CN109285853A - 图像传感器及其形成方法 - Google Patents
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- CN109285853A CN109285853A CN201811318820.XA CN201811318820A CN109285853A CN 109285853 A CN109285853 A CN 109285853A CN 201811318820 A CN201811318820 A CN 201811318820A CN 109285853 A CN109285853 A CN 109285853A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 73
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 13
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 118
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 12
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
- H01L27/14647—Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种图像传感器的形成方法，通过将光电二极管布线与二极管结构连接，通过外部电路控制二极管结构将光电二极管内的光生载流子及时导出，解决图像拖尾问题。该图像传感器的形成方法包括以下步骤：提供三个或三个以上垂直堆叠的光电二极管；形成与其中一个光电二极管耦合的二极管结构，二极管结构包括沿垂直方向邻接设置的第一掺杂区域和具有与第一掺杂区域相反掺杂类型的第二掺杂区域，其中，光电二极管耦合至第一掺杂区域；形成与第二掺杂区域耦合的金属互连结构。
Description
技术领域
本发明涉及半导体工艺领域，更详细地说，本发明涉及一种图像传感器及形成方法。
背景技术
在图像传感器中，当光线投射入感光元件后，部分光子会被半导体材料反射，剩余光子被所述感光元件中的感光层吸收并激发电子-空穴对，产生光生载流子，从而完成光电转换的过程。不同颜色光的波长不同，其光子被感光层吸收的几率不同，吸收深度也就不同：蓝光波长较短，蓝光光子被感光层吸收的几率较高，入射深度较浅；红光波长较长，红光光子被感光层吸收的几率较低，入射深度较深。
利用不同波长光的吸收深度不同，光生载流子产生的位置不同，对相应光生载流子进行信号采集，从而可以省去滤色镜的结构，达到减少工艺步骤、简化器件结构的目的。
然而，上述具有叠层结构的光检测器在一帧信号输出后，容易存在部分电荷残留，造成图像拖尾(Image Lag)问题。
发明内容
为了解决现有技术的上述问题，本发明提供了一种图像传感器的形成方法，通过将光电二极管布线与二极管结构连接，通过外部电路控制二极管结构将光电二极管内的光生载流子及时导出，解决图像拖尾问题。
该图像传感器的形成方法包括以下步骤：提供三个或三个以上垂直堆叠的光电二极管；形成与其中一个光电二极管耦合的二极管结构，二极管结构包括沿垂直方向邻接设置的第一掺杂区域和具有与第一掺杂区域相反掺杂类型的第二掺杂区域，其中，光电二极管耦合至第一掺杂区域；形成与第二掺杂区域耦合的金属互连结构。在本发明的一些实施例中，以上步骤按描述的先后，顺序发生，该图像传感器的形成方法特别适用于背照式图像传感器，器件结构只需自下而上逐层制作即可，无需多次翻转晶圆，制备过程简单高效，有效解决了图像拖尾问题。
在本发明的较优技术方案中，每个光电二极管通过在第一半导体材料层上外延生长与第一半导体材料层具有相反导电类型的第二半导体材料层来形成。外延生长方式所形成材料的质量较高，工艺控制精度较高，能够形成具有精确膜厚的各光电二极管的掺杂层，从而保证光生载流子产生位置的精确控制。
