CN109317583A - 半导体器件的切筋成型方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种半导体器件的切筋成型方法，其中，多个半导体器件按阵列的方式设置在矩阵框架上，相邻行所述半导体器件通过连接筋连接，所述矩阵框架包括边框、多个连接所述边框与半导体器件的引脚以及连接各引脚的加强筋，所述切筋成型方法包括以下步骤：毛刺切割步骤、加强筋切割步骤、边框切割步骤与分离步骤，其能够避免切筋过程中产生的碎屑破裂四处飞溅，无需要操作员暂停机器对内部大量的碎屑进行清理，提高生产效率，同时，避免了毛刺对机器精密部件进行污染及破坏，而且杜绝了产品被毛刺污染的问题，降低次品率，本发明还公开了一种应用上述方法的半导体器件加工设备。

Description

半导体器件的切筋成型方法

技术领域

本发明涉及一种半导体加工技术领域，尤其涉及半导体器件的切筋成型方法。

背景技术

目前集成电路矩阵式引线框架(即矩阵框架)一般设计在10mm～30mm以内的宽度，呈双排或单排设计，每条10～20个单元不等，在相同列中的半导体通过两侧的引脚分别连在两侧框架边框上，且同行中半导体通过连接筋连接，这种框架采用传统塑封模具。

但由于TO252矩阵框架的特殊设计，在对引线框架进行切筋后的连接筋部分不可避免地会残留毛刺，传统的TO252切筋工艺没有专门的去毛刺步骤，因此，多余的毛刺将会在切筋过程中破裂飞溅，不仅会损坏机器，更会导致大量的产品缺陷。

以下列举出出一些与本发明相关的作为背景技术的专利文献：

专利文献CN207256415公开了一种矩阵式框架模具及包括该模具的自动切筋成型机，模具包括第一模板、滑柱和第二模板，所述第一模板和所述第二模板在所述滑柱上实现相对滑动，所述第一模板上和所述第二模板上分别设有对称L型钩件，外部冲头立柱与所述第一模板上的对称L型钩件或与所述第二模板上的对称L型钩件连接，所述第一模板上设有呈矩阵排列的大矩形注料腔，所述第二模板上设有呈矩阵排列的小矩形注料腔，所述大矩形注料腔和所述小矩形注料腔的位置一一对应。本发明的有益效果在于：结构设计合理，与外部冲头立柱的连接稳固。

专利文献CN206595231公开了一种半导体切筋上刀具，属于半导体封装技术领域。它包括刀具本体和与刀具本体一体成型的复数个刀刃，所述刀刃底部位置为刃口，各刃口中间位置设置有一凹槽，所述凹槽内部为槽口。本发明本发明一种半导体切筋上刀具，通过冲切刀片刀口的外形改变，将冲切过程中塑封体的废胶受力进行分解，降低受力峰值，减少了塑封体的受力，有效避免了高风险的隐裂问题。

专利文献CN204596769公开了一种切筋治具，包括一切刀本体，所述切刀本体的两侧向下延伸形成两侧壁，两侧壁之间形成用于避免芯片引脚受到冲击而变形的避让腔；在切刀本体的前端下部设有刀口；刀口包括一排间隔排列的凸起冲刀。优选地，在切刀本体的两侧壁外侧面上都设有卡槽。其具有1)能够更好的分离SDIP封装芯片的引脚，使得废料易去除，降低了芯片成品不良率。 2)该切筋治具结构简单，容易制作，成本较低。

专利文献CN104325509公开了一种组合式切筋凸模模具，包括切筋凸模组单元和凸模固定板，所述切筋凸膜组单元主要由竖直设置的切中筋凸模、切底筋凸模、凸模压块以及矩形的凸模垫块组成，所述切中筋凸模与切底筋凸模的侧边依次连接形成一个矩形腔室，所述凸模压块位于腔室内，且上端与凸模垫块底面固定连接，所述凸模垫块上设有环形的凸台，所述切中筋凸模与切底筋凸模上开设有与凸台相匹配的固定槽，所述凸台位于固定槽内。与现有技术相比较，本发明降低了集成电路产品的生产成本、提高生产效率，对集成电路产品切筋工序的切筋凸模结构进行了改进，其结构简单，加工维修方便，提高生产效率一倍，减少了模具投资，具有推广实施应用的必要性。

