装置的第二形态是第一形态的基板处理装置,其中所述第一待机部具有使所述第一基板上升的第一上升机构,所述第二待机部具有使所述第二基板上升的第二上升机构,所述第一上升机构和所述第二上升机构相互独立地受到驱动。
基板处理装置的第三形态是第二形态的基板处理装置,其中所述上游处理部具有沿着搬送方向逐片依次搬送所述多片基板的搬送部,所述第一待机部在所述搬送方向上位于所述搬送部的下游侧,所述第二待机部在所述搬送方向上位于所述搬送部与所述第一待机部之间,也具有将来自所述搬送部的所述第一基板搬送至所述第一待机部的功能,当所述第一基板自所述第二待机部被搬送至所述第一待机部时,所述第一上升机构使所述第一基板上升,在第一上升机构使所述第一基板上升的状态下,所述第二基板自所述搬送部被搬送至所述第二待机部。
基板处理装置的第四形态是第一形态至第三形态中任一形态的基板处理装置,其中所述下游处理部具有进行干燥处理的多个干燥部,当所述第一基板和所述第二基板各自的干燥所需要的必要干燥时间为第一时间时,所述搬送机器人将所述第一基板搬送至所述多个干燥部中的一个干燥部,将所述第二基板搬送至所述多个干燥部中的另一个干燥部,当所述必要干燥时间为比所述第一时间长的第二时间时,所述搬送机器人接收所述第一基板和所述第二基板两者并整批搬送至所述多个干燥部中的一个干燥部。
基板处理方法的形态包括:第一工序,逐片依次处理多片基板;第二工序,使作为在所述第一工序中进行了处理的基板的第一基板待机;第三工序,使作为在所述第一工序中进行了处理的基板的、且为所述第一基板的下一基板的第二基板待机;第四工序,通过搬送机器人取出搬送对象,所述搬送机器人能够取出所述第一基板与所述第二基板两者、仅所述第一基板、和仅第二基板的任一种作为所述搬送对象;以及第五工序,通过所述搬送机器人,将所述搬送对象搬送至能够同时处理两片基板的下游处理部。
[发明的效果]
根据基板处理装置的第一形态和基板处理方法的形态,搬送机器人既可将第一基板和第二基板两者整批搬送至下游处理部,另外也可将第一基板和第二基板个别地搬送至下游处理部。若将第一基板和第二基板两者整批搬送至下游处理部,则下游处理装置对第一基板和第二基板两者同时进行处理。由此,可提高生产率。另一方面,若将第一基板和第二基板个别地搬送至下游处理部,则下游处理部对第一基板和第二基板个别地进行处理。由此,下游处理部可以分别适合于第一基板和第二基板的处理条件,对第一基板和第二基板进行处理。
根据基板处理装置的第二形态,第一上升机构和第二上升机构相互独立地受到驱动,因此既可仅使第一基板上升,也可仅使第二基板上升,还可使第一基板和第二基板两者上升。
根据基板处理装置的第三形态,可使第一基板在更早的时刻上升。由此,可使第一基板自搬送部分离地对第一基板进行支撑。由此,可减少在搬送部与基板之间移动的热量。由此,可减少第一基板与第二基板的温度状态的差。
根据基板处理装置的第四形态,上游处理部对第一基板和第二基板逐片依次进行处理,因此所述处理的结束时刻在第一基板与第二基板之间不同。具体来说,第一基板的结束时刻是比第二基板的结束时刻早的时刻。由此,对第一基板和第二基板进行的处理结束之后的第一基板的干燥状态与第二基板的干燥状态不同。
当必要干燥时间较短时,第一基板和第二基板均容易干燥,由处理的结束时刻的差所引起的干燥程度差相对较大。在所述情况下,搬送机器人将第一基板和第二基板分别搬送至不同的干燥部。由此,可以分别适合于第一基板和第二基板的干燥时间进行干燥处理。
另一方面,当必要干燥时间长时,第一基板和第二基板均难以干燥,由处理的结束时刻的差所引起的干燥程度差相对较小。在所述情况下,搬送机器人将第一基板和第二基板整批搬送至一个干燥部。由此,可提高干燥所需要的产生率。
附图说明
图1是概略性地表示基板处理装置的构成的一例的平面图。
图2是概略性地表示控制部的构成的一例的功能框图。
图3是概略性地表示涂布装置和搬送机器人的构成的一例的侧视图。
图4是表示控制部的动作的一例的流程图。
图5是概略性地表示涂布装置的构成的一例的侧视图。
符号的说明
1:基板处理装置
2、2A:涂布装置
3:下游处理部(减压干燥装置)
4、72:搬送机器人
5:交接单元
6:控制器
7:加热处理装置
21:基板导入部
22:上游处理部(处理装置本体)
23:基板待机部
31、31a~31c:干燥部
41:手
42:移动机构
43:旋转机构
44:升降机构
61:CPU
62:ROM
63:RAM
64:存储装置
65:总线
66:输入部
67:显示部
68:通信部
71:加热单元
211A、211B、236A、236B:旋转轴
212A、212B、237A、237B、2211:辊子
221:移载单元
222:上浮平台
223:搬送部(基板搬送部)
224:喷嘴
225、233:出口上浮平台
231:第一待机部
232:第二待机部
234:第一上升机构
235:第二上升机构
411:指状构件
412:基端构件
2212:入口上浮平台
2213、2341、2351:顶销
2214、2342、2352:升降机构
2231:基板吸盘部
2232:进退机构
R1:涂布区域
S1、S2、S3:步骤
T1:必要干燥时间
Tref:基准时间
W:基板
W1:第一基板
W2:第二基板
X、Y、Z:轴
具体实施方式
第一实施方式.