进一步地，在本发明的较优技术方案中，在提供三个或三个以上垂直堆叠的光电二极管的步骤中，各相邻光电二极管之间还形成有电隔离层。电隔离层能够有效隔绝各相邻光电二极管之间的电学串扰，同时可与深沟槽隔离结构配合，将各光电二极管完全包埋，隔离效果更加优异。
更进一步地，在本发明的较优技术方案中，电隔离层的形成过程包括以下步骤：形成三个或三个以上垂直堆叠的光电二极管以及两层或两层以上位于各相邻光电二极管之间的过渡层；形成与各过渡层接触的刻蚀沟槽；采用各向同性刻蚀方法，选择性地去除至少一部分过渡层；在原过渡层的位置填充介电材料，形成电隔离层。
在本发明的较优技术方案中，形成与其中一个光电二极管耦合的二极管结构的过程包括以下步骤：在三个或三个以上垂直堆叠的光电二极管上形成器件层衬底；形成贯穿器件层衬底并与其中一个光电二极管耦合的连接结构，连接结构沿垂直方向延伸，且其外壁包覆有绝缘层；形成与连接结构电连接的二极管结构。绝缘膜层可以有效保证各光电二极管不会因连接件连通而产生短路现象，防止各光电二极管之间的电学串扰。
进一步地，在本发明的较优技术方案中，连接结构的形成过程包括以下步骤：形成贯穿器件层衬底并与其中一个光电二极管连接的第一沟槽；在第一沟槽的侧壁、底部以及器件层衬底上沉积绝缘膜层；采用各向异性干法刻蚀工艺刻蚀绝缘膜层，去除第一沟槽底部的绝缘膜层；在第一沟槽内填充导电材料，形成连接结构。
进一步地，在本发明的较优技术方案中，在连接结构的形成过程中，还形成光电二极管的连接件，连接件用于与图像传感器的晶体管器件电连接。同时形成连接结构和连接件，可以简化工艺步骤，提高生产效率。
进一步地，在本发明的较优技术方案中，与连接结构电连接的二极管结构的形成过程包括以下步骤：形成与连接结构连接的第二沟槽；在第二沟槽内形成二极管区，二极管区具有与器件层衬底表面平齐的第一面；采用第一离子注入工艺，在第二沟槽内形成第一掺杂区域；采用第二离子注入工艺，在第二沟槽内形成第二掺杂区域，第二掺杂区域起始于第一面，并沿垂直方向向光电二极管延伸。采用离子注入方法形成垂直方向堆叠的二极管结构，该形成方法简单高效，且无需多次翻转晶圆，简化了工艺流程。
本发明还提供了一种图像传感器，包括：三个或三个以上垂直堆叠的光电二极管；二极管结构，与其中一个光电二极管耦合，包括沿垂直方向邻接设置的第一掺杂区域和具有与第一掺杂区域相反掺杂类型的第二掺杂区域，第一掺杂区域与光电二极管耦合；金属互连结构，与第二掺杂区域耦合。
在本发明的较优技术方案中，各相邻光电二极管之间设置有电隔离层。
附图说明
图1-图6、图8-15是本发明一个实施例中背照式图像传感器形成方法各个步骤对应的剖面结构示意图；
图7是与图8对应的背照式图像传感器结构的示意图俯视图。
附图标记：100、工艺衬底；200a、P型掺杂层；200b、N型掺杂层；200-1、第一光电二极管；200-2、第二光电二极管；200-3、第三光电二极管；202a、底部过渡层；202a’、底部电隔离层；202b、中间过渡层；202b’、电隔离层；202c、顶部过渡层；202c’、顶部电隔离层；300、器件层衬底；300-1、第一面；302、硬掩膜层；304、第一沟槽；306、绝缘膜层；308a、连接结构；308b、连接件；310、深沟槽隔离结构；311、刻蚀沟槽；312、第二沟槽；314、二极管结构；314a、第一掺杂区域；314b、第二掺杂区域；400、金属互连结构。
具体实施方式
以下，一边参照附图一边大致说明本发明的优选实施例。另外，本发明的实施例并不限定于下述实施例，能够采用在本发明的技术构思范围内的各种各样的实施例。
应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。此外，除非特别声明相对的对象，空间关系术语“垂直”“水平”是相对于剖面图中所示的各功能层而言的。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
本实施例首先提供了一种图像传感器的形成方法，包括以下步骤：
首先，参考图1，提供工艺衬底100；