专利文献CN102315146公开了一种切筋装管结构，包括下模板，下模板上设有凹模座，凹模座上设有切筋凹模和承料块，其特征在于，所述的承料块的顶面包括一个平坦部分以及设于平坦部分后侧的倾斜部分，位于承料块后侧的凹模座的顶面也包括一个倾斜部分，凹模座的后侧设有斜滑块，斜滑块上设有挡块，斜滑块的一侧设有料管固定块，料管固定块上设有料管。本发明长时间使用后不会有变形，对操作人员在装管的时候手动滑动产品不会有危险，增加了模具使用寿命，提高了产品质量，达到安全生产的目的。

专利文献CN107275224公开了一种二极管切筋整形机构，包括切筋整形模具、切筋驱动电机和切筋传动机构，所述切筋整形模具包括上整形刀、上切筋刀、上压料杆、下切筋刀座、下切筋刀、下浮动块、下浮动块弹簧，上切筋刀位于对应侧的下切筋刀的外侧，从而将N个二极管单元多余的引脚切断，剩余引脚由上整形刀和上切筋刀进行第一个折弯点的折弯，之后上整形刀和上切筋刀一起向上运动，上压料杆由配备的驱动部分带动向下运动并结合下浮动块对N 个二极管单元的剩余引脚进行第二个折弯点的折弯，最后上压料杆向上运动，下浮动块由下浮动块弹簧顶出并结合上压料杆、上整形刀共同对N个二极管单元进行挤压整形。节约了人力成本，减少了能耗，大大提高了生产效率。

针对于如上需求，申请人基于如何提高半导体切筋成型时的生产效率、降低次品率的技术问题，进行技术研发。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种半导体器件的切筋成型方法，其能够避免切筋过程中产生的碎屑破裂四处飞溅，无需要操作员暂停机器对内部大量的碎屑进行清理，提高生产效率，同时，避免了毛刺对机器精密部件进行污染及破坏，而且杜绝了产品被毛刺污染的问题，降低次品率。

本发明的目的之二在于提供一种应用上述方法的半导体器件加工设备。

本发明的目的之一采用如下技术方案实现：

一种半导体器件的切筋成型方法，其中，多个半导体器件按阵列的方式设置在矩阵框架上，相邻行所述半导体器件通过连接筋连接，所述矩阵框架包括边框、多个连接所述边框与半导体器件的引脚以及连接各引脚的加强筋，其特征在于所述切筋成型方法包括以下步骤：

毛刺切割步骤：预切筋刀在预切筋刀驱动装置的驱动下，移动至连接筋位置，预切筋刀与连接筋接触，以将部分连接筋切除，切割后连接筋剩余宽度为连接筋原宽度的20％-60％，经预切筋刀切割后半导体器件由输送装置输送到加强筋切割步骤；

加强筋切割步骤：加强筋切割刀在加强筋切割刀驱动装置的驱动下，移动至加强筋位置处，加强筋切割刀与加强筋接触，以将加强筋切除，加强筋切除后，通过加强筋连接的相邻列半导体器件分离，经加强筋切割刀切割后的半导体器件由输送装置输送到边框切割步骤；

边框切割步骤：引脚切割刀在引脚切割刀驱动装置的驱动下，对引脚与边框的连接部分进行切割，切割后，引脚与边框分离，剩余引脚与半导体器件连接，切割后半导体器件由输送装置输送到分离步骤；

分离步骤：分离刀在分离刀驱动装置的驱动下，对剩余连接筋进行切割，以将剩余连接筋切断，连接筋切断后相邻行半导体器件分离，半导体器件分离。

进一步地，所述预切筋刀包括预切筋刀头与预切筋刀体，所述预切筋刀头设置在所述预切筋刀体侧面，在毛刺切割步骤时，所述预切筋刀头适于与连接筋抵接，以对连接筋进行切割，所述预切筋刀头的横截面呈梯形设置。