<1.基板处理装置的全体构成、全体动作的概要的一例>
图1是概略性地表示基板处理装置1的构成的一例的平面图。此外,在以下参照的各图中,为了容易理解,视需要对各部的尺寸或数量进行夸张或简化描绘。另外,在各图中,为了说明各构成的位置关系,适宜地示出XYZ正交坐标系。此处,Z轴以沿着铅垂方向的姿势配置,X轴和Y轴沿着水平面配置。以下,将X轴方向上的其中一侧也称为+X侧,将另一侧也称为-X侧。Y轴和Z轴也相同。此外,以下,+Z侧是指铅垂上侧。
基板处理装置1包括涂布装置2、减压干燥装置3、搬送机器人4以及控制器6。在涂布装置2中,自上游侧搬入有基板W。此外,基板W在搬入涂布装置2之前可适宜地进行清洗处理等处理。涂布装置2在沿着搬送方向逐片依次搬送多片基板W的同时,对基板W逐片进行涂布处理。由此,在基板W的上表面形成涂膜。作为涂布于基板W的涂布液,例如可采用光致抗蚀剂用的涂布液或绝缘膜用的涂布液。
减压干燥装置3设置于涂布装置2的下游侧,且包括多个干燥部31。多个干燥部31中的各干燥部31可接纳通过涂布装置2进行了处理的N(N为2以上的整数)片基板W。以下,作为一例,对作为N片基板W而采用了两片基板的情况进行叙述。干燥部31对所搬入的基板W进行减压干燥处理。即,当在干燥部31中搬入有两片基板W时,干燥部31对两片基板W同时进行减压干燥处理。另外,当在干燥部31中搬入有一片基板W时,干燥部31对所述一片基板W进行减压干燥处理。通过所述减压干燥处理,基板W的涂膜在一定程度上干燥。此外,干燥部31中的两片基板的处理期间无需完全一致,只要各处理期间的至少一部分重合即可。总之,此处所说的同时,是以与各处理期间完全不重合的状态相对的含义来使用。
搬送机器人4可将通过涂布装置2进行了处理的两片基板W整批取出来作为搬送对象,并将所述搬送对象整批向干燥部31搬送。以下,作为一例,对作为N片基板W而采用了两片基板的情况进行叙述。
另外,搬送机器人4也可将通过涂布装置2进行了处理的基板W逐片取出来作为搬送对象,并将各基板W依次搬送至相互不同的干燥部31。如之后所进行的详细叙述,搬送机器人4所搬送的基板W的片数根据涂布装置2的处理内容(具体来说为涂布液的种类)而变更。
搬送机器人4将通过减压干燥装置3进行了处理的基板W搬送至交接单元5。交接单元5设置于干燥部31的上方,可接纳两片基板W。若在干燥部31中对两片基板W同时进行处理,则搬送机器人4自干燥部31取出所述两片基板W,并将所述两片基板W整批搬送至交接单元5。另一方面,若在干燥部31中对一片基板W进行处理,则搬送机器人4取出所述一片基板W,并将所述一片基板W搬送至交接单元5。进而,搬送机器人4取出通过另一干燥部31进行了处理的一片基板W,并将所述一片基板W搬送至交接单元5。由此,在交接单元5中搬入有两片基板W。
搬入至交接单元5内的两片基板W被设置于所述交接单元5的下游侧的搬送机器人72整批取出,并搬送至位于下游侧的加热处理装置7的加热单元71。加热单元71对两片基板W同时进行加热处理。由此,两片基板W的涂膜大致完全干燥。
控制部6控制各处理装置中的处理和基板W的搬送。图2是概略性地表示控制部6的构成的一例的功能框图。控制部6是控制电路,如图2所示,例如包括将中央处理器(CentralProcessing Unit,CPU)61、只读存储器(Read Only Memory,ROM)62、随机存取存储器(Random Access Memory,RAM)63和存储装置64等经由总线(bus line)65相互连接而成的一般的计算机。ROM 62保存基本程序等,RAM 63被提供作为供CPU 61进行规定处理时的操作区域。存储装置64包括闪速存储器、或硬盘装置等非易失性的存储装置。
另外,在控制部6中,输入部66、显示部67、通信部68也连接于总线65。输入部66包括各种开关、或触摸屏等,且从操作员收到处理配方(recipe)等各种输入设定指示。显示部67包括液晶显示装置和灯等,基于利用CPU 61的控制来显示各种信息。通信部68具有经由局域网(Local Area Network,LAN)等的数据通信功能。
另外,在控制部6上连接有各机器人(搬送机器人4、搬送机器人72等)和所述各处理装置作为控制对象。即,控制部6可作为对基板W的搬送进行控制的搬送控制部发挥功能。
控制部6的功能可通过CPU 61执行ROM 62或存储装置64中所保存的程序来实现。即,控制部6的功能可通过软件来实现。或者,控制部6的功能的一部分或全部也可通过包括专用的逻辑电路等的硬件来实现。
<1-1.涂布装置>
涂布装置2包括基板导入部21、处理装置本体22以及基板待机部23。基板导入部21接收基板W。例如在基板导入部21中整批搬入有两片基板W。处理装置本体22依次接收自基板导入部21搬送的基板W,并沿着搬送方向搬送所述基板W。此处,处理装置本体22中的搬送方向为X轴方向,所述搬送方向的上游侧为-X侧,搬送方向的下游侧为+X侧。此外,涂布装置2是位于减压干燥装置3的上游侧(-X侧)的上游处理部。
处理装置本体22在将基板W依次向+X侧搬送的同时,对所述基板W逐片依次进行涂布处理。涂布处理后的基板W自处理装置本体22被依次搬送至基板待机部23。基板待机部23依次接收自处理装置本体22搬送的基板W。基板待机部23可使依次接收的两片基板W待机。此外,此处所说的“待机”,是指与基板W的待机时间的长短无关地在此位置停止。在基板待机部23待机的基板W被搬送机器人4取出,并被搬送至下游侧的减压干燥装置3。
<1-1-1.基板导入部>
图3是概略性地表示涂布装置2和搬送机器人4的构成的一例的侧视图。在图3的例子中,基板导入部21例如包括辊子输送机(coro conveyer)。所述辊子输送机包括多个旋转轴211A、多个旋转轴211B、多个辊子212A以及多个辊子212B。旋转轴211A和旋转轴211B分别以各自的中心轴沿着Y轴的姿态设置。多个旋转轴211A在X轴方向上隔开间隔排列,多个旋转轴211B在比多个旋转轴211A更靠下游侧处,在X轴方向上隔开间隔排列。另外,旋转轴211A和旋转轴211B设置于相互大致相同的高度位置。旋转轴211A和旋转轴211B分别可将自身的中心轴作为旋转轴来旋转。
在各旋转轴211A的外周面设置有多个辊子212A,在各旋转轴211B的外周面设置有多个辊子211B。辊子212A和辊子212B具有圆环状的形状,且以其中心轴沿着Y轴的姿势设置。
基板W被载置于多个辊子212A和多个辊子212B上。即,多个辊子212A的外周面的最上部与基板W的下表面接触,多个辊子212B的外周面的最上部与基板W的下表面接触。
多个旋转轴211A由驱动部(未图示)驱动,沿预定的相同方向以大致相等的旋转速度旋转(同步旋转)。通过所述旋转,多个辊子212A也沿相同方向以大致相等的旋转速度旋转。驱动部具有马达,并由控制部6控制。通过辊子212A的旋转,辊子212A上所载置的基板W被搬送至+X侧。多个旋转轴211B也由驱动部(未图示)驱动而进行同步旋转。由此,辊子212B上所载置的基板W被搬送至+X侧。旋转轴211A和旋转轴211B相互独立地受到控制。
也可在辊子212A和辊子212B上分别各载置一片基板W。例如,两片基板W可自上游侧的装置被分别载置于辊子212A和辊子212B上。在所述状态下,控制部件6仅使旋转轴211B同步旋转。由此,可将辊子212B上的基板W搬送至处理装置本体22。接着,控制部6使旋转轴211A和旋转轴211B两者同步旋转。由此,可将辊子212A上的基板W搬送至处理装置本体22。