工艺衬底100用于为图像传感器的形成过程提供工艺操作平台，本实施例中，所述工艺衬底100的材料为单晶硅。在本发明其他实施例中，所述工艺衬底100的材料还可以选自多晶硅或者非晶硅；所述工艺衬底100也可以选自硅、锗、砷化镓或硅锗化合物；所述工艺衬底100也可以是具有外延层或外延层上硅结构。需要说明的，本实施例中所形成的图像传感器包括多个像素单元，多个像素单元的工艺衬底100一体相连，图1示出的仅是一个像素单元100所对应的工艺衬底100。
本实施例中，所述图像传感器为背照式图像传感器(Back-Side Illumination，BSI)。所述工艺衬底100具有相背设置的上表面和下表面(图中未示出)，其中，上表面，即图像传感器的正面，作为图像传感器形成过程的工艺操作表面；下表面，即图像传感器的背面，为图像传感器的采光面。光线自下表面入射至所述图像传感器内，后续需要对工艺衬底100的下表面进行减薄处理以去除所述工艺衬底100，从而使光线顺利入射以实现采集。
接着，在工艺衬底100上采用外延生长工艺生长过渡层和光电二极管的叠层结构，该叠层结构包括三个沿垂直方向堆叠的光电二极管，每个光电二极管均包括沿垂直方向堆叠的P型掺杂层200a和N型掺杂层200b，以形成用于吸收光线的PN结结构。本实施例中，P型掺杂层200a均设置于N型掺杂层200b远离工艺衬底100的一侧。
具体地，该叠层结构的形成包括以下步骤：首先，在工艺衬底100上外延生长形成由锗硅材料构成的底部过渡层202a；在底部过渡层202a上，采用原位掺杂的外延工艺，形成N型掺杂层200b，再在N型掺杂层200b上继续采用原位掺杂的外延工艺形成P型掺杂层200a，首次形成的第一组N型掺杂层200b和P型掺杂层200a构成了底部的第一光电二极管200-1。重复以上步骤，形成如图所示的由锗硅材料构成的中间过渡层202b、第二光电二极管200-2、第三光电二极管200-3以及顶部过渡层202c。其中，中间过渡层202b被配置为两层，分别设置于第一光电二极管200-1与第二光电二极管200-2之间以及第二光电二极管200-2与第三光电二极管200-3之间，后续原位替换形成隔离层，以隔绝相邻光电二极管之间的光生载流子串扰。顶部过渡层202c形成于第三光电二极管200-3上，用于光电二极管的电隔离，同时提高与后续形成的器件层衬底300的结合力。
需要说明的是，由于所形成图像传感器为背照式图像传感器，因此光线从器件背面入射，即所形成图像传感器在采集光线时，光线沿第一光电二极管200-1指向第三光电二极管200-3的方向依次透射，其中，第一光电二极管200-1能够吸收各波长和入射深度的光子，如蓝光光子、绿光光子和红光光子。部分光子，如蓝光光子，由于吸收波长较短、入射深度浅，仅能到达第一光电二极管200-1处，而无法深入至第二光电二极管200-2。因此第二光电二极管200-3仅能够吸收入射深度相对较深的光子，如绿光光子和红光光子，而第三光电二极管200-3则对光子的入射深度要求更高，仅能收集吸收波长较长、入射深度较深的光子，如红光光子。计算时根据第三光电二极管200-3的信号强度计算红光强度，在第二光电二极管200-2的信号基础上扣除红光强度，得到绿光强度；而在第一光电二极管200-1的信号基础上扣除红光和绿光强度，得到蓝光强度。
本实施例中，通过外延生长的方式形成各光电二极管，外延生长方式所形成材料的质量较高，工艺控制精度较高，能够形成具有精确膜厚的各光电二极管的掺杂层，从而保证光生载流子产生位置的精确控制。同时，各掺杂层采用原位掺杂的外延工艺，与离子注入技术相比，原位掺杂方式形成的掺杂层损伤缺陷较少，降低损伤缺陷对光生载流子的俘获作用，增加对光生载流子的有效收集；而且原位掺杂的方法，还能够改善各光电二极管掺杂层中掺杂离子的分布均匀性，使掺杂离子分布于掺杂层的整个平面范围内，有效增加感光元件中能够实现光信号采集的面积，改善所形成图像传感器的性能。
之后，在顶部过渡层202c上继续形成器件层衬底300，器件层衬底300提供器件层形成的工艺操作平台。本实施例中，器件层衬底300被形成为单晶硅衬底，形成工艺为化学气相沉积方法。
参考图2-图5，形成分别与不同光电二极管电连接的连接结构308a以及连接件308b，连接结构308a用于与图像传感器的二极管结构电连接，以及时传递光电二极管内残留的光生载流子；连接件308b用于与图像传感器的晶体管器件电连接，以将光生载流子扫入对应的浮置扩散区。
