CN110098237A - 显示面板及制作方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提出了一种显示面板及制作方法,所述制作方法包括提供一衬底,在所述衬底上形成薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管单元及辅助电极;在所述薄膜晶体管层上形成第一有机层;利用第一装置对所述第一有机层进行图案化处理,使所述显示面板的第一区内形成至少一第一过孔;在所述第一有机层上形成第一公共电极。本申请利用激光源及特定的掩膜版在去除所述辅助电极上的有机层,使显示面板中的阴极层与辅助电极电连接,提高了阴极层的电位,降低了显示面板中的压降。使用一道光罩去除了辅助电极上的有机层,实现了辅助电极与阴极层的有效导通,提高了制程效率。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域,特别涉及一种显示面板及制作方法。
背景技术
在平板显示技术中,有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点,逐渐成为继液晶显示器后的第三代显示技术。
随着显示面板尺寸的增加,OLED的阴极层面积也会增加。顶发光的OLED显示屏对于阴极层的透过率要求导致阴极不能太厚,这样大面积的阴极层必定导致面内电压的降低,从而导致画面的发光亮度降低,以及比较差的亮度均一性。
现有面板一般会在面板内增加辅助电极,以拉高阴极层的电位,缓解显示面板的压降。但是对于如何实现辅助电极与阴极层的有效导通还存在一些问题。
因此,目前亟需一种显示面板的制作方法以解决上述问题。
发明内容
本申请提供一种显示面板及制作方法,以解决现有OLED显示面板辅助电极与阴极层无法有效导通的技术问题。
为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:
本申请提供一种显示面板的制作方法,其包括:
提供一衬底,在所述衬底上形成薄膜晶体管层,
所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管单元及辅助电极;
在所述薄膜晶体管层上形成第一有机层;
利用第一装置对所述第一有机层进行图案化处理,使所述显示面板的第一区内形成至少一第一过孔,
所述第一过孔使部分所述辅助电极裸露;
在所述第一有机层上形成第一公共电极,
所述第一公共电极通过所述第一过孔与所述辅助电极电连接。
在本申请的制作方法中,
所述显示面板包括显示区域;
所述显示区域包括位于所述显示区域边缘的所述第一区;
所述辅助电极位于所述第一区内。
在本申请的制作方法中,
所述辅助电极包括第一电极和第二电极;
所述第一电极与所述薄膜晶体管层中的遮光层、有源层或栅极中的一者同层设置;
所述第二电极与所述薄膜晶体管层中的源漏极同层设置。
在本申请的制作方法中,
所述第一装置包括真空腔、位于所述真空腔内的固定构件、光源以及第一掩膜版。
在本申请的制作方法中,
利用第一装置对所述第一有机层进行图案化处理,使所述显示面板的第一区内形成至少一第一过孔的步骤包括:
使用固定构件将待加工面板固定在所述真空腔内;
使所述待加工面板与所述第一掩膜版对位;
利用所述光源对所述待加工面板进行图案化处理,使所述显示面板的第一区内形成至少一所述第一过孔。
在本申请的制作方法中,
所述第一掩膜板包括透光区和遮光区;
所述透光区与所述遮光区间隔排列;
所述透光区与所述第一过孔对应。
在本申请的制作方法中,
所述光源为面激光源或线性激光源中的一种。
在本申请的制作方法中,
所述第一有机层包括像素定义层和发光层;
所述第一公共电极层为所述显示面板的阴极层。
在本申请的制作方法中,
所述第一过孔贯穿所述发光层及所述像素定义层。
本申请还提出了一种显示面板,所述显示面板采用上述显示面板的制作方法制成。
有益效果:本申请利用激光源及特定的掩膜版在去除所述辅助电极上的有机层,使显示面板中的阴极层与辅助电极电连接,提高了阴极层的电位,降低了显示面板中的压降。使用一道光罩去除了辅助电极上的有机层,实现了辅助电极与阴极层的有效导通,提高制程效率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请显示面板的平面结构图;
图2为本申请显示面板制作方法的步骤图;
图3A~3D为本申请显示面板制作方法的工艺步骤图;
图4为本申请第一装置的结构图;
