CN110828693A - 有机发光二极体器件和其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种有机发光二级体器件和其制作方法，改善传统有机发光二级体器件的结构，辅助阴极被制作在隔墙上，而不是被制作在阴极层上，因此，所述辅助阴极的线宽能够被精确地控制，进而有效降低IR drop，避免所述辅助阴极因其线宽过宽而影响所述有机发光二级体器件的品质。

Description

有机发光二极体器件和其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光二极体器件和其制作方法。
背景技术
有机发光二极体(organic light-emitting diode,OLED)器件以其自发光、全固态、高对比等优点，成为近年来最具潜力的新型显示器件。
在顶发射的OLED器件中，阳极通常使用较薄的透明金属来制作以实现与屏幕边缘电路的连接，然而，当屏幕尺寸较大时，屏幕中心区域由于离电极接口较远，长距离的电流传输会使阴极分压增大，从而造成屏幕边缘和屏幕中心OLED元件中注入的载流子数目有差异，即有压降(IR drop)的问题，不仅会导致屏幕中心发暗，还会导致能耗增加。
目前解决IR drop的方法是在顶发射OLED的阴极上制作辅助阴极，然而，目前顶发射OLED的阴极的材料主要为镁和银，使得沉积在其上的辅助阴极的材料具有优良的铺展性，容易造成沉积在阴极上的辅助阴极线宽过宽、线高过高，不符合使用需求。
发明内容
鉴于现有技术的不足，本发明提供一种有机发光二极体器件和其制作方法以改善及调控辅助阴极的线宽，降低其方阻值，更好的改善IR Drop的问题。
为了解决上述问题，本发明提供一种有机发光二极体器件，包括：衬底；薄膜电晶体电路层，所述薄膜电晶体电路层设置于所述衬底之上；复数个隔墙，所述复数个隔墙彼此間隔并设置于所述薄膜电晶体电路层之上；复数个辅助阴极层，所述复数个辅助阴极层设置于所述复数个隔墙之上；复数个阳极层，所述复数个阳极层设置于所述薄膜电晶体电路层之上并位于所述复数个隔墙之间；复数个有机发光器件层，所述复数个有机发光器件层设置于所述复数个阳极层之上且位于所述复数个隔墙之间；电子传输层，所述电子传输层设置于所述复数个辅助阴极层以及所述复数个有机发光器件层之上并覆盖所述复数个辅助阴极层、所述复数个有机发光器件层和所述复数个隔墙；以及阴极层，所述阴极层设置于所述电子传输层之上并覆盖所述电子传输层。
所述复数个辅助阴极层为使用纳米银所制作的复数条纳米银线。
所述复数条纳米银线的宽度不大于35μm。
所述复数个隔墙的材料包括疏水性树酯。
所述复数个有机发光器件层还包括空穴注入层、空穴传输层以及有机发光层。
为了解决上述问题，本发明还提供一种有机发光二极体器件的制作方法，包括以下步骤：S1：提供衬底，制作薄膜电晶体电路层在所述衬底之上，制作复数个隔墙在所述薄膜电晶体电路层之上，所述复数个隔墙彼此间隔；S2：制作复数个辅助阴极层在所述复数个隔墙之上；S3：制作复数个阳极层在所述薄膜电晶体电路层之上和所述复数个隔墙之间，制作复数个有机发光器件层在所述复数个阳极层之上和所述复数个隔墙之间；S4：制作电子传输层在所述复数个辅助阴极层和所述复数个有机发光器件层之上，所述电子传输层覆盖所述复数个辅助阴极层、所述复数个有机发光器件层和所述复数个隔墙；以及S5：制作阴极层在所述电子传输层之上，所述阴极层覆盖所述电子传输层。
所述复数个辅助阴极层为使用纳米银所制作的复数条纳米银线。
所述复数条纳米银线的宽度不大于35μm。
所述复数个辅助阴极层的制作方式包括：在所述复数个隔墙上每隔一定距离滴下所述纳米银，所述一定距离为25～35μm，并在温度范围90～150℃的环境下烘烤所述纳米银30～60分钟，形成所述复数条纳米银线。
所述复数个隔墙的材料包括疏水性树酯。
有益效果为：本发明提供一种有机发光二级体器件和其制作方法，通过改善现有有机发光二级体器件的结构，能够有效降低IR drop，避免辅助阴极因其线宽过宽而影响所述有机发光二级体器件的品质。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所提供的有机发光二极体器件的结构示意图。
图2为本发明实施例所提供的有机发光二级体器件的有机发光器件层的结构示意图。
图3为本发明实施例所提供的有机发光二极体器件的制作方法流程图。
图4为本发明实施例所提供的有机发光二极体器件的制作方法步骤S1完成后的结构示意图。
图5为本发明实施例所提供的有机发光二极体器件的制作方法步骤S2完成后的结构示意图。
图6为本发明实施例所提供的有机发光二极体器件的制作方法步骤S3完成后的结构示意图。
图7为本发明实施例所提供的有机发光二极体器件的制作方法步骤S4完成后的结构示意图。
图8为本发明实施例所提供的有机发光二极体器件的制作方法步骤S5完成后的结构示意图。
图9为本发明实施例所提供的有机发光二级体器件的制作方法所制作出的有机发光器件层的结构示意图。
具体实施方式
以下是各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可以用实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如上、下、前、后、左、右、内、外、侧等，仅是参考附图式的方向。在图中，结构相似的单元以相同标号表示。
本文将参照附图来详细描述本发明的实施例。本发明可以表现为许多不同形式，本发明不应仅被解释为本文阐述的具体实施例。本发明提供实施例是为了解释本发明的实际应用，从而使本领域其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改方案。