<1-1-2.处理装置本体的概要>
处理装置本体22在依次搬送基板W的同时,对所述基板W依次进行涂布处理。在图1和图3的例子中,所述处理装置本体22包括移载单元221、上浮平台222、基板搬送部223以及喷嘴224。
移载单元221是将自基板导入部21搬送的基板W搬送至上浮平台222的单元,且是转换搬送方式的单元。即,在基板导入部21中,是以辊子搬送方式搬送基板W,与此相对,后述的上浮平台22以上浮搬送方式搬送基板W,因此移载单元21在它们之间转换搬送方式。
在上浮平台222的上表面设置有多个喷出口,自所述喷出口喷出气体。由此,在上浮平台222中,基板W通过所述气体而被赋予浮力。
基板搬送部223在保持基板W的Y轴方向的两端部分的同时,将所述基板W自移载单元221经由上浮平台222搬送至基板待机部23。由于基板搬送部223仅保持了基板W的两端部分,因此基板W可在其中央附近挠曲。然而,上浮平台222自喷出口向基板W的下表面喷出气体,从而对基板W赋予浮力。由此,可抑制基板W的挠曲。因此,基板W可以水平姿势通过上浮平台222。
喷嘴224设置于上浮平台222的上方空间。基板搬送部223使基板W在上浮平台222的上方移动至+X侧,由此基板W横穿过喷嘴224的正下方。喷嘴224对其正下方的基板W涂布涂布液。由此,可对基板W形成涂膜。此外,喷嘴224也可构成为能够在处理位置与待机位置之间移动。处理位置是喷嘴224对基板W喷出涂布液的位置,待机位置是使喷嘴224待机的位置。在待机位置,可设置有清洗喷嘴224的喷口的机构等。
形成有涂膜的基板W利用基板搬送部223而被搬送至基板待机部23。基板搬送部223在基板待机部23中解除对基板W的保持。然后,基板搬送部223再次返回至移载单元221,以保持下一基板W。
<1-1-2-1.移载单元>
在图3的例子中,移载单元221包括多个辊子2211、入口上浮平台2212以及多个顶销2213。多个辊子2211具有与基板导入部21的辊子相同的构成,且在X轴方向上隔开间隔排列。辊子2211的旋转由控制部6控制。辊子2211通过自身的旋转,接收自基板导入部21搬送的基板W并将所述基板W搬送至+X侧。
入口上浮平台2212设置于比多个辊子2211更靠下游侧(+X侧)处。在入口上浮平台2212的上表面形成有多个喷出口(未图示)。所述喷出口在俯视时(即沿着Z轴方向观察)例如排列成矩阵状。各喷出口经由形成于入口上浮平台2212的内部的气体供给路径而与气体供给源(未图示)连接。来自气体供给源的气体自所述喷出口喷出。由此,可对入口上浮平台2212上的基板W赋予浮力。
多个顶销2213具有沿着Z轴方向延伸存在的棒状的形状,且以可升降的方式设置。多个顶销2213中的一些顶销2213与辊子2211对应地设置,其余的顶销2213与入口上浮平台2212对应地设置。与辊子2211相对应的顶销2213设置于多个辊子2211之间的间隙。在入口上浮平台2212,以与多个喷出口中的任一个均不发生干扰的方式形成有多个贯通孔。所述贯通孔沿Z轴方向贯通入口上浮平台2212。其余的顶销2213分别贯通配置于所述贯通孔中。如图3所例示,多个顶销2213可在-Z侧的基端部相互连结。
顶销2213利用升降机构2214进行升降。升降机构2214例如为气缸,且由控制部6控制。
在顶销2213下降的状态下,顶销2213的+Z侧的前端部相对于辊子2211的外周面的最上部和入口上浮平台2212的上表面的任一者而位于-Z侧。在顶销2213上升的状态下,所述前端部位于比辊子2211的最上部和入口上浮平台2212的上表面的任一者更靠+Z侧处,且可与基板W的下表面接触而将基板W顶起。基板W在被顶销2213顶起的状态下由基板搬送部223予以保持。
<1-1-2-2.上浮平台>
上浮平台222设置于比入口上浮平台2212更靠+X侧处。在上浮平台222的上表面也形成有多个喷出口(未图示)。所述喷出口在俯视时例如排列成矩阵状。各喷出口经由形成于上浮平台222的内部的气体供给路径而与气体供给源连接。来自气体供给源的气体自所述喷出口喷出。
此外,在上浮平台222的上表面,也可形成多个抽吸口。所述抽吸口形成于与喷出口不同的位置,且例如排列成矩阵状。各抽吸口经由形成于上浮平台222的内部的气体抽吸路径而与抽吸装置(例如泵)连接。自上浮平台222的喷出口喷出的气体的一部分自抽吸口被抽吸。因此,可更精密地控制对基板W施加的浮力。进而,可进一步减少基板W的挠曲。
<1-1-2-3.基板搬送部>
在图1的例子中,基板搬送部223包括基板吸盘部2231以及进退机构2232。基板吸盘部2231保持基板W的Y轴方向上的两侧的端面。在图1的例子中,相对于基板W而在Y轴方向上的两侧分别设置有一对基板吸盘部2231。一对基板吸盘部2231在X轴方向上隔开间隔设置。各基板吸盘部2231具有支撑基板W的下表面中的Y轴方向上的端部的支撑部。在所述支撑部的上表面,例如形成有吸附口,所述吸附口经由支撑部内部的抽吸路径而与抽吸装置(例如泵)连接。通过自吸附口抽吸气体,基板吸盘部2231可吸附基板W而予以保持。
进退机构2232使基板吸盘部2231沿着X轴方向移动。进退机构2232例如是线性马达等。进退机构2232由控制部6控制。进退机构2232使基板吸盘部2231自移载单元221经由上浮平台222移动至基板待机部23。由此,保持于基板吸盘部2231的基板W也自移载单元221经由上浮平台222移动至基板待机部23。
<1-1-2-4.喷嘴>
喷嘴224设置于上浮平台222的上方空间。在喷嘴224的下端,形成有与基板W的涂布区域R1对应的喷口。所述喷嘴224是其喷口在Y轴方向上长的长条喷嘴。喷口的长度(沿着Y轴方向的长度)与涂布区域R1的长度(沿着Y轴方向的长度)大致一致。
喷嘴224均经由未图示的涂布液供给管而与涂布液供给源连接。在涂布液供给管的中途设置有未图示的泵,通过对所述泵进行驱动控制,切换涂布液自喷嘴224的喷出/停止。泵由控制部6控制。
基板搬送部223使基板W移动至+X侧,由此,基板W横穿过喷嘴224的正下方。在基板W横穿时,喷嘴224喷出涂布液。具体而言,当基板W的涂布区域R1的+X侧的一端位于喷嘴224的正下方时,喷嘴224开始涂布液的喷出,当涂布区域R1的-X侧的一端位于喷嘴224的正下方时,喷嘴224结束涂布液的喷出。由此,对涂布区域R1涂布涂布液,从而在涂布区域R1上形成涂膜。
此外,喷嘴224也可能够对基板W喷出多种涂布液。更具体而言,可设置有与多种涂布液分别对应的多个喷嘴224。作为多种涂布液,例如可采用光致抗蚀剂用的涂布液和绝缘膜用的涂布液。
<1-1-3.基板待机部>
基板待机部23依次接纳通过处理装置本体22进行了处理的基板W。基板待机部23可使两片基板W待机。所述基板待机部23包括第一待机部231以及第二待机部232。第一待机部231可使一片基板W待机,第二待机部232可使一片基板W待机。
在图1和图3的例子中,第一待机部231和第二待机部232是沿着处理装置本体22的搬送方向(即,X轴方向)排列。更具体来说,第一待机部231设置于比处理装置本体22更靠+X侧处,第二待机部232设置于处理装置本体22与第一待机部231之间。第二待机部232还具有将自处理装置本体22搬送的基板W搬送至第一待机部231的功能。