进一步地，所述预切筋刀头与连接筋接触部分宽度为连接筋宽度的 20％-60％，以适于切除连接筋宽度的20-60％。

进一步地，所述预切筋刀头与连接筋接触部分宽度为连接筋宽度的50％，以适于切除连接筋宽度的40％。

进一步地，所述分离刀包括分离刀与分离刀体，所述分离刀体的侧边与所述分离刀体侧边形成第一倾斜角，所述预切筋刀头的侧边与所述预切筋刀体的侧边形成第二倾斜角，所述第一倾斜角的角度与所述第二倾斜角的角度大小相同。

进一步地，所述毛刺切割步骤中：连接筋切割后，连接筋剩余宽度为连接筋原宽度的40％。

进一步地，所述引脚包括左引脚、中间引脚、右引脚以及连接所述左引脚、中间引脚、右引脚的挡胶筋，所述毛刺切割步骤之后，所述加强筋切割步骤之前还包括挡胶筋切割步骤，所述挡胶筋切割步骤：挡胶筋切割刀切除挡胶筋，挡胶筋切除后，所述左引脚、中间引脚、右引脚分离。

进一步地，所述加强筋切割步骤之前，所述挡胶筋切割步骤之后还包括中间引脚切除步骤，所述中间引脚切除步骤；中间引脚切割刀将中间引脚切除。

进一步地，所述边框切割步骤之后，所述分离步骤之前还包括成型步骤，所述成型步骤：对切割后引脚进行冲压，以使引脚弯折成型。

本发明的目的之二采用如下技术方案实现：

一种采用上述半导体器件的切筋成型方法的半导体器件加工设备，其中，多个半导体器件按阵列的方式设置在矩阵框架上，相邻行所述半导体器件通过连接筋连接，所述矩阵框架包括边框、多个连接所述边框与半导体器件的引脚以及连接各引脚的加强筋，其特征在于：包括上料模块、切筋模块、成型模块与下料模块，所述切筋模块包括第一下模与第一上模，所述第一上模设置在所述第一下模上方，所述第一下模用于放置待切割矩阵框架，所述第一上模适于在与所述第一下模配合时，对放置在所述第一下模上的半导体器件进行切割，以使半导体器件与矩阵框架分离，所述第一上模包括预切割刀，所述预切割刀适于在所述第一上模与所述第一下模配合时，对连接筋进行切割并形成切痕，所述切痕宽度为连接筋宽度的20-60％，所述上料模块适于将矩阵框架放置在所述第一下模，所述成型模块适于对经所述切筋模块切割后半导体器件进行处理，以使半导体器件分离，所述成型模块包括分离刀，所述分离刀适于将经所述预切割刀切割后连接筋切断，以使相邻行半导体器件分离，所述下料模块适于将所述经成型模块加工后的半导体器件排出。

进一步地，所述第一上模上安装有引脚切割刀具，所述第一下模上安装有与所述引脚切割刀具适配的引脚切割座，所述引脚切割刀具与所述引脚切割座配合以对半导体器件与边框连接部位进行切割，以使引脚与边框分离。

进一步地，所述第一上模上安装有加强筋切割刀，所述第一下模上安装有与所述加强筋切割刀适配的加强筋切割座，所述加强筋切割刀与所述加强筋切割座配合以对连接相邻半导体器件的加强筋进行切割，以使相邻列半导体器件分离。