如图1所示，本发明的实施例提供一种有机发光二极体器件1，包括：衬底10；薄膜电晶体电路层11，所述薄膜电晶体电路层11设置于所述衬底10之上；复数个隔墙12，所述复数个隔墙12彼此間隔并设置于所述薄膜电晶体电路层11之上；复数个辅助阴极层13，所述复数个辅助阴极层13设置于所述复数个隔墙12之上；复数个阳极层14，所述复数个阳极层14设置于所述薄膜电晶体电路层11之上并位于所述复数个隔墙12之间；复数个有机发光器件层15，所述复数个有机发光器件层15设置于所述复数个阳极层14之上且位于所述复数个隔墙12之间；电子传输层16，所述电子传输层16设置于所述复数个辅助阴极层14以及所述复数个有机发光器件层15之上并覆盖所述复数个辅助阴极层13、所述复数个有机发光器件层15和所述复数个隔墙12；以及阴极层17，所述阴极层17设置于所述电子传输层16之上并覆盖所述电子传输层16。
在本实施例中，所述阳极层14的材料为氧化铟锡，所述复数个辅助阴极层13为使用纳米银所制作的复数条纳米银线，所述复数个隔墙12是由疏水性的树酯所制作。由于所述复数个辅助阴极层13是被制作在所述复数个隔墙12之上，而不是被设置在所述阴极层17之上，因此，所述复数个辅助阴极层13的铺展性较低，可以确保所述复数条纳米银线的宽度不大于35μm(本实施例中的线宽为30μm)，以同时达到降低IR drop以及控制线宽度的目的。
在本实施例中，所述阴极层17的材料包括镁和银，但不限于此，当所述复数条纳米银线被制作在由其他材料所制成的阴极层时，同样可能会有IR drop以及线宽过宽的问题，而本发明通过改善传统有机发光二级体的结构，解决了上述问题。
在本实施例中，如图2所示，每个所述有机发光器件层15还包括空穴注入层151、空穴传输层152以及有机发光层153。
如图3～图8所示，本发明的另一个实施例提供一种有机发光二极体器件2的制作方法，包括以下步骤：
S1：提供衬底20，制作薄膜电晶体电路层21在所述衬底20之上，制作复数个隔墙22在所述薄膜电晶体电路层21之上，所述复数个隔墙22彼此间隔；
S2：制作复数个辅助阴极层23在所述复数个隔墙22之上；
S3：制作复数个阳极层24在所述薄膜电晶体电路层21之上和所述复数个隔墙22之间，制作复数个有机发光器件层25在所述复数个阳极层24之上和所述复数个隔墙22之间；
S4：制作电子传输层26在所述复数个辅助阴极层23和所述复数个有机发光器件层25之上，所述电子传输层26覆盖所述复数个辅助阴极层23、所述复数个有机发光器件层25和所述复数个隔墙22；以及
S5：制作阴极层27在所述电子传输层26之上，所述阴极层27覆盖所述电子传输层26。
在本实施例中，所述阳极层24的材料为氧化铟锡，所述复数个辅助阴极层23为使用纳米银所制作的复数条纳米银线，所述复数个隔墙22是由疏水性的树酯所制作，由于所述复数个辅助阴极层23是被制作在所述复数个隔墙22之上，而不是被设置在所述阴极层27之上，因此，所述复数个辅助阴极层23的铺展性较低，可以确保所述复数条纳米银线的宽度不大于35μm(本实施例中所述纳米银线的线宽为30μm)，以同时达到降低IR drop以及控制线宽度的目的。
更进一步地，所述复数个辅助阴极层23的制作方式包括：在所述复数个隔墙22上每隔一定距离滴下所述纳米银，所述一定距离为25～35μm，在温度范围90～150℃的环境下烘烤所述纳米银30～60分钟，形成所述复数条纳米银线。
为了达到最佳的成膜效果，在制作所述复数条纳米银线时，所述一定距离优选为30μm。
在所述一定距离为30μm的情况下，本实施例将所述复数条纳米银线分别制作在由镁和银以比例1:9所制作的阴极层27之上和制作在所述复数个隔墙22之上，并测得了接触角、纳米银线线宽等数据，具体数据如表1所示：
基底 纳米银线与基底的接触角(°) 纳米银线线宽(μm)
隔墙22 53.4 30
阴极层27 30.5 66～76
表1
由表1可知，在所述一定距离为30μm的情况下，所述复数条纳米银线与所述复数个隔墙22的接触角大于所述复数条纳米银线与所述阴极层27的接触角，这是由于所述复数个隔墙是22由疏水性的树酯所制成，使得所述复数条纳米银线沉积在所述隔墙22的铺展性低于所述复数条纳米银线沉积在所述阴极层27的铺展性，因此，所述复数条纳米银线的线宽被控制在30μm左右，进而实现降低IR drop以及控制纳米银线线宽的目的。
在本实施例中，所述阴极层27的材料包括镁和银，但不限于此，当所述复数条纳米银线被制作在由其他材料所制成的阴极层时，同样可能会有IR drop以及线宽过宽的问题，而本发明通过改善传统有机发光二级体的结构，解决了上述问题。
在本实施例中，如图9所示，每个所述有机发光器件层25还包括空穴注入层251、空穴传输层252以及有机发光层253。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种有机发光二极体器件，包括：
衬底；
薄膜电晶体电路层；
复数个隔墙，所述复数个隔墙彼此间隔并设置于所述薄膜电晶体电路层之上；
复数个辅助阴极层，所述复数个辅助阴极层设置于所述复数个隔墙之上；
复数个阳极层，所述复数个阳极层设置于所述薄膜电晶体电路层之上并位于所述复数个隔墙之间；
复数个有机发光器件层，所述复数个有机发光器件层设置于所述复数个阳极层之上且位于所述复数个隔墙之间；
电子传输层，所述电子传输层设置于所述复数个辅助阴极层以及所述复数个有机发光器件层之上并覆盖所述复数个辅助阴极层、所述复数个有机发光器件层和所述复数个隔墙；以及