在处理装置本体22中进行了处理的一片基板W(以下称为第一基板W1)利用基板搬送部223经由第二待机部232而被搬送至第一待机部231。第一待机部231可使所述第一基板W1待机。在处理装置本体22中继第一基板W1之后进行了处理的第二基板W2利用基板搬送部223而被搬送至第二待机部232。第二待机部232可使第二基板W2待机。
作为更具体的一例,基板待机部23包括出口上浮平台233、第一上升机构234、以及第二上升机构235。出口上浮平台233设置于比上浮平台222更靠+X侧处。在出口上浮平台233的上表面,与入口上浮平台2212同样地也形成有用于喷出气体的多个喷口。出口上浮平台233的长度(沿着X轴方向的长度)设定为比两片基板W的长度(沿着X轴方向的长度)的总和长。
第一基板W1被搬送至出口上浮平台233的下游部分。第一上升机构234使位于所述下游部分的第一基板W1上升。第一上升机构234由控制部6控制。在图3的例子中,第一上升机构234包括多个顶销2341以及升降机构2342。各顶销2341具有棒状的形状,以其长度方向沿着Z轴的姿势设置。如图3所例示,顶销2341的-Z侧的基端部可相互连结。在出口上浮平台233,以不与多个喷口中的任一个发生干扰的方式形成有沿Z轴方向延伸存在的多个贯通孔。顶销2341分别贯通配置于出口上浮平台233的贯通孔中。
升降机构2342例如是气缸,且使多个顶销2341升降。所述升降机构2342由控制部6控制。在顶销2341下降的状态下,顶销2341的前端部相对于出口上浮平台233的上表面而位于-Z侧。另一方面,在顶销2341上升的状态下,顶销2341的前端部相对于出口上浮平台233的上表面而位于+Z侧。在解除了利用基板吸盘部2231对第一基板W1的吸附的状态下,升降机构2342使顶销2341上升。通过所述上升,顶销2341的前端部可与第一基板W1的下表面接触而将第一基板W1顶起。顶销2341可使第一基板W1上升至自出口上浮平台233喷出的气体实质上达不到的高度位置。由此,第一基板W1由顶销2341支撑。
在图3的例子中,使第一基板W1待机的第一待机部231包括出口上浮平台233的下游部分以及第一上升机构234。
继第一基板W1之后进行处理的第二基板W2被搬送至出口上浮平台233的上游部分。出口上浮平台233的上游部分相对于下游部分而位于-X侧。第二上升机构235使位于所述上游部分的第二基板W2上升。第二上升机构235通过控制部6而与第一上升机构234独立地受到控制。在图3的例子中,第二上升机构235包括多个顶销2351以及升降机构2352。顶销2351和升降机构2352分别与顶销2341和升降机构2342相同,因此省略详细说明。
与升降机构2342同样地,在解除了利用基板吸盘部2231对第二基板W2的吸附的状态下,升降机构2352使顶销2351上升。通过所述上升,顶销2351的前端部可与第二基板W2的下表面接触而将第二基板W2顶起。第二基板W2由顶销2351支撑。
在图3的例子中,使第二基板W2待机的第二待机部232包括出口上浮平台233的上游部分以及第二上升机构235。
如上所述,第一上升机构234和第二上升机构235相互独立地受到驱动,因此,既可仅使第一基板W1上升,也可仅使第二基板W2上升,还可使第一基板W1和第二基板W2两者上升。
第一基板W1和第二基板W2分别是在由顶销2341和顶销2351支撑的状态下被搬送机器人4取出。
<1-2.搬送机器人>
在图3的例子中,搬送机器人4位于比基板待机部23更靠+X侧处。所述搬送机器人4可将第一基板W1和第二基板W2两者整批自基板待机部23取出。另外,搬送机器人4也可将第一基板W1和第二基板W2个别地自基板待机部23取出。
在图1和图3的例子中,搬送机器人4包括手41、移动机构42、旋转机构43以及升降机构44。手41具有可供两片基板W以在X轴方向上排列的状态载置的程度的尺寸。例如,手41包括多根指状构件411以及连结指状构件411的基端的基端构件412。指状构件411具有长条状的形状,在其上表面载置基板W。两片基板W沿着指状构件411的长边方向排列载置。因此,指状构件411的长度方向上的长度是根据基板W的与两片对应的长度、以及基板W之间的间隔而设定。
移动机构42可使手41沿水平方向移动。例如,移动机构42包括一对臂(未图示)。各臂具有长条状的多个连结构件,所述连结构件的端部彼此可旋转地被连结。各臂的一端连结于手41(具体来说为基端构件412),另一端连结于旋转机构43。通过控制连结构件的连结角度,可使手41沿水平方向移动。旋转机构43可使移动机构42的臂的另一端以沿着Z轴方向的旋转轴为中心旋转。由此,手41沿着圆弧移动。通过所述移动,可改变手41的方向。旋转机构43例如包括马达。升降机构44使旋转机构43沿着Z轴方向升降,由此使手41升降。升降机构44例如具有滚珠丝杠副(ball screw)机构。移动机构42、旋转机构43和升降机构44由控制部6控制。
搬送机器人4可通过适宜地使手41移动和旋转,而使手41分别移动至基板待机部23、干燥部31和交接单元5。
例如,搬送机器人4通过驱动旋转机构43,使手41与基板待机部23相向。接着,搬送机器人4通过驱动升降机构44,使手41相对于第一基板W1和第二基板W2而位于-Z侧。接着,搬送机器人4通过驱动移动机构42,将手41移动至-X侧,并使手41在Z轴方向上与第一基板W1和第二基板W2两者相向。接着,搬送机器人4通过驱动升降机构44,使手41上升。由此,搬送机器人4可自基板待机部23接收第一基板W1和第二基板W2两者。
搬送机器人4可通过适宜地使手41旋转和移动,而将第一基板W1和第二基板W2整批搬送至干燥部31。具体来说,搬送机器人4通过驱动旋转机构43,使手41与干燥部31相向。接着,搬送机器人4通过驱动升降机构44,使手41与干燥部31的挡板相向。接着,搬送机器人4通过驱动移动机构42,使手41经由挡板进入干燥部31的内部,并使第一基板W1和第二基板W2在Z轴方向上与基板保持部相向。接着,搬送机器人4通过驱动升降机构44,使手41下降,将第一基板W1和第二基板W2交接至基板保持部。接着,搬送机器人4通过驱动移动机构42,使手41自干燥部31的内部退避。
另外,搬送机器人4也可将第一基板W1和第二基板W2个别地取出。但是,为了将第一基板W1和第二基板W2整批取出,第一基板W1和第二基板W2两者需要在基板待机部23待机。即,在第一基板W1被搬送至基板待机部23之后,需要等待下一第二基板W2被搬送至基板待机部23。与此相对,在将第一基板W1和第二基板W2个别地取出的情况下,即使在第二基板W2尚未搬送至基板待机部23的状态下,也可将第一基板W1自基板待机部23取出。因此,搬送机器人4在进行个别搬送时,可在不等待第二基板W2的情况下将第一基板W1自基板待机部23取出。
搬送机器人4可仅将第一基板W1自基板待机部23取出。作为具体的一例,搬送机器人4在第二基板W2未被搬送至基板待机部23的状态(即,第二基板W2在处理装置本体22中接受处理的状态)下进行取出动作。即,搬送机器人4通过旋转机构43的旋转而使手41与基板待机部23相向,然后通过升降机构44的升降,使手41相对于第一基板W1而位于-Z侧。然后,搬送机器人4通过驱动移动机构42,使手41移动至-X侧,使手41的前端侧的部分仅与第一基板W1相向。然后,搬送机器人4使手41上升。由此,搬送机器人4可自基板待机部23仅接收第一基板W1。搬送机器人4仅将所述第一基板W1搬送至干燥部31。