进一步地，所述成型模块包括冲压模以及与所述冲压模配合的模板，所述模板适于放置经所述切筋模块处理后的半导体器件，所述冲压模适于对形成于半导体器件上的引脚进行冲压。

相比现有技术，本发明的有益效果在于：

通过在原半导体切筋成型方法的基础上，增加毛刺切割步骤，以缩减连接筋的宽度，以避免最后将连接筋切断时，连接筋破碎时产生过多碎屑，需要操作员暂停机器对内部大量的碎屑进行清理，有很大的安全隐患，而且大大地影响生产效率，此外，避免切割后的连接筋残留量过多在半导体器件上形成毛刺，并随半导体进入到下一精密加工步骤，对产品部件进行污染以及破坏；通过在切筋模块增加预切割刀，以在第一上模与第一下模配合时，对连接筋进行切割并切除部分连接筋，避免分离刀对连接筋进行切割时，连接筋破碎产生过多碎屑，导致需要操作员暂停机器对内部大量的碎屑进行清理，有很大的安全隐患，同时避免分离刀对连接筋后，过多连接筋遗留在半导体器件上形成毛刺，并随半导体进入到下一精密加工步骤，对产品部件进行污染以及破坏。

附图说明

图1为本发明的半导体器件的切筋成型方法的流程图；

图2为本发明的半导体器件切筋成型方法中预切筋刀的结构示意图；

图3为本发明半导体器件切筋成型方法中分离刀的结构示意图；

图4为本发明的半导体器件加工设备的结构示意图；

图5为本发明的半导体器件加工设备切筋模块的结构示意图。

图中：10、上料模块；20、切筋模块；21、第一下模；211、预切割刀；2111、预切筋刀头；2112、预切筋刀体；2113、第二倾斜角；212、预切割刀座；222、挡胶筋切割座；223、加强筋切割座；224、中间引脚切割座；30、成型模块； 31、分离刀；32、分离刀体；33、第一倾斜角；40、下料模块；501、半导体器件；502、连接筋；51、边框；52、左引脚；53、中间引脚；54、右引脚；55、加强筋；60、毛刺切割步骤；70、挡胶筋切割步骤；80、中间引脚切除步骤； 90、加强筋切割步骤；100、边框切割步骤；110、分离步骤；120、成型步骤。

具体实施方式

下面，结合附图以及具体实施方式，对本发明做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。

如图1-3所示的半导体器件的切筋成型方法，其中，多个半导体器件501 按阵列的方式设置在矩阵框架上，相邻行半导体器件501通过连接筋502连接，矩阵框架包括边框51、多个连接边框51与半导体器件501的引脚以及连接各引脚的加强筋55，其特征在于切筋成型方法包括以下步骤：

毛刺切割步骤60：预切筋刀在预切筋刀驱动装置的驱动下，移动至连接筋 502位置，预切筋刀与连接筋502接触，以将部分连接筋502切除，切割后连接筋502剩余宽度为连接筋502原宽度的20％-60％，经预切筋刀切割后半导体器件501由输送装置输送到加强筋切割步骤90；

加强筋切割步骤90：加强筋55切割刀在加强筋55切割刀驱动装置的驱动下，移动至加强筋55位置处，加强筋55切割刀与加强筋55接触，以将加强筋 55切除，加强筋55切除后，通过加强筋55连接的相邻列半导体器件501分离，经加强筋55切割刀切割后的半导体器件501由输送装置输送到边框切割步骤 100；

边框切割步骤100：引脚切割刀在引脚切割刀驱动装置的驱动下，对引脚与边框51的连接部分进行切割，切割后，引脚与边框51分离，剩余引脚与半导体器件501连接，切割后半导体器件501由输送装置输送到分离步骤110；

分离步骤110：分离刀31在分离刀31驱动装置的驱动下，对剩余连接筋502进行切割，以将剩余连接筋502切断，连接筋502切断后相邻行半导体器件 501分离，半导体器件501成型。

通过在原增加毛刺切割步骤60，以缩减连接筋502的宽度，以避免最后将连接筋502切断时，连接筋502破碎时产生过多碎屑，需要操作员暂停机器对内部大量的碎屑进行清理，有很大的安全隐患，而且大大地影响生产效率，此外，避免切割后的连接筋502残留量过多在半导体器件501上形成毛刺，并随半导体进入到下一精密加工步骤，对产品部件进行污染以及破坏。