图5为本申请第一掩膜版的结构图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本申请,而非用以限制本申请。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
请参阅图1,图1为本申请显示面板100的平面结构图。
所述显示面板100包括显示区域400和位于所述显示区域400***的非显示区域500。所述显示区域400包括位于所述显示区域400边缘的第一区200和被所述第一区200包围的第二区300。
所述第一区200内设置有辅助电极30。
所述第二区300内设置有衬底101、位于所述衬底101上的薄膜晶体管层10、及位于所述薄膜晶体管层10上的发光器件层20。
所述薄膜晶体管层10包括薄膜晶体管单元11及辅助电极30。
所述薄膜晶体管单元11包括蚀刻阻挡层型、背沟道蚀刻型或顶栅薄膜晶体管型等结构,具体没有限制。本申请以顶栅薄膜晶体管型为例进行说明。
所述薄膜晶体管单元11包括:遮光层102、缓冲层103、有源层104、栅绝缘层105、栅极106、间绝缘层107、源漏极108、钝化层109及平坦层110。
请参阅图2,图2为本申请显示面板100制作方法的步骤图。
请参阅图3A~3D,图3A~3D为本申请显示面板100制作方法的工艺步骤图。
所述显示面板100的制作方法包括:
S10、提供一衬底101,在所述衬底101上形成薄膜晶体管层10;
请参阅图3A,步骤S10包括:
S101、提供一衬底101;
S102、在所述衬底101上形成第一金属层,经图案化处理使所述第一金属层形成所述薄膜晶体管单元11的遮光层102及所述辅助电极30的第一电极301;
S103、在所述遮光层102及所述第一电极301上形成缓冲层103;
S104、在所述缓冲层103上形成所述薄膜晶体管单元11中的有源层104、栅绝缘层105、栅极106、间绝缘层107;
S105、使用第一蚀刻工艺,在所述间绝缘层107上形成第二过孔111和第三过孔303;
S106、在所述间绝缘层107形成第三金属层,经图案化处理使所述第三金属层形成所述薄膜晶体管单元11的源漏极108以及所述辅助电极30的第二电极302。
在本步骤中,所述第一电极301还可以与所述薄膜晶体管层10中的有源层104或栅极106中的一者同层设置。
所述第二电极302与所述薄膜晶体管层10中的源漏极108在同一道光罩工艺中形成。
S107、在所述源漏极108及所述第二电极302上形成钝化层109和平坦层110。
S20、在所述薄膜晶体管层10上形成第一有机层21;
请参阅图3B,步骤S20包括:
S201、在所述平坦层110上形成阳极层201;
S202、在所述阳极层201上形成像素定义层204;
S203、在所述像素定义层204上形成发光层202。
在本申请的显示面板100中,所述第一有机层21包括所述像素定义层204和所述发光层202。
S30、利用第一装置600对所述第一有机层21进行图案化处理,使所述显示面板100的第一区200内形成至少一第一过孔304,所述第一过孔304使部分所述辅助电极30裸露;
请参阅图3C,本步骤主要为利用所述第一装置600去除所述辅助电极30上的所述第一有机层21,使部分所述第一过孔304裸露。
请参阅图4,图4为本申请第一装置600的结构图。
所述第一装置600包括真空腔501、位于所述真空腔501内的固定构件、光源502以及第一掩膜版503。
下面将步骤30中命名为待加工面板504进行说明。
请参阅图4,步骤S30具体包括:
S301、使用固定构件将待加工面板504固定在所述真空腔501内;
S302、使所述待加工面板504与所述第一掩膜版503对位;
S303、利用所述光源502对所述待加工面板504进行图案化处理,使所述显示面板100的第一区400内形成至少一所述第一过孔304。
请参阅图5,图5为本申请第一掩膜版503的结构图。
所述第一掩膜板503包括透光区506和遮光区507。
所述透光区506与所述遮光区507间隔排列。
所述透光区506与所述第一过孔304对应。
在一种实施例中,所述光源502为面激光源或线性激光源中的一种。
请参阅图4,所述光源502为面激光源。
光源502照射到所述遮光区507时被遮挡无法照射到待加工面板504上。
光源502照射到所述透光区506时,通过所述透过区506内的透光孔照射到所述待加工面板504上,使所述透光孔内对应的第一有机层21中的有机材料加热而升华,露出对应的部分所述第二电极302。
当所述光源502为线激光源时,所述线激光源可以匀速的在所述待加工面板504下方移动,使得所述第一有机层21能够被光源502均匀的加热。