另外,在第一基板W1已被取出的状态下,搬送机器人4可以如下方式仅将第二基板W2自基板待机部23取出。即,搬送机器人4通过旋转机构43的旋转,使手41与基板待机部23相向,然后通过升降机构44的升降,使手41相对于第二基板W2而位于-Z侧。然后,搬送机器人4通过驱动移动机构42,使手41与第二基板W2相向。然后,搬送机器人4通过驱动升降机构44使手41上升。由此,搬送机器人4可仅接收第二基板。搬送机器人4仅将所述第二基板W2搬送至干燥部31。
如上所述,搬送机器人4可将依次搬送至基板待机部23的基板W逐片依次取出,并向干燥部31依次搬送。此外,在此种个别搬送中,当第二基板W2被搬送至基板待机部23时第一基板W1已被取出,因此第二基板W2也可被搬送至第一待机部231。
关于搬送机器人4自基板待机部23取出的基板W的片数的决定方法,之后将详细描述。
<1-3.减压干燥装置>
减压干燥装置3的干燥部31可对两片基板W整批进行减压干燥处理。此外,减压干燥装置3是位于涂布装置2的下游侧(+X侧)的下游处理部。
作为多个干燥部31,例如设置有三个干燥部31a至干燥部31c。在图1的例子中,在俯视时,两个干燥部31设置于搬送机器人4的周围。例如,干燥部31a相对于搬送机器人4而设置于+Y侧,干燥部31c相对于搬送机器人4而设置于+X侧。干燥部31b相对于干燥部31a而设置于+Z侧。即,干燥部31b层叠于干燥部31a的+Z侧。
干燥部31均包括未图示的腔室、基板保持部以及减压机构。腔室形成密闭空间。其中,在腔室的面向搬送机器人4的侧表面,设置有用于基板W的搬出和搬入的挡板(未图示)。通过关闭所述挡板,腔室形成密闭空间。通过打开挡板,搬送机器人4可与腔室内的基板保持部进行基板W的交接。基板保持部可以水平排列的状态保持两片基板W。搬送机器人4既可将两片基板W整批传递至基板保持部,也可将一片基板W传递至基板保持部。减压机构抽吸腔室内的气体,以使腔室内的压力降低。具体来说,例如使腔室内的压力降低至涂布液的溶剂的汽化压力。由此,基板W上的涂膜的溶剂蒸发,可使基板W上的涂膜适度地干燥。即,进行减压干燥处理。
<1-4.交接单元>
交接单元5是对减压干燥装置3与加热处理装置7之间的基板W的交接进行中转的单元。例如,交接单元5位于搬送机器人4与加热处理装置7之间。作为更具体的一例,交接单元5可设置于干燥部31c的+Z侧。即,交接单元5可层叠于干燥部31c的+Z侧。
交接单元5具有基板保持部,所述基板保持部以水平排列的状态保持两片基板W。搬送机器人4可将两片基板W整批传递至基板保持部,另外,也可通过将基板W逐片传递至基板保持部而使两片基板W保持于基板保持部。例如,搬送机器人4将第一基板W1传递至基板保持部中的自搬送机器人4观察时为内侧的部分,并将第二基板W2传递至基板保持部中的近前侧的部分。由此,在基板保持部载置第一基板W1和第二基板W2。
<2.加热处理装置>
在图1的例子中,还示出了加热处理装置7。加热处理装置7包括加热单元71以及搬送机器人72。搬送机器人72具有与搬送机器人4相同的构成,并自交接单元5将第一基板W1和第二基板W2两者整批取出。搬送机器人72将第一基板W1和第二基板W2整批搬送至加热单元71。
加热单元71均包括未图示的基板保持部以及加热器。基板保持部可以水平排列的状态保持第一基板W1和第二基板W2两者。加热器对第一基板W1和第二基板W2赋予热。由此,第一基板W1和第二基板W2的涂膜大致完全干燥。
在作为由处理装置本体22涂布的涂布液而采用光致抗蚀剂用的涂布液的情况下,通过利用所述加热单元71进行的加热,可进行曝光处理前的所谓的预烘烤处理。
<3.搬送机器人的动作>
如上所述,处理装置本体22(上游处理部)在搬送基板W的同时,对基板W逐片依次进行涂布处理。即,在对第一基板W1的涂布处理结束之后,对继所述第一基板W1之后的第二基板W2进行涂布处理。涂布处理结束的基板W随着时间的经过而自然干燥,因此先结束涂布处理的第一基板W1的干燥状态可与后结束涂布处理的第二基板W2的干燥状态不同。所述干燥状态的差异程度例如取决于基板上所形成的涂膜的厚度(膜厚)。
例如,在涂布应形成耐蚀刻性被膜的光致抗蚀剂液来作为涂布液(以下称为第一涂布液)的情况下,使涂膜的膜厚相对较薄。在膜厚较薄的情况下,涂膜中所含的溶剂量变少。其结果,干燥所需要的必要干燥时间比较短。即,第一涂布液干燥的速度比较快。在所述情况下,由所述自然干燥时间的差引起的两基板W的干燥状态的差比较大。因此,理想的是对第一基板W1和第二基板W2以个别的干燥时间进行减压干燥处理。
另一方面,例如在涂布应形成绝缘膜的聚酰亚胺系或丙烯酸系的涂布液(以下称为第二涂布液)的情况下,使涂膜的膜厚相对较厚(例如设为光致抗蚀剂液的膜厚的倍数程度的膜厚)。在膜厚较厚的情况下,涂膜中所含的溶剂量变多。其结果,第二涂布液干燥的速度比较慢。在所述情况下,由所述自然干燥时间的差引起的两基板W的干燥状态的差比较小。
因此,搬送机器人4根据基板W的干燥所需要的必要干燥时间来切换搬送方法。具体来说,当基板W的干燥所需要的必要干燥时间为第一时间时,搬送机器人4将第一基板W1搬送至多个干燥部31中的一个干燥部31,并将第二基板W2搬送至多个干燥部31中的另一个干燥部31。由此,可对第一基板W1和第二基板W2分别以各自所适合的干燥时间进行减压干燥处理。
另一方面,当必要干燥时间为比第一时间长的第二时间时,搬送机器人4接收第一基板W1和第二基板W2两者,并整批搬送至多个干燥部31中的一个干燥部31。由此,可提高生产率。
由于必要干燥时间例如取决于涂膜的膜厚,因此也可以说搬送机器人4是根据涂膜的膜厚来切换搬送方法。即,当处理装置本体22的喷嘴224将第一涂布液喷出至基板W而形成比较薄的涂膜时,搬送机器人4将第一基板W1和第二基板W2个别地自基板待机部23取出。更具体来说,搬送机器人4在不等待第二基板W2搬送至基板待机部23的情况下,仅将第一基板W1自基板待机部23取出,并将所述第一基板W1例如搬送至干燥部31a。所述干燥部31a对第一基板W1在规定的第一干燥时间内进行减压干燥处理。当第二基板W2被搬送至基板待机部23时,搬送机器人4仅将第二基板W2自基板待机部23取出,并将所述第二基板W2搬送至与第一基板W1不同的干燥部31b。所述干燥部31b对第二基板W2在规定的第二干燥时间内进行减压干燥处理。
在利用干燥部31a进行的减压干燥处理结束时,搬送机器人4将第一基板W1自干燥部31a取出并搬送至交接单元5,在利用干燥部31b进行的减压干燥处理结束时,搬送机器人4将第二基板W2自干燥部31b取出并搬送至交接单元5。
如上所述,对于担心由自然干燥引起的干燥状态的差变大的第一基板W1和第二基板W2,不进行同时搬送而进行个别搬送。在所述个别搬送中,不等待之后的第二基板W2便取出第一基板W1,因此各取出时间点下的第一基板W1和第二基板W2的干燥状态的差小。然后,干燥部31a、干燥部31b对第一基板W1和第二基板W2以相互大致相等的第一干燥时间和第二干燥时间分别进行减压干燥处理。第一干燥时间和第二干燥时间例如是预先设定的,且例如为40秒。即将被搬送至干燥部31a之前的第一基板W1的干燥状态与即将被搬送至干燥部31b之前的第二基板W2的干燥状态的差小,因此减压干燥处理之后的第一基板W1和第二基板W2的干燥状态的差也小。