预切筋刀包括预切筋刀头2111与预切筋刀体2112，预切筋刀头2111设置在预切筋刀体2112侧面，在毛刺切割步骤60时，预切筋刀头2111适于与连接筋502抵接，以对连接筋502进行切割，预切筋刀头2111的横截面呈梯形设置。

具体地，预切筋刀包括预切筋刀头2111与预切筋刀体2112，预切筋刀头2111 设置在预切筋刀体2112侧面，在毛刺切割步骤60时，预切筋刀头2111适于与连接筋502抵接，以对连接筋502进行切割，预切筋刀头2111的横截面呈梯形设置，预切筋刀头2111横截面呈梯形设置，其侧边能够与相邻行半导体器件501 边缘抵接，以在切割时为预切筋刀头2111进行定位，避免出现切割错误，此外分离刀31包括分离刀31与分离刀体32，分离刀体32的侧边与分离刀体32侧边形成第一倾斜角33，预切筋刀头2111的侧边与预切筋刀体2112的侧边形成第二倾斜角2113，第一倾斜角33的角度与第二倾斜角2113的角度大小相同，使得分离刀31在对剩余连接筋502进行切割时，能够将剩余连接筋502完全切除，避免出现剩余，同时降低了分离刀31切割时的切割难度。

具体地，预切筋刀头2111的宽度为连接筋502宽度的20％-60％，以适于切除连接筋502宽度的20-60％，以对连接筋502进行预切割，更具体地预切筋刀头2111的宽度为连接筋502宽度的40％，以适于切除连接筋502宽度的40％，以降低切割后的连接筋502输送至下一切割步骤时，连接筋502断裂的概率，同时，避免连接筋502切除后残余部分过多，现有连接筋502的宽度一般为 0.6mm，故预切割刀211对连接筋502的切割宽度一般为0.12mm-0.36mm，以避免进行下一步切割时，连接筋502发生断裂，导致切割失误，此外，在进行最后的连接筋502切除工序时，能够连接筋502切割后遗留部分少，避免随半导体移动至下一紧密加工工序时，从半导体上落下污染产品，导致产品出现缺陷，通过切割上述宽度的连接筋502，产品的缺陷率从1000PPM降为0，有效降低了产品的缺陷率与次品率。

毛刺切割步骤60中：连接筋502切割后，连接筋502剩余宽度为连接筋502 原宽度的40％。

引脚包括左引脚52、中间引脚53、右引脚54以及连接左引脚52、中间引脚53、右引脚54的挡胶筋，毛刺切割步骤60之后，加强筋切割步骤90之前还包括挡胶筋切割步骤70，挡胶筋切割步骤70：挡胶筋切割刀切除挡胶筋，挡胶筋切除后，左引脚52、中间引脚53、右引脚54分离。

加强筋切割步骤90之前，挡胶筋切割步骤70之后还包括中间引脚切除步骤80，中间引脚切除步骤80；中间引脚53切割刀将中间引脚53切除。

具体地，边框切割步骤100之后，分离步骤110之前还包括成型步骤120，成型步骤120：对切割后引脚进行冲压，以使引脚成型，通过对切割后引脚进行冲压，以使引脚弯曲成型，方便使用者后续对引脚进行焊接以及安装。

如图4与图5所示，一种采用上述半导体器件501的切筋成型方法的半导体器件501加工设备，其中，多个半导体器件501按阵列的方式设置在矩阵框架上，相邻行半导体器件501通过连接筋502连接，矩阵框架包括边框51、多个连接边框51与半导体器件501的引脚以及连接各引脚的加强筋55，其特征在于：包括上料模块10、切筋模块20、成型模块30与下料模块40，切筋模块20 包括第一下模21与第一上模，第一上模设置在第一下模21上方，第一下模21 用于放置待切割矩阵框架，第一上模适于在与第一下模21配合时，对放置在第一下模21上的半导体器件501进行切割，以使半导体器件501与矩阵框架分离，第一上模包括预切割刀211，预切割刀211适于在第一上模与第一下模21配合时，对连接筋502进行切割并形成切痕，切痕宽度为连接筋502宽度的20-60％，上料模块10适于将矩阵框架放置在第一下模21，成型模块30适于对经切筋模块20切割后半导体器件501进行处理，以使半导体器件501分离，成型模块30 包括分离刀31，分离刀31适于将经预切割刀211切割后连接筋502切断，以使相邻行半导体器件501分离，下料模块40适于将经成型模块30加工后的半导体器件501排出。