连接结构308a和连接件308b的形成具体包括以下步骤：
如图2所示，在形成器件层衬底300后，在器件层衬底300上形成硬掩膜层302；之后，刻蚀硬掩膜层302，形成贯穿器件层衬底300，并与第一光电二极管200-1连接的第一沟槽304。硬掩膜层302采用氮化硅材料制得，一方面能够作为覆盖器件层衬底300，保护器件层衬底300免受后续刻蚀步骤的影响；另一方面，硬掩膜层302能够作为连接结构导电材料的平坦化步骤以及绝缘膜层刻蚀步骤的停止层。
本实施例中，采用反应离子束刻蚀(RIBE)制作第一沟槽304，第一沟槽304刻蚀深度由刻蚀时间决定，需要刻蚀至与第三光电二极管200-3接触。较优选地，刻蚀直至第一沟槽304到达第三光电二极管200-3的PN结界面处附近，实际刻蚀位置可以略有浮动。
如图3所示，采用原子层沉积(ALD)或其他合适的刻蚀工艺，在第一沟槽304的侧壁、底部及器件层衬底300上的硬掩膜层302表面沉积绝缘膜层306，绝缘膜层306可以是具有良好介电性能的材料膜层，诸如氧化硅、碳化硅、氮化硅、碳氮化硅、碳氧化硅、氮氧化硅或高k介质材料膜层，以有效保证各光电二极管不会因连接件连通而产生短路现象，防止各光电二极管之间的电学串扰。本实施例中，绝缘膜层306的材料为氧化硅。
之后，采用反应离子刻蚀(RIE)或其他合适的刻蚀工艺，选择性地刻蚀绝缘膜层306，将绝缘膜层306位于第一沟槽304底部以及位于硬掩膜层302表面的部分去除，保留位于第一沟槽304侧壁的绝缘膜层306，以作为后续形成的连接结构的电学隔离件。
如图4所示，在侧壁覆盖有绝缘膜层306的第一沟槽304内以及硬掩膜302表面沉积导电材料，形成填充第一沟槽304并与第一光电二极管200-1电连接的连接结构308a以及连接件308b，之后，采用化学机械平坦化工艺，研磨去除多余的导电材料，直至露出硬掩膜层302。
本实施例中，第一沟槽304内填充的导电材料为多晶硅。多晶硅导电性能优良，且方便在后续二极管结构的制作步骤中被部分刻蚀去除。在其他实施例中，该导电材料也可以是金属硅化物或金属等其他合适的导电材料。
如图5所示，接着采用相同方法制作与第二光电二极管200-2、第三光电二极管200-3电连接的连接结构308a以及连接件308b。或者，在本发明的其他一些实施例中，将各沟槽实施完毕后，在各沟槽内同时制作绝缘膜层306、填充多晶硅导电材料，以提高生产效率。本实施例中，所述连接结构308a以及连接件308b与光电二极管的数量相等，并与光电二极管一一对应相连。
继续参考图6，制作图像传感器器件层的深沟槽隔离(DTI)结构310。本实施例中，该深沟槽隔离结构310贯穿器件层衬底300和各光电二极管叠层结构，形成为延伸至工艺衬底100顶部的隔离结构。
具体地，所述深沟槽隔离结构310的形成过程包括：采用各向异性的干法刻蚀方法，刻蚀形成延伸至工艺衬底100顶部的深沟槽(图中未示出)，在深沟槽内填充介质材料，形成深沟槽隔离结构310。本实施例中，深沟槽内填充的介质材料为氧化硅。
参考图7和图8，形成刻蚀沟槽311，刻蚀沟槽311在水平面上垂直于深沟槽隔离结构310的延伸方向，而在剖视图上则沿垂直方向延伸至工艺衬底100顶部表面，与包括底部过渡层202a、中间过渡层202b、顶部过渡层202c在内的各过渡层均直接接触。
之后，采用湿法刻蚀方法，向刻蚀液槽311中注入刻蚀液，选择性地将各过渡层去除。过渡层的去除程度可以通过调节刻蚀时间实现，以保留一部分的过渡层作为半导体结构的机械支撑。本实施例中，刻蚀液的配比为40％的HNO3、1％的HF、1％的CH3COOH、其余为H2O。该刻蚀液对于过渡层所采用的锗硅材料的选择性较好。
参考图9，采用化学气相沉积工艺，在刻蚀得到的横向凹槽内，即原过渡层所在位置沉积形成电隔离层。电隔离层包括底部电隔离层202a’、电隔离层202b’以及顶部电隔离层202c’。其中，底部电隔离层202a’用于实现第一光电二极管200-1与外部结构的电隔离，同时可以作为后续晶圆减薄的停止层。电隔离层202b’能够防止相邻光电二极管之间的电串扰，而顶部电隔离层202c’能够防止第三光电二极管200-3向器件层的电学串扰。之后，采用化学机械平坦化工艺，将顶部多余的氧化硅材料去除，露出硬掩膜层302，得到如图10所示的半导体结构。