另一方面,当处理装置本体22的喷嘴224喷出第二涂布液而形成比较厚的涂膜时,搬送机器人4将第一基板W1和第二基板W2两者整批取出。搬送机器人4将第一基板W1和第二基板W2两者整批搬送至干燥部31(例如干燥部31a)。干燥部31a对第一基板W1和第二基板W2两者以规定的干燥时间(例如80秒)整批进行减压干燥处理。所述干燥时间例如也是预先设定的。如此,在无需担心由自然干燥引起的干燥状态的差变大的情况下,搬送机器人4也可将第一基板W1和第二基板W2两者整批搬送至干燥部31。
更具体来说,假设第一基板W1与第二基板W2的待机时间的差、即自然干燥状态的差为5秒的情况。在将第一涂布液喷出至基板W而形成比较薄的涂膜的情况下,如上所述,对第一基板W1和第二基板W2分别进行40秒的减压干燥处理。此时,在对第一基板W1和第二基板W2整批且同时进行减压干燥的情况下,是对自然干燥状态的差为5秒的两片基板同时进行减压干燥。相对于减压干燥时间(40秒)来说,自然干燥的时间差(5秒)比较大,因此担心减压干燥处理后的第一基板W1上的涂膜状态与第二基板W2上的涂膜状态不同。因此,如上所述,将第一基板W1和第二基板W2逐片地分别搬送至干燥部31a、干燥部31b来执行减压干燥处理,以便不产生第一基板W1与第二基板W2的待机时间的差(自然干燥状态的时间差)。
另外,在将第一涂布液喷出至基板W而形成比较厚的涂膜的情况下,如上所述,对第一基板W1与第二基板W2同时分别进行80秒的减压干燥处理。如此,即使对第一基板W1与第二基板W2整批且同时地进行减压干燥,相对于减压干燥时间(80秒)来看,自然干燥的时间差(5秒)也比较小,因此减压干燥处理后的第一基板W1上的涂膜状态与第二基板W2上的涂膜状态也不具有在工艺上会产生问题的程度的不同。
当利用干燥部31a进行的减压干燥处理结束时,搬送机器人4将第一基板W1和第二基板W2两者自干燥部31a整批取出并搬送至交接单元5。
由此,可对第一基板W1和第二基板W2整批进行干燥处理。由此,可提高生产率。
此外,在涂布装置2(处理装置本体22)涂布一种涂布液的情况下,搬送机器人4采用与所述涂布液的种类(膜厚)对应的一种搬送方法。根据本实施方式的基板处理装置1,搬送机器人4可切换搬送方法,因此,作为涂布装置2,可采用涂布第一涂布液的涂布装置,也可采用涂布第二涂布液的涂布装置。换句话说,无论是在需要涂布第一涂布液的涂布装置2的***中,还是在需要涂布第二涂布液的涂布装置2的***中,均可应用基板处理装置1。即,基板处理装置1适合于多片基板W的同时处理和多片基板W的个别处理这两种处理。
另一方面,涂布装置2也可根据基板W来选择性地涂布第一涂布液和第二涂布液。在所述情况下,关于涂布装置2中要涂布的涂布液的种类的信息(膜厚信息),例如可自基板处理装置1的上游侧的装置通知给控制部6,或者也可由操作者输入。控制部6根据涂布液的种类,如上所述对利用搬送机器人4的搬送方法进行切换。
图4是表示控制部6切换搬送方法时的搬送方法的决定动作的一例的流程图。例如可在每次将基板W搬入基板处理装置1时执行图4的流程图。首先,在步骤S1中,控制部6判断基板W的干燥所需要的必要干燥时间T1是否为基准时间Tref以下。表示必要干燥时间T1的信息由比基板处理装置1更靠上游侧的装置或操作者输入至控制部6。基准时间Tref例如是预先设定的,且例如存储于存储装置64等中。
当判断出必要干燥时间T1为基准时间Tref以下时,控制部6在步骤S2中采用如下的搬送方法(个别搬送):将第一基板W1和第二基板W2自基板待机部23个别地取出,并将第一基板W1和第二基板W2逐片搬送至相互不同的干燥部31。
另一方面,当判断出必要干燥时间T1大于基准时间Tref时,控制部6在步骤S3中采用如下的搬送方法(同时搬送):将第一基板W1和第二基板W2自基板待机部23整批取出,并将第一基板W1和第二基板W2整批搬送至一个干燥部31。
<4.待机>
在所述例子中,当第一基板W1被搬送至第一待机部231时,第一上升机构234使第一基板W1上升。因此,在同时搬送中,在第一上升机构234使第一基板W1上升的状态下,第二基板W2自基板搬送部223被搬送至第二待机部232。换句话说,第一基板W1在由顶销2341支撑的状态下等待第二基板W2或搬送机器人4。
为了进行比较,考虑第一基板W1在出口上浮平台233上待机的情况。例如,也可在停止了出口上浮平台233的下游部分的气体喷出的状态下,使第一基板W1在出口上浮平台233上待机。在所述情况下,第一基板W1的下表面与出口上浮平台233的上表面的接触面积大。因此,在第一基板W1与其支撑体(出口上浮平台233)之间移动的热量比较大。
或者,第一基板W1也可在承受出口上浮平台233的气体喷出的同时,保持于规定的吸盘机构而待机。在所述情况下,在第一基板W1的下表面产生了气流,因此在第一基板W1与气流之间移动的热量比较大。
与此相对,在第一基板W1由顶销2341支撑的情况下,第一基板W1与顶销2341的接触面积小。由此,在第一基板W1与支撑体(顶销2341)之间移动的热量比较小。另外,第一基板W1可在气体不会到达第一基板W1的下表面的位置待机。由此,在第一基板W1与气体之间移动的热量也小。因此,可减小支撑体和气体对第一基板W1的温度状态(即干燥状态)的影响。换句话说,可减小同时搬送时的第一基板W1与第二基板W2的干燥状态的差。
第二实施方式.
第二实施方式的基板处理装置1的构成的一例与第一实施方式相同。但是,第二实施方式的基板处理装置1包括涂布装置2A来取代涂布装置2。
图5是表示涂布装置2A的构成的一例的侧视图。涂布装置2A具有除了处理装置本体22的构成和基板待机部23的构成之外与涂布装置2相同的构成。与图3的处理装置本体22相比,涂布装置2A的处理装置本体22还包括出口上浮平台225。所述出口上浮平台225具有与出口上浮平台233相同的构成。
基板待机部23例如是辊子搬送机,且具有多个旋转轴236A、多个旋转轴236B、多个辊子237A以及多个辊子237B。基板待机部23的构成与基板导入部21相同。其中,基板W是利用搬送机器人4来取出,因此基板待机部23构成为不与搬送机器人4的手41发生干扰。在所述基板待机部23中,旋转轴236B和辊子237B构成第一待机部231,旋转轴236A和辊子237A构成第二待机部232。
通过处理装置本体22进行了处理的第一基板自出口上浮平台225经由第二待机部232被搬送至第一待机部231。第一基板W1在辊子237B上待机。通过处理装置本体22进行了处理的第二基板W2自出口上浮平台225被搬送至第二待机部232。第二基板W2在辊子237A上待机。
与第一实施方式同样地,搬送机器人4可将第一基板W1和第二基板W2两者自基板待机部23整批取出,另外可将第一基板W1和第二基板W2个别地取出。
此外,在第二实施方式中,也与第一实施方式同样地,可设置有第一上升机构234和第二上升机构235。
以上,对基板搬送装置和基板搬送方法的实施方式进行了说明,但只要不脱离所述实施方式的主旨,则也可在所述内容的基础上进行各种变更。所述各种实施方式和变形例可适宜组合来实施。
例如,也可根据涂布液的种类来变更搬送方式,而非根据膜厚的不同来变更搬送方式。例如在包含挥发性高的溶剂的涂布液的情况下,减压干燥时间比较短。在所述情况下,自然干燥状态的时间差对减压干燥造成的影响变大。因此,优选将基板逐片搬送至减压干燥装置的方式。相反,在包含挥发性低的溶剂的涂布液的情况下,减压干燥时间比较长。在所述情况下,自然干燥状态的时间差对减压干燥造成的影响小。因此,优选采用将多片基板整批搬送至减压干燥装置的方式,以提高生产率。