通过在切筋模块20增加预切割刀211，以在第一上模与第一下模21配合时，对连接筋502进行切割并切除部分连接筋502，避免分离刀31对连接筋502进行切割时，连接筋502破碎产生过多碎屑，导致需要操作员暂停机器对内部大量的碎屑进行清理，有很大的安全隐患，同时避免分离刀31对连接筋502后，过多连接筋502遗留在半导体器件501上形成毛刺，并随半导体进入到下一精密加工步骤，对产品部件进行污染以及破坏。

具体地，切痕宽度为连接筋502宽度40％，避免半导体器件501进行下一步切割步骤时连接筋502发生断裂，影响切割效果，具体地，连接筋502的宽度一般为0.6mm，故预切割刀211对连接筋502的切割宽度一般为 0.12mm-0.36mm，连接筋502残留的宽度为0.36mm能够避免进行下一步切割时，连接筋502发生断裂，导致切割失误。

本申请工作时，上料模块10将待切割矩阵框架放置在第一下膜上，第一上模在外置驱动装置的驱动下，朝第一下模21方向运动以对放置在第一下模21 上的矩阵框架进行切割，切割时，预切割刀211与连接筋502抵接，以切除连接筋502宽度的20％-60％，连接筋502预切割完成后，在进行下一步的加工，当切筋步骤完成后，切割后的半导体器件501，在外置输送装置的输送下，进入成型模块30中，分离刀31在外置驱动装置的驱动下，将剩余连接筋502切除，使得相邻行半导体器件501分离，半导体器件501分离，下料模块40将成型后半导体器件501排出设备。

第一下模21安装有与预切割刀211适配的预切割刀座212，切割时，预切割刀211将在外置驱动装置的驱动下朝向预切割刀座212方向运动，以与预切割刀座212配合对连接筋502进行预切割。

第一上模上还安装有挡胶筋切割刀，第一下模21上还安装有与挡胶筋切割刀适配的挡胶筋切割座222，工作时，第一上模在外置驱动装置的驱动下朝向第一下模21方向运动，直至第一上模与第一下模21配合，挡胶筋切割刀与挡胶筋切割座222配合以切除连接相邻引脚的挡胶筋，挡胶筋切除后，多个引脚分离。

第一上模上还安装有中间引脚53切割刀，第一下模21上还安装有与中间引脚53切割刀适配的中间引脚切割座224。由于加工需要半导体在成型时其侧面会形成多个引脚，在使用前工作人员需要根据使用需要将形成与半导体侧面无需使用的引脚切除。

工作时，中间引脚53切割刀将在外置驱动装置的驱动下与形成于半导体器件501边缘的多余引脚抵接，以将半导体侧面的多余引脚切除，方便后续的安装使用。

第一上模上安装有引脚切割刀具，第一下模21上安装有与引脚切割刀具适配的引脚切割刀座，工作时，引脚切割刀具在驱动装置的驱动下朝向引脚切割刀座方向运动，直至放置在第一下模21上半导体器件501引脚与边框51连接部分抵接，以适于与引脚切割刀座配合对半导体器件501与边框51连接部位进行切割，以使引脚与边框51分离。