所述第一装置600还包括冷却构件505。所述冷却构件505以防止所述待加工面板504因过热而导致内部的膜层结构不可逆的损坏。
S40、在所述第一有机层21上形成第一公共电极203;
请参阅图3D,将完成步骤S30的面板从所述真空腔501内取出,进行所述第一公共电极203的制备。
所述第一公共电极203为所述发光器件层20的阴极层。所述第一公共电极203通过所述第一过孔304与所述辅助电极30电连接。
本申请还提出了一种显示面板,所述显示面板采用上述制作方法制成。
本申请提出了一种显示面板及制作方法,所述制作方法包括提供一衬底,在所述衬底上形成薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管单元及辅助电极;在所述薄膜晶体管层上形成第一有机层;利用第一装置对所述第一有机层进行图案化处理,使所述显示面板的第一区内形成至少一第一过孔;在所述第一有机层上形成第一公共电极。本申请利用激光源及特定的掩膜版在去除所述辅助电极上的有机层,使显示面板中的阴极层与辅助电极电连接,提高了阴极层的电位,降低了显示面板中的压降。使用一道光罩去除了辅助电极上的有机层,实现了辅助电极与阴极层的有效导通,提高制程效率。
综上所述,虽然本申请已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本申请,本领域的普通技术人员,在不脱离本申请的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底,在所述衬底上形成薄膜晶体管层,
所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管单元及辅助电极;
在所述薄膜晶体管层上形成第一有机层;
利用第一装置对所述第一有机层进行图案化处理,使所述显示面板的第一区内形成至少一第一过孔,
所述第一过孔使部分所述辅助电极裸露;
在所述第一有机层上形成第一公共电极,
所述第一公共电极通过所述第一过孔与所述辅助电极电连接。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,
所述显示面板包括显示区域;
所述显示区域包括位于所述显示区域边缘的所述第一区;
所述辅助电极位于所述第一区内。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,
所述辅助电极包括第一电极和第二电极;
所述第一电极与所述薄膜晶体管层中的遮光层、有源层或栅极中的一者同层设置;
所述第二电极与所述薄膜晶体管层中的源漏极同层设置。
4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,
所述第一装置包括真空腔、位于所述真空腔内的固定构件、光源以及第一掩膜版。
5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,
利用第一装置对所述第一有机层进行图案化处理,使所述显示面板的第一区内形成至少一第一过孔的步骤包括:
使用固定构件将待加工面板固定在所述真空腔内;
使所述待加工面板与所述第一掩膜版对位;
利用所述光源对所述待加工面板进行图案化处理,使所述显示面板的第一区内形成至少一所述第一过孔。
6.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,
所述第一掩膜板包括透光区和遮光区;
所述透光区与所述遮光区间隔排列;
所述透光区与所述第一过孔对应。
7.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,
所述光源为面激光源或线性激光源中的一种。
8.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,
所述第一有机层包括像素定义层和发光层;
所述第一公共电极层为所述显示面板的阴极层。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,
所述第一过孔贯穿所述发光层及所述像素定义层。
10.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板采用如权利要求1~9任一项所述的制作方法制成。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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