图11-14示出了与连接结构308a电连接的二极管结构314的形成过程。
具体地，参考图11，形成与连接结构308a连接的第二沟槽312。第二沟槽312与连接结构308a的位置相对应，从器件层衬底300的正面向器件层衬底300内部延伸，且第二沟槽312的横截面积大于连接结构308的横截面积。本实施例中，所述第二沟槽312采用各向异性干法刻蚀方法形成，刻蚀深度通过刻蚀时间控制。如图12所示，在第二沟槽312中沉积掺杂多晶硅材料，掺杂的多晶硅材料填充第二沟槽312并覆盖在硬掩膜层302表面。
如图13所示，采用化学机械平坦化工艺，研磨去除多余的掺杂多晶硅材料以及硬掩膜302，使掺杂多晶硅材料层的顶部表面与器件层衬底300的顶部表面(即第一面300-1)平齐。
之后，如图14所示，采用离子注入工艺，通过选择不同的注入能量、剂量以及离子类型，以在不同深度的位置分别注入形成第一掺杂区域314a和第二掺杂区域314b，第一掺杂区域314a和第二掺杂区域314b沿垂直方向邻接设置，掺杂类型相反。其邻接界面构成的二极管结构314的PN结。其中，第二掺杂区域314b起始于第一面300-1，并沿垂直方向向光电二极管叠层结构延伸。
在本发明的其他实施例中，在第二沟槽312中沉积的导电材料也可以是掺杂的无定型硅材料或其他合适的半导体材料。采用掺杂的多晶硅或无定型硅材料可以满足材料的导电要求，同时可以进一步使用离子注入工艺在其中形成具有相反掺杂离子类型的掺杂区域。
参考图15，在器件层衬底300内形成其他晶体管器件结构，如浮置扩散区、诸如复位晶体管、源跟随器晶体管、选择晶体管、转移晶体管、其他合适的晶体管的源漏极等，之后在器件层衬底300上形成栅电极以及包括二极管结构314的接触结构在内的金属互连结构400。
通过以上方式，形成的图像传感器的光电二极管布线接有控制光生载流子导出的二极管结构314。二极管结构314一端与光电二极管电连接，另一端与控制电路连通，使得图像传感器能够通过该布线接二极管结构314的形式，在每帧图像获取前，通过二极管结构314将像素区域内干扰的电子及时导出，防止其残留在光电二极管内产生图像拖尾现象。
本实施例还提供了一种图像传感器结构，参考图15，该图像传感器包括垂直堆叠的第一光电二极管200-1、第二光电二极管200-1和第三光电二极管200-3；每个光电二极管均独立连接有用于控制光生载流子导出的二极管结构314，该二极管结构314具有沿垂直方向邻接设置且掺杂类型相反的第一掺杂区域314a和第二掺杂区域314b，第一掺杂区域314a与光电二极管耦合，第二掺杂区域314b连接至金属互连结构。
进一步地，各相邻光电二极管之间，即第一光电二极管200-1与第二光电二极管200-2之间、第二光电二极管200-2与第三光电二极管200-3之间，设置有电隔离层200b’。各电隔离层与深沟槽隔离结构310相互配合，将各光电二极管完全包埋，隔离效果更佳优异。
至此，已经结合附图描述了本发明的技术方案，但是，本领域技术人员容易理解的是，本发明的保护范围显然不局限于这些具体实施方式。在不偏离本发明的原理的前提下，本领域技术人员可以对相关技术特征作出等同的更改或替换，这些更改或替换之后的技术方案都将落入本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供三个或三个以上垂直堆叠的光电二极管；
形成与其中一个所述光电二极管耦合的二极管结构，所述二极管结构包括沿垂直方向邻接设置的第一掺杂区域和具有与所述第一掺杂区域相反掺杂类型的第二掺杂区域，其中，所述光电二极管耦合至所述第一掺杂区域；
形成与所述第二掺杂区域耦合的金属互连结构。
2.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，每个所述光电二极管通过在第一半导体材料层上外延生长与所述第一半导体材料层具有相反导电类型的第二半导体材料层来形成。