第一上模上还安装有加强筋55切割刀，第一下模21上安装有与加强筋55 切割刀适配的加强筋切割座223，加强筋55切割刀与加强筋切割座223配合以对连接相邻半导体器件501的加强筋55进行切割，以使相邻列半导体器件501 分离。预切筋刀包括预切筋刀头2111与预切筋刀体2112，预切筋刀头2111设置在预切筋刀体2112侧面，在毛刺切割步骤60时，预切筋刀头2111适于与连接筋502抵接，以对连接筋502进行切割，预切筋刀头2111的横截面呈梯形设置，其侧边能够与相邻行半导体器件501边缘抵接，以在切割时为预切筋刀头2111进行定位，避免出现切割错误，此外，分离刀31包括分离刀31与分离刀体32，分离刀体32的侧边与分离刀体32侧边形成第一倾斜角33，预切筋刀头 2111的侧边与预切筋刀体2112的侧边形成第二倾斜角2113，第一倾斜角33的角度与第二倾斜角2113的角度大小相同，使得分离刀31在对剩余连接筋502 进行切割时，能够将剩余连接筋502完全切除，避免出现剩余，同时降低了分离刀31切割时的切割难度。

成型模块30包括第二上模与设置在第二上模下方的第二下模，第二下模适于放置经切筋模块20处理后半导体器件501，第二上模适于与第二下模配合，以使放置在第二下模的半导体器件501分离成型。

成型模块30包括冲压模以及与冲压模配合的模板，模板适于放置经切筋模块20处理后的半导体器件501，冲压模适于对形成于半导体器件501上的引脚进行冲压。

成型模块30包括第二上模与设置在第二上模下方的第二下模，第二下模适于放置经切筋模块20处理后半导体器件501，第二上模适于与第二下模配合，以使放置在第二下模的半导体器件501分离成型。分离刀31安装在第二上模上，以适于在第二上模与第二下膜配合时，将剩余连接筋502切除。

更具地，成型模块30包括冲压模以及与冲压模配合的模板，模板适于放置经切筋模块20处理后的半导体器件501，冲压模适于对形成于半导体器件501 上的引脚进行冲压，通过设置冲压模对引脚进行冲压，以使引脚弯曲成型，方便使用者对半导体器件501后期的安装以及加工。

上述实施方式仅为本发明的优选实施方式，不能以此来限定本发明保护的范围，本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的。

Claims (13)

1.半导体器件的切筋成型方法，其中，多个半导体器件按阵列的方式设置在矩阵框架上，相邻行所述半导体器件通过连接筋连接，所述矩阵框架包括边框、多个连接所述边框与半导体器件的引脚以及连接各引脚的加强筋，其特征在于所述切筋成型方法包括以下步骤：

毛刺切割步骤：预切筋刀在预切筋刀驱动装置的驱动下，移动至连接筋位置，预切筋刀与连接筋接触，以将部分连接筋切除，切割后连接筋剩余宽度为连接筋原宽度的20％-60％，经预切筋刀切割后半导体器件由输送装置输送到加强筋切割步骤；

加强筋切割步骤：加强筋切割刀在加强筋切割刀驱动装置的驱动下，移动至加强筋位置处，加强筋切割刀与加强筋接触，以将加强筋切除，加强筋切除后，通过加强筋连接的相邻列半导体器件分离，经加强筋切割刀切割后的半导体器件由输送装置输送到边框切割步骤；

边框切割步骤：引脚切割刀在引脚切割刀驱动装置的驱动下，对引脚与边框的连接部分进行切割，切割后，引脚与边框分离，剩余引脚与半导体器件连接，切割后半导体器件由输送装置输送到边框切割步骤；

边框切割步骤分离步骤

分离步骤：分离刀在分离刀驱动装置的驱动下，对剩余连接筋进行切割，以将剩余连接筋切断，连接筋切断后相邻行半导体器件分离，半导体器件分离。

2.如权利要求1所述的半导体器件的切筋成型方法，其特征在于：所述预切筋刀包括预切筋刀头与预切筋刀体，所述预切筋刀头设置在所述预切筋刀体侧面，在毛刺切割步骤时，所述预切筋刀头适于与连接筋抵接，以对连接筋进行切割，所述预切筋刀头的横截面呈梯形设置。