为了进行减压干燥,也可设置一个干燥部而非设置多个干燥部。在自涂布装置搬出的多片基板的时间间隔长的情况下,即使是一个干燥部,在前一基板的减压干燥处理完成时也会空闲,因此可逐片搬入基板。
例如,也可在基板处理装置1设置用于调整第一基板W1和第二基板W2的位置和姿势的排齐机构。所述排齐机构可设置于例如基板待机部23、减压干燥装置3以及交接单元5中的至少任一构件。作为所述排齐机构,例如可采用日本专利特开2018-160586号公报中所公开的间隔调整部和排齐部。
Claims (5)
1.一种基板处理装置,包括:
上游处理部,对多片基板逐片依次进行处理;
下游处理部,能够对通过所述上游处理部进行了处理的两片基板同时进行处理;
第一待机部,使作为被所述上游处理部处理过的基板的第一基板待机;
第二待机部,使作为被所述上游处理部处理过的基板的、且为所述第一基板的下一基板的第二基板待机;以及
搬送机器人,能够取出在所述第一待机部待机的所述第一基板与在所述第二待机部待机的所述第二基板两者、在所述第一待机部待机的仅所述第一基板、和在所述第二待机部待机的仅所述第二基板的任一种作为搬送对象,且能够将所述搬送对象搬送至所述下游处理部。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中
所述第一待机部具有使所述第一基板上升的第一上升机构,
所述第二待机部具有使所述第二基板上升的第二上升机构,
所述第一上升机构和所述第二上升机构相互独立地受到驱动。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中
所述上游处理部具有沿着搬送方向逐片依次搬送所述多片基板的搬送部,
所述第一待机部在所述搬送方向上位于所述搬送部的下游侧,
所述第二待机部在所述搬送方向上位于所述搬送部与所述第一待机部之间,也具有将来自所述搬送部的所述第一基板搬送至所述第一待机部的功能,
当所述第一基板自所述第二待机部被搬送至所述第一待机部时,所述第一上升机构使所述第一基板上升,
在所述第一上升机构使所述第一基板上升的状态下,所述第二基板自所述搬送部被搬送至所述第二待机部。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述下游处理部具有进行干燥处理的多个干燥部,
当所述第一基板和所述第二基板各自的干燥所需要的必要干燥时间为第一时间时,所述搬送机器人将所述第一基板搬送至所述多个干燥部中的一个干燥部,将所述第二基板搬送至所述多个干燥部中的另一个干燥部,
当所述必要干燥时间为比所述第一时间长的第二时间时,所述搬送机器人接收所述第一基板和所述第二基板两者并整批搬送至所述多个干燥部中的一个干燥部。
5.一种基板处理方法,包括:
第一工序,逐片依次处理多片基板;
第二工序,使作为在所述第一工序中进行了处理的基板的第一基板待机;
第三工序,使作为在所述第一工序中进行了处理的基板的、且为所述第一基板的下一基板的第二基板待机;
第四工序,通过搬送机器人取出搬送对象,所述搬送机器人能够取出所述第一基板与所述第二基板两者、仅所述第一基板、和仅所述第二基板的任一种作为所述搬送对象;以及
第五工序,通过所述搬送机器人,将所述搬送对象搬送至能够同时处理两片基板的下游处理部。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018-221307 | 2018-11-27 | ||
JP2018221307A JP6899813B2 (ja) | 2018-11-27 | 2018-11-27 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111223794A true CN111223794A (zh) | 2020-06-02 |
CN111223794B CN111223794B (zh) | 2022-04-01 |
Family
ID=70829111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911074538.6A Active CN111223794B (zh) | 2018-11-27 | 2019-11-06 | 基板处理装置和基板处理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6899813B2 (zh) |
KR (1) | KR102355695B1 (zh) |
CN (1) | CN111223794B (zh) |
TW (1) | TWI751450B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114256093A (zh) * | 2020-09-23 | 2022-03-29 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置及基板处理方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022178486A (ja) * | 2021-05-20 | 2022-12-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002263548A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 被膜形成装置及び被膜形成方法 |
JP2003051434A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム |
JP2009239000A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理システム |
CN102074456A (zh) * | 2009-10-16 | 2011-05-25 | 东京毅力科创株式会社 | 减压干燥装置 |
CN104617012A (zh) * | 2013-11-05 | 2015-05-13 | 株式会社荏原制作所 | 基板处理装置 |
CN104662640A (zh) * | 2012-09-21 | 2015-05-27 | 斯克林集团公司 | 调度表生成装置、程序以及方法、基板处理装置以及方法 |
US20170287742A1 (en) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
CN108630565A (zh) * | 2017-03-23 | 2018-10-09 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理***及基板处理方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI261875B (en) * | 2002-01-30 | 2006-09-11 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus and substrate processing method |