3.如权利要求1或2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在提供三个或三个以上垂直堆叠的光电二极管的步骤中，各相邻所述光电二极管之间还形成有电隔离层。
4.如权利要求3所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述电隔离层的形成过程包括以下步骤：
形成三个或三个以上垂直堆叠的光电二极管以及两层或两层以上位于各相邻所述光电二极管之间的过渡层；
形成与各所述过渡层接触的刻蚀沟槽；
采用各向同性刻蚀方法，选择性地去除至少一部分所述过渡层；
在原所述过渡层的位置填充介电材料，形成电隔离层。
5.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成与其中一个所述光电二极管耦合的二极管结构的过程包括以下步骤：
在所述三个或三个以上垂直堆叠的光电二极管上形成器件层衬底；
形成贯穿所述器件层衬底并与其中一个所述光电二极管耦合的连接结构，所述连接结构沿垂直方向延伸，且其外壁包覆有绝缘层；
形成与所述连接结构电连接的二极管结构。
6.如权利要求5所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述连接结构的形成过程包括以下步骤：
形成贯穿所述器件层衬底并与其中一个所述光电二极管连接的第一沟槽；
在所述第一沟槽的侧壁、底部以及所述器件层衬底上沉积绝缘膜层；
采用各向异性干法刻蚀工艺刻蚀所述绝缘膜层，去除所述第一沟槽底部的绝缘膜层；
在所述第一沟槽内填充导电材料，形成连接结构。
7.如权利要求5所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述连接结构的形成过程中，还形成所述光电二极管的连接件，所述连接件用于与图像传感器的晶体管器件电连接。
8.如权利要求5-7任一项所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，与所述连接结构电连接的二极管结构的形成过程包括以下步骤：
形成与所述连接结构连接的第二沟槽；
在所述第二沟槽内形成二极管区，所述二极管区具有与器件层衬底表面平齐的第一面；
采用第一离子注入工艺，在所述第二沟槽内形成所述第一掺杂区域；
采用第二离子注入工艺，在所述第二沟槽内形成所述第二掺杂区域，所述第二掺杂区域起始于所述第一面，并沿垂直方向向所述光电二极管延伸。
9.一种图像传感器，其特征在于，包括：
三个或三个以上垂直堆叠的光电二极管；
二极管结构，与其中一个所述光电二极管耦合，包括沿垂直方向邻接设置的第一掺杂区域和具有与所述第一掺杂区域相反掺杂类型的第二掺杂区域，所述第一掺杂区域与所述光电二极管耦合；
金属互连结构，与所述第二掺杂区域耦合。
10.如权利要求9所述的图像传感器，其特征在于，各相邻所述光电二极管之间设置有电隔离层。
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Country Status (1)
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| CN115881750A (zh) * | 2023-02-02 | 2023-03-31 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 图像传感器及其制作方法 |
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| CN108054179A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-05-18 | 德淮半导体有限公司 | 用于形成图像传感器的方法及图像传感器 |
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2018
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