3.如权利要求2所述的半导体器件的切筋成型方法，其特征在于：所述预切筋刀头与连接筋接触部分宽度为连接筋宽度的20％-60％，以适于切除连接筋宽度的20-60％。

4.如权利要求3所述的半导体器件的切筋成型方法，其特征在于：所述预切筋刀头与连接筋接触部分宽度为连接筋宽度的50％，以适于切除连接筋宽度的40％。

5.如权利要求2所述的半导体器件的切筋成型方法，其特征在于：所述分离刀包括分离刀与分离刀体，所述分离刀体的侧边与所述分离刀体侧边形成第一倾斜角，所述预切筋刀头的侧边与所述预切筋刀体的侧边形成第二倾斜角，所述第一倾斜角的角度与所述第二倾斜角的角度大小相同。

6.如权利要求1所述的半导体器件的切筋成型方法，其特征在于所述毛刺切割步骤中：连接筋切割后，连接筋剩余宽度为连接筋原宽度的40％。

7.如权利要求1所述的半导体器件的切筋成型方法，其特征在于所述引脚包括左引脚、中间引脚、右引脚以及连接所述左引脚、中间引脚、右引脚的挡胶筋，所述毛刺切割步骤之后，所述加强筋切割步骤之前还包括挡胶筋切割步骤，所述挡胶筋切割步骤：挡胶筋切割刀切除挡胶筋，挡胶筋切除后，所述左引脚、中间引脚、右引脚分离。

8.如权利要求7所述的半导体器件的切筋成型方法，其特征在于：所述加强筋切割步骤之前，所述挡胶筋切割步骤之后还包括中间引脚切除步骤，所述中间引脚切除步骤；中间引脚切割刀将中间引脚切除。

9.如权利要求1所述的半导体器件的切筋成型方法，其特征在于所述边框切割步骤之后，所述分离步骤之前还包括成型步骤，所述成型步骤：对切割后引脚进行冲压，以使引脚弯折成型。

10.一种采用权利要求1-9项中任一项所述半导体器件的切筋成型方法的半导体器件加工设备，其中多个半导体器件按阵列的方式设置在矩阵框架上，相邻行所述半导体器件通过连接筋连接，所述矩阵框架包括边框、多个连接所述边框与半导体器件的引脚以及连接各引脚的加强筋，其特征在于：包括上料模块、切筋模块、成型模块与下料模块，所述切筋模块包括第一下模与第一上模，所述第一上模设置在所述第一下模上方，所述第一下模用于放置待切割矩阵框架，所述第一上模适于在与所述第一下模配合时，对放置在所述第一下模上的半导体器件进行切割，以使半导体器件与矩阵框架分离，所述第一上模包括预切割刀，所述预切割刀适于在所述第一上模与所述第一下模配合时，对连接筋进行切割并形成切痕，所述切痕宽度为连接筋宽度的20-60％，所述上料模块适于将矩阵框架放置在所述第一下模，所述成型模块适于对经所述切筋模块切割后半导体器件进行处理，以使半导体器件分离，所述成型模块包括分离刀，所述分离刀适于将经所述预切割刀切割后连接筋切断，以使相邻行半导体器件分离，所述下料模块适于将所述经成型模块加工后的半导体器件排出。

11.如权利要求10所述的半导体器件加工设备，其特征在于：所述第一上模上安装有引脚切割刀具，所述第一下模上安装有与所述引脚切割刀具适配的引脚切割座，所述引脚切割刀具与所述引脚切割座配合以对半导体器件与边框连接部位进行切割，以使引脚与边框分离。

12.如权利要求10所述的半导体器件加工设备，其特征在于：所述第一上模上安装有加强筋切割刀，所述第一下模上安装有与所述加强筋切割刀适配的加强筋切割座，所述加强筋切割刀与所述加强筋切割座配合以对连接相邻半导体器件的加强筋进行切割，以使相邻列半导体器件分离。

13.如权利要求10所述的半导体器件加工设备，其特征在于：所述成型模块包括冲压模以及与所述冲压模配合的模板，所述模板适于放置经所述切筋模块处理后的半导体器件，所述冲压模适于对形成于半导体器件上的引脚进行冲压。