阴极层，所述阴极层设置于所述电子传输层之上并覆盖所述电子传输层。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极体器件，其中，所述复数个辅助阴极层为使用纳米银所制作的复数条纳米银线。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极体器件，其中，所述复数条纳米银线的宽度不大于35μm。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极体器件，其中，所述复数个隔墙的材料包括疏水性树酯。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极体器件，其中，所述复数个有机发光器件层还包括空穴注入层、空穴传输层以及有机发光层。
6.一种有机发光二极体器件的制作方法，包括以下步骤：
S1：提供衬底，制作薄膜电晶体电路层在所述衬底之上，制作复数个隔墙在所述薄膜电晶体电路层之上，所述复数个隔墙彼此间隔；
S2：制作复数个辅助阴极层在所述复数个隔墙之上；
S3：制作复数个阳极层在所述薄膜电晶体电路层之上和所述复数个隔墙之间，制作复数个有机发光器件层在所述复数个阳极层之上和所述复数个隔墙之间；
S4：制作电子传输层在所述复数个辅助阴极层和所述复数个有机发光器件层之上，所述电子传输层覆盖所述复数个辅助阴极层、所述复数个有机发光器件层和所述复数个隔墙；以及
S5：制作阴极层在所述电子传输层之上，所述阴极层覆盖所述电子传输层。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极体器件的制作方法，其中，所述复数个辅助阴极层为使用纳米银所制作的复数条纳米银线。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极体器件的制作方法，其中，所述复数条纳米银线的宽度不大于35μm。
9.根据权利要求7所述的有机发光二极体器件的制作方法，其中，所述复数个辅助阴极层的制作方式包括：在所述复数个隔墙上每隔一定距离滴下所述纳米银，所述一定距离为25～35μm，并在温度范围90～150℃的环境下烘烤所述纳米银30～60分钟，形成所述复数条纳米银线。
10.根据权利要求6所述的有机发光二级体器件的制作方法，其中，所述复数个隔墙的材料包括疏水性树酯。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108417726A (zh) * 2018-03-20 2018-08-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled器件及其制作方法
CN109817669A (zh) * 2019-01-23 2019-05-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光二极管显示器
CN110176478A (zh) * 2019-05-28 2019-08-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示装置及其制作方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100552972B1 (ko) * 2003-10-09 2006-02-15 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
JP2007157662A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Seiko Epson Corp 有機発光装置の製造方法、有機発光装置および電子機器
JP2008311212A (ja) * 2007-05-14 2008-12-25 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR102069193B1 (ko) * 2013-07-22 2020-01-23 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조 방법
CN104953044B (zh) * 2015-05-06 2017-11-07 深圳市华星光电技术有限公司 柔性oled及其制作方法
CN107731883A (zh) * 2017-11-17 2018-02-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示器及其制作方法
CN110137379B (zh) * 2019-05-31 2022-04-22 京东方科技集团股份有限公司 封装盖板、封装盖板的制备方法、显示面板

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108417726A (zh) * 2018-03-20 2018-08-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled器件及其制作方法
CN109817669A (zh) * 2019-01-23 2019-05-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光二极管显示器
CN110176478A (zh) * 2019-05-28 2019-08-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示装置及其制作方法

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