JP4397646B2 (ja) * | 2003-07-30 | 2010-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4908771B2 (ja) * | 2005-04-27 | 2012-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置システム |
JP5161335B2 (ja) * | 2011-04-06 | 2013-03-13 | 中外炉工業株式会社 | 基板の搬送装置及びこれを備えた基板の加工装置 |
JP6279343B2 (ja) | 2014-02-20 | 2018-02-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、プログラム、および、基板処理方法 |
JP6792368B2 (ja) * | 2016-07-25 | 2020-11-25 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置、基板処理装置および熱処理方法 |
-
2018
- 2018-11-27 JP JP2018221307A patent/JP6899813B2/ja active Active
-
2019
- 2019-11-06 CN CN201911074538.6A patent/CN111223794B/zh active Active
- 2019-11-13 TW TW108141139A patent/TWI751450B/zh active
- 2019-11-26 KR KR1020190153318A patent/KR102355695B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002263548A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 被膜形成装置及び被膜形成方法 |
JP2003051434A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム |
JP2009239000A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理システム |
CN102074456A (zh) * | 2009-10-16 | 2011-05-25 | 东京毅力科创株式会社 | 减压干燥装置 |
CN104662640A (zh) * | 2012-09-21 | 2015-05-27 | 斯克林集团公司 | 调度表生成装置、程序以及方法、基板处理装置以及方法 |
CN104617012A (zh) * | 2013-11-05 | 2015-05-13 | 株式会社荏原制作所 | 基板处理装置 |
US20170287742A1 (en) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
CN108630565A (zh) * | 2017-03-23 | 2018-10-09 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理***及基板处理方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114256093A (zh) * | 2020-09-23 | 2022-03-29 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置及基板处理方法 |
CN114256093B (zh) * | 2020-09-23 | 2024-03-01 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置及基板处理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6899813B2 (ja) | 2021-07-07 |
TW202021023A (zh) | 2020-06-01 |
TWI751450B (zh) | 2022-01-01 |
KR102355695B1 (ko) | 2022-01-25 |
CN111223794B (zh) | 2022-04-01 |
KR20200063075A (ko) | 2020-06-04 |
JP2020088194A (ja) | 2020-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101444974B1 (ko) | 도포 처리 방법, 도포 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 | |
KR101010086B1 (ko) | 기판처리장치 | |
TWI713810B (zh) | 基板處理系統及基板處理方法 | |
KR101442334B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR101355278B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
CN111223794B (zh) | 基板处理装置和基板处理方法 | |
KR100367963B1 (ko) | 처리액도포용도포장치 | |
JP4090648B2 (ja) | 膜形成方法及び膜形成装置 | |
JP2011148593A (ja) | 基板搬送装置及び基板搬送方法 | |
KR100687565B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2011044664A (ja) | 塗布現像装置及び塗布現像方法 | |
JP2008124366A (ja) | 減圧乾燥装置 | |
TW201320150A (zh) | 塗佈膜形成裝置及塗佈膜形成方法 | |
JP2011187490A (ja) | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 | |
KR101891349B1 (ko) | 도포 처리 장치 | |
KR20060045531A (ko) | 도포막형성장치 | |
CN110783166B (zh) | 基板处理装置及基板处理方法 | |
TW202137382A (zh) | 基板處理系統及基板處理方法 | |
JP3927758B2 (ja) | 基板搬送装置及び処理装置 | |
JP2004111073A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JP5362232B2 (ja) | 基板処理装置 | |
CN114256096B (zh) | 基板处理装置和基板处理方法 | |
JP2013102153A (ja) | 処理ステージ装置及びそれを用いる塗布処理装置 | |
JP2004079